JPH01185645A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン（
ａ−３ｉ）を母体として用いた電子写真感光体が近年に
なって提案されている。

このようなａ−３ｉはいわゆるダングリングボンドを有
しているため、この欠陥を水素原子で補償して暗抵抗を
大としかつ光導電性も向上させたアモルファス水素化シ
リコン（ａ−３ｉ　　：Ｈ）が提案されている。

しかしながら、ａＳｉ：Ｈを表面とする感光体は、長期
に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ
放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安
定性に関して、これまで十分な検討がなされていない。

　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容位置が著しく低下することが分っている。　一方、
アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：
Ｈと称する。）について、その製法や存在が”　Ｐｈ１
１．Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、　３５”　　（１９７８）等に
記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が
高いこと、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（ｌ
Ｏ１２〜１Ｏ１３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量によ
り光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８　ｅＶの
範囲に亘って変化すること等が知られている。

但、炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長
波長感度が不良となるという欠点がある。

こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５７−１１５５５９号公報
において提案されている。　これによれば、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上にａ−３ｉＣ：Ｈ層を表面改質
層として形成している。

しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けても、未だ期待
した程には効果がなく、特に繰り返し使用時の耐スクラ
ッチ性に問題があることが判明した。

ハ０発明の目的 本発明の目的は、繰り返し使用に耐え、良好な画像を得
ることのできる感光体を提供することにある。

二０発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、アモルファス水素化及び／又はハロゲ
ン化シリコンからなる電荷発生層と、電子のうち少なく
とも炭素原子を含有するアモルファス水素化及び／又は
ハロゲン化シリコンからなる表面改質層とを有し、この
表面改質層について測定した赤外吸収曲線の波数１２０
０〜１３００ｃｍ−’での積分面積（Ｓ）が、 され、ωは赤外波数（ｃｍ−’）　、ｄは表面改質層の
膜厚（ｃｍ）　、ｌ　　（ω）は透過光強度、■。

は入射光強度である。〕 で示される範囲にあり、かつ前記表面改質層の光学的バ
ンドギャップが２．４ｅＶ以上である感光体に係るもの
である。

本発明によれば、表面改質層は炭素原子及び酸素原子の
少なくとも炭素原子を含有しているだけでな（、この表
面改質層の赤外吸収面積を上記したＳ≦１０．０００　
（ｃｍ−”）に特定すルコトニヨッテ、はじめて満足す
べき耐スクラッチ性が得られ、白スジ発生等による画質
の劣化がなく、耐剛性が優れたものとなるのである。　
また、表面改質性層の光学的バンドギャップ（Ｅｇ、ｏ
ｐｔ）を２．４ｅＶ以上と特定範囲に限定しているので
、上記に加えて画像流れが大きく減少し、高画質化が更
に実現可能となる。

また、上記の電荷発生層と上記の電荷輸送層とを設けて
機能分離型の積層構造としているので、電荷発生層によ
って広い波長域での光感度を得、かつこの電荷発生層と
へテロ接合を形成する電荷輸送層によって電荷輸送能と
帯電電位の向上とを図ることができる。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例によるａ−３ｉ系電子写真感光体３
９を示すものである。　この感光体３９はＡｆｆｉ等の
ドラム状導電性支持基板４１上に、必要に応じて設けら
れるａ−Ｓｉ系の電荷ブロッキング層４４と、アモルフ
ァス水素化炭化シリコン（ａ−３ｉＣ：Ｈ）からなる電
荷輸送層４２と、ａ−３ｉ　　ニド１からなる電荷発生
層４３と、Ｃ及びＯの少なくともＣを含有するアモルフ
ァス水素化シリコン（又はａ−３ｉＣ（０）：　Ｈ）か
らなる表面改質層４５とが積層された構造からなってい
る。　電荷ブロッキング層４４は、５−３ｉ　　：Ｈ，
ａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈからなっていてよく
、また周期表第１１［Ａ族又は第ＶＡ族元素がドープさ
れていてよい。　また、電荷輸送層４２、電荷発生層４
３にも同様の不純物がドープされていてよい。　電荷発
生層４３は、暗所抵抗率ρゎと光照射時の抵抗率ρ。

