JPH01229043A - フェノール樹脂積層板の製造法 - Google Patents

フェノール樹脂積層板の製造法

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JPH01229043A
JPH01229043A JP5413888A JP5413888A JPH01229043A JP H01229043 A JPH01229043 A JP H01229043A JP 5413888 A JP5413888 A JP 5413888A JP 5413888 A JP5413888 A JP 5413888A JP H01229043 A JPH01229043 A JP H01229043A
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phenolic resin
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chemical formulas
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JP5413888A
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English (en)
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Yoshitoshi Kumakura
俊寿 熊倉
Ken Nanaumi
憲 七海
Masahiro Nomoto
野本 雅弘
Atsushi Takahashi
敦之 高橋
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement

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  • Reinforced Plastic Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は、フェノール樹脂積層板の製造法に関する。
〔従来の技術] 最近、電気部品、電子部品の絶縁材料として使用されて
いる、セルロース系基材のフェノール樹脂積層板に対し
ては、安全性の点から難燃化の要求が、また寸法精度向
上や加工費の低減といった点から打抜加工性の向上が望
まれている。これまでフェノール樹脂の難燃化に関して
は、例えば特開昭60−192732号公報等に示され
ているように、ハロゲン化合物を用いる方法や、特開昭
5B−8749号公報等に示されているようにハロゲン
化合物とリン化合物を併用する方法などがある。また打
抜加工性の向上に関しては、植物油等でフェノール樹脂
を変性する方法や種々の可塑剤を用いる方法などがある
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、これらのハロゲン化合物、リン化合物の
ようなフェノール樹脂との反応性がない添加型難燃剤を
使用した場合、樹脂の耐熱性、耐溶剤性が劣るという問
題点があり、一方フエノール樹脂と反応性のあるハロゲ
ン化エポキシ樹脂等を使用した場合には、ワニスの保存
安定性に劣り、さらにこのワニスを積層板に使用した場
合には、積層板の打抜加工性、プリプレグの保存安定性
に劣るという問題があった。
また打抜加工性を向上させるために、さらに植物油等の
変性量や可塑剤の量を増やしたりすると、難燃性が低下
し、耐熱性、耐溶剤性が劣るという問題があった。
本発明は、前記事情に基づいてなされたものであり、そ
の目的は難燃性及び打抜加工性共に優れたフェノール樹
脂積層板の製造法を提供するものである。
〔課題を解決するための手段] 本発明のフェノール樹脂積層板の製造法は、一般式(I
 a) 〔ただし、式中Xは、ハロゲン原子を表し、YはCK 
Hzに◆1 〜C− C,H,j◆1 (ここでk及びjはそれぞれO〜4整数を表し、C0は
水素を表し、かつに+j≧1である)、h (ただしWは0〜10の整数を表す)を表し、l及びm
はそれぞれ0〜4の整数を表し、Xoは水素を表し、か
つ1+m≧1である。なおXは互いに同一の種類であっ
ても異なった種類であってもよい。〕 又は一般式(I b) OX、    O 〔ただし式中Xは、ハロゲン原子を表し、nは1〜4の
整数を表す、なお、Xは互いに同一の種類であっても異
なった種類であってもよい、〕で表される1種又は2種
以上の化合物1モル当り一般式(II) HOOC−(Z)t−(Q)F −COOH(I[)〔
ただし式中、Zは次の繰り返し単位 −CHz−CH=C)l−C1lt−を表し、Qは次の
繰り返し単位−C)1.−CH− C41=CH1 を表し、L及びpは0以上の整数を表し、かつt+P≧
1であり、ZとQの配列はランダムであって、交互であ
ってもブロックであってもよい〕で表されるα、ω−ポ
リブタジェンジカルボン酸0゜1〜1モルを触媒の存在
下加熱反応させることによって得られる化合物を難燃剤
として配合したフェノール樹脂ワニスを基材に含浸付着
させた後、乾燥してプリプレグとし、次いでこれを複数
枚重ねて積層し、その上に銅箔を重ね、あるいは銅箔を
重ねないで、加熱成形することを特徴とする。
なお、ここで積層板とは銅張積層板と銅箔を使用してい
ない積層板の両方を意味している。
一般式(Ia)及び(Ib)中のハロゲン原子Xとして
