JPH01232505A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH01232505A JPH01232505A JP5741888A JP5741888A JPH01232505A JP H01232505 A JPH01232505 A JP H01232505A JP 5741888 A JP5741888 A JP 5741888A JP 5741888 A JP5741888 A JP 5741888A JP H01232505 A JPH01232505 A JP H01232505A
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- magnetic
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ヘッドに関するものである。
磁気記録において求められる記憶容斂は増加する一方で
ある。そのため高記録密度を達成するため磁気ヘッド及
び記録媒体の高記録密度対応が求められている。高記録
密度を達成するため磁気ヘッドの材料として従来のフェ
ライト系の材料よりも飽和磁束密度の大きい金属系磁性
膜が利用されてきている。その材料としては、００系ア
モルファス合金や’Ｉ！ ｅ −Ａ １− Ｓ ｉ合金
があげられ、これらの合金は磁気ヘッドのギャップ部に
１〜５０μ鶏の薄膜として付与されている。その薄膜は
、真空蒸着又はスパッタリングによって成膜されている
。磁気ヘッドを製造する場合、磁気コア半体対を接合し
なければならないが、その接合方法としては、有機接着
剤による接着、ガラスによる融着がある。しかし、有機
接層剤による接合はガラスによる融着に比べて耐久性が
劣っているため、ガラス融着により接合した磁気ヘッド
が主流となっている。
ある。そのため高記録密度を達成するため磁気ヘッド及
び記録媒体の高記録密度対応が求められている。高記録
密度を達成するため磁気ヘッドの材料として従来のフェ
ライト系の材料よりも飽和磁束密度の大きい金属系磁性
膜が利用されてきている。その材料としては、００系ア
モルファス合金や’Ｉ！ ｅ −Ａ １− Ｓ ｉ合金
があげられ、これらの合金は磁気ヘッドのギャップ部に
１〜５０μ鶏の薄膜として付与されている。その薄膜は
、真空蒸着又はスパッタリングによって成膜されている
。磁気ヘッドを製造する場合、磁気コア半体対を接合し
なければならないが、その接合方法としては、有機接着
剤による接着、ガラスによる融着がある。しかし、有機
接層剤による接合はガラスによる融着に比べて耐久性が
劣っているため、ガラス融着により接合した磁気ヘッド
が主流となっている。
ＩＦ ｅ −Ｓ ｉ −Ａ １合金を磁気ヘッドに用い
た場合、その軟磁気特性を漫ろためには適切な温度（５
５０℃〜６３０℃）での熱処理が必要であり、必要以上
の高温での熱処理は磁気特性を劣化させる。したがって
、磁気コア半体対の接合のために用いる融着ガラスの作
業温度を制限することになる。通常のフェライト磁気ヘ
ッド用の融着ガラスの作業温度（７００℃〜８００℃）
ではｙｅ−Ａ９１−Ａｌ合金の優れた軟磁気特性を得る
ことができない。したがって、ｒｅ−８ｉ−Ａｌ合金を
磁気へ、ラドに用いた場合は、作業温度の低い融着ガラ
スを用いなければならず、その低融点融着ガラスの耐久
性が悪く磁気ヘッドの信頼性を低下させていた。
た場合、その軟磁気特性を漫ろためには適切な温度（５
５０℃〜６３０℃）での熱処理が必要であり、必要以上
の高温での熱処理は磁気特性を劣化させる。したがって
、磁気コア半体対の接合のために用いる融着ガラスの作
業温度を制限することになる。通常のフェライト磁気ヘ