との比が電子写真感光体として充分大きく光感度（特に
可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好である。な
お、上記の層４５−４３面にはａ−３ｉＣ等の中間層を
設けてもよい。

ここで注目すべきことは、表面改質層４５が０１０の少
なくともＣを含有するａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉ　　
（Ｃｏ）：Ｈからなっているだでなく、そのＣ及びＨの
含有による５ｉ−ＣＨｚに起因する赤外波数１２４０ｃ
ｍ−’近傍の赤外吸収面積（上記したＳ）を１０，０Ｏ
Ｏｃａ＋−”以下、望ましくは６，０００　ｃ＋ｗ−”
以下、更に望ましくは３．０００　ｃｍ−’以下と特定
範囲に設定していることである。

このように表面改質層４５のＳｉ　　ＣＨ３に起因する
波数近傍での赤外吸収面積を特定範囲に限定したことに
よって、表面改質層４５の機械的強度、特に耐スクラッ
チ性が著しく向上することがはじめて判明したのである
。

表面改質層４５の組成については、 １０　ａｔｍ％≦（Ｃ）又は（Ｃ＋０）≦１００　ａｔ
ｍ％（但し、（Ｓｉ　’）　＋　（Ｃ）　＝　１００　
ａｔｍ％又は（Ｓｉ　）＋（Ｃ）　”　（０）　＝　１
００　ａｔｍ％）とするのが望ましく、 ４０　ａｔｍ％≦（Ｃ）又は（Ｃ＋Ｏ）≦７０　ａｔｍ
％とするのが更に望ましい（ここで、ａｔｍ％は原子数
の百分率を表わす）。　Ｃ又はＣ＋Ｏの含有量が少なす
ぎても多すぎても上記した耐スクラッチ性向上の効果に
乏しくなる。

表面改質層４５の帯電能を向上させるには、後述のグロ
ー放電法において例えばＣＢ、Ｈ＆　）／（Ｓ　ｉ　Ｈ
ａ　）　＝　１０−３〜１０’容量１）Ｉ）ｌ望ましく
は１０〜′〜゛１０２容量ｐｐｍの周期表第ｍＡ族元素
、或いは（Ｐ　Ｈ３）　／　（ＳｉＨ４〕＝１０−３〜
１０’容１　ｐｐｍ、舅ましくは１０−１〜１０２容量
ｐｐｍの周期表第ＶＡ族元素をドープするのがよい。

また、表面改質層４５の膜厚は２００〜５０，０００人
とすることが望ましく、１　、０００〜１０　、０００
人とするのが更に望ましい。　膜厚が大きすぎると、残
留電位■８が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ
−３ｉ系感光体としての良好な特性を失い易い。

また、膜厚が小さすぎると、トンネル効果によって電荷
が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰の増大や光感
度の低下が生じてしまう。

電荷発生層４３はａ−３ｉ：Ｈからなっていてよく、そ
の組成としては、Ｈを５〜４０　ａｔｍ％とするのがよ
く、Ｈに代えて或いは併用してハロゲンを含有するとき
にはハロゲン５〜４０　ａｔｍ％、或いはＨとハロゲン
との合計量は５〜４Ｑ　ａｔｍ％とするのがよい。　こ
の電荷発生層４３は帯電能向上のために不純物、特に周
期表第１［ＩＡ族又はＶＡ族元素をドープするとよい。

　例えば、後述のグロー放電時に、（ＢＨｂ　）／　（
ＳｉＨ４〕−１０−”〜１００（好ましくは１０−”　
〜１０）容量ｐｐｍ、（ＰＨ３）／　（ＳｉＨ４）〜１
０−３〜１００　　（好ましくは１０−”　〜１０）容
量ｐｐｍとしてよい。

