JPH0120547B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0120547B2 JPH0120547B2 JP55170409A JP17040980A JPH0120547B2 JP H0120547 B2 JPH0120547 B2 JP H0120547B2 JP 55170409 A JP55170409 A JP 55170409A JP 17040980 A JP17040980 A JP 17040980A JP H0120547 B2 JPH0120547 B2 JP H0120547B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- collector
- conductivity type
- main surface
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、改良された横方向型トランジスタに
関するものである。
関するものである。
横方向型トランジスタは、周波数特性が縦型ト
ランジスタに比べ劣るとか、あるいはベース領域
の不純物濃度が低い為、比較的小さいコレクタ電
流からその電流増幅率が低下しはじめる等の欠点
がある反面、特に半導体集積回路においては、特
別な工程を付加せずに実現できること、マルチコ
レクタ構造とすれば、それぞれのコレクタ電流の
比を、平面寸法の設計により任意に変えることが
できるという長所を具備している。しかし、当然
のことながら、このようなコレクタ電流の比を決
めるコレクタ面積を、後で変更したいと思つても
変更不可能という不便さがあつた。本発明の目的
は、従来設計段階で固定されてしまつたコレクタ
面積を、実際の動作要求に応じ配線操作だけで任
意に変えられるようにした、多様な使用条件に応
じ得る新規な横方向型トランジスタを提供するに
ある。本発明の横方向トランジスタは、第１導電
型半導体基体の主面内にそれぞれ選択的に設けら
れた第２導電型領域からなるエミツタ領域及び前
記エミツタ領域の一部と対向しているコレクタ領
域と、前記第１導電型半導体基体の前記エミツタ
領域と前記コレクタ領域とで挟まれた部分を主要
部とする活性ベース領域と、前記コレクタ領域直
上部からその周辺にかけて、絶縁膜を介して前記
主面上に設けられた導電膜からなる独立電極と、
前記独立電極直下の前記主面に反転層を誘起して
コレクタ面積を増加させる電圧印加手段とを含む
という構成を有する。
ランジスタに比べ劣るとか、あるいはベース領域
の不純物濃度が低い為、比較的小さいコレクタ電
流からその電流増幅率が低下しはじめる等の欠点
がある反面、特に半導体集積回路においては、特
別な工程を付加せずに実現できること、マルチコ
レクタ構造とすれば、それぞれのコレクタ電流の
比を、平面寸法の設計により任意に変えることが
できるという長所を具備している。しかし、当然
のことながら、このようなコレクタ電流の比を決
めるコレクタ面積を、後で変更したいと思つても
変更不可能という不便さがあつた。本発明の目的
は、従来設計段階で固定されてしまつたコレクタ
面積を、実際の動作要求に応じ配線操作だけで任
意に変えられるようにした、多様な使用条件に応
じ得る新規な横方向型トランジスタを提供するに
ある。本発明の横方向トランジスタは、第１導電
型半導体基体の主面内にそれぞれ選択的に設けら
れた第２導電型領域からなるエミツタ領域及び前
記エミツタ領域の一部と対向しているコレクタ領
域と、前記第１導電型半導体基体の前記エミツタ
領域と前記コレクタ領域とで挟まれた部分を主要
部とする活性ベース領域と、前記コレクタ領域直
上部からその周辺にかけて、絶縁膜を介して前記
主面上に設けられた導電膜からなる独立電極と、
前記独立電極直下の前記主面に反転層を誘起して
コレクタ面積を増加させる電圧印加手段とを含む
という構成を有する。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。図
において、1015cm-3程度の不純物濃度を有するＮ
型シリコン基体１に、公知の写真蝕刻技術および
拡散技術を用いて、Ｐ型エミツタ領域３、Ｐ型コ
レクタ領域２、および、ベース領域を形成するＮ
型基体１のベース電極コンタクト用のコンタクト
領域４を形成し、さらに、絶縁膜８にあけられた
コンタクトホールを通してそれぞれの該当領域に
接触がとられた、コレクタ電極５、エミツタ電極
６、ベース電極７の金属配線を、例えばアルミニ
ウムの蒸着膜等により形成する。その際、コレク
タ拡散領域２に一部が重なり、残りの部分がＮ型
基体上１に延在する金属膜からなる独立電極９を
同時に形成する。
において、1015cm-3程度の不純物濃度を有するＮ
型シリコン基体１に、公知の写真蝕刻技術および
拡散技術を用いて、Ｐ型エミツタ領域３、Ｐ型コ
レクタ領域２、および、ベース領域を形成するＮ
型基体１のベース電極コンタクト用のコンタクト
領域４を形成し、さらに、絶縁膜８にあけられた
コンタクトホールを通してそれぞれの該当領域に
接触がとられた、コレクタ電極５、エミツタ電極
６、ベース電極７の金属配線を、例えばアルミニ
ウムの蒸着膜等により形成する。その際、コレク
