JPH01289963A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン（
ａ−３ｉ）を母体として用いた電子写真感光体が近年に
なって提案されている。

このようなａ　　Ｓｉ　はいわゆるダングリングボンド
を有しているため、この欠陥を水素原子で補償して暗抵
抗を大としかつ光導電性も向上させたアモルファス水素
化シリコン（ａ　−３ｉ　：　Ｈ）が提案されている。

しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ　　Ｓ＋Ｃ：
Ｉ（と称する。）について、その製法や存在が“’Ｐｈ
１１．　Ｍａｇ。

Ｖｏｌ、　３５　”　（１９７８）等に記載されており
、その特性として、面４納性や表面硬度が高いこと、ａ
　−３ｉ　：１１と比較して高い暗所抵抗率（１０”〜
１０１３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学的
エネルギーギャンプが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘っ
て変化すること等が知られている。但し、炭素の含有に
よりバンドギャップが拡がるために長波長感度が不良と
なるという欠点がある。

こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ　−５ｉ　：　Ｈとを組合
せた電子写真感光体は例えば特開昭５７−１１５５５９
号公報において提案されている。これによれば、ａ−５
ｉ　：　Ｈからなる電荷発生層上にａ　−５ｉ　Ｃ：　
Ｔ−Ｉ層を表面改質層として形成している。

しかしながら、上記の公知の感光体について木発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けても、未だ期待
した程には効果がなく、特に繰り返し使用時の耐スクラ
ッチ性や耐画像流れ性に問題があることが判明した。

ハ１発明の目的 本発明の目的は、繰り返し使用に耐え、良好な画像を得
ることのできる感光体を提供することにある。

二１発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のう
ち少なくとも炭素原子及び窒素原子を含有するアモルフ
ァス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからなる表面
改質層を有し、この表面改質層の炭素含有量（［：　Ｃ
））及び窒素含有量（１：　Ｎ　））が夫々、 ３０ａｔｏｍｉｃ％≦（Ｃ：ｌ　＜　１００１００ａｔ
ｏ％Ｏａｔｏｍｉｃ％〈〔Ｎ〕≦　５０ａｔｏｍｉｃ％
（但し、３０ａｔｏｍｉｃ％＜　（Ｃ＋Ｎ）　＜　１０
０１００ａＬｏ％とする。） であり、前記表面改質層についてＳ＋　　ｃｌ＋３に起
因する赤外吸収曲線の波数１２００〜１３００ｃｍ＝で
の積分面積（Ｓ）が、 ５−ＪＺ：二ａ（ω）ｄω≦１０，０００（ｃｍ−２）
〔但シ、ａ（ω）−一−ＬＩｏｇ１ｏｌで表され、ｄ−
ｉ。

ωは赤外波数（ｃｍ−’）　、ｄは表面改質層の膜厚（
ｃｍ）、■（ω）ば透過光強度、Ｉｏは入射光強度であ
る。） で示される範囲にあり、かつ前記表面改質層の光学的バ
ンドギャップが２．４ｅＶ以」二である感光体に係るも
のである。

本発明によれば、表面改質層は炭素原子、窒素原子及び
酸素原子の少なくとも炭素原子及び窒素原子を含有して
いるだげでなく、この表面改質層の赤外吸収面積を上記
したＳ≦１０．０００（ｃｍ””）に特定することによ
って、はじめて満足すべき耐スクラッチ性が得られ、白
スジ発生等による画質の劣化がなく、耐刷性が優れたも
のとなるのである。

また、表面改質層の光学的ハントギャップ（Ｅｇ、○ｐ
ｔ）を２．４ｅＶ以上と特定範囲に限定しているので、
」−記に加えて画像流れが大きく減少し、高画質化が更
に現実可能となる。

ポ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例によるａ−５ｉ系電子写真感光体３
９を示すものである。この感光体３９はＡｆ２等のドラ
ム状導電性支持基板４１上に、必要に応して設けられる
ａ−３ｉ系の電荷ブロッキング層４４と、ａ　−５ｉ　
：　Ｈからなる光導電性層４３と、Ｃ，Ｎ及びＯの少な
くともＣ及びＮを含有するａ−３ｉＣＮ：Ｈ又はａ−Ｓ
ｉＣＮ○ニドＩからなる表面改質層４５とが積層された
構造からなっている。電荷ブロッキング層４４は、ａ−
５ｉ：Ｈｌａ−３ｉＣ：ｌ（又はａ−３ｉＮ：Ｈからな
っていてよく、また周期表第１ＴＩＡ族又は第ＶＡ族元
素がトープされていてよい。また、光導電性層４３にも
同様の不純物がドープされていてよい。光導電性層４３
は、暗所抵抗率ρ、と光照射時の抵抗率ρ１．との比が
電子写真感光体として充分大きく光感度（特に可視及び
赤外領域の光に対するもの）が良好である。なお、上記
の層４５−４３間にはａ−３ｉＣ等の中間層を設けても
よい。