は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を
挙げることができる。これらの中でも、特に臭素原子が
好適である。
前記一般式(Ia)の化合物の中でも、咳式中の1及び
mが、l+m=2〜4、特にl =m= 1又は、l 
=m=2ものが好適に使用できる。
一般式(I a)で表される化合物の中で通常好適に使
用できる化合物の具体例としては、例えば、次に例示す
るベンゼン核にハロゲン原子が置換したビスフェノール
類のそれぞれのフェノール水H金物を挙げることができ
る。すなわち、該ハロゲン置換ビスフェノール類として
は、テトラブロモビスフェノールAなどのテトラ、ハロ
ビスフェノールA1テトラブロモビスフエノールAFな
どのテトラハロビスフェノールAF、テトラブロモビス
フェノールBなどのテトラハロビスフェノールB2テト
ラブロモビスフェノールEなどのテトラハロビスフェノ
ールE、テトラブロモビスフェノールFなどのテトラハ
ロビスフェノールF1テトラブロモビスフエノールSな
どのテトラハロビスフェノールS1ジブロモビスフエノ
ールAなどのジハロビスフェノールA1ジブロモビスフ
エノールAFなどのジハロビスフェノールAF、ジブロ
モビスフェノールBなどのジハロビスフェノールB1ジ
ブロモビスフェノールEなどのジハロビスフェノールE
、ジブロモビスフェノールFなどのジハロビスフェノー
ルF、ジブロモビスフェノールSなどのジハロビスフェ
ノールSなどを挙げることができ、これらの中でも、ブ
ロモ置換体が好ましく、特にテトラブロモビスフェノー
ルA等が好ましい。
前記一般式(Ib)で表される化合物の中で、通常好適
に用いられるものの具体例としては、例えば、次に例示
するハロゲン置換1,4−ジヒドロキシベンゼン類のそ
れぞれのフェノール性水酸物を挙げることができる。す
なわち、該ハロゲン置換1.4−ジヒドロキシベンゼン
類としては、例えば、2.5−ジブロモ−1,4−ジヒ
ドロキシベンゼンなどの2.5−ジハロ−1,4−ジヒ
ドロキシベンゼン、2.3,5.6−テトラプロモー1
.4−ジヒドロキシベンゼン等の2.3゜5.6−テト
ラハロー1.4−ジヒドロキシベンゼン等を挙げること
ができ、これらの中でも、特にブロモ置換体が、好適で
ある。
以上に例示の化合物の中でも、特に好ましいものとして
、例えば、テトラブロモビスフェノールへのジグリシジ
ルエーテルを挙げることができる。
なお前記成分としては、一般式(Ia)で表される化合
物及び一般式(Ib)で表される化合物の中から選ばれ
る1種の化合物を単独で用いてもよく、2種以上の化合
物を併用してもよい。
一般式(II)で、表されるα、ω−ポリブタジェンジ
カルボン酸は、数平均分子量が300〜2000程度の
ものが好適に使用できる。この数平均分子量が300未
満の場合は、得られた樹脂を、フェノール樹脂等の樹脂
に用いた際にその可撓化効果が十分に得られない場合が
あり、一方、2000より大きいと粘度が高くなり、使
用が困難になる場合がある。また、一般式(It)にお
ける繰り返し単位ZとQの割合、すなわちtとpの比と
しては特に限定するものではないが、通常、t:P=5
〜100:95〜0の範囲のものが好適に使用できる。
このtの割合が、小さすぎると、可撓化効果が十分に得
られない場合がある。一般に、tの割合が大きくなると
可撓化効果も大きくなり、一方、pの割合が大きくなる
と、側頚のビニル基による分子間の反応性が増加する。
(I a)又は(Ib)の成分1モル当り、(■)の成
分0.1〜1モルの割合で反応させたものを難燃剤とし
てフェノール樹脂に配合する。(■)の成分の割合は目
的とする特性が得られるのであれば任意で構わないが0
.1モル未満ではワニス、プリプレグの保存安定性に劣
り、また積層板にした時に、樹脂の可塑化効果が小さい
ために、打抜加工性が劣る。また(n)の成分が1モル
を超えると、未反応の(n)成分が多くなるので好まし
くない。
難燃剤の配合量はフェノール樹脂100重量部に対して
5〜100重量部が好ましい。またこのとき、他の難燃
剤、例えばリン系、窒素系、無機系等の難燃剤を併用す
ることもできる。フェノール樹脂としては特に限定され
ないが、乾性植物油変性レゾール型フェノール樹脂が好
適に用いられる。
前記難燃剤を配合したフェノール樹脂ワニスを所定量セ
ルロース系基材に含浸付着させ、乾燥してプリプレグと
なし、このプリプレグを所定枚数を必要に応じ銅箔を重
ねて積層し、加熱加圧成形することにより積層板を得る
。以上の方法により製造された積層板は、難燃性に硬れ
、されに打抜加工性にも優れたものであり、民生用電子
機器の回路基板として用いることができる。
(実施例) 以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
ベース樹脂1の合成 撹拌器、冷却器、温度計を備えた5!の→ラスコに桐油
1000g、m、p−クレゾール1500g、パラトル
エンスルホン酸1gを混合し、90°Cで1時間反応さ
せた。次いでこの反応液にフェノール500gを添加し
、80%パラホルムアルデヒド750g、25%アンモ
ニア水70gを加え、80°Cで4時間反応させた。縮
合水を留去し、反応物の160°Cの熱板上でのゲルタ
イムが3分30秒となった点を終点とし、ベース樹脂1
とした。
ベース樹脂2の合成 撹拌器、冷却器、温度計を備えた51のフラスコに桐油
