JPH01192134A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01192134A JPH01192134A JP1592288A JP1592288A JPH01192134A JP H01192134 A JPH01192134 A JP H01192134A JP 1592288 A JP1592288 A JP 1592288A JP 1592288 A JP1592288 A JP 1592288A JP H01192134 A JPH01192134 A JP H01192134A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- etching
- contact hole
- semiconductor device
- mask
- Prior art date
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- Granted
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に微細コンタ
クトへのテーパ形成技術に関するものである。
クトへのテーパ形成技術に関するものである。
（従来の技術）
現在多層配線工程のコンタクトホール形成は、第５図に
示す様にコンタクトのパターンニングをした後、層間絶
縁膜をＲＩＥ （反応性イオンエツチング）において異
方的にエツチングし、−層目の配線と、２層目の配線の
導通をとっている。
示す様にコンタクトのパターンニングをした後、層間絶
縁膜をＲＩＥ （反応性イオンエツチング）において異
方的にエツチングし、−層目の配線と、２層目の配線の
導通をとっている。
ところが、この技術では、コンタクトホールが小さくな
った場合コンタクトにＡＱが入り込めずにＡＱが断切れ
する恐れがある。
った場合コンタクトにＡＱが入り込めずにＡＱが断切れ
する恐れがある。
乙
このため、第４図のようにコンタクトホール等方的に絶
縁膜をＥｉｇする事によりテーパ角をっけてｉの断切れ
やＡｌ１がコンタクト底部に入り込めない事がないよう
に対策を行っている。このコンタクトホールにテーパ角
をつける方法としては、レジストをマスクにＶａｔエツ
チングもしくはＣＤＥ（ケミカルドライエツチング）を
用いている。
縁膜をＥｉｇする事によりテーパ角をっけてｉの断切れ
やＡｌ１がコンタクト底部に入り込めない事がないよう
に対策を行っている。このコンタクトホールにテーパ角
をつける方法としては、レジストをマスクにＶａｔエツ
チングもしくはＣＤＥ（ケミカルドライエツチング）を
用いている。
ところが微細なコンタクトになると、ｖａｔのエツチン
グ液が十分入り込めず必要なテーパ角が得られないとい
う問題が出て来る。これは、レジストがエツチング液に
対して疎水性である事が１つの原因である。このため、
コンタクトホールのようなパターンの場合、レジストの
被覆車高いためこの問題は増進される。また、コンタク
ト寸法が小さくなると、レジストパターニング時のレジ
ストスカムがコンタクト底部に残りやすくなりこの問題
が顕著に出て来る。
グ液が十分入り込めず必要なテーパ角が得られないとい
う問題が出て来る。これは、レジストがエツチング液に
対して疎水性である事が１つの原因である。このため、
コンタクトホールのようなパターンの場合、レジストの
被覆車高いためこの問題は増進される。また、コンタク
ト寸法が小さくなると、レジストパターニング時のレジ
ストスカムがコンタクト底部に残りやすくなりこの問題
が顕著に出て来る。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、微細なコンタクトホールに必要なテーパ角を
形成出来る半導体装置の製造方法を提供する事を目的と
する。
形成出来る半導体装置の製造方法を提供する事を目的と
する。
（課題を解決するための手段）
本発明は、コンタクトホールとなる絶縁膜上にフレオン
系もしくはアルゴン系のガスを用いてスパッタエツチン
グする事により凹凸をつけてその絶縁膜をＶａｔエツチ
ングにより等方的にエツチングする工程と、さらにレジ
ストをマスクに絶縁膜を異方的にエツチングする工程を
備えた事を特徴とする半導体装置の製造方法である。
系もしくはアルゴン系のガスを用いてスパッタエツチン
グする事により凹凸をつけてその絶縁膜をＶａｔエツチ
ングにより等方的にエツチングする工程と、さらにレジ
ストをマスクに絶縁膜を異方的にエツチングする工程を
備えた事を特徴とする半導体装置の製造方法である。
（作 用）
この発明によれば、微細コンタクト底部に残ったレジス
トスカムはフレオンおよびアルゴンラジカルのスパッタ
エツチングにより、エツチングされさらに絶縁膜上も凹
凸が形成されているためエツチング液のぬれ性がよくな
りＷｅｔのエツチング液が十分入り込む事が出来る。
トスカムはフレオンおよびアルゴンラジカルのスパッタ
エツチングにより、エツチングされさらに絶縁膜上も凹
凸が形成されているためエツチング液のぬれ性がよくな
りＷｅｔのエツチング液が十分入り込む事が出来る。
（実 施 例）
本発明の一実施例を第１図〜第４図を用いて説′明する
。
。
まず初めにＳｉ基板■例えばＰ型の面方位１０ｏの基板
を用意し、熱酸化膜■を形成した後筒１のＡｌ■を例え
ば８００人デポした後写真飾刻工程により第１のＡｆｆ
ｉ■のパターニングを行う０次にＲＩＥにより第１のＡ
ｔ■を選択的にエツチングしレジストを除去し、絶縁膜
に）をデポし絶縁膜に）の平坦化工程を行いコンタクト
のパターニングを行い１選択的にレジスト■を残置させ
る０次に例えばフレオン系のガスを用いてスパッタエツ
チングすればコンタクト底部に残っているレジストスカ
ム■は除去される。また露出している絶縁膜は凹凸のつ
いた表面形状０となる１次にＶａｔのエツチング液でレ
ジスト■をマスクに絶縁膜に）をエツチングすれば絶縁
膜は等方的にエツチングされテーパ角のついた形状とな
るこの時、エツチングされる所は、凸凹のついた形状に
なっているため、エツチング液のぬれ性が良いため小さ