また、この層４３の厚みは１〜５０μｍ、好ましくは５
〜３０μｍとするのがよい。　光導電性層４３の厚みが
小さすぎると十分な帯電電位が得られず、また大きすぎ
ると残留電位が上昇し、実用上不充分である。

電荷輸送層４２は電位保持及び電荷輸送の両機能を担い
、暗所抵抗率が好ましくは１０′２Ω−Ｃ…以上あって
、耐高電界性を有し、単位膜厚光りに保持される電位が
高く、しかも電子を大きな移動度と寿命を以って効率よ
（支持体ｌ側へ輸送する。

また、炭素含有量（特に５〜３０ａ　ｔｍ％）によって
エネルギーギャップの大きさを調節できるため、電荷発
生層４３において光照射に応じて発生した電子に対し障
壁を作ることなく、効率よく注入させることができる。

　従ってこのａ−５ｉＣ：Ｈ層４２は実用レベルの高い
表面電位を保持し、ａ−３ｉ：Ｈ層４３で発生した電荷
担体を効率良（速やかに輸送し、高感度で残留電位のな
い感光体とする働きがある。

この電荷輸送層４２の炭素原子含有量を５〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％（更には１０〜２０ａｔｏｍｉｃ％）にするの
がよい（但、Ｓｉ　とＣとの合計原子数は１１００ａｔ
ｏ％）。　即ち、炭素原子含有量が５ａｔｏｍ％未満で
は、ａ−３ｉＣ：８層４２の比抵抗が電位保持能に必要
な１０”Ω−ｃ’ｍを下田るために特に帯電電位が不充
分となり易い。

また、炭素原子含有量が３Ｑａ　ｔｏｍ％を越えると、
比抵抗がやはり低下すると同時に、炭素原子が多すぎて
ａ−３ｉＣ：Ｈ層中での欠陥が増えてキャリア輸送能自
体が悪くなり易い。

この層４２には、水素原子が５〜５０ａ　ｔｍ％含有さ
れているのがよく、Ｈに代えて或いは併用してハロゲン
を含有するときにはハロゲン５〜５０ａ　ｔｍ％、或い
はＨとハロゲンとの合計量は５〜５０ａ　Ｌｍ％とする
のがよい。　この層４２は帯電能向上のために不純物、
特に周期表第ＨＡ族又はＶＡ族元素をドープするとよい
。　例えば、後述のグロー放電時に、ＣＢＨ６）／　（
ＳｉＨ４）＝１０−３〜１０００　（好ましくは１０弓
〜１００）容量ｐｐｍ、（ＰＨ３）／（ＳｉＨｎ　）　
＝ｌＯ−’〜１０００　（好ましくは１０−２〜１００
）容量ｐｐｍとしてよい。

更に、この電荷輸送層４２の膜厚は、例えばカールソン
方式による乾式現像法を適用するためには５μｍ〜３０
μｍであることが望ましい。　この膜厚が５μｍ未満で
あると薄すぎるために現像に必要な表面電位が得られず
、また３０μｍを越えるとキャリアの支持体４１への到
達率が低下してしまう。

また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第１ＩＩＡ族元素（例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型に（更にはＰ＋型）化する
。　ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピ
ング量を制御するのが望ましい。

