JPH01232745A - 半導体装置用金属電極・配線の製造方法 - Google Patents
半導体装置用金属電極・配線の製造方法Info
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- JPH01232745A JPH01232745A JP63057364A JP5736488A JPH01232745A JP H01232745 A JPH01232745 A JP H01232745A JP 63057364 A JP63057364 A JP 63057364A JP 5736488 A JP5736488 A JP 5736488A JP H01232745 A JPH01232745 A JP H01232745A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置用金属電極・配線の製造方法の改良に関し、
とくに、アスペクト比の大きい金属電極・配線コンタク
ト用開口を介して金属電極・配線を形成する方法の改良
に関し、金属電極・配線コンタクト用開口内に空洞が形
成されることがな（、半導体層と良好な接合が得られる
よう改良された半導体装置用金属電極・配線の製造方法
を提供することを目的とし、素子の形成された半導体Ｉ
Ｉ（１）上に形成されている絶縁物層（２）に金属電極
・配線コンタクト用開口（３）を形成し、金属のイオン
を、加速電圧１０ｋｅＶをもって、前記金属電極・配線
コンタクト用開口（３）のみに照射して、前記金属を前
記金属電極・配線コンタクト用開口（３）内のみに堆積
させて、該開口（３）を前記金属をもって埋め込んで第
１の金属層（４）を形成し、 該埋め込まれて、前記絶縁物層（２）とお−むね同一平
面となった第１の金属層（４）を覆って、金属配線（５
）を形成するように構成するか、素子の形成された半導
体層（１）上に形成されている絶縁物層（２）に金属電
極・配線コンタクト用開口（３）を形成し、 金属電極・配線を構成することとなる金属のイオンを加
速電圧１０ｋｅＶをもって、前記絶縁物層（２）の全面
に照射して、前記金属電極・配線コンタクト用開口（３
）を前記金属をもって埋め込むとともに、前記絶縁物層
（２）の全面に前記金属よりなる第２の金属層（６）を
形成し、該第２の金属層（６）をパターニングして金属
電極・配線（７）を形成するように構成する。
とくに、アスペクト比の大きい金属電極・配線コンタク
ト用開口を介して金属電極・配線を形成する方法の改良
に関し、金属電極・配線コンタクト用開口内に空洞が形
成されることがな（、半導体層と良好な接合が得られる
よう改良された半導体装置用金属電極・配線の製造方法
を提供することを目的とし、素子の形成された半導体Ｉ
Ｉ（１）上に形成されている絶縁物層（２）に金属電極
・配線コンタクト用開口（３）を形成し、金属のイオン
を、加速電圧１０ｋｅＶをもって、前記金属電極・配線
コンタクト用開口（３）のみに照射して、前記金属を前
記金属電極・配線コンタクト用開口（３）内のみに堆積
させて、該開口（３）を前記金属をもって埋め込んで第
１の金属層（４）を形成し、 該埋め込まれて、前記絶縁物層（２）とお−むね同一平
面となった第１の金属層（４）を覆って、金属配線（５
）を形成するように構成するか、素子の形成された半導
体層（１）上に形成されている絶縁物層（２）に金属電
極・配線コンタクト用開口（３）を形成し、 金属電極・配線を構成することとなる金属のイオンを加
速電圧１０ｋｅＶをもって、前記絶縁物層（２）の全面
に照射して、前記金属電極・配線コンタクト用開口（３
）を前記金属をもって埋め込むとともに、前記絶縁物層
（２）の全面に前記金属よりなる第２の金属層（６）を
形成し、該第２の金属層（６）をパターニングして金属
電極・配線（７）を形成するように構成する。
本発明は、半導体装置用金属電極・配線の製造方法の改
良に関する。とくに、アスペクト比の大きい金属電極・
配線コンタクト用開口を介して金属電極・配線を形成す
る方法の改良に関する。
良に関する。とくに、アスペクト比の大きい金属電極・
配線コンタクト用開口を介して金属電極・配線を形成す
る方法の改良に関する。
従来技術に係る半導体装置用金属電極・配線の製造方法
においては、一般に、素子の形成された半導体層上に形
成されている絶縁物層に、金属電極・配線コンタクト用
開口を形成し、蒸着法、スパッタリング法等を使用して
アルミニウム等の金属を金属電極・配線コンタクト用開
口に埋め込むとともに、絶縁物層の全面に形成した後、
金属層をパターニングして金属電極・配線を形成してい