いコンタクトホールへも十分エツチング液が入り込む。
を用意し、熱酸化膜■を形成した後筒１のＡｌ■を例え
ば８００人デポした後写真飾刻工程により第１のＡｆｆ
ｉ■のパターニングを行う０次にＲＩＥにより第１のＡ
ｔ■を選択的にエツチングしレジストを除去し、絶縁膜
に）をデポし絶縁膜に）の平坦化工程を行いコンタクト
のパターニングを行い１選択的にレジスト■を残置させ
る０次に例えばフレオン系のガスを用いてスパッタエツ
チングすればコンタクト底部に残っているレジストスカ
ム■は除去される。また露出している絶縁膜は凹凸のつ
いた表面形状０となる１次にＶａｔのエツチング液でレ
ジスト■をマスクに絶縁膜に）をエツチングすれば絶縁
膜は等方的にエツチングされテーパ角のついた形状とな
るこの時、エツチングされる所は、凸凹のついた形状に
なっているため、エツチング液のぬれ性が良いため小さ
いコンタクトホールへも十分エツチング液が入り込む。
この後レジスト■をマスクに異方的に例えば反応性イオ
ンエツチング（ＲＩＥ）を用いて絶縁膜に）をエツチン
グすれば、第２図に示すようなテーパ角をもったコンタ
クトホールが形成される。
ンエツチング（ＲＩＥ）を用いて絶縁膜に）をエツチン
グすれば、第２図に示すようなテーパ角をもったコンタ
クトホールが形成される。
次に第２のＡｆｆｉ■をスパッタし、写真飾刻工程によ
りパターニングした後エツチングすれば、第３図のよう
な形状を得る事が出来る。
りパターニングした後エツチングすれば、第３図のよう
な形状を得る事が出来る。
本発明によれば、コンタクトホールにテーパ角をつける
１ｌｅｔエツチングの前にエツチングする絶縁膜が凹凸
になっているため、エツチング液のぬれ性が良なりエツ
チング液が入りやすく、絶縁膜が容易にエツチングされ
る。このため微細コンタクトに十分対応できるため、高
集積化にむいている。
１ｌｅｔエツチングの前にエツチングする絶縁膜が凹凸
になっているため、エツチング液のぬれ性が良なりエツ
チング液が入りやすく、絶縁膜が容易にエツチングされ
る。このため微細コンタクトに十分対応できるため、高
集積化にむいている。
来例を示す断面図である。
図において
１・・・Ｓｉ基板 ２・・・熱酸化膜３・・
・第１のＡＭ配線 ４・・・絶縁膜５・・・レジス
ト ゛ ６・・・凹凸のある絶縁膜表面 ７・・・第２のｌ配線 ℃ 勺
・第１のＡＭ配線 ４・・・絶縁膜５・・・レジス
ト ゛ ６・・・凹凸のある絶縁膜表面 ７・・・第２のｌ配線 ℃ 勺
Claims (3)
- （１）半導体基板上に第１層目の配線を形成する工程と
、前記第１層目の配線上に絶縁膜を堆積し平坦化する工
程と、前記絶縁膜上に感光材を塗布した後、写真飾刻工
程によりコンタクトホールをパターンニングする工程と
、前記感光材をマスクに露出した前記絶縁膜上を表面処
理した後、Ｗｅｔ液で前記絶縁膜の一部を等方的にエッ
チングする工程と、前記感光材をマスクに反応性イオン
エッチングによりコンタクトホールを形成する工程と、
第２層目の配線を形成する工程とを備えた事を特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - （２）前記コンタクトホールは、２．０μｍ以下のコン
タクトホールである事を特徴とする請求項１記載の半導
体装置の製造方法。 - （３）前記絶縁膜を前記感光材をマスクに表面処理する
際に、フレオン系ガス及びアルゴン系のガスを用いてス
パッタエッチングする事を特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015922A JP2659980B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015922A JP2659980B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192134A true JPH01192134A (ja) | 1989-08-02 |
| JP2659980B2 JP2659980B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=11902274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63015922A Expired - Fee Related JP2659980B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2659980B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5591675A (en) * | 1993-12-22 | 1997-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Interconnecting method for semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6239011A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP63015922A patent/JP2659980B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6239011A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5591675A (en) * | 1993-12-22 | 1997-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Interconnecting method for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2659980B2 (ja) | 1997-09-30 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |