JPH01225540A - 新規な熱膨張係数分布型フイルム - Google Patents
新規な熱膨張係数分布型フイルムInfo
- Publication number
- JPH01225540A JPH01225540A JP63051510A JP5151088A JPH01225540A JP H01225540 A JPH01225540 A JP H01225540A JP 63051510 A JP63051510 A JP 63051510A JP 5151088 A JP5151088 A JP 5151088A JP H01225540 A JPH01225540 A JP H01225540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal expansion
- coefficient
- bis
- acid
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/036—Multilayers with layers of different types
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱膨張係数分布型フィルム及びその製造方法
に係り、特に熱膨張係数の小さな半導体チップと熱膨張
係数の大きな配線基板との接合用の熱応力緩和材など種
々の熱膨張係数の大きなものと小さなものとの接合に適
した熱膨張係数分布型フィルムに関する。
に係り、特に熱膨張係数の小さな半導体チップと熱膨張
係数の大きな配線基板との接合用の熱応力緩和材など種
々の熱膨張係数の大きなものと小さなものとの接合に適
した熱膨張係数分布型フィルムに関する。
従来、フィルムの熱膨張係数は、面内にほとんど均一で
あるか、或いはフィルム製作時の分子配向に依って多少
分布が生じた程度のものしか無く。
あるか、或いはフィルム製作時の分子配向に依って多少
分布が生じた程度のものしか無く。
意図してフィルムの厚さ方向に順次熱膨張係数を変化さ
せたものは知られていない。
せたものは知られていない。
これまで熱膨張係数の小さなＬＳＩ（Ｓｉチップ）を熱
膨張係数の大きなアルミナ、ＳｉＣ，ムライトなどのセ
ラミック基板、有機系のガラスエポキシ積層板ポリイミ
ドフレキシブルプリント板。
膨張係数の大きなアルミナ、ＳｉＣ，ムライトなどのセ
ラミック基板、有機系のガラスエポキシ積層板ポリイミ
ドフレキシブルプリント板。
銅フレーム等の金属基板などにマウント使用とする場合
、大きな問題があった。特にＳｉチップが大きくなると
ほとんど不可能に近かった。従来の金シリコン接合に比
較して、銀ペースト、シリコーンゴムなどの応力緩和性
の接着剤を用いることによっである程度は逃げられるが
、耐熱性の低下などの問題が生じる。
、大きな問題があった。特にＳｉチップが大きくなると
ほとんど不可能に近かった。従来の金シリコン接合に比
較して、銀ペースト、シリコーンゴムなどの応力緩和性
の接着剤を用いることによっである程度は逃げられるが
、耐熱性の低下などの問題が生じる。
また、一つの熱応力の逃げ方として、比較的長いリード
ピンを利用し、それの変形を利用するピングリッドアレ
イ方式が知られている。しかし、この方式は、高密度化
、実装工程の簡素化の点では時代に逆行するものである
。
ピンを利用し、それの変形を利用するピングリッドアレ
イ方式が知られている。しかし、この方式は、高密度化
、実装工程の簡素化の点では時代に逆行するものである
。
特開昭６０−２４３１２０号公報などに示されるように
接合しようとする物の熱膨張係数を合わせるのがベスト
であるが、それが出来ないことの方が圧倒的に多い。コ
ンピュータ用の実装技術において、半導体チップは非常
に熱膨張係数が小さく、これを熱膨張係数の大きなプリ
ント鎖板や、パッケージにマウントすることは非常に困
難である。特に最近では半導体チップの大きさが年々増
し、熱膨張係数の差に起因する熱応力の問題も益々重要
になってきた。また、半導体チップの熱放散の為に金属
芯を有するプリント基板を使用することが多くなったり
、熱膨張係数が比較的大きな超電導物質を使う為にも、
これらの接続法の確立は非常に重要である。
接合しようとする物の熱膨張係数を合わせるのがベスト
であるが、それが出来ないことの方が圧倒的に多い。コ
ンピュータ用の実装技術において、半導体チップは非常
に熱膨張係数が小さく、これを熱膨張係数の大きなプリ
ント鎖板や、パッケージにマウントすることは非常に困
難である。特に最近では半導体チップの大きさが年々増
し、熱膨張係数の差に起因する熱応力の問題も益々重要
になってきた。また、半導体チップの熱放散の為に金属
芯を有するプリント基板を使用することが多くなったり