ッド用の融着ガラスの作業温度（７００℃〜８００℃）
ではｙｅ−Ａ９１−Ａｌ合金の優れた軟磁気特性を得る
ことができない。したがって、ｒｅ−８ｉ−Ａｌ合金を
磁気へ、ラドに用いた場合は、作業温度の低い融着ガラ
スを用いなければならず、その低融点融着ガラスの耐久
性が悪く磁気ヘッドの信頼性を低下させていた。
本発明は、上記の問題点を解決するもので、その目的と
するところは、’Ｉ！ ｅ −Ｓ ｉ −Ａ １合金の
耐熱性を向上させることにより、融着ガラスの作業温度
を上げ、耐久性の高い融層ガラスの使用を可能とし、信
頼性の高い磁気ヘッドを提供することにある。
するところは、’Ｉ！ ｅ −Ｓ ｉ −Ａ １合金の
耐熱性を向上させることにより、融着ガラスの作業温度
を上げ、耐久性の高い融層ガラスの使用を可能とし、信
頼性の高い磁気ヘッドを提供することにある。
本発明の磁気ヘッドは
（１）７エライトより成るｄｉ磁気コア半体対接合面に
真空薄膜形成技術によりＩＦ ｅ −Ｓ ｉ−人１−Ｃ
ｒ合金膜を形成し、磁気コア半体対を突き合わせ磁気ギ
ャップを形成したことを特徴とする。
真空薄膜形成技術によりＩＦ ｅ −Ｓ ｉ−人１−Ｃ
ｒ合金膜を形成し、磁気コア半体対を突き合わせ磁気ギ
ャップを形成したことを特徴とする。
（２） 上記？ ａ −８１−Ａ ’ｌ −Ｃｒ合金
においてＣｒをα１〜１ｗｔ％を含んだことを特徴とす
る〔実施例〕 一溶解法で作製したＳｉ１０ｗｔ％、Ａｌ５ｗｔ％、残
りＰａのセンダスト合金をターゲット用いた。カソード
にスパッタ用直流（以下Ｄｏ）電源を接続できる２極マ
グネトロンスパツタ装置で試料を作製した。使用した基
板は非磁性の結晶化ガラスである。ターゲット上にＣｒ
の１鴫角のチップを載せそのチップ数を変化させスパッ
タした。
においてＣｒをα１〜１ｗｔ％を含んだことを特徴とす
る〔実施例〕 一溶解法で作製したＳｉ１０ｗｔ％、Ａｌ５ｗｔ％、残
りＰａのセンダスト合金をターゲット用いた。カソード
にスパッタ用直流（以下Ｄｏ）電源を接続できる２極マ
グネトロンスパツタ装置で試料を作製した。使用した基
板は非磁性の結晶化ガラスである。ターゲット上にＣｒ
の１鴫角のチップを載せそのチップ数を変化させスパッ
タした。
Ａｒガス圧力５ｍ’ｒｏｒｒ で、スパッタレートヲ
８００ Ａ／ｉとし、膜厚が５μ風となるようにスパッ
タした。得られた試料は真空中５５０℃から７００℃で
２時間の熱処理を行い、磁気特性を測定した。測定した
磁気特性は特に構造敏感で、熱処理によって影響を受け
る保磁力と２ＭＴＩＭでの透磁率である。さらに、Ｃｒ
の組成の変化をＸ線マイクロアナライザーで測定した。
８００ Ａ／ｉとし、膜厚が５μ風となるようにスパッ
タした。得られた試料は真空中５５０℃から７００℃で
２時間の熱処理を行い、磁気特性を測定した。測定した
磁気特性は特に構造敏感で、熱処理によって影響を受け
る保磁力と２ＭＴＩＭでの透磁率である。さらに、Ｃｒ
の組成の変化をＸ線マイクロアナライザーで測定した。
第２図はＤｏスパッタのＣｒｆによる保磁力の変化を示
している。Ｃｒの添加蓋が増えるにしたがい、保磁力が
大きくなり、磁気特性が劣化している。しかしａｒｔが
１ｗｔ％以下での磁気特性の劣化は僅かである。実用的
に保磁力はα５０ｓ以下が望ましい。
している。Ｃｒの添加蓋が増えるにしたがい、保磁力が
大きくなり、磁気特性が劣化している。しかしａｒｔが
１ｗｔ％以下での磁気特性の劣化は僅かである。実用的
に保磁力はα５０ｓ以下が望ましい。
第３図は上記の条件での２ＭＨｆｆｉでの透磁率につい
て示したものである。やはりＣｒｉｉ１ｗｔ％以下での
磁気特性の劣化は少ない。透磁率の冥用値は１０００以
上である。
