JPH01219005A - 酸化物系超電導体薄膜の作成方法 - Google Patents
酸化物系超電導体薄膜の作成方法Info
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- JPH01219005A JPH01219005A JP63046022A JP4602288A JPH01219005A JP H01219005 A JPH01219005 A JP H01219005A JP 63046022 A JP63046022 A JP 63046022A JP 4602288 A JP4602288 A JP 4602288A JP H01219005 A JPH01219005 A JP H01219005A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
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- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、溶液法による酸化物系超電導体薄膜の作成方
法に関する。
法に関する。
（従来技術）
近年、Ｙ−Ｂａ Ｃｕ−０１／に、やＬｍ−Ｍ −Ｃ
ｕ −ＯＲ（但し、ＨはＳｒ、 Ｃａ、 Ｂａ）のごと
（、高温で超電導を示す酸イビ物系超電導体が種々開発
されているが、これらをプリント基板や半導体に使用す
る場合は、薄膜にする必要がある。
ｕ −ＯＲ（但し、ＨはＳｒ、 Ｃａ、 Ｂａ）のごと
（、高温で超電導を示す酸イビ物系超電導体が種々開発
されているが、これらをプリント基板や半導体に使用す
る場合は、薄膜にする必要がある。
従来、この薄膜の作成は、（１）金属酸化物を基板にス
パッタリングする方法、（２）金属酸化物粉末ペースト
を基板にスクリーン印刷後焼成する方法、（３）金属酸
化物粉末を混合して溶液中に分散させたものを塗布する
方法などにより行なわれている。
パッタリングする方法、（２）金属酸化物粉末ペースト
を基板にスクリーン印刷後焼成する方法、（３）金属酸
化物粉末を混合して溶液中に分散させたものを塗布する
方法などにより行なわれている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、（１）の方法は、原料と薄膜の組成が異なる場
合が多いので、組成を一定にすることが難しい、また、
（２）の方法は、溶媒が少ないため、表面を平滑にでき
ない、さらに、（３）の方法は、表面を平滑にすること
がで終るが、金属酸化物粉末の比重が金属の種類により
異なるため、比重の大きいものが塗布の際沈降し、均一
な組成のものが作成で鰺ないという問題があった。
合が多いので、組成を一定にすることが難しい、また、
（２）の方法は、溶媒が少ないため、表面を平滑にでき
ない、さらに、（３）の方法は、表面を平滑にすること
がで終るが、金属酸化物粉末の比重が金属の種類により
異なるため、比重の大きいものが塗布の際沈降し、均一
な組成のものが作成で鰺ないという問題があった。
そこで、本発明は、（３）の溶液法による薄膜の作成方
法においで、均一な組成の薄膜を作成できる方法を提供
するものである。
法においで、均一な組成の薄膜を作成できる方法を提供
するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、溶液法により均一な組成の！膜作成方法
を開発すべく、種々研究した結果、有機金属塩を有機溶
剤に溶解した溶液を塗布して、熱分解により有機金属塩
の有機成分の除去と金属成分の酸化を同時に行い、金属
酸化物＊ａにする方法を開発した。
を開発すべく、種々研究した結果、有機金属塩を有機溶
剤に溶解した溶液を塗布して、熱分解により有機金属塩
の有機成分の除去と金属成分の酸化を同時に行い、金属
酸化物＊ａにする方法を開発した。
すなわち、゛本発明は、アルコキシド、アセチルアセト
ネート金属塩、オクチル酸金属塩をその金属成分が超電
導体構成酸化物の金属および金属モル比になるようにそ
れらの１種または２種以上を配合して溶解した有機溶剤
溶液を支持体に塗布した後、酸素雰囲気中で７８０〜１
０００℃に加熱して金属酸化物薄膜にするのである。
ネート金属塩、オクチル酸金属塩をその金属成分が超電
導体構成酸化物の金属および金属モル比になるようにそ
れらの１種または２種以上を配合して溶解した有機溶剤
溶液を支持体に塗布した後、酸素雰囲気中で７８０〜１
０００℃に加熱して金属酸化物薄膜にするのである。
アルコキシド、アセチルアセトネート金属塩およびオク
チル酸金属塩は、有機溶剤に溶解しやすく、加熱により
容易に熱分解して金属′酸化物になるという性質を有し
ている。従って、その有機溶剤溶液を塗布して、有機溶
剤を蒸発させた後熱分解すれば、有機物成分が除去され
、金属成分も酸化されて金属酸化物薄膜を作成すること
ができる。
チル酸金属塩は、有機溶剤に溶解しやすく、加熱により
容易に熱分解して金属′酸化物になるという性質を有し
ている。従って、その有機溶剤溶液を塗布して、有機溶