ａ−３ｉ：Ｈ（Ｈ含有量５〜４０ａｔｍ％）　　：ＣＢ
ｚＨｂ　）／　（ＳｉＨ４）＝ｔｏ−’〜ｔｏ’容ｆｆ
ｌ　ｐ　ｐ　ｍ（更には１０−１〜１０２容量ｐｐｍ　
）（Ｐ　Ｈ３”Ｊ　／　（Ｓ　１Ｈ４）　＝１０−３〜
１０’容ｆｆｉｐｐｍ（更には１０−１〜１０２容量ｐ
ｐｍ　）ａ−５ｉＣ：Ｈ（Ｈ含有量５〜５０ａｔｍ％、
Ｃ含有量５〜１１００ａｔ％）： （ＢｚＨ６）／　（ＳｉＨ４〕＝１０−’〜１０ｂ容量
ｐｐｍ（更には１０−　’　〜１０’容ｆｆｌｐｐｍ　
）（Ｐ　Ｈｘ　）　／　（ＳｉＨ４）　＝１０−”””
１０’容量ｐｐｍ（更には１０−　’　〜１０’容量ｐ
ｐｍ　）ａ−３ｉＮ　：　Ｈ（Ｈ含有量５〜５０ａｔｍ
％、Ｎ含有量５〜６０　ａｔｍ　　％）： （Ｂ２Ｈ６）／　（ＳｉＨ４）＝ｌＯ−３〜１０６容量
ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐｍ　＞（ＰＨ
３）／　（ＳｉＨ４）＝ｌＯ−’〜１０６容量ｐｐｍ（
更には１０−１〜１０４容量ｐｐ＋＋１）また、ブロッ
キング層４４は膜厚１００　人〜２μｍがよい。　厚み
が小さすぎるとブロッキング効果が弱く、また大きすぎ
ると電荷輸送能が悪くなり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

　特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必要である。

また、上記の層４２．４３の順序を逆にしてもよい。

また、ドープする不純物としては、ボロン以外にも、Ａ
１１Ｇａ　、Ｉｎ　、Ｔｅ等の周期表第１１１Ａ族元素
を使用できるし、またリン以外にも、Ａｓ、ｓｂ等の周
期表第ＶＡ族元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。　
基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。　なお
、図中の６２はＳ　ｉ　Ｈ４又はガス状シリコン化合物
の供給源、６３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６
４はＮｔ等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の
酸素化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス
供給源、６７は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ４）供給源、
６８は各流量計である。　このグロー放電装置において
、まず支持体である例えばＡｌ基板４１の表面を清浄化
した後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧
が１Ｏ−ｂＴｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ
基板４１を所定温度、特に１００〜３５０°Ｃ（望まし
くは１５０〜３００℃）に加熱保持する。　次いで、高
純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｉＨａ又
はガス状シリコン化合物、ＣＨ４、Ｎｚ　、ＣＯＸ、０
２等を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１
０　Ｔ　ｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６により高周
波電圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ　）を印加する。　
これによって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１と
の間でグロー放電分解し、ａ−３ｉＣ：Ｈ，ａ−３ｉＣ
：Ｈ，ａ−３ｉ　　：Ｈ，ａ　　ＳｉＣ：Ｈを上記の層
４４．４２．４３．４５として基板上に連続的に（即ち
、例えば第１図の例に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１ｏｏ〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−３ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＩ］
のかわりに、或いはＨと併用してフン素等のハロゲンを
ＳｉＦ、等の形で導入し、ａ−３ｉ　　：Ｆ、ａ−３ｉ
　　：Ｈ：ＦＳａ−３ｉＮ：Ｆ。

ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ　　　ａ−３ｉＣ：ＦＸ　ａ−３ｉ
Ｃ：　Ｈ：　Ｆ等とすることもできる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンプレ
ーディング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａβ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｆｆ基板４１の表面を清浄化した後に、第２図の
真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−
’Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基＋ｙｉ
４１を所定温度、と（に１００〜３５０°Ｃ（望ましく
は１５０〜３００℃）に加熱保持する。　次いで、高純
度のＡｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔ
ｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６　ＭＨｚの高周
波電力を印加し、１０分間の予備放電を行った。

次いで、Ｓ　ｉ　ＨａとＣＨ，とＢ　ｚ　Ｈｂとからな
る反応ガスを導入し、流量比１　：　１　：　１　：　
　（１，５Ｘｌ０−３）の（Ａｒ　＋ＳｉＨ４＋ＣＨａ
　＋ＢＺＨ６）混合ガスをグロー放電分解することによ
り、電荷ブロッキング機能を担うＰ゛型のａ−３ｉＣ：
）１層４４を６μｍ／ｈｒの堆積速度で所定厚さに製膜
した。　次いで、Ｓ　ｉ　Ｈ４に対するＢ　２　Ｈｂの
流量比を１：（６Ｘ１０〜６）として電荷輸送層４２を
６μｍ／ｈｒの堆積速度で順次所定厚さに製膜した。　
引き続き、Ｂ　ｚ　Ｈｈ及びＣＨ，を供給停止し、５ｉ
Ｈｎを放電分解し、所定厚さのａ−３ｉ：Ｈ層４３を形
成した。