る。
においては、一般に、素子の形成された半導体層上に形
成されている絶縁物層に、金属電極・配線コンタクト用
開口を形成し、蒸着法、スパッタリング法等を使用して
アルミニウム等の金属を金属電極・配線コンタクト用開
口に埋め込むとともに、絶縁物層の全面に形成した後、
金属層をパターニングして金属電極・配線を形成してい
る。
半導体装置が微細化するにつれ、配線幅が０．８〜０．
４ｎと狭くなり、これに対応して金属電極・配線コンタ
クト用開口の寸法も０．４Ｘ０．４ ｐｍと小さくなり
、金属電極・配線コンタクト用開口のアスペクト比は１
以上となってきた。
４ｎと狭くなり、これに対応して金属電極・配線コンタ
クト用開口の寸法も０．４Ｘ０．４ ｐｍと小さくなり
、金属電極・配線コンタクト用開口のアスペクト比は１
以上となってきた。
第６図参照
このようにアスペクト比が大きくなると、アルミニウム
等の金属を蒸着法やスパッタリング法を使用して絶縁物
層２に設けられた金属電極・配線コンタクト用開口３内
に埋め込もうとしても、蒸着法、スパッタリング法は非
方向性堆積法であるため、金属は図に示すような形状に
堆積し、内部に空洞が形成されてｔ導体層１と金属電極
・配線８との接合が不完全となる。
等の金属を蒸着法やスパッタリング法を使用して絶縁物
層２に設けられた金属電極・配線コンタクト用開口３内
に埋め込もうとしても、蒸着法、スパッタリング法は非
方向性堆積法であるため、金属は図に示すような形状に
堆積し、内部に空洞が形成されてｔ導体層１と金属電極
・配線８との接合が不完全となる。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、半導
体層中に注入されない程度の加速（打ち込み）エネルギ
ーをもって金属イオンビームを開口部に照射すれば、開
口部に金属が堆積するとの着想をもとに、アスペクト比
の大きい金属電極・配線コンタクト用開口を介して金属
電極・配線を形成する分野において、この着想を具体化
し、金属電極・配線コンタクト用開口内に空洞が形成さ
れることがなく、半導体層と良好な接合が得られるよう
改良された半導体装置用金属電極・配線の製造方法を提
供することにある。
体層中に注入されない程度の加速（打ち込み）エネルギ
ーをもって金属イオンビームを開口部に照射すれば、開
口部に金属が堆積するとの着想をもとに、アスペクト比
の大きい金属電極・配線コンタクト用開口を介して金属
電極・配線を形成する分野において、この着想を具体化
し、金属電極・配線コンタクト用開口内に空洞が形成さ
れることがなく、半導体層と良好な接合が得られるよう
改良された半導体装置用金属電極・配線の製造方法を提
供することにある。
上記の目的は、素子の形成された半導体層（１）上に形
成されている絶縁物層（２）に金属電極・配線コンタク
ト用開口（３）を形成し、アルミニウム、リフラクトリ
メタル等の金属のイオンを、加速電圧１０ｋｅＶをもっ
て、前記金属電極・配線コンタクト用開口（３）のみに
照射して、前記金属を１ｎ記金属電極・配線コンタクト
用開口（３）内のみに堆積させて、該開口（３）を前記
金属をもって埋め込んで第１の金属層（４）を形成し、 該埋め込まれて、前記絶縁物層（２）とお−むね同一平
面となった第１の金属層（４）を覆って、金属層ｍ（５
）を形成することによって達成される。
成されている絶縁物層（２）に金属電極・配線コンタク
ト用開口（３）を形成し、アルミニウム、リフラクトリ
メタル等の金属のイオンを、加速電圧１０ｋｅＶをもっ
て、前記金属電極・配線コンタクト用開口（３）のみに
照射して、前記金属を１ｎ記金属電極・配線コンタクト
用開口（３）内のみに堆積させて、該開口（３）を前記
金属をもって埋め込んで第１の金属層（４）を形成し、 該埋め込まれて、前記絶縁物層（２）とお−むね同一平
面となった第１の金属層（４）を覆って、金属層ｍ（５
）を形成することによって達成される。
また、素子の形成された半導体層（１）上に形成されて
いる絶縁物層（２）に金属電極・配線コンタクト用開口
（３）を形成し、 金属電極・配線を構成することとなるアルミニウム等の
金属のイオンを加速電圧１０ｋｅＶをもって、前記絶縁
物層（２）の全面に照射して、前記金属電極・配線コン
タクト用開口（３）を前記金属をもって埋め込むととも
に、前記絶縁物層（２）の全面に前記金属よりなる第２
の金属層（６）を形成し、 該第２の金属層（６）をパターニングして金属電極・配
線（７）を形成することによっても達成される。
いる絶縁物層（２）に金属電極・配線コンタクト用開口
