JPH01233780A - ホトカプラ - Google Patents
ホトカプラInfo
- Publication number
- JPH01233780A JPH01233780A JP63060867A JP6086788A JPH01233780A JP H01233780 A JPH01233780 A JP H01233780A JP 63060867 A JP63060867 A JP 63060867A JP 6086788 A JP6086788 A JP 6086788A JP H01233780 A JPH01233780 A JP H01233780A
- Authority
- JP
- Japan
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- light
- lead terminal
- emitting element
- light emitting
- photodetector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
、本発明はホトカブラに関し、特に発光素子と受光素子
とを光により結合せな光結合装置、すなわちホトカブラ
に関する。
とを光により結合せな光結合装置、すなわちホトカブラ
に関する。
ホトカブラは入力側すなわち発光素子の光を出力側すな
わち受光素子で受けて信号を伝達する装置であり・、従
って入力側と出力側とが電気的に完全に分離しているこ
とが利点であり、また要求条件である。
わち受光素子で受けて信号を伝達する装置であり・、従
って入力側と出力側とが電気的に完全に分離しているこ
とが利点であり、また要求条件である。
従来のホ、トカプラは、第３図、第４図に示すように、
発光素子１と受光素子３とが所定の間隔をおいて配置さ
れ、発光素子１が発光する光を受光する受光素子３との
間に透光性のシリコン樹脂が充てんされこれによって受
光素子３に至る光径路６が形成され、その外周を黒色の
エポキシ樹脂でモールドした構造のものや、発光素子１
と受光素子３とを透光性のエポキシ樹脂でモールドして
光径路６ａを形成し、さらにその外周を黒色のエポキシ
樹脂でモールドした構造のもの等がある。
発光素子１と受光素子３とが所定の間隔をおいて配置さ
れ、発光素子１が発光する光を受光する受光素子３との
間に透光性のシリコン樹脂が充てんされこれによって受
光素子３に至る光径路６が形成され、その外周を黒色の
エポキシ樹脂でモールドした構造のものや、発光素子１
と受光素子３とを透光性のエポキシ樹脂でモールドして
光径路６ａを形成し、さらにその外周を黒色のエポキシ
樹脂でモールドした構造のもの等がある。
上述した従来のホトカプラは、発光素子１と受光素子３
とが所定の間隔で配置された構造となっている□ので、
その等価回路は第５に示すように、発光素子１側、すな
わち入力側と受光素子３側すなわち出力側との間に寄生
容量Ｃが形成され、入力側に入った電気的雑音がこの寄
生容量Ｃを通して受光素子３側に伝達されて等価的な光
電流が流れ、この光電流が増幅部３２で増幅され、出力
端に誤信号が発生するという欠点がある。
とが所定の間隔で配置された構造となっている□ので、
その等価回路は第５に示すように、発光素子１側、すな
わち入力側と受光素子３側すなわち出力側との間に寄生
容量Ｃが形成され、入力側に入った電気的雑音がこの寄
生容量Ｃを通して受光素子３側に伝達されて等価的な光
電流が流れ、この光電流が増幅部３２で増幅され、出力
端に誤信号が発生するという欠点がある。
特にこの等価回路のように増幅部３２を備えた受光素子
３においては微少雑音による微少光電流であっても、後
段の増幅部３２で増幅されてしまうので、非常に敏感に
反応してしまう。
３においては微少雑音による微少光電流であっても、後
段の増幅部３２で増幅されてしまうので、非常に敏感に
反応してしまう。
本発明の目的は、発光素子側と受光素子側との間の寄生
容量の影響を除去することができ、発光素子側の電気的
雑音が受光素子側へ伝達されるのを防止することができ
るホトカプラを提供することにある。
容量の影響を除去することができ、発光素子側の電気的
雑音が受光素子側へ伝達されるのを防止することができ
るホトカプラを提供することにある。
本発明のホトカプラは、電気信号を入力する発光側リー
ド端子と、この発光側リード端子と接続し前記電気信号
により発光する発光素子と、接地用リード端子を含む受
光側リード端子と、これら受光側リード端子と接続して
前記発光素子からの光を受光し対応する電気信号を出力
する受光素子と、この受光素子と前記発光素子及び発光
側リード端子との間に、この受光素子の少なくとも受光
部及びこの周辺を覆って設けられ、前記接地用リード端
子と接続する透光性導電板とを有している。
ド端子と、この発光側リード端子と接続し前記電気信号
により発光する発光素子と、接地用リード端子を含む受
光側リード端子と、これら受光側リード端子と接続して
前記発光素子からの光を受光し対応する電気信号を出力
する受光素子と、この受光素子と前記発光素子及び発光
側リード端子との間に、この受光素子の少なくとも受光
部及びこの周辺を覆って設けられ、前記接地用リード端
子と接続する透光性導電板とを有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施例
を示す断面図及び部分斜視図である。
を示す断面図及び部分斜視図である。
この実施例は、電気信号を入力する発光側リード端子２
と、この発光側リード端子２と接続して入力された電気
信号により発光する発光素子１と、接地用リード端子４
を含む受光側リード端子と、これら受光側リード端子と
接続し、発光素子１が発光する光を受光してこの光と対
応する電気信号を出力する受光素子３と、受光素子３と
発光素子１及び発光側リード端子２との間に、この受光
素子３の少なくとも受光部３１及びこの周辺を覆って設
けられ、接地用リード端子４と接続する透光性導電板５
と、発光素子１と受光素子３及び透光性導電板５との間
に設けられた透光性のシリコン樹脂の光径路６と、発光
素子１．受光素子３及び光径路６等を覆って封止する黒
色エポキシ樹脂のモールド部７とを備えた構造となって
いる。
と、この発光側リード端子２と接続して入力された電気
信号により発光する発光素子１と、接地用リード端子４
を含む受光側リード端子と、これら受光側リード端子と
接続し、発光素子１が発光する光を受光してこの光と対
応する電気信号を出力する受光素子３と、受光素子３と
発光素子１及び発光側リード端子２との間に、この受光
素子３の少なくとも受光部３１及びこの周辺を覆って設
けられ、接地用リード端子４と接続する透光性導電板５