更に、流量比４０：３：９０の（Ａｒ　　：　ＳｉＨ４
：　ＣＨ４）混合ガスを反応圧力Ｐ　−０，５Ｔｏｒｒ
　、放電パワーＲｆ＝４００Ｗでグロー放電分解し、所
定厚さの中間層を形成し、更に、流量比４０：３：９０
の（Ａｒ　　：ＳｉＨ４：　ＣＨ４）混合ガスを反応圧
力Ｐ　＝１．ＯＴｏｒｒ、放電パワーＲｆ　＝４００　
Ｗでグロー放電分解して表面保護層４５を更に設け、電
子写真感光体を完成させた。

なお、表面層４５をａ−３ｉＣＯとするときは、酸素源
としてＣＯ□を使用した。　又、組成比をコントロール
するためには、ガス流量比、反応圧力　放電パワーを適
宜に設定した。

次に、上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよ
うに行なった。

強制ジャムテスト 電子写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ２５００　　（コニカ株式会
社製）改造機を用い、次のステップでジャムテストを行
った。

■　分離電流をゼロにし、強制的にジャムを発生させる
。

■　紙づまりの状態で３０秒空まわしする。

■　■、■を３０回（り返す。

■　百出しによりジャム傷の有無を判断。

○　ジャム傷なし △　ジャム傷数本発生 ×　ジャム傷多数発生 引っかき強度 第３図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３　Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７
１で回転させ、傷をつける。　次に、上記の複写機で画
像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが現われ
るかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。

貢皇抜起 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ２５００　　（コニカ株式会社製
）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブレ
ードとは非接触でｔｏｏｏコピーの空回しを行った後、
画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を判定
した。

◎二画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。

△：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

×：５．５ポイントの英字判読不能 結果を下記表−１にまとめて示した。　この結果から、
本発明に基いて感光体（Ｎｏ、　　１〜４）を作成すれ
ば、電子写真用として特に耐スクラッチ性に優れた感光
体が得られることが分る。

表−１ ＊　既述したＳｉ　　ＣＨｘに起因する波数１２４０ｃ
ｍ−’付近での赤外吸収面積Ｓ 上記の感光体Ｎｏ、　　１〜７の各赤外吸収面積Ｓは、
実際には、各表面改質層の膜材料をＳｉウェハ上に上述
した方法で堆積させ、得られた各試料を赤外分光器にか
けて赤外吸収スペクトルを測定し、これから算出したも
のである。　このうち、例えば感光体Ｎｏ、　　１．２
．３．５．７についての赤外吸収スペクトル図とその波
数１２４０ｃｍ−’近傍の拡大図とを夫々、第４Ａ図及
び第４Ｂ図（Ｎｏ、　　１）、第５Ａ図及び第５Ｂ図（
Ｎｏ、　　２）　、第６Ａ図及び第６Ｂ図（Ｎｏ、　　
３）　、第７Ａ図及び第７Ｂ図（Ｎｏ。

５）、第８Ａ図及び第８Ｂ図（Ｎｏ、　　７）に示した
。

これらの図中、ｄは表面改質層の厚さであり、また、Ｓ
ｉ　、Ｃ１０の組成比（ａ　ｔｍ％）も併せて示した。

　また各拡大図には赤外吸収面積Ｓも記した。　但し、
０量については０．１又は０．２ａｔｍ％程度はほぼゼ
ロとみなし得る。

これらのスペクトル図から、表面改質層の赤外吸収面積
Ｓは、Ｃ及び０の含有量によって変化する傾向があるこ
とが分る。　但し、０量を多くすると膜構造の乱れ（Ｓ
ｉ　　ＣＨ３等によるネットワーク構造の乱れ）によっ
て、吸収がブロードとなり、Ｓが必要以上に大きくなる
傾向があると考えられる。