（３）を形成し、 金属電極・配線を構成することとなるアルミニウム等の
金属のイオンを加速電圧１０ｋｅＶをもって、前記絶縁
物層（２）の全面に照射して、前記金属電極・配線コン
タクト用開口（３）を前記金属をもって埋め込むととも
に、前記絶縁物層（２）の全面に前記金属よりなる第２
の金属層（６）を形成し、 該第２の金属層（６）をパターニングして金属電極・配
線（７）を形成することによっても達成される。
（作用〕
１０ｋｅＶ以下の加速電圧をもって金属イオンを半導体
層ｌ上の絶縁物層２に設けられた金属電極・配線コンタ
クト用開口３に照射すれば、金属イオンは開口３にぼり
垂直に入射し、半導体層１中に注入されることなく、金
属電極・配線コンタクト用開口内の半導体層上に堆積す
る。この結果、アスペクト比の大きい金属電極・配線コ
ンタクト用開口３内に、空洞を形成することなく金属が
埋め込まれ、この埋め込まれた金属を覆って金属配線５
を形成すれば、半導体層ｌと金属電極・配線５とは接触
抵抗の低い良好な接合がなされる。
層ｌ上の絶縁物層２に設けられた金属電極・配線コンタ
クト用開口３に照射すれば、金属イオンは開口３にぼり
垂直に入射し、半導体層１中に注入されることなく、金
属電極・配線コンタクト用開口内の半導体層上に堆積す
る。この結果、アスペクト比の大きい金属電極・配線コ
ンタクト用開口３内に、空洞を形成することなく金属が
埋め込まれ、この埋め込まれた金属を覆って金属配線５
を形成すれば、半導体層ｌと金属電極・配線５とは接触
抵抗の低い良好な接合がなされる。
なお、半導体基板１を２００″Ｃ程度に加熱してイオン
照射を行えば、半導体基板ｌの受けるダメージが少なく
、また、埋め込まれた金属４と、半導体層ｌとの間にバ
リヤ層が不要であることが、実験的に確認された。
照射を行えば、半導体基板ｌの受けるダメージが少なく
、また、埋め込まれた金属４と、半導体層ｌとの間にバ
リヤ層が不要であることが、実験的に確認された。
−〔実施例〕
以下、図面を参照しつ−、本発明の二つの実施例に係る
半導体装置用金属電極・配線の製造方法について説明す
る。
半導体装置用金属電極・配線の製造方法について説明す
る。
■１斑
第２図参照
シリコン基板１上に形成された０、８ｎ厚の二酸化シリ
コン絶縁物層２にフォトリソグラフィー法を使用して０
．４Ｘ０．４１］ｍの金属電極・配線コンタクト用開口
３を形成する。
コン絶縁物層２にフォトリソグラフィー法を使用して０
．４Ｘ０．４１］ｍの金属電極・配線コンタクト用開口
３を形成する。
第１図参照
シリコン基板１を２００°Ｃ程度に加熱し、収束イオン
注入装置９を使用して直径０．２ｎ程度のアルミニウム
等の金属イオンビームを、ビーム電流２０μＡ、イオン
加速電圧１０ｋｅＶをもって金属電極・配線コンタクト
用開口に照射して第１の金属層４を形成する。
注入装置９を使用して直径０．２ｎ程度のアルミニウム
等の金属イオンビームを、ビーム電流２０μＡ、イオン
加速電圧１０ｋｅＶをもって金属電極・配線コンタクト
用開口に照射して第１の金属層４を形成する。
第７図参照
収束イオン注入装置９から発射されるイオンビームが結
ぶ焦点の位置Ｐを上下に移動することによって、金属電
極・配線コンタクト用開口３に照射される金属イオンビ
ームの直径りを、金属電極・配線コンタクト用開口３の
大きさに応じて任意に選定することができる。
ぶ焦点の位置Ｐを上下に移動することによって、金属電
極・配線コンタクト用開口３に照射される金属イオンビ
ームの直径りを、金属電極・配線コンタクト用開口３の
大きさに応じて任意に選定することができる。
第８図参照
イオンビームを照射するにあたっては、次のようにする
ことが効果的である。
ことが効果的である。
初めに、半導体層１にイオンが注入されない程度の低い
加速電圧をもって、金属イオンビームを半導体層ｌ上の
絶縁物層２に設けられた金属電極・配線コンタクト用開
口３に照射し、金属電極・配線コンタクト用開口の底面
と側面とに、図に示すように、はり同じ厚さの金属を堆
積させる。
加速電圧をもって、金属イオンビームを半導体層ｌ上の
絶縁物層２に設けられた金属電極・配線コンタクト用開
口３に照射し、金属電極・配線コンタクト用開口の底面
と側面とに、図に示すように、はり同じ厚さの金属を堆
積させる。
第９図参照
金属電極・配線コンタクト用開口の底面と側面とに成程
度の金属堆積層が形成されれば、金属イオンビームの加
速電圧を高めても、もはや金属イオンが半導体層内に注
入されないので、次第に加速電圧を高めて金属イオンビ
ームを照射する。加速電圧が高くなると、金属電極・配
線コンタクト用開口３の側壁に形成された金属堆積層間