、熱膨張係数が比較的大きな超電導物質を使う為にも、
これらの接続法の確立は非常に重要である。
本発明の目的は、上記従来技術の課題を排除し、熱膨張
係数の異なる物同士を接合するためのものを提供するこ
とである。例えば、熱膨張係数の小さなＳｉチップを熱
膨張係数の大きな基板にマウントしたり、熱膨張係数の
異なる基板同士を接合するためのものである。
係数の異なる物同士を接合するためのものを提供するこ
とである。例えば、熱膨張係数の小さなＳｉチップを熱
膨張係数の大きな基板にマウントしたり、熱膨張係数の
異なる基板同士を接合するためのものである。
本発明は、熱膨張係数の異なるポリマーが、厚さ方向に
熱膨張係数が変化するように、順次積層配列されている
ことを特徴とする熱膨張係数分布型フィルムである。こ
のフィルムは、熱膨張係数の異なるポリイミドを与える
前駆体ワニスを基板上に順次塗布し、セミキュアまたは
完全キュアを行い、最終的にイミド化することによって
製造することができる。
熱膨張係数が変化するように、順次積層配列されている
ことを特徴とする熱膨張係数分布型フィルムである。こ
のフィルムは、熱膨張係数の異なるポリイミドを与える
前駆体ワニスを基板上に順次塗布し、セミキュアまたは
完全キュアを行い、最終的にイミド化することによって
製造することができる。
本発明フィルムにおいて、使用するフィルム材料は、芳
香族ポリアミド、液晶性ポリマーなどがあるが、低熱膨
張性ポリイミドが耐熱性２機械的特性、熱膨張係数のコ
ントロールのし易さなどの点で、好ましい６低熱膨張性
ポリイミドを製造するには、我々がかつて報告したよう
に、（Ｓ。
香族ポリアミド、液晶性ポリマーなどがあるが、低熱膨
張性ポリイミドが耐熱性２機械的特性、熱膨張係数のコ
ントロールのし易さなどの点で、好ましい６低熱膨張性
ポリイミドを製造するには、我々がかつて報告したよう
に、（Ｓ。
Ｎｕｍａｔａ ａｔ ａｌ、、Ｐｒｏｃ、２ｎｄ、Ｉｎ
ｔｌ、Ｃｏｎｆ、Ｐｏ１ｙｉ＠１ｄｅｓ。
ｔｌ、Ｃｏｎｆ、Ｐｏ１ｙｉ＠１ｄｅｓ。
ＳＰＥ、Ｏｃｔ、３Ｏ−Ｎｏｖ、１．１９８５．Ｎ、Ｙ
、）低熱膨張性のポリイミドを与えるモノマーと、熱膨
張係数の大きなポリイミドを与えるポリイミドのモノマ
ーとを共重合させるか、夫々を一旦前駆体であるポリア
ミック酸の状態で混合すると、容易にコントロール可能
である。
、）低熱膨張性のポリイミドを与えるモノマーと、熱膨
張係数の大きなポリイミドを与えるポリイミドのモノマ
ーとを共重合させるか、夫々を一旦前駆体であるポリア
ミック酸の状態で混合すると、容易にコントロール可能
である。
本発明で使用できるポリイミドはその前駆体としてポリ
アミック酸を用いるのが一般的だが、その他エステル化
アミック酸、酸二無水物とジイソシアネートとの反応生
成物なども使用できる。また、それらの骨格としては、
多くのものが使用できる。例えば、芳香族アミノカルボ
ン酸の重合体。
アミック酸を用いるのが一般的だが、その他エステル化
アミック酸、酸二無水物とジイソシアネートとの反応生
成物なども使用できる。また、それらの骨格としては、
多くのものが使用できる。例えば、芳香族アミノカルボ
ン酸の重合体。
芳香族ジアミンあるいはジイソシアネートと芳香族テト
ラカルボン酸を出発原料とするもの等がある。
ラカルボン酸を出発原料とするもの等がある。
具体的には、ポリイミドの前駆体としては、次のような
化学構造を有するものが挙げられる。
化学構造を有するものが挙げられる。
Ａｒｘは、２価の有機基、Ａｒｚは４価の有機嬶、Ｒは
、Ｈまたはアルキル甚である。
、Ｈまたはアルキル甚である。
このようなポリイミドの前駆体は、芳香族アミノジカル
ボン酸誘導体の単独重合、または芳香族ジアミンあるい
は芳香族イソシアネートと、テトラカルボン酸誘導体の
反応によって得ることができる。テトラカルボン酸誘導
体としては、エステル、酸無水物、酸塩化物がある。酸
無水物を用いると、合成上好ましい。
ボン酸誘導体の単独重合、または芳香族ジアミンあるい
は芳香族イソシアネートと、テトラカルボン酸誘導体の
反応によって得ることができる。テトラカルボン酸誘導
体としては、エステル、酸無水物、酸塩化物がある。酸
無水物を用いると、合成上好ましい。
合成反応は、−船釣には、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセ
トアミド（ＤＭＡＣ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ）、硫酸ジメチル、スルホラン、ブチロラクトン、ク
レゾール、フェノール。
Ｐ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセ
トアミド（ＤＭＡＣ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ）、硫酸ジメチル、スルホラン、ブチロラクトン、ク
レゾール、フェノール。
ハロゲン化フェノール、シクロヘキサノン、ジオキサン
、テトラヒドロフラン、アセトフェノンなどの溶液中で
、−２０〜２００℃の範囲で行われる。
、テトラヒドロフラン、アセトフェノンなどの溶液中で
、−２０〜２００℃の範囲で行われる。
上記アミノジカルボン酸誘導体として具体例を挙げると
、４−アミノフタル酸、４−アミノ−５−メチルフタル
酸、４− （ｐ−アニリン）フタル酸、４−（３，５−
ジメチル−４−アニリノ）フタル酸など、゛あるいはこ
れらのエステル、酸無水物。
、４−アミノフタル酸、４−アミノ−５−メチルフタル
酸、４− （ｐ−アニリン）フタル酸、４−（３，５−
ジメチル−４−アニリノ）フタル酸など、゛あるいはこ
れらのエステル、酸無水物。
酸塩化物等が挙げられる。
芳香族ジアミンとしては、ｐ−フ二二レンジアミン、２
，５−ジアミノトルエン、２，５−ジアミノキシレン、
ジアミノズレン（２，３，５，６−チトラメチルフエニ
レンジアミン）、２．５−ジアミノベンゾトリフルオリ
ド、２，５−ジアミノアニソール、２，５−ジアミノア
セトフェノン、２．５−ジアミノベンゾフェノン、２，
５−ジアミノジフェニル、２，５−ジアミノフルオロベ
ンゼン、ベンジジン、ｏ−トリジン、ｍ−トリジン、３
．３’ 、５．５’−テトラメチルベンジジン、３゜３
′−ジメトキシベンジジン、３，３′−ジ（トリフルオ
ロメチル）ベンジジン、３．３’ −ジアセチルベンジ
ジン、３，３′−ジフルオロベンジジン、オクタフルオ
ロベンジジン、４，４“−ジアミノターフェニル、４，
４″＃−ジアミノクォーターフェニル等の直線状のコン
ホメーションを有するものや、ｍ−フ二二レンジアミン
、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、１，２−ビス
（アニリノ）エタン、４，４−ジアミノジフェニルエー
テル、ジアミノジフェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ
−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（Ｐ−アミ
ノフェニル）へキサフルオロプロパン、３．３’−ジメ
チル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３
′−ジメチル−４゜４′−ジアミノジフェニルメタン、
ジアミノトルエン、ジアミノベンシトリフルオライド、
１，４−ビス（ｐ−７ミノフエノキシ）ベンゼン、４゜
４−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニル、ヘキサ
フルオロプロパン、２，２−ビス（４−（ｐ−アミノフ
ェノキシ）フェニル）プロパン、２．２−ビス（４−（
ｍ−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−
ビス（４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル）へキサ
フルオロプロパン、２，２−ビス（４−（ｍ−アミノフ
ェノキシ）フェニル）へキサフルオロプロパン、２，２
−ビス（４−（ｐ−アミノフェノキシ）−３，５−ジメ
チルフェニル）へキサフルオロプロパン、２．２−ビス
（４−（ｐ−アミノフェノキシ）−３，５−ジトリフル
オロメチルフェニル）へキサフルオロプロパン、ｐ−ビ
ス（４−アミノ２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベ
ンゼン、４゜・ ４′−ビス（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス
（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビ
フェニル、４．４’−ビス（４−アミノ−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）ビフェニルスルフォン、４，４
′−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノ
キシ）ビフェニルスルフォン、２，２−ビス（４−（ｐ
−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、ジアミノアントラキノン
、４゜４−ビス（３−アミノフェノキシフェニル）ジフ
二二ルスルホン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキサフル
オロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタフルオ
ロブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオロペン
タン、１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロへ
ブタン、一般式 ％式％ （Ｒｓ 、Ｒ７は２価の有機基、Ｒ番、Ｒｅは１価の有
機基、Ｐ＋’Ｔは１より大きい整数。）で示されるジア
ミノシロキサンがあげられ、またこれらのジイソシアネ
ート化合物も使用できる。
，５−ジアミノトルエン、２，５−ジアミノキシレン、
ジアミノズレン（２，３，５，６−チトラメチルフエニ
レンジアミン）、２．５−ジアミノベンゾトリフルオリ
ド、２，５−ジアミノアニソール、２，５−ジアミノア
セトフェノン、２．５−ジアミノベンゾフェノン、２，
５−ジアミノジフェニル、２，５−ジアミノフルオロベ
ンゼン、ベンジジン、ｏ−トリジン、ｍ−トリジン、３
．３’ 、５．５’−テトラメチルベンジジン、３゜３
′−ジメトキシベンジジン、３，３′−ジ（トリフルオ
ロメチル）ベンジジン、３．３’ −ジアセチルベンジ
ジン、３，３′−ジフルオロベンジジン、オクタフルオ
ロベンジジン、４，４“−ジアミノターフェニル、４，
４″＃−ジアミノクォーターフェニル等の直線状のコン
ホメーションを有するものや、ｍ−フ二二レンジアミン
、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、１，２−ビス
（アニリノ）エタン、４，４−ジアミノジフェニルエー
テル、ジアミノジフェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ
−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（Ｐ−アミ
ノフェニル）へキサフルオロプロパン、３．３’−ジメ
チル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３
′−ジメチル−４゜４′−ジアミノジフェニルメタン、
ジアミノトルエン、ジアミノベンシトリフルオライド、
１，４−ビス（ｐ−７ミノフエノキシ）ベンゼン、４゜
４−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニル、ヘキサ
フルオロプロパン、２，２−ビス（４−（ｐ−アミノフ
ェノキシ）フェニル）プロパン、２．２−ビス（４−（
ｍ−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−
ビス（４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル）へキサ
フルオロプロパン、２，２−ビス（４−（ｍ−アミノフ
ェノキシ）フェニル）へキサフルオロプロパン、２，２
−ビス（４−（ｐ−アミノフェノキシ）−３，５−ジメ
チルフェニル）へキサフルオロプロパン、２．２−ビス
（４−（ｐ−アミノフェノキシ）−３，５−ジトリフル
オロメチルフェニル）へキサフルオロプロパン、ｐ−ビ
ス（４−アミノ２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベ
ンゼン、４゜・ ４′−ビス（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス
（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビ
フェニル、４．４’−ビス（４−アミノ−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）ビフェニルスルフォン、４，４
′−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノ
キシ）ビフェニルスルフォン、２，２−ビス（４−（ｐ
−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、ジアミノアントラキノン
、４゜４−ビス（３−アミノフェノキシフェニル）ジフ
二二ルスルホン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキサフル
オロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタフルオ
ロブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオロペン
タン、１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロへ
ブタン、一般式 ％式％ （Ｒｓ 、Ｒ７は２価の有機基、Ｒ番、Ｒｅは１価の有
