JPH02230738A - タングステン配線 - Google Patents
タングステン配線Info
- Publication number
- JPH02230738A JPH02230738A JP5140889A JP5140889A JPH02230738A JP H02230738 A JPH02230738 A JP H02230738A JP 5140889 A JP5140889 A JP 5140889A JP 5140889 A JP5140889 A JP 5140889A JP H02230738 A JPH02230738 A JP H02230738A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- tungsten wiring
- present
- tungsten
- wiring
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- Pending
Links
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims description 12
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- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、集積回路装置におけるタングステン配線構造
Ｋ関する。
Ｋ関する。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると、Ｗ膜が下地Ｓ１０２膜
等との接着力が弱く、剥離すると云う課題があった。
等との接着力が弱く、剥離すると云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、タングステ
ン配線におげるＷ膜の下地Ｓ１０２膜等の絶縁膜との接
着力を向上する新しいタングステン配線Ｗｔ造を提供す
る事を目的とする。
ン配線におげるＷ膜の下地Ｓ１０２膜等の絶縁膜との接
着力を向上する新しいタングステン配線Ｗｔ造を提供す
る事を目的とする。
［課題を解決するための手段コ
上記課題を解決するために本発明は、タングステン配線
に関し、ＷＳｉ，ＴｉＷ，ＴｉＮ，Ｓｉ，Ｔｉ ，Ｍｏ
又はＭｏＳｉ膜とＷ膜とを多層に形成する手段を取る。
に関し、ＷＳｉ，ＴｉＷ，ＴｉＮ，Ｓｉ，Ｔｉ ，Ｍｏ
又はＭｏＳｉ膜とＷ膜とを多層に形成する手段を取る。
？従来の技術］
従来、集積回路装置におけるタングステン配線は、Ｓｉ
Ｏ■膜等の絶縁膜上にＷ膜をスバッタ蒸着法あるいはＯ
ＶＤ法等により形成して成るのが通例であった。
Ｏ■膜等の絶縁膜上にＷ膜をスバッタ蒸着法あるいはＯ
ＶＤ法等により形成して成るのが通例であった。
［実施例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示す半導体集禎回
路装置忙おけるタングステン配線の断面図である。
路装置忙おけるタングステン配線の断面図である。
？１図では、８１基板１の表面に形成されたＳ ｉ Ｏ
！＋膜２の表面に、ＷＳｉ，ＴｉＷ’，ＴｉＮ，Ｓｉ
，Ｔｉ，Ｍｏ又はＭｏＳｉ膜から成る下地膜６が形成さ
れ、更にその上にＷ膜４が積層して形成されて成る。
！＋膜２の表面に、ＷＳｉ，ＴｉＷ’，ＴｉＮ，Ｓｉ
，Ｔｉ，Ｍｏ又はＭｏＳｉ膜から成る下地膜６が形成さ
れ、更にその上にＷ膜４が積層して形成されて成る。
第２図では、８１基板１１の表面に形成されたＳ ｉ
Ｏ２膜１２の表面からコンタクト穴又はトレンチが形成
され、該、コンタクト穴又はトレンチの側面を含む表面
にＷ Ｓ ｉ ， Ｔｉ Ｗ． ， Ｔ ｉ Ｎ ，Ｓ
ｉ，Ｔｉ，Ｍｏ又はＭＯＳｉ膜から成る下地膜１３が形
成され、更にその上にＷ膜１４が形成されて成る訳であ
るが、該、下地膜１３とＷ膜１４かも成るタングステン
配線では、ＳｉＯ■膜１２等の絶縁膜のコンタクト穴部
あるいはトレンチ部を除く表面に延在して形成されても
良く、又、Ｗ膜１４は必ずしもコンタクト穴部あるいは
トレンチ部内部を埋め込む様に形成されなくても良い。
Ｏ２膜１２の表面からコンタクト穴又はトレンチが形成
され、該、コンタクト穴又はトレンチの側面を含む表面
にＷ Ｓ ｉ ， Ｔｉ Ｗ． ， Ｔ ｉ Ｎ ，Ｓ
ｉ，Ｔｉ，Ｍｏ又はＭＯＳｉ膜から成る下地膜１３が形
成され、更にその上にＷ膜１４が形成されて成る訳であ
るが、該、下地膜１３とＷ膜１４かも成るタングステン
配線では、ＳｉＯ■膜１２等の絶縁膜のコンタクト穴部
あるいはトレンチ部を除く表面に延在して形成されても
良く、又、Ｗ膜１４は必ずしもコンタクト穴部あるいは
トレンチ部内部を埋め込む様に形成されなくても良い。
尚、下地膜３，１３はＷ膜４，１４の上面や側面にも形
成されても良《、この場合は多層タングステン配線の層
間絶縁膜との接着力が向上する作用がある。
成されても良《、この場合は多層タングステン配線の層
間絶縁膜との接着力が向上する作用がある。
［発明の効果］
本発明によりタングステン配線の下地絶縁膜との接着力
を向上することができる効果がある。
を向上することができる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示すタングステン
配線の断面図である。 １ １１・・・・・・ｓ１基板 ２，１２・・・・・・Ｓ１０２膜 ３，１６・・・・・・下地膜 ４，１４・・・・・・Ｗ膜 以上
配線の断面図である。 １ １１・・・・・・ｓ１基板 ２，１２・・・・・・Ｓ１０２膜 ３，１６・・・・・・下地膜 ４，１４・・・・・・Ｗ膜 以上
Claims (1)
- ＷＳｉ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｏ又はＭＯＳ
ｉ膜とＷ膜とが多層に形成されて成る事を特徴とするタ
ングステン配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5140889A JPH02230738A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | タングステン配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5140889A JPH02230738A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | タングステン配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230738A true JPH02230738A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12886112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5140889A Pending JPH02230738A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | タングステン配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230738A (ja) |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP5140889A patent/JPH02230738A/ja active Pending
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