の細隙を通って金属イオンが侵入し、図に示すように、
開口の側壁よりも底面に多くの金属が堆積するので、金
属電極・配線コンタクト用開口の入口が閉塞されること
なく金属が埋め込まれ、金属電極・配線コンタクト用開
口３内に空洞が形成されない。
度の金属堆積層が形成されれば、金属イオンビームの加
速電圧を高めても、もはや金属イオンが半導体層内に注
入されないので、次第に加速電圧を高めて金属イオンビ
ームを照射する。加速電圧が高くなると、金属電極・配
線コンタクト用開口３の側壁に形成された金属堆積層間
の細隙を通って金属イオンが侵入し、図に示すように、
開口の側壁よりも底面に多くの金属が堆積するので、金
属電極・配線コンタクト用開口の入口が閉塞されること
なく金属が埋め込まれ、金属電極・配線コンタクト用開
口３内に空洞が形成されない。
第３図参照
通常の蒸着法、スパッタリング法等を使用して、絶縁物
層２上の全面に、前記第１の金属層４を覆って１μ厚程
度のアルミニウム層を形成し、フォトリソグラフィー法
を使用してバターニングし、金属配線５を形成する。
層２上の全面に、前記第１の金属層４を覆って１μ厚程
度のアルミニウム層を形成し、フォトリソグラフィー法
を使用してバターニングし、金属配線５を形成する。
金属電極・配線コンタクト用開口内には空洞が形成され
ていないので、接触抵抗の低い良好な金属電極・配線が
形成される。また、シリコン裁板ｌをイオンビーム照射
時に２００’Ｃ程度に加熱しておけば、シリコン基板１
はダメージをうけることがない。
ていないので、接触抵抗の低い良好な金属電極・配線が
形成される。また、シリコン裁板ｌをイオンビーム照射
時に２００’Ｃ程度に加熱しておけば、シリコン基板１
はダメージをうけることがない。
上記の方法を使用して、１６ＭＤＲＡＭの金属電極・配
線コンタクト用開口に金属を埋め込む所要時間は下記の
とおりである。
線コンタクト用開口に金属を埋め込む所要時間は下記の
とおりである。
１６ＭＤＲＡＭの金属電極・配線コンタクト用開口総数
４ｔ１６ｘｌＯ” ｘｌｏ＝１．６ ｘ １０’個であ
り、０．４ Ｘｏ、４ Ｘｏ、８ （深さ）１層の開口
１個に金属を埋め込むために必要なアルミニウム原子数
は７．７×１０９個である。したがって、イオンビーム
電流２０μＡをもって１６ＭＤＲＡＭの金属電極・配線
コンタクト用開口総数に金属を埋め込むに必要な時間は
１６４分程度となる。この所要時間は、今後の集束イオ
ン注入装置の改良によって短縮されうるし、また、金属
電極・配線コンタクト用開口が微細化すれば、埋め込み
所要時間は必然的に短縮される。
４ｔ１６ｘｌＯ” ｘｌｏ＝１．６ ｘ １０’個であ
り、０．４ Ｘｏ、４ Ｘｏ、８ （深さ）１層の開口
１個に金属を埋め込むために必要なアルミニウム原子数
は７．７×１０９個である。したがって、イオンビーム
電流２０μＡをもって１６ＭＤＲＡＭの金属電極・配線
コンタクト用開口総数に金属を埋め込むに必要な時間は
１６４分程度となる。この所要時間は、今後の集束イオ
ン注入装置の改良によって短縮されうるし、また、金属
電極・配線コンタクト用開口が微細化すれば、埋め込み
所要時間は必然的に短縮される。
■１班
第２図再参照
第１例と同様に、シリコン基板１上に形成された０、８
ｎ厚の二酸化シリコン絶縁物層２に、フォトリソグラフ
ィー法を使用して０．４ Ｘｏ、４ ｐｍの金属電極・
配線コンタクト用開口３を形成する。
ｎ厚の二酸化シリコン絶縁物層２に、フォトリソグラフ
ィー法を使用して０．４ Ｘｏ、４ ｐｍの金属電極・
配線コンタクト用開口３を形成する。
第４図参照
シリコン基板ｌを２００℃程度に加熱し、前記集束イオ
ン注入装置に代えて、通常のイオン注入装置を使用し、
加速電圧１０ＫｅＶ、ビーム電流２０ｍＡ、ドーズＩ
４．８Ｘ１０”ｃｄをもって直径４インチの半導体ウェ
ーへの全面に照射すれば、半導体ウェーハに形成された
０、４ Ｘｏ、４ Ｘｏ、８ （深さ）ｎの金属電極・
配線コンタクト用開口を埋め込むに必要な時間は約５０
分となる。二酸化シリコン絶縁物層２の全面に照射して
、金属電極・配線コンタクト用開口３を金属をもって埋
め込むとともに、二酸化シリコン絶縁物層２の全面に第
２の金属層６を形成する。
ン注入装置に代えて、通常のイオン注入装置を使用し、
加速電圧１０ＫｅＶ、ビーム電流２０ｍＡ、ドーズＩ
４．８Ｘ１０”ｃｄをもって直径４インチの半導体ウェ
ーへの全面に照射すれば、半導体ウェーハに形成された
０、４ Ｘｏ、４ Ｘｏ、８ （深さ）ｎの金属電極・
配線コンタクト用開口を埋め込むに必要な時間は約５０
分となる。二酸化シリコン絶縁物層２の全面に照射して
、金属電極・配線コンタクト用開口３を金属をもって埋
め込むとともに、二酸化シリコン絶縁物層２の全面に第
２の金属層６を形成する。
第５図参照
フォトリソグラフィー法を使用して、第２の金属層６を
パターニングして金属電極・配線７を形成する。
パターニングして金属電極・配線７を形成する。
第１例と同様に、金属電極・配線コンタクト用開口内に
空洞が形成されることなく金属が埋め込まれ、コンタク
ト抵抗の低い金属電極・配線が形成される。
空洞が形成されることなく金属が埋め込まれ、コンタク
ト抵抗の低い金属電極・配線が形成される。
以上説明したとおり、本発明に係る半導体装置用金属電
極・配線の製造方法においては、金属電極・配線コンタ
クト用開口内に、半導体層中に注入されない程度の加速
エネルギーをもって、はり垂直に金属イオンを照射し、
金属を金属電極・配線コンタクト用開口内に堆積させる
ので、金属電極・配線コンタクト用開口内に空洞が形成
されず、半導体層との接触抵抗の低い良好な金属電極・
配線が形成される。なお、金属イオンビーム照射時に半
導体基板を約２００°Ｃに加熱すれば半導体基板はダメ
ージを受けないこと、また、金属電極・配線と半導体層
との間にバリヤ層が不要であることが実験的にＶａ認さ
れた。
極・配線の製造方法においては、金属電極・配線コンタ
クト用開口内に、半導体層中に注入されない程度の加速
エネルギーをもって、はり垂直に金属イオンを照射し、
金属を金属電極・配線コンタクト用開口内に堆積させる
ので、金属電極・配線コンタクト用開口内に空洞が形成
されず、半導体層との接触抵抗の低い良好な金属電極・
配線が形成される。なお、金属イオンビーム照射時に半
導体基板を約２００°Ｃに加熱すれば半導体基板はダメ
ージを受けないこと、また、金属電極・配線と半導体層
との間にバリヤ層が不要であることが実験的にＶａ認さ
れた。
第１図は、本発明の実施例に係る半導体装置用金属電極
・配線の製造方法の要旨に係る工程の説明図である。 第２図、第３図は、本発明の第１実施例に係る半導体装
置用金属電極・配線の製造方法の主要工程の工程図であ
る。 第４図、第５図は、本発明の第２実施例に係る半導体装
置用金属電極・配線の製造方法の主要工程の工程図であ
る。 第６図は、従来技術に係る金属電極・配線の断面図であ
る。 第７図は、イオンビームのビーム径調整方法の説明図で
ある。 第８図、第９図は、本発明に係る半導体装置用金属電極
・配線の製造方法を用いた場合の金属電極・配線コンタ
クト用開口内の金属堆積経過を示す断面図である。 ｌ・・・半導体Ｎ（シリコン基板）、 ２・・・絶縁物層、 ３・・・金属電極・配線コンタクト用開口、４・・・第
１の金属層、 ５・・・金属配線、 ６・・・第２の金属層、 ７．８・・・金属電極・配線、 ９・・・集束イオン注入装置。
・配線の製造方法の要旨に係る工程の説明図である。 第２図、第３図は、本発明の第１実施例に係る半導体装
置用金属電極・配線の製造方法の主要工程の工程図であ
る。 第４図、第５図は、本発明の第２実施例に係る半導体装
置用金属電極・配線の製造方法の主要工程の工程図であ
る。 第６図は、従来技術に係る金属電極・配線の断面図であ
る。 第７図は、イオンビームのビーム径調整方法の説明図で
ある。 第８図、第９図は、本発明に係る半導体装置用金属電極
・配線の製造方法を用いた場合の金属電極・配線コンタ
クト用開口内の金属堆積経過を示す断面図である。 ｌ・・・半導体Ｎ（シリコン基板）、 ２・・・絶縁物層、 ３・・・金属電極・配線コンタクト用開口、４・・・第
１の金属層、 ５・・・金属配線、 ６・・・第２の金属層、 ７．８・・・金属電極・配線、 ９・・・集束イオン注入装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］素子の形成された半導体層（１）上に形成されて
いる絶縁物層（２）に金属電極・配線コンタクト用開口
（３）を形成し、 金属のイオンを、加速電圧１０ｋｅＶをもって、前記金
属電極・配線コンタクト用開口（３）のみに照射して、
前記金属を前記金属電極・配線コンタクト用開口（３）
内のみに堆積させて、該開口（３）を前記金属をもって
埋め込んで第１の金属層（４）を形成し、 該埋め込まれて、前記絶縁物層（２）とおゝむね同一平
面となった第１の金属層（４）を覆って、金属配線（５
）を形成する ことを特徴とする半導体装置用金属電極・配線の製造方
法 ［２］素子の形成された半導体層（１）上に形成されて
いる絶縁物層（２）に金属電極・配線コンタクト用開口
（３）を形成し、 金属電極・配線を構成することとなる金属のイオンを加