1500g、m、p−クレゾール1125g、パラトル
エンスルホン酸1gを混合し、90°Cで1時間反応さ
せた0次いでこの反応液にフェノール375gを添加し
、80%パラホルムアルデヒド675g、25%アンモ
ニア水70gを加え80°Cで3.5時間反応させた。
縮合水を留去し、反応物の160°Cの熱板上でのゲル
タイムが3分20秒となった点を終点としベース樹脂2
とした。
難燃剤Cの合成 テトラブロモビスフェノールAジグリシジルエーテルの
60%トルエン溶液550g、α−ω−ポリブタジェン
ジカルボン酸(数平均分子量1300.1.2−ポリブ
タジェン成分85%)390g、テトラメチルアンモニ
ウムクロライド0.5gを22の40フラスコに導入し
、110°Cで3時間反応させたのちを難燃剤Cとした
実施例 上記配合で合成したベース樹脂1 800g(樹脂固形
分70重量%)に難燃剤Cを300g添加し、ワニスA
とした。
比較例1 上記配合で合成したベース樹脂1 800gに難燃剤と
してテトラブロモビスフェノールAジグリシジルエーテ
ル200g添加しワニスBとした。
比較例2 上記配合で合成したベース樹脂1 800gに難燃剤と
してテトラブロモビスフェノールAジグリシジルエーテ
ル150g、)リフェニルフオスフェート75g添加し
、ワニスCとした。
比較例3 上記配合で合成したベース樹脂2 800g(樹脂固形
分67重量%)にテトラブロモビスフェノールAジグリ
シジルエーテル285gを添加しワニスDとした。
上記実施例、比較例1.2.3で調整したワニスに難燃
助剤として三酸化アンチモンsb、o、をそれぞれ15
g添加し、さらにトルエン−メタノール(1: 1)の
混合溶媒を添加し、系の樹脂分が60重量%になるよう
にした。次いでこれらのワニスをコツトンリンター祇に
、付着樹脂分が55重量%になるように含浸させ、乾燥
してプリプレグを作製した。該プリプレグを所定枚数重
ねて、120 kg/crAの圧力下、170°Cで1
00分間加熱成形し、積層板を得た。積層板はJIS−
C−6481、UL−94記載の測定法に準じて特性を
測定した。
その結果を表1に示す。
第1表の結果から明らかなように、本発明のフェノール
樹脂積層板は、樹脂の諸特性を低下させることなく、難
燃性に優れ、かつ打抜加工性にも優れている。比較例2
.3に示した従来からの打抜加工性の改良方法では、耐
溶剤性又は耐熱性が低下が著しい。
(発明の効果) 本発明のフェノール樹脂積層板は、樹脂の諸特性を低下
させることなく、難燃性に優れ、かつ打抜加工性にも優
れたのもであり、その工業的価値は極めて大である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式( I a) ▲数式、化学式、表等があります▼( I a) 〔ただし、式中Xはハロゲン原子を表し、Yは▲数式、
    化学式、表等があります▼ (ここでk及びjはそれぞれ0〜4の整数を表し、C_
    0は水素を表し、かつk+j≧1である)、 ▲数式、化学式、表等があります▼、−SO_2−、−
    S−、−O−、▲数式、化学式、表等があります▼又は
    ▲数式、化学式、表等があります▼(ただしwは0〜1
    0の整数を表す)を表し、l及びmはそれぞれ0〜4の
    整数を表し、、X_0は水素を表し、かつl+m≧1で
    ある。 なおXは互いに同一の種類であっても異なった種類であ
    ってもよい。〕 又は一般式( I b) ▲数式、化学式、表等があります▼( I b) 〔ただし式中Xは、ハロゲン原子を表し、nは1〜4の
    整数を表す。なお、Xは互いに同一の種類であっても異
    なった種類であってもよい。〕で表される1種又は2種
    以上の化合物1モルあたり一般式(II) HOOC−(Z)_t−(O)_p−COOH(II)〔
    ただし式中、Zは次の繰り返し単位 −CH_2−CH=CH−CH_2−を表し、Qは次の
    繰り返し単位▲数式、化学式、表等があります▼ を表し、t及びpは0以上の整数を表し、かつt+p≧
    1であり、ZとQの配列はランダムであって、交互であ
    ってもブロックであってもよい〕 で表されるα,ω−ポリブタジエンジカルボン酸0.1
    〜1モルを触媒の存在下加熱反応させることによって得
    られる化合物を難燃剤として配合したフェノール樹脂ワ
    ニスを基材に含浸付着させた後、乾燥してプリプレグと
    し、次いでこれを複数枚重ねて積層し、その上に鋼箔を
    重ね、或いは銅箔を重ねないで加熱成形することを特徴
    とするフェノール樹脂積層板の製造法。 2、フェノール樹脂が乾性植物油変性レゾール型フェノ
    ール樹脂である請求項1記載のフェノール樹脂積層板の
    製造法。 3、( I a)成分として用いる化合物が、テトラブロ
    モビスフェノールAのジグリシジルエーテルである請求
    項1又は請求項2記載のフェノール樹脂積層板の製造法
    。 4、一般式(II)で表される化合物の数平均分子量が、
    300〜2000の範囲内であり、かつ繰り返し単位Z
    とQの割合が、t:p=5〜100:95〜0である請
    求項1、請求項2又は請求項3記載のフェノール樹脂積
    層板の製造法。
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