タ拡散領域２に一部が重なり、残りの部分がＮ型
基体上１に延在する金属膜からなる独立電極９を
同時に形成する。
このような構造の横方向型トランジスタにおい
ては、例えば、トランジスタの実動作中に、独立
電極９に、ベース領域に対し十分低い電位を与え
ることにより、ベース領域表面にコレクタ領域に
つながる反転層１０が生じ、ベース・コレクタ接
合の実効面積が増加する。
ては、例えば、トランジスタの実動作中に、独立
電極９に、ベース領域に対し十分低い電位を与え
ることにより、ベース領域表面にコレクタ領域に
つながる反転層１０が生じ、ベース・コレクタ接
合の実効面積が増加する。
以上説明したように本発明は、横方向型トラン
ジスタのコレクタ領域直上部からその周辺にかけ
て独立電極を設けて、その独立電極に電圧を印加
して反転層を生ぜしめることにより、ベース・コ
レクタ接合の実効面積を増加させることにより、
コレクタ面積を電気的に変化させ多様な使用条件
応じることが可能となる。
ジスタのコレクタ領域直上部からその周辺にかけ
て独立電極を設けて、その独立電極に電圧を印加
して反転層を生ぜしめることにより、ベース・コ
レクタ接合の実効面積を増加させることにより、
コレクタ面積を電気的に変化させ多様な使用条件
応じることが可能となる。
以上実施例にはPNP型横方向型トランジスタ
の場合を記述したが、NPN型においても実現で
きることは明らかであり、又半導体材料としても
シリコンに限らないことも言うまでもない。
の場合を記述したが、NPN型においても実現で
きることは明らかであり、又半導体材料としても
シリコンに限らないことも言うまでもない。
第１図は本発明の１実施例の断面図である。
１……Ｎ型半導体基体、２……Ｐ型コレクタ領
域、３……Ｐ型エミツタ領域、４……ベース電極
取出部、５……コレクタ電極、６……エミツタ電
極、７……ベース電極、８……絶縁膜、９……独
立電極、１０……反転層。
域、３……Ｐ型エミツタ領域、４……ベース電極
取出部、５……コレクタ電極、６……エミツタ電
極、７……ベース電極、８……絶縁膜、９……独
立電極、１０……反転層。
Claims (1)
- １ 第１導電型半導体基体の主面内にそれぞれ選
択的に設けられた第２導電型領域からなるエミツ
タ領域及び前記エミツタ領域の一部と対向してい
るコレクタ領域と、前記第１導電型半導体基体の
前記エミツタ領域と前記コレクタ領域とで挟まれ
た部分を主要部とする活性ベース領域と、前記コ
レクタ領域直上部からその周辺にかけて、絶縁膜
を介して前記主面上に設けられた導電膜からなる
独立電極と、前記独立電極直下の前記主面に反転
層を誘起してコレクタ面積を増加させる電圧印加
手段とを含むことを特徴とする横方向型トランジ
スタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55170409A JPS5793570A (en) | 1980-12-03 | 1980-12-03 | Lateral type transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55170409A JPS5793570A (en) | 1980-12-03 | 1980-12-03 | Lateral type transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5793570A JPS5793570A (en) | 1982-06-10 |
| JPH0120547B2 true JPH0120547B2 (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=15904381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55170409A Granted JPS5793570A (en) | 1980-12-03 | 1980-12-03 | Lateral type transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5793570A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51117578A (en) * | 1975-04-09 | 1976-10-15 | Fujitsu Ltd | Semiconductor equipment |
| JPS52104075A (en) * | 1976-02-27 | 1977-09-01 | Toshiba Corp | Semiconductor element |
| JPS5320872U (ja) * | 1976-08-02 | 1978-02-22 |
-
1980
- 1980-12-03 JP JP55170409A patent/JPS5793570A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5793570A (en) | 1982-06-10 |
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