なお、上記した方法において、Ｓ　ｉ　　ＣＨ３の赤外
線吸収強度は反応圧力を低くすることにょって低下する
ことが分った。　また、感光体の暗砥抗（ρＤ）と光照
射時の抵抗（ρＬ）の比：ρ。

／ρ。は反応圧力を上げると１．０に近ずくこと、反応
圧力を上げると膜中のＳ、　　Ｄ、　　（Ｓｐｉｎ　　
ｄｅｎｓｉｔｙニスピン密度＝ダングリングボンドの密
度）が増大することも分った。

次に、第２図に示した如き装置を用い、表面改質層を製
膜するときのＣＨ，流量、反応圧力によってＳｉ　　　
ＣＨ３に起因する吸収面積Ｓが変化し、光学的エネルギ
ーギャップ（Ｅｇ　、　ｏｐｔ　）も変化することも判
明している。　これを以下に説明すると、まずＣＨ，と
流量による影Ｖは、次の条件下で測定し、下記表−２に
示した。

条註 Ｓ　ｉＨ４＝　１５　　ＳＣＣＭ Ａｒ　　　　　＝２００３ＣＣＭ Ｒｆ　　　　　＝４００　　讐 Ｐ　　　　　　＝０．５　　ｔｏｒｒ 表−２ また、反応圧力によるコントロールを次に示す。

免住 Ｓ　ｉ　Ｈ４＝１５　ＳＣＣＭ ＣＨａ　　　＝４５０ＳＣＣＭ Ａｒ　　　　　＝２００３Ｃ（Ｊ Ｒｆ　　　　　＝４００Ｗ なお、上記Ｎｏ、１４の試料についての赤外吸収スペク
トル図とその波数１２４０ｃｍ−’近傍の拡大図を第９
Ａ図、第９Ｂ図に夫々示した。

また、上記において、表面改質層のＥｇ、ｏｐｔは反応
条件をコントロールすることによって種々設定できるが
、このＥｇ、ｏｐｔ　ｌよ膜の特性、特に画像流れを大
きく左右することが分った。　これを第１０図で示すが
、Ｅｇ、ｏｐｔを本発明に従って２．４ｅＶ以上とすれ
ば、画像流れが急激に減少することが判明した。　即ち
、上述のＳを１００００　ｃｍ−’、がっＥ＠、ｏｐｔ
を２．４ｅ　Ｖ以上とすることによって、耐スクラッチ
性だけでなく、画像流れも向上させることができ、これ
ら両特性を同時に満足することができる。　本発明では
、上記のＥｇ、ｏｐｔを更に２．６ｅＶ以上とするのが
よ＜、２．７ｅＶ以上が極めて満足な領域である。

但し、第１１図に上記表−２で示した条件から得られた
Ｅｇ、ｏｐｔとＳとの関係を示すが、これから、Ｓ≦１
００００　ｃｍ−”を満すには、Ｅｇ、ｏｐｔは２．８
５　ｅＶ以下とすべきであることが分る。

なお、画像流れは次のようにして測定した。

貞盈彼並 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ２５００　　（コニカ株式会社製
）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブレ
ードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後、
画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を判定
した。

◎二画像流れが全くなく　、５．５ポイントの英字や細
線の再現性が良い。

○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。

△：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。

次に、本発明に基く機能分離型の感光体は実験の結果、
光感度や帯電特性に優れていることが分った。　測定は
次の通りに行い、結果を下記表−４に示した。

残留電位ｖｌｌ（Ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　１６００改造機（コニカ■製）を使っ
た電位測定で４００ｎｍにピークをもつ除電光３０１　
ｕｘ−ｓｅｃを照射した後も残っている感光体表面電位
。

滞」じ１えｖ、−〇リー Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　１６００改造機（コニカ■製）を用い
、感光体流れ込み電流１５０μＡ、露光なしの条件で３
６０ＳＸ型電位計（トレック社製）で測定した現像直前
の表面電位。