機基、Ｐ＋’Ｔは１より大きい整数。）で示されるジア
ミノシロキサンがあげられ、またこれらのジイソシアネ
ート化合物も使用できる。
本発明に用いるテトラカルボン酸誘導体としては、ピロ
メリ１へ酸、メチルピロメリト酸、ジメチルピロメリト
酸、ジ（トリフルオロメチル）ピロスリ１〜酸、３．３
’ 、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン酸、５，
５′−ジメチル−３，３’ 。
メリ１へ酸、メチルピロメリト酸、ジメチルピロメリト
酸、ジ（トリフルオロメチル）ピロスリ１〜酸、３．３
’ 、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン酸、５，
５′−ジメチル−３，３’ 。
４．４′−ビフェニルテトラカルボン酸、ｐ ＝（３，
４−ジカルボキシフェニル）ベンゼン、２゜３．３’
、４’ −テトラカルボキシジフェニル、３．３’ 、
４．４’ −テトラカルボキシジフェニルエーテル、２
，３．３’ 、４’ −テトラカルボキシジフェニルエ
ーテル、３．３’ 、４．４’ −テトラカルボキシベ
ンゾフェノン、２，３．３’ 。
４−ジカルボキシフェニル）ベンゼン、２゜３．３’
、４’ −テトラカルボキシジフェニル、３．３’ 、
４．４’ −テトラカルボキシジフェニルエーテル、２
，３．３’ 、４’ −テトラカルボキシジフェニルエ
ーテル、３．３’ 、４．４’ −テトラカルボキシベ
ンゾフェノン、２，３．３’ 。
４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，３゜６．
７−チトラカルポキシナフタレン、１，４゜５．７−チ
トラカルポキシナフタレン、１，２゜５．６−チトラカ
ルポキシナフタレン、３．３’ 。
７−チトラカルポキシナフタレン、１，４゜５．７−チ
トラカルポキシナフタレン、１，２゜５．６−チトラカ
ルポキシナフタレン、３．３’ 。
４．４′−テトラカルボキシジフェニルメタン、２．３
．３’ 、４’ −テトラカルボキシジフェニルメタン
、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
へキサフルオロプロパン、３．３’ 、４，４．’ −
テトラカルボキシジフェニルスルホン、３，４，９．１
０−テトラカルボキシペリレン、２，２−ビス（４−（
３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル）プロパン
、２゜２−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル）へキサフルオロプロパン、ブタンテトラ
カルボン酸、シクロペンタンテ１−ラカルボン酸などが
挙げられ、これらの酸無水物、酸塩化物、エステルなど
も使用できる。
．３’ 、４’ −テトラカルボキシジフェニルメタン
、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
へキサフルオロプロパン、３．３’ 、４，４．’ −
テトラカルボキシジフェニルスルホン、３，４，９．１
０−テトラカルボキシペリレン、２，２−ビス（４−（
３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル）プロパン
、２゜２−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル）へキサフルオロプロパン、ブタンテトラ
カルボン酸、シクロペンタンテ１−ラカルボン酸などが
挙げられ、これらの酸無水物、酸塩化物、エステルなど
も使用できる。
本発明において、熱膨張係数の異なるポリイミドを積層
する場合、ポリイミドとするよりも完全にイミド化して
いない状態で積層する法が接着性の点で好ましい。ポリ
イミド前駆体膜は、ポリイミド前駆体溶液をスピンコー
ドなどによって均一に塗布し、好ましくは５０〜２５０
℃程度の温度範囲で乾燥することにより得られる。ポリ
イミド前駆体を使用してフィルムを形成した場合、最終
的にはポリイミドとするために高温に加熱するか、イミ
ド他剤溶液中に浸漬する。加熱イミド化の場合、生成す
るポリイミドのガラス転移温度以上に加熱することが望
ましい。
する場合、ポリイミドとするよりも完全にイミド化して
いない状態で積層する法が接着性の点で好ましい。ポリ
イミド前駆体膜は、ポリイミド前駆体溶液をスピンコー
ドなどによって均一に塗布し、好ましくは５０〜２５０
℃程度の温度範囲で乾燥することにより得られる。ポリ
イミド前駆体を使用してフィルムを形成した場合、最終
的にはポリイミドとするために高温に加熱するか、イミ
ド他剤溶液中に浸漬する。加熱イミド化の場合、生成す
るポリイミドのガラス転移温度以上に加熱することが望