剤を蒸発させた後熱分解すれば、有機物成分が除去され
、金属成分も酸化されて金属酸化物薄膜を作成すること
ができる。
アルフキシトとしては、メトオキシド、エトキシド、プ
ａボキシド、ブトキシドなどの低級アルコールのアルコ
キシドでよい。
ａボキシド、ブトキシドなどの低級アルコールのアルコ
キシドでよい。
有機金属塩を溶解させる有機溶剤としては、有機金属塩
を溶解できるものであれば特に限定はないが、熱分解前
に有機溶剤を蒸発させる都合上、低沸点のものが好まし
い。
を溶解できるものであれば特に限定はないが、熱分解前
に有機溶剤を蒸発させる都合上、低沸点のものが好まし
い。
上記有機金属塩の有機溶剤溶液は、粘性が水のように小
さいものであるので、濃度を高くしても１回の塗布で塗
布量を多くできない場合には、熱分解前に塗布、乾燥を
繰り返し、塗布量を多くすればよい。
さいものであるので、濃度を高くしても１回の塗布で塗
布量を多くできない場合には、熱分解前に塗布、乾燥を
繰り返し、塗布量を多くすればよい。
熱分解は、塗布有機溶剤溶液を乾燥しで、有機溶剤を蒸
発させた後、７８０〜１０００℃で行う。
発させた後、７８０〜１０００℃で行う。
７８０℃未満であると、完全に熱分解しないため、有機
成分が除去されず、１０００℃を越えると、金属酸化物
の融点が低い場合、溶融してしまう場合がある。
成分が除去されず、１０００℃を越えると、金属酸化物
の融点が低い場合、溶融してしまう場合がある。
このアルコキシド、アセチルアセトネート金属塩、オク
チル酸金属塩の有機溶剤溶液を塗布して酸化物系超電導
体の薄膜を作成するには、有機金属塩の金属成分モル比
が超電導体構成酸化物の金属と一致するように有機金属
塩を配合する０例えば、ｈｏｓ ＢａＯ−ＣｕＯ系超
電導体において、超電導を示す酸化物の配合が金属換算
モル比でＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １ ：２ ：３の割合であ
れば、有機金属塩の配合も金属成分がそのような割合に
なるように行う、この配合は、アルコキシド、７セチル
アセトネート金属塩、オクチル酸金属塩のいずれか単独
で行ってもよく、併用により行ってもよい。
チル酸金属塩の有機溶剤溶液を塗布して酸化物系超電導
体の薄膜を作成するには、有機金属塩の金属成分モル比
が超電導体構成酸化物の金属と一致するように有機金属
塩を配合する０例えば、ｈｏｓ ＢａＯ−ＣｕＯ系超
電導体において、超電導を示す酸化物の配合が金属換算
モル比でＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １ ：２ ：３の割合であ
れば、有機金属塩の配合も金属成分がそのような割合に
なるように行う、この配合は、アルコキシド、７セチル
アセトネート金属塩、オクチル酸金属塩のいずれか単独
で行ってもよく、併用により行ってもよい。
超電導を示す酸化物とその配合は、今後さらに開発され
るが、上記のような有機金属塩は、希土類元素を含めて
、はとんどの金属に対して合成でき、しかも、同じ性質
を有するので、超電導体構成酸化物の種類が今後増加し
ても、それに対応して合成すればよい６例えば、希土類
元素の場合、ＹのほかにＬａ、 Ｃｅ５Ｎｄ、 Ｐｓ＋
、Ｓ論、Ｅｕ％Ｇｄ５Ｄｙ、 Ｈｏ、Ｅｒ、 ７ｍ％Ｙ
ｂ５Ｌｕなどのアルコキシド、アセチルアセトネート塩
、オクチル酸塩も合成できる。
るが、上記のような有機金属塩は、希土類元素を含めて
、はとんどの金属に対して合成でき、しかも、同じ性質
を有するので、超電導体構成酸化物の種類が今後増加し
ても、それに対応して合成すればよい６例えば、希土類
元素の場合、ＹのほかにＬａ、 Ｃｅ５Ｎｄ、 Ｐｓ＋
、Ｓ論、Ｅｕ％Ｇｄ５Ｄｙ、 Ｈｏ、Ｅｒ、 ７ｍ％Ｙ
ｂ５Ｌｕなどのアルコキシド、アセチルアセトネート塩
、オクチル酸塩も合成できる。
（実施例）
実施例Ｉ
Ｙ、 Ｂａ、 Ｃｕの７セチルアセトネート塩をその金
属成分モル比がＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １ ：２ ：３とな
るように混合した後、クロロホルムに溶解しで、濃度が
０．０５ｗｔ％の溶液にした。その後、この溶液を浸漬
法によりＭｇＯ基板上に塗布して、乾燥後空気雰囲気の
電気炉に入れ、９５０℃で１２時間加熱した。
属成分モル比がＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １ ：２ ：３とな
るように混合した後、クロロホルムに溶解しで、濃度が
０．０５ｗｔ％の溶液にした。その後、この溶液を浸漬
法によりＭｇＯ基板上に塗布して、乾燥後空気雰囲気の
電気炉に入れ、９５０℃で１２時間加熱した。
加熱後は、１０時間かけて４００℃まで徐冷し、以後自
然冷却した。
然冷却した。
得られた薄膜の酸化物は、実施例１と同様Ｙ２Ｏ５、Ｂ
ａＯ１ＣｕＯが確認され、酸化物の金属比率は、モル比
でＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １ ：２ ：３となっていた。