半減露　−Ｅｌ／２　　（ｌｕｘ・５ｅｃ）上記の装置
を用い、グイクロイックミラー（光体光学社製）により
像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャー
プカットし、表面電位を５００■から２５０■に半減す
るのに必要な露光量。（露光量は５５０−１型光量計（
ＥＧａｎｄＧ社製）にて測定） （以下余白、次頁に続く） 表−４ 但し、上記表の各データ中、左側（＊ｌ）は下記の本発
明に基く機能分離型感光体、右側（＊２）は下記の単層
型感光体のデータを示す。

＊１）支持体：Ａｊ７、ブロッキング層：厚さ１μ−の
ボロンドープドａ−３ｉＣ：　Ｈ。

電荷輸送層：厚さ１２μ閑のボロンドープドａ−３ｉＣ
：Ｈ１電荷発生層：厚さ７μｍのボロンドープドａ　　
Ｓｉ　：　Ｈ％表面改質層：厚さ０．３　ａｔｅのａ−
３ｉＣ：Ｈ＊２）支持体二Ａｌ、ブロッキング層：厚さ
１μｍのボロンドープドロ−３ｉＣ：Ｈ。

光専電性層：厚さ１９μｍのボロンドープドａ−３ｉ：
Ｈ１表面改質層：厚さ０．３μｍのａ−３ｉＣ：Ｈ

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１１図は本発明の実施例を示すものであって
、 第１図はａ−３ｉ系感光体の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図、第３図は引っか
き強度試験機の概略図、第４Ａ図、第５Ａ図、第６Ａ図
、第７Ａ図、第８Ａ図、第９Ａ図は各感光体の表面改質
層の赤外吸収スペクトル図、 第４Ｂ図、第５Ｂ図、第６Ｂ図、第７Ｂ図、第８Ｂ図、
第９Ｂ図は同赤外吸収スペクトルの要部拡大図、 第１０図は光学的バンドギャップによる画像流れの状況
を示すグラフ、 第１１図は光学的バンドギャップと赤外吸収面積との関
係を示すグラフ である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−−−−・−ａ−３ｉ系感光体 ４１−−−−−・−支持体（基板） ４２−−−−−−−−一電荷輸送層 ４３−−−−−−電荷発生層 ４４−・−−−一−−−−−電荷プロッキング層４５・
・−・・・−・・・表面改質層 である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第１図 ／′ 第１０図 ＥＱ、Ｏｐｔ　　　　　［ｅＶ］ 第１１図 Ｅｇ、ｏｐｔ　　　　　［ｅＶ］ （自発）手続主甫正書 昭和６３年６月に日 １、事件の表示 昭和６３年　特許願第９０６２　号 ２、発明の名称 怒光体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）コニカ株式会社 ４、代理人 住　所　東京都立川市柴崎町２−４−１１　ＦＩＮＥビ
ル９　０４２５−２４−５４１１（（’６（１）、明細
書第１６頁５行目の「イオンプレーディング法」を「イ
オンブレーティング法」と訂正します。 −以　上−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン
   からなる電荷発生層と、アモルファス水素化及び／又は
   ハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送層と、炭素原
   子及び酸素原子のうち少なくとも炭素原子を含有するア
   モルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからな
   る表面改質層とを有し、この表面改質層について測定し
   た赤外吸収曲線の波数１２００〜１３００ｃｍ＾−＾１
   での積分面積（Ｓ）が、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、ａ（ω）＝−（１／ｄ）ｌｏｇＩ（ω）／Ｉｏ
   で表され、ωは赤外波数（ｃｍ＾−＾１）、ｄは表面改
   質層の膜厚（ｃｍ）、Ｉ（ω）は透過光強度、Ｉｏは入
   射光強度である。〕 で示される範囲にあり、かつ前記表面改質層の光学的バ
   ンドギャップが２．４ｅＶ以上である感光体。