と、発光素子１と受光素子３及び透光性導電板５との間
に設けられた透光性のシリコン樹脂の光径路６と、発光
素子１．受光素子３及び光径路６等を覆って封止する黒
色エポキシ樹脂のモールド部７とを備えた構造となって
いる。
受光素子３は、接地用リード端子４の一部をくぼませて
そこに搭載し、受光素子３と接地用リード端子４の上面
が同一面となるようにして透光性導電板５の取付けが容
易にできる構造となっている。
そこに搭載し、受光素子３と接地用リード端子４の上面
が同一面となるようにして透光性導電板５の取付けが容
易にできる構造となっている。
透光性導電板５は、ガラスやプラスチックフィルム等の
透明な高絶縁性のフィルムめ片面又は両面に酸化インジ
ウム等の透明導電膜を塗布等番こより形成したものが適
している。
透明な高絶縁性のフィルムめ片面又は両面に酸化インジ
ウム等の透明導電膜を塗布等番こより形成したものが適
している。
このように、受光素子３の少なくとも受光部３１及びそ
の周辺を透光性導電板５で覆うことにより、受光部３１
及びその周辺は接地電位でシールドされたことになり、
発光素子１と受光素子３との間に発生する寄生容量の影
響を除去することができ、発光側リード端子２等の入力
側から入る電気的雑音が寄生容量により受光素子３側の
出力側に伝達されるのを防止することができる。
の周辺を透光性導電板５で覆うことにより、受光部３１
及びその周辺は接地電位でシールドされたことになり、
発光素子１と受光素子３との間に発生する寄生容量の影
響を除去することができ、発光側リード端子２等の入力
側から入る電気的雑音が寄生容量により受光素子３側の
出力側に伝達されるのを防止することができる。
なお、透光性導電板５の形状や透光性導電板５の取付は
構造は、第１図（ａ）、（ｂ）のほか、第２図に示され
た第２の実施例やその他の形状。
構造は、第１図（ａ）、（ｂ）のほか、第２図に示され
た第２の実施例やその他の形状。
構造であってもよい。
以上説明したように本発明は、発光素子側と受光素子側
との間に、受光素子の少なくとも受光部とその周辺を覆
い接地された透光性導電板を設ける構造とすることによ
り、発光素子と受光素子との間に発生する寄生容量の影
響を除去することができ、発光素子側の電気的雑音が受
光素子側へ伝達されるのを防止することができる効果が
ある。
との間に、受光素子の少なくとも受光部とその周辺を覆
い接地された透光性導電板を設ける構造とすることによ
り、発光素子と受光素子との間に発生する寄生容量の影
響を除去することができ、発光素子側の電気的雑音が受
光素子側へ伝達されるのを防止することができる効果が
ある。
第１図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施例
を示す断面図及び部分斜視図、第２図は本発明の第２の
実施例を示す部分斜視図、第３図及び第４図はそれぞれ
従来のホトカプラの断面図、第５図は従来のホトカプラ
の等価回路図である。 １・・・発光素子、２・・・発光側リード端子、３・・
・受光素子、４．４Ａ 、４ａ・・・接地用リード端子
、５．５Ａ・・・透光性導電板、６．６ａ・・・光径路
、７・・・モールド部、３１・・・受光部、３２・・・
増幅部。 代理人 弁理士 内 原 晋 ７モー朴′舒 嶌 １ 図 第 ２ 図
を示す断面図及び部分斜視図、第２図は本発明の第２の
実施例を示す部分斜視図、第３図及び第４図はそれぞれ
従来のホトカプラの断面図、第５図は従来のホトカプラ
の等価回路図である。 １・・・発光素子、２・・・発光側リード端子、３・・
・受光素子、４．４Ａ 、４ａ・・・接地用リード端子
、５．５Ａ・・・透光性導電板、６．６ａ・・・光径路
、７・・・モールド部、３１・・・受光部、３２・・・
増幅部。 代理人 弁理士 内 原 晋 ７モー朴′舒 嶌 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 電気信号を入力する発光側リード端子と、この発光側
リード端子と接続し前記電気信号により発光する発光素
子と、接地用リード端子を含む受光側リード端子と、こ
れら受光側リード端子と接続して前記発光素子からの光
を受光し対応する電気信号を出力する受光素子と、この
受光素子と前記発光素子及び発光側リード端子との間に
、この受光素子の少なくとも受光部及びこの周辺を覆っ
て設けられ、前記接地用リード端子と接続する透光性導
電板とを有することを特徴とするホトカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63060867A JPH01233780A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | ホトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63060867A JPH01233780A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | ホトカプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01233780A true JPH01233780A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13154769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63060867A Pending JPH01233780A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | ホトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01233780A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113345875A (zh) * | 2020-02-18 | 2021-09-03 | 喆光照明光电股份有限公司 | 具有消除或降低寄生电容的层叠光耦合器结构 |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP63060867A patent/JPH01233780A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113345875A (zh) * | 2020-02-18 | 2021-09-03 | 喆光照明光电股份有限公司 | 具有消除或降低寄生电容的层叠光耦合器结构 |
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