速電圧１０ｋｅＶをもって、前記絶縁物層（２）の全面
に照射して、前記金属電極・配線コンタクト用開口（３
）を前記金属をもって埋め込むとともに、前記絶縁物層
（２）の全面に前記金属よりなる第２の金属層（６）を
形成し、 該第２の金属層（６）をパターニングして金属電極・配
線（７）を形成する ことを特徴とする半導体装置用金属電極・配線の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63057364A JPH01232745A (ja) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | 半導体装置用金属電極・配線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63057364A JPH01232745A (ja) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | 半導体装置用金属電極・配線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232745A true JPH01232745A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13053527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63057364A Pending JPH01232745A (ja) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | 半導体装置用金属電極・配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01232745A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12377886B2 (en) | 2018-06-12 | 2025-08-05 | Autostore Technology AS | Delivery vehicle, an automated storage and retrieval system and a method of transporting storage containers between an automated storage and retrieval grid and a second location |
| US12377885B2 (en) | 2018-06-12 | 2025-08-05 | Autostore Technology AS | Automated storage and retrieval system and a method of transporting storage containers between an automated storage and retrieval grid and a second location |
-
1988
- 1988-03-12 JP JP63057364A patent/JPH01232745A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12377886B2 (en) | 2018-06-12 | 2025-08-05 | Autostore Technology AS | Delivery vehicle, an automated storage and retrieval system and a method of transporting storage containers between an automated storage and retrieval grid and a second location |
| US12377885B2 (en) | 2018-06-12 | 2025-08-05 | Autostore Technology AS | Automated storage and retrieval system and a method of transporting storage containers between an automated storage and retrieval grid and a second location |
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