ここで注目すべきことは、表面改質層４５がＣ１Ｎ、○
の少なくともＣ及びＮを含有するａ−３ｉＣＮ　：　Ｉ
−１又はａ−５ｉ（ＣＮ○）：Ｈからなっているだけで
なく、そのＣ及びＨの含有によるＳｉ　　Ｃ１ｌ：＋に
起因する赤外波数１２４０ｃ＋＋ｒ’近傍の赤外吸収面
積（上記したＳ）を１０．　ＯＯＯｃｍ−２以下、望ま
しくは、６．０００ｃｍ−２以下、更に望ましくは３＋
０００ｃｍ−２以下と特定範囲に設定していることであ
る。

このように表面改質層４５のＳｉ　　ＣＬに起因する波
数近傍での赤外吸収面積を特定範囲に限定したことによ
って、表面改質層４５の機械的強度、特に耐スクラッチ
性が著しく向上することかはしめて判明したのである。

表面改質層４５の組成については、 ３０ａ　ｔｏｍ　ｉｃ％≦（Ｃ］＜　１００１００ａｔ
ｏ％Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％〈〔Ｎ１６５０ａｔｏｍｉｃ％
３０ａｔｏｍｉｃ％＜　［Ｃ＋Ｎ）又はｌ：　Ｃ−１−
Ｎ　＋　０　〕＜　１００１００ａｔｏ％ （但し、（Ｓｉ　）＋（Ｃ）＋（Ｎ　）　＝　１００１
００ａｔｏ％又は［：Ｓｉ　）＋〔Ｃ’］＋（Ｎ　）＋
ｌ：○）　＝　１００１００ａｔｏ％とし、 ４０ａｔｏｍｉｃ％　≦（Ｃ）≦６５ａｔｏｍｉｃ％Ｌ
　ａｔｏｍｉｃ％　≦（Ｎ）≦３５ａｔｏｍｉｃ％４０
ａｔｏｍｉｃ％≦［：　Ｃ十Ｎ　）又は［：　Ｃ−１−
Ｎ　＋　Ｏ）≦７０ａｔｏｍｉｃ％ とするのが更ｌ望ましい。（ここで、ａｔｏｍｉｃ％は
原子数の百分率を表わす）。Ｃ十Ｎ又はＣ−１−Ｎ　−
＋−Ｏの含有量が少なずぎでも多ずぎても上記した耐ス
クラッチ性向上の効果に乏しくなる。この場合、〔Ｃ］
が３０ａｔｏｍｉｃ％未満では耐スクラッチ性が出す、
また〔Ｎ］の含有によって画像流れを防くが、その上限
を５０ａｔｏｍｉｃ％としないと耐スクラッチ性が不良
となる。

表面改質層４５の帯電能を向上させるには、後述のグロ
ー放電法において例えばＣＢｚＨ６〕／〔５ｉｌ１４）
−１０−３〜］０４容量ｐｐｍ　、望ましくは１０−’
　〜１０２容量ｐｐｍの周期表第１ＩＩＡ族元素、或い
は［：ＰＩＩ３）／［５ｉ１１４］−１０−３〜１０’
容量ｐｐｍ　、望ましくは１０−Ｉ〜１０２容ｉｔ　ｐ
　ｐ　ｍの周期表第ＶＡ族元素をドープするのがよい。

これらの周期表第１ＩＩＡ族元素と第ＶＡ族元素とは表
面改質層中に共に含有せしめてもよい。

また、表面改質層４５の膜厚は２００〜３０，０ＯＯＡ
とすることが望ましく、　１，０００〜１ｏ、ｏｏｏＡ
とするのが更に望ましい。膜厚が大きすぎると、残留電
位■、が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−３
ｉ系悪感光としての良好な特性を失い易い。

また、膜厚が小さすぎると、トンネル効果によって電荷
が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰の増大や光感
度の低下が生じてしまう。

感光層としての光導電性層４３はａ−５ｉ：Ｉ（からな
っていてよく、その組成としては、■］を５〜４０ａｔ
ｏｍｉｃ％とするのがよく、■」に代えて或いは併用し
てハロゲンを含有するときにはハロゲン５〜４０ａｔｏ
ｍｉｃ％、或いばＨとハロゲンとの合計量は５〜４０ａ
ｔｏｍｉｃ％とするのがよい。この光導電性層４３は帯
電能向上のために不純物、特に周期表第１Ａ族又はＶＡ
族元素をドープするとよい。例えば、後述のグロー放電
時に、（Ｂｚｌ１６］／　（ＳｉＨ４）　−１０−３〜
１００（好ましくは１０″′〜１０）容量ｐｐｍ、〔ｐ
ｎ：＋）／（Ｓｉｌ１４）　−１０−〜１００（好まし
くは１０−２〜１０）容ｉｔ　ｐ　ｐ　ｍとしてよい。

また、この層４３の厚めは５〜１００μｍ、好ましくは
１０〜３０μｍとするのがよい。光導電性層４３の厚み
が小さすぎると十分な帯電電位が得られず、また大きす
ぎると残留電位が上昇し、実用上不充分である。

また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第１１１Ａ族元素（例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ゛型）化する。

ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピング
量を制御するのが望ましい。

ａ−３ｉ：Ｈ（Ｈ含有量５〜４０ａｔｏｍｉｃ％）：［
ＢｚＨ６）／　（Ｓｉｌｌａ）　−１０−３〜ＩＯ’容
ｉｐｐｍ（更には１０−１〜１０２容量ｐｐｍ　）（Ｐ
　Ｈ：＋）／（ＳｉＨ４］−１０−３〜１０’容量ｐｐ
ｍ（更には１０−１〜１０２容量ｐｐｍ　）ａ−５ｉＣ
：　Ｈ（Ｈ含有％　５−５５−５０ａｔｏ％、Ｃ含有量
５〜１００　ａＬｏｍｉｃ％）： １：Ｂｚ１１６：］／Ｃ３ｉｌ１４：］　−１０−３〜
１０６容量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐｍ
　）ＣＰＨ３）／〔５ｉｌ１４）　−１０”〜１０６容
量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐｍ　）ａ−
５ｉＮ：Ｈ（Ｎ含有量５−５５−５０ａｔｏ％、Ｎ含有
量５〜６０ａｔｏｍｉｃ％）； ［Ｂｚ１１６〕／〔５ｉ１１４〕−１０−３〜１０’容
量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐｍ　）〔Ｐ
Ｈ３］／〔ＳｉＨ４］−１０−３〜１０６容ｉｐｐｍ（
更には１０−１〜１０４容量ｐｐｍ　）また、ブロッキ
ング層４４は膜厚１００人〜２μｍがよい。厚のが小さ
ずぎるとブロッキング効果が弱く、また太きすぎると電
荷輸送能が悪くなり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、光導電性層（電荷発生層）４３中の水素含有量は
、ダングリングボンドを補償して光導電性及び電荷保持
性を向上させるために必要である。

また、ドープする不純物としては、ボロン以外にも、Ａ
ｊ２．　Ｇａ　、　　Ｉｎ　、　Ｔ４２等の周期表第１
１１Ａ族元素を使用できるし、またリン以外にも、Ａｓ
、ｓｂ等の周期表第ＶＡ族元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、
図中の６２は５ｔＨ４又はガス状シリコン化合物の供給
源、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ
２等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素化
合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源
、６７は不純物ガス（例えばＢ２１１６）供給源、６８
は各流量計である。このグロー放電装置において、まず
、支持体である例えばＡρ基板４１の表面を清浄化した
後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１
Ｏ−６Ｔｏｏｒとなるように調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、特に１００〜３５０°Ｃ（望ましくは
１５０〜３００°Ｃ）に加熱保持する。次いで、高純度
の不活性ガス又はＢ２をキャリアガスとして、５ｉＨａ
又はガス状シリコン化合物、ＣＨ４、Ｎ２、ＮＨ３、Ｃ
Ｏ２，０゜等を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．
０１〜１０Ｔｏｏｒの反応圧下で高周波電源５６により
高周波電圧（例えば１３．５６ＭＢ２）を印加する。こ
れによって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１との
間でグロー放電分解し、ａ　−５ｉ　Ｃ：　Ｈ，ａ　−
３ｉ　：Ｈ，ａ−５ｉＣＮ　：　Ｈｌを上記の層４４．
４３．４５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１
図の例に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０°Ｃとして
いるので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くする
ことができる。

なお、上記ａ−３ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
代わりに、或いはＨと併用してフッ素等のハロゲンをＳ
ｉＦ４等の形で導入し、ａ　−３ｉ　：Ｆ　　、、　　
ａ−３ｔ：　　Ｈ：　　Ｆ、　　　ａ　　−３ｉＮ　　
：　　Ｆ　　Ｘ　　ａ　　−５ｉＮ　　：Ｈ：Ｆ、ａ−
５ｉＣ：Ｆ、、ａ　　５ｉｃｋ）ＩＮＦ等とすることも
できる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状ＡＩ！、支持体上に
第１図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を内のガス
圧が１０”　’Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、
かつ基板４１を所定温度、特に１００〜３５０°Ｃ（望
ましくは１５０〜３００°Ｃ）に加熱保持する。次いで
、高純度のＡｒガスをキャリアガスとして導入し、０．
５Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６ＭＨ２の高
周波電力を印加し、１０分間の予備放電を行った。次い
で、ＳｉＨ４とＢ　２　Ｈｂからなる反応ガスを導入し
、流量比１　：　１　：　　（１，５Ｘ１０−３）の（
Ａｒ十ＳｉＨ４＋Ｂ２Ｈ６）混合ガスをグロー放電分解
することにより、電荷ブロンキング機能を担うＰ゛型の
ａ−３ｉ：Ｈ層４４を６μｍ／ｈｒの堆積速度で所定厚
さに製膜した。引き続き、流量比１：１：（５Ｘ１０−
’）の（Ａｒ　＋５ｉｌ（４＋ＢｚＨ６）混合ガスを放
電分解し、所定厚さのボロンドープドａ−５ｉｌｌ（層
４３を形成した。引続いて、不純物ガスを供給停止し、
流量比４０：３：９０の（Ａｒ：ＳｉＨ４：Ｃ１−１，
）混合ガスを反応圧力Ｐ　＝０．５Ｔｏｒｒ　、放電パ
ワーＲｆ＝４００ｗてグロー放電分解し、所定厚さの中
間層を形成し、更に、流量比４０＝３：９０：１の（Ａ
ｒ：Ｓｉ　Ｈ４：　ＣＨ４：　Ｎ　Ｈ３）混合ガスを反
応圧力Ｐ−Ｑ、５Ｔｏｒｒ　、放電パワーＲｆ＝４００
ｗでグロー放電分解して表面保護層４５を更に設け、電
子写真感光体を完成させた。

なお、表面層４５をａ−３ｉＣＮ○とするときには、酸
素源としてＣＯ２を使用した。

又、組成比をコントロールするためには、ガス流量比、
反応圧力、放電パワーを適宜に設定した。

次に、上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよ
うに行った。

傭」Ｌ畳ｐｅａ孟ノ」− 電子写真複写機［１−Ｂｉｘ　２５００（コニカ株式会
社製）改造機を用い、次のステップでジャムテストを行
った。

■　分離電流をゼロにし、強制的にジャムを発生させる
。

■　祇づまりの状態で３０秒富士わしする。

■　■、■を３０回くり返す。

■　画出しによりジャム傷の有無を判断。

○　ジャム傷　なし △　ジャム傷　数本発生 ×　ジャム傷　多数発生 百皿流腟 温度３３°Ｃ８相対湿度８０％の環境下で、感光体を電
子写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ　２５００（コニカ株式会社製
）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブレ
ードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後、
画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度を判定し
た。

◎二画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

〇二５．５ポイントの英字がやや太（なる。

△：５．５ポイントの英字がつふれて読みづらい。

Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。

結果を下記表−１にまとめて示した。この結果から、本
発明に基いて感光体（Ｎｏ、２〜７）を作成すれば、電
子写真用として特に耐スクラッチ性に優れた感光体が得
られることが分る。

表−１ Ｉシ １−・ ト １・ 巨 ＊既述したＳｉ　　ＣＩ＋３に起因する波数１２４０ｃ
ｍ−’付近での赤外吸 収面積Ｓ 上記の感光体Ｎｏ、　１〜９の各赤外吸収面積Ｓは、実
際には、各表面改質層の膜材料をＳｉ　ウェハ上に上述
した方法で堆積させ、得られた各試料を赤外分光器にか
けて赤外吸収スペクトルを測定し、これから算出したも
のである。