て示したものである。やはりＣｒｉｉ１ｗｔ％以下での
磁気特性の劣化は少ない。透磁率の冥用値は１０００以
上である。
第４図は熱処理温度による６磁率変化を示している。Ｃ
ｒの蓋が増加するに従い、磁気特性の劣化が始まる温度
が高くなり、耐熱性が向上していることがわかる。しか
し、Ｃｒの添加量が多いと磁気特性の最大値が低く実用
化が困難となってくる。したがって、ＩＦ ８− Ｓ
ｉ −Ａ １− Ｃｒ合金においてはＣｒの量が第２図
から第４図かられかるように［１１ｗｔ％から１ｗｔ％
の間で良い結果が得られ、鏝も好ましいのはＣｒ量が（
Ｌ５からα８ｗｔ％の範囲である。
ｒの蓋が増加するに従い、磁気特性の劣化が始まる温度
が高くなり、耐熱性が向上していることがわかる。しか
し、Ｃｒの添加量が多いと磁気特性の最大値が低く実用
化が困難となってくる。したがって、ＩＦ ８− Ｓ
ｉ −Ａ １− Ｃｒ合金においてはＣｒの量が第２図
から第４図かられかるように［１１ｗｔ％から１ｗｔ％
の間で良い結果が得られ、鏝も好ましいのはＣｒ量が（
Ｌ５からα８ｗｔ％の範囲である。
次に、実際に磁気ヘッドを作製してその耐久性を比較し
た１本発明による磁気ヘッドの一実施例を第１図に示す
。フェライトよりなる磁気コア半体対の磁気ギャップを
形成する面にスパッタにより、Ｃｒをα８ｗｔ％を含ん
だＩＦ ａ −Ｓ ｉ −Ａ １−Ｃｒ合金を３μｍ成
膜し真空中６７０℃で熱処理する。さらに磁気ギャップ
用の８１０．をＱ、８μｍ同じくスパッタにより形成す
る。磁気コア半体対を、６６０℃で融着な行なう融着ガ
ラスにより接合をおこなった。
た１本発明による磁気ヘッドの一実施例を第１図に示す
。フェライトよりなる磁気コア半体対の磁気ギャップを
形成する面にスパッタにより、Ｃｒをα８ｗｔ％を含ん
だＩＦ ａ −Ｓ ｉ −Ａ １−Ｃｒ合金を３μｍ成
膜し真空中６７０℃で熱処理する。さらに磁気ギャップ
用の８１０．をＱ、８μｍ同じくスパッタにより形成す
る。磁気コア半体対を、６６０℃で融着な行なう融着ガ
ラスにより接合をおこなった。
比較のためＣｒを含まないＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金を５８
０℃で熱処理し、５７０℃でガラス融着し他の条件は同
一とした磁気ヘッドを作製した。
０℃で熱処理し、５７０℃でガラス融着し他の条件は同
一とした磁気ヘッドを作製した。
磁気ヘッドの電気的特性は両者の間に差は認められなか
った。このことは、ＩＦ５−８１−Ａｌ合金にＣｒを添
加しても磁気ヘッドの電気的特性が変化しないことを示
している。。
った。このことは、ＩＦ５−８１−Ａｌ合金にＣｒを添
加しても磁気ヘッドの電気的特性が変化しないことを示
している。。
一方耐久性の比較として、６０℃Ｘ６０％の耐湿試験を
両者に行なりたところ、Ｃｒを含まない？ｅ、−Ａｌ−
３ｉ合金は、２時間後に融着ガラス部に変色が発生した
が、Ｃｒをα８ｗｔ％含んだ磁気ヘッドは−４−８時間
後でも変化がみられなかった。
両者に行なりたところ、Ｃｒを含まない？ｅ、−Ａｌ−
３ｉ合金は、２時間後に融着ガラス部に変色が発生した
が、Ｃｒをα８ｗｔ％含んだ磁気ヘッドは−４−８時間
後でも変化がみられなかった。
ＩＦ ｅ −３１−Ａ １− Ｃｒ合金の成膜装置とし
ては、スパッタ装置の他に真空蒸着装置があげられる。
ては、スパッタ装置の他に真空蒸着装置があげられる。
上記のごとく、本発明によれば、？ ｅ −Ｓｉ −Ａ
１− Ｃｒ合金を磁気ヘッドの金属磁性膜として使用
することにより、ガラス融着の温度を１Ｏ−８ｉ−Ａ：
Ｌ合金の場合より、５０℃から１００℃高くすることが
できる。それにより、耐久性が高く作業温度の高い融着
ガラスを使用することができる。したがって、磁気ヘッ
ドの信頼性を従来のフェライトヘッドと同等にすること
が可能となり、さらに電気的特性は従来のフェライト磁
気ヘッドより優れた磁気ヘッドを提供できるという効果
を有する。
１− Ｃｒ合金を磁気ヘッドの金属磁性膜として使用
することにより、ガラス融着の温度を１Ｏ−８ｉ−Ａ：
Ｌ合金の場合より、５０℃から１００℃高くすることが
できる。それにより、耐久性が高く作業温度の高い融着
ガラスを使用することができる。したがって、磁気ヘッ
ドの信頼性を従来のフェライトヘッドと同等にすること
が可能となり、さらに電気的特性は従来のフェライト磁
気ヘッドより優れた磁気ヘッドを提供できるという効果
を有する。
第１図は本発明の磁気ヘッドの斜視図、第２図、第５図
は、Ｃｒ量による磁気特性変化を示す図、第４図は熱処
理温度とＣｒ量と磁気特性変化を示す図である。 １・・−−−−−・・Ｆ ｅ −Ｂ ｉ −Ａ ｌ −
Ｃｒ合金２・・・・・・…７エライト ３・・・・・・・・・Ｓ１０゜ ４・・・・・・・・・融着ガラス ５・・・・・・・・・フィル巻線溝 緊 １ 口 ０ ０、”； １，０ ＋、タ
２．０→ｃｒ’ｉｃ代り 第２１困 ００、ぢ １．Ｏｌ、ダ コ・Ｏ→
ｃ−’ｔｔｗ士ンく） 第 ろＩＡ 葉＋目
は、Ｃｒ量による磁気特性変化を示す図、第４図は熱処
理温度とＣｒ量と磁気特性変化を示す図である。 １・・−−−−−・・Ｆ ｅ −Ｂ ｉ −Ａ ｌ −
Ｃｒ合金２・・・・・・…７エライト ３・・・・・・・・・Ｓ１０゜ ４・・・・・・・・・融着ガラス ５・・・・・・・・・フィル巻線溝 緊 １ 口 ０ ０、”； １，０ ＋、タ
２．０→ｃｒ’ｉｃ代り 第２１困 ００、ぢ １．Ｏｌ、ダ コ・Ｏ→
ｃ−’ｔｔｗ士ンく） 第 ろＩＡ 葉＋目
Claims (2)
- （１）フェライトより成る磁気コア半体対の接合面に真
空薄膜形成技術によりＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｃｒ合金膜を
形成し、磁気コア半体対を突き合わせ磁気ギャップを形
成したことを特徴とする磁気ヘッド。 - （２）Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｃｒ合金においてＣｒを０．
１〜１ｗｔ％を含んだことを特徴とする第１項記載の磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5741888A JPH01232505A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5741888A JPH01232505A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232505A true JPH01232505A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13055102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5741888A Pending JPH01232505A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01232505A (ja) |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP5741888A patent/JPH01232505A/ja active Pending
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