ａＯ１ＣｕＯが確認され、酸化物の金属比率は、モル比
でＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １ ：２ ：３となっていた。
実施例２
Ｙ、 Ｂａ、 Ｃｕのオクチル酸塩をその金属成分モル
比がＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １ ： ２ ： ３となるよう
に混合した後、トルエンに溶解して、濃度が０．１ｗｔ
％の溶液を調製し、この溶液を用いて実施例１と同要領
で薄膜を作成した。なお、塗布する基板としてはす７ア
イヤ板を使用した。
比がＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １ ： ２ ： ３となるよう
に混合した後、トルエンに溶解して、濃度が０．１ｗｔ
％の溶液を調製し、この溶液を用いて実施例１と同要領
で薄膜を作成した。なお、塗布する基板としてはす７ア
イヤ板を使用した。
得られた薄膜の酸化物は、Ｙ、０５、ＢａＯ１ＣｕＯが
確認され、酸化物の金属比率は、モル比でＹ：Ｂａ：Ｃ
ｕ＝ １ ：２ ：３となっていた。
確認され、酸化物の金属比率は、モル比でＹ：Ｂａ：Ｃ
ｕ＝ １ ：２ ：３となっていた。
実施例３
Ｙ、 Ｄａ、 Ｃｕの１トキシドをその金属成分モル比
がＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １ ： ２ ： ３となるように
混合した後。
がＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １ ： ２ ： ３となるように
混合した後。
インプロパツールに溶解して、濃度が０．０８ｗｔ％の
溶液を調製し、この溶液を用いて実施例１と同要領で薄
膜を作成した。
溶液を調製し、この溶液を用いて実施例１と同要領で薄
膜を作成した。
得られた薄膜の酸化物は、Ｙ、０３．８ａＯ，ＣｕＯが
確認され、酸化物の金属比率は、モル比でＹ：Ｂａ：Ｃ
ｕ＝ １ ：２ ：３となっていた。
確認され、酸化物の金属比率は、モル比でＹ：Ｂａ：Ｃ
ｕ＝ １ ：２ ：３となっていた。
（発明の効果）
以上のように、本発明は、有機金属塩溶液を基板に塗布
して、熱分解により酸化物にするのであるから、金属成
分が比重差により沈降するようなことがなく、均一な組
成の？１ｌＩＫを作成できる。
して、熱分解により酸化物にするのであるから、金属成
分が比重差により沈降するようなことがなく、均一な組
成の？１ｌＩＫを作成できる。
Claims (1)
- アルコキシド、アセチルアセトネート金属塩、オクチ
ル酸金属塩をその金属成分が超電導体構成酸化物の金属
および金属モル比になるようにそれらの１種または２種
以上を配合して溶解した有機溶剤溶液を支持体に塗布し
た後、酸素雰囲気中で７８０〜１０００℃に加熱して金
属酸化物薄膜にすることを特徴とする酸化物系超電導体
薄膜の作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046022A JPH01219005A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 酸化物系超電導体薄膜の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046022A JPH01219005A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 酸化物系超電導体薄膜の作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219005A true JPH01219005A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12735425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046022A Pending JPH01219005A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 酸化物系超電導体薄膜の作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01219005A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011253764A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046022A patent/JPH01219005A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011253764A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液 |
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