なお、上記した方法において、５ｉ−ＣＨ３の赤外吸収
強度は反応圧力を低くすることによって低下することが
分った。また、感光体の暗抵抗（ρ、）と光照射時の抵
抗（ρ＋−）の比：ρＬ／ρ。は反応圧力を上げると１
．０に近ずくこと、反応圧力を上げると膜中のＳ、　Ｄ
、　（ｓｐｉｎ　ｄｅｎｓｉｔｙ　　ニスピン密度−ダ
ングリングボンドの密度）が増大することも分った。

次に、第２図に示した如き装置を用い、表面改質層を製
膜するときのＣＨ４流量、反応圧力によってＳ＋　　−
ＣＨａに起因する吸収面積Ｓが変化し、光学的エネルギ
ーギャップ（Ｅｇ、ｏｐｔ）も変化することも判明して
いる。これを以下に説明すると、まずＣＨ，流量による
影響は、次の条件下で測定し、下記表−２に示した。

■ ５ＩＨ４−１５Ｓ〔ＣＭ、　ＮＨ３＝ＩＳ〔ＣＭＡｒ　
　＝　２００　Ｓ〔Ｃ：Ｍ Ｒｆ＝４００Ｗ Ｐ　　　＝　０．５　Ｔｏｒｒ 表−２ ＊反応圧力は０．７５Ｔｏｒｒ また、反応圧力によるコントロールを次に示す。

条件 Ｓ＋Ｈ４＝　　１５　Ｓ〔ＣＭ、　ＮＨ，＝ＩＳ〔ＣＭ
ＣＨ４＝　４５０　Ｓ〔ＣＭ Ａｒ　　＝　２００　Ｓ〔ＣＭ Ｒｆ＝４００Ｗ 表−３ また、上記において、表面改質層のＥｇ、ｏｐｔは反応
条件をコントロールすることによって種々に設定できる
が、このＥｇ、ｏｐｔは膜の特性、特に画像流れを大き
く左右することが分った。これを第３図で示すが、Ｅｇ
、ｏｐｔを本発明に従って２．４ｅＶ以上とすれば、画
像流れが急激に減少することが判明した。即ち、上述の
Ｓを１００１００Ｏ０’、以下、かつＥｇ、ｏｐｔを２
．４ｅＶ　　上とすることによって、耐スクラノヂ性だ
けでなく、画像流れも向上させることができ、これら両
特性を同時に満足することができる。本発明では、上記
のＥｇ、ｏｐｔを更に２．６ｅＶ以上とするのがよく、
２．７ｅＶ以上が極めて満足な領域である。

但し、第４図に上記表−２で示した条件から得られたＥ
ｇ、ｏｐｔとＳとの関係を示す。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系感光体の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図、第３図は光学的
バンドギャップによる画像流れの状況を示すグラフ、 第４図は光学的バンドギャップと赤外吸収面積との関係
を示すグラフ である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・ａ−３ｉ系感光体４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４３・・・・・・・・・光導
電性層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 である。 代理人　　　弁理士　　連環　宏

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも
   炭素原子及び窒素原子を含有するアモルファス水素化及
   び／又はハロゲン化シリコンからなる表面改質層を有し
   、 この表面改質層の炭素含有量（〔Ｃ〕）及び窒素含有量
   （〔Ｎ〕）が夫々、 ３０ａｔｏｍｉｃ％　≦〔Ｃ〕＜１００ａｔｏｍｉｃ％
   ０ａｔｏｍｉｃ％＜〔Ｎ〕≦５０ａｔｏｍｉｃ％ （但し、３０ａｔｏｍｉｃ％＜〔Ｃ＋Ｎ〕＜１００ａｔ
   ｏｍｉｃ％とする。） であり、前記表面改質層についてＳｉ−ＣＨ＿３に起因
   する赤外吸収曲線の波数１２００〜１３００ｃｍ＾−＾
   １での積分面積（Ｓ）が、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、ａ（ω）＝−１／ｄｌｏｇ＿１＿０Ｉ（ω）／
   Ｉ＿０で表され、ωは赤外波数（ｃｍ＾−＾１）、ｄは
   表面改質層の膜厚（ｃｍ）、Ｉ（ω）は透過光強度、Ｉ
   ＿０は入射光強度である。〕 で示される範囲にあり、かつ前記表面改質層の光学的バ
   ンドギャップが２．４ｅＶ以上である感光体。