ましい。
本発明において、ジアミン成分に直鎖状のコンフォメー
ションを有するものを用い、テ１へラカルボン酸にピロ
メリット酸誘導体、又はビフェニルテトラカルボン酸誘
導体を使用すると、ロッドライク上のポリイミドが得ら
れ、それらは低熱膨張性になる。
ションを有するものを用い、テ１へラカルボン酸にピロ
メリット酸誘導体、又はビフェニルテトラカルボン酸誘
導体を使用すると、ロッドライク上のポリイミドが得ら
れ、それらは低熱膨張性になる。
本発明において、より熱膨張係数を下げたり、弾性率を
挙げたり、流動性をコントロールしたりするために、無
機質、有機質、または、全屈などの粉末、繊維、チョッ
プトストランドなどを混合することもできる。
挙げたり、流動性をコントロールしたりするために、無
機質、有機質、または、全屈などの粉末、繊維、チョッ
プトストランドなどを混合することもできる。
本発明において、無機質の繊維や粒子を添加し、その濃
度を変えたワニスを積層することによっても同様の熱膨
張係数分布型フィルムは出来る。しかし、通常の有機材
料をマトリックとする場合、熱膨張係数を１０ Ｘ １
０−６に一１以下にすることは極めて困難である。従っ
て、熱膨張係数の小さいポリマーを使う方が好ましい。
度を変えたワニスを積層することによっても同様の熱膨
張係数分布型フィルムは出来る。しかし、通常の有機材
料をマトリックとする場合、熱膨張係数を１０ Ｘ １
０−６に一１以下にすることは極めて困難である。従っ
て、熱膨張係数の小さいポリマーを使う方が好ましい。
本発明は、多くのＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子。
高密度配線板、ガラスエポキシプリント板、感熱ヘッド
用配線基板、液晶表示素子用基板など多くの熱膨張係数
の異なるエレクトロニクス用配線基板への電子部品の接
合に極めて好都合なものである。
用配線基板、液晶表示素子用基板など多くの熱膨張係数
の異なるエレクトロニクス用配線基板への電子部品の接
合に極めて好都合なものである。
実施例１
ｐ−フェニレンジアミン（ｐ−ＰＤＡ）と４゜４′−ジ
アミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）及び３．３’ 、
４．４’ −ビフェニルテトラカルボン合割合で、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）中で室温で反応させ
、高粘度のポリアミック酸を得た。更に、２５℃での粘
−度が５０Ｐになるまで８０〜８５°Ｃの範囲で加熱撹
拌し、粘度（５０Ｐ）と濃度（１５％）が同じで熱膨張
係数の異なる６種類ポリアミック酸又はコポリアミック
酸を得た。
アミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）及び３．３’ 、
４．４’ −ビフェニルテトラカルボン合割合で、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）中で室温で反応させ
、高粘度のポリアミック酸を得た。更に、２５℃での粘
−度が５０Ｐになるまで８０〜８５°Ｃの範囲で加熱撹
拌し、粘度（５０Ｐ）と濃度（１５％）が同じで熱膨張
係数の異なる６種類ポリアミック酸又はコポリアミック
酸を得た。
各ポリアミック酸を熱膨張係数の小さい順に、スピンコ
ードして厚みが１５μｍになるように積層した。但し、
各層の乾燥条件は１００℃／１ｈ−１８０℃／ｌｈであ
る。その後、ガラス板から剥がし、鉄枠で固定した後１
００℃から４００℃まで２時間で昇温し、更に４００℃
で３０分間保持してから室温に冷却して、厚さ約９０μ
ｍの所望の熱膨張係数分布型フィルムを得た。
ードして厚みが１５μｍになるように積層した。但し、
各層の乾燥条件は１００℃／１ｈ−１８０℃／ｌｈであ
る。その後、ガラス板から剥がし、鉄枠で固定した後１
００℃から４００℃まで２時間で昇温し、更に４００℃
で３０分間保持してから室温に冷却して、厚さ約９０μ
ｍの所望の熱膨張係数分布型フィルムを得た。
実施例２
４．４＃−ジアミノターフェニル（ＤＡＴＰ）と５−Ｂ
ＰＤＡとをモル比１：１でＮＭＰ中で実施例１と同様に
反応させポリアミック酸ワニスＡを得た。また、ＤＡＴ
ＰとＤＤＥと５−ＢＰＤＡとを０．７５ ： ０．２５
： １．０ のモル比で同様に反応させコポリアミッ
ク酸Ｂを得た。
ＰＤＡとをモル比１：１でＮＭＰ中で実施例１と同様に
反応させポリアミック酸ワニスＡを得た。また、ＤＡＴ
ＰとＤＤＥと５−ＢＰＤＡとを０．７５ ： ０．２５
： １．０ のモル比で同様に反応させコポリアミッ
ク酸Ｂを得た。
これらのポリアミック酸ワニスを第２表の配合割合で混
合した。次いで、実施例１と同様にガラス板上に塗布し
、乾燥硬化して厚さ約９０ｐｍの熱膨張係数分布型フィ
ルムを得た。更に、このフィルムの上下面にＮα７とＮ
０１２のポリアミック酸ワニスを塗布し１００℃／ｌｈ
で乾燥させてセミキュア状態のポリアミック酸膜を形成
した。このフィルムを用いてガラス基板配線板上に半導
体素子をマウントした。
合した。次いで、実施例１と同様にガラス板上に塗布し
、乾燥硬化して厚さ約９０ｐｍの熱膨張係数分布型フィ
ルムを得た。更に、このフィルムの上下面にＮα７とＮ
０１２のポリアミック酸ワニスを塗布し１００℃／ｌｈ
で乾燥させてセミキュア状態のポリアミック酸膜を形成
した。このフィルムを用いてガラス基板配線板上に半導
体素子をマウントした。
表１
表２
〔発明の効果〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、熱膨張係数の異なるポリマーが、厚さ方向に熱膨張
係数が変化するように、順次積層配列されていることを
特徴とする熱膨張係数分布型フィルム。 ２、ポリマーがポリイミドであることを特徴とする請求
項１記載の熱膨張係数分布型フィルム。 ３、熱膨張係数の異なるポリイミドを与える前駆体ワニ
スを基板上に順次塗布し、セミキユアまたは完全キユア
を行い、最終的にイミド化することによつて、厚さ方向
に熱膨張係数が変化するようにポリイミドが積層配列さ
れたフィルムを形成することを特徴とする請求項１項記
載の熱膨張係数分布型フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63051510A JPH01225540A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 新規な熱膨張係数分布型フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63051510A JPH01225540A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 新規な熱膨張係数分布型フイルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225540A true JPH01225540A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12888999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63051510A Pending JPH01225540A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 新規な熱膨張係数分布型フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01225540A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245586A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブルプリント基板 |
| US20120228004A1 (en) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | Lextar Electronics Corporation | Carrier structure and manufacturing method thereof |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63051510A patent/JPH01225540A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245586A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブルプリント基板 |
| US20120228004A1 (en) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | Lextar Electronics Corporation | Carrier structure and manufacturing method thereof |
| US8845835B2 (en) * | 2011-03-09 | 2014-09-30 | Lextar Electronics Corporation | Carrier structure and manufacturing method thereof |
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