JPH01257353A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01257353A JPH01257353A JP63085754A JP8575488A JPH01257353A JP H01257353 A JPH01257353 A JP H01257353A JP 63085754 A JP63085754 A JP 63085754A JP 8575488 A JP8575488 A JP 8575488A JP H01257353 A JPH01257353 A JP H01257353A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring layer
- bonding pad
- layer
- wiring
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、多層配線層を有する半導体チィップをパッケ
ージに組み込む為のボンディングパッド構造に関する。
ージに組み込む為のボンディングパッド構造に関する。
従来の多層配線層でのボンディングパッド構造を有する
半導体装置を第３図を参照しながら説明する。
半導体装置を第３図を参照しながら説明する。
第３図半導体素子を含む半導体基板（３０１）に該基板
と第１の配線層を絶縁分離するための絶縁膜（３０２）
例えばＰＳＧを厚さ０．７ ｐ ｍを形成し、半導体素
子と第１層の配線層（３０３）を接続するための開口窓
を該絶縁膜（３０２）に形成する。
と第１の配線層を絶縁分離するための絶縁膜（３０２）
例えばＰＳＧを厚さ０．７ ｐ ｍを形成し、半導体素
子と第１層の配線層（３０３）を接続するための開口窓
を該絶縁膜（３０２）に形成する。
次いで第１層の配線層（３０３）例えばアルミニュウム
０．６μｍを形成する。次に第２の配線層（３０５）を
形成するための絶縁層間膜（３０４）例えばプラズマ気
相成長法によるシリコン窒化膜を厚さ１．０μｍ形成し
、前記第１層の配線層（３０３）と第２の配線層（３０
５）を接続するための開口窓スルーホールを、該絶縁層
間膜（３０４）に形成する。
０．６μｍを形成する。次に第２の配線層（３０５）を
形成するための絶縁層間膜（３０４）例えばプラズマ気
相成長法によるシリコン窒化膜を厚さ１．０μｍ形成し
、前記第１層の配線層（３０３）と第２の配線層（３０
５）を接続するための開口窓スルーホールを、該絶縁層
間膜（３０４）に形成する。
次いで第２層の配線層（３０５）例えばアルミニュウム
１．０μｍを形成する０次に第２の配線層上（３０５）
に絶縁膜（３０６）例えばプラズマ気相成長法によるシ
リコン窒化膜を厚さ０．５μｍを形成し半導体チィップ
を保護し、半導体装置を完成する。ここで従来技術にお
いては、半導体ィップをパッケージに組み込む為のボン
ディングパッドは、最上配線層である第２層の配線層（
３０５）で形成されていた。又、周知の如く配線層の材
料は、アルミニュウムやアルミニュウム合金が、また絶
縁層間膜の材料には、シリコン窒化膜以外の例えばシリ
コン酸化膜等が使用されている。
１．０μｍを形成する０次に第２の配線層上（３０５）
に絶縁膜（３０６）例えばプラズマ気相成長法によるシ
リコン窒化膜を厚さ０．５μｍを形成し半導体チィップ
を保護し、半導体装置を完成する。ここで従来技術にお
いては、半導体ィップをパッケージに組み込む為のボン
ディングパッドは、最上配線層である第２層の配線層（
３０５）で形成されていた。又、周知の如く配線層の材
料は、アルミニュウムやアルミニュウム合金が、また絶
縁層間膜の材料には、シリコン窒化膜以外の例えばシリ
コン酸化膜等が使用されている。
上述した従来の多層配線層構造でのボンディングパッド
構造を有する半導体装置に於いて、電源配線層に前記第
２の配線層が一般的に使用されている。半導体装置の種
類によっては例えばＥＣＬ型の場合では、特に電源配線
の安定化が重要となり、このために電源配線は、信号線
の配線（通常〜４μｍ程度）よりも幅の広いパターン（
例えば３０〜１００μｍ程度）が使われる事により電位
ドロップが生じない様に配慮される。このことは、半導
体装置の高密度・高集積化する際の障害となる。このた
めに電源配線に使われる配線層（アルミニュウム）の膜
厚を厚く （例えば、第２の配線の膜厚が３〜５μｍ）
する事により該電源配線幅を小さくても電位ドロップが
生じない様な解決策がとられている。
構造を有する半導体装置に於いて、電源配線層に前記第
２の配線層が一般的に使用されている。半導体装置の種
類によっては例えばＥＣＬ型の場合では、特に電源配線
の安定化が重要となり、このために電源配線は、信号線
の配線（通常〜４μｍ程度）よりも幅の広いパターン（
例えば３０〜１００μｍ程度）が使われる事により電位
ドロップが生じない様に配慮される。このことは、半導
体装置の高密度・高集積化する際の障害となる。このた
めに電源配線に使われる配線層（アルミニュウム）の膜
厚を厚く （例えば、第２の配線の膜厚が３〜５μｍ）
する事により該電源配線幅を小さくても電位ドロップが
生じない様な解決策がとられている。
この場合、ボンディングパッド部分も当然膜厚の厚い配
線層で形成される事になり、後工程のパッケージに組み
込む際、即ち通常アルミニュウム線を用いて該ボンディ
ングパッドとパッケージを接続されるが、ボンディング
パッド部の膜厚が厚いために接続条件によっては、該ボ
ンディングパッドが変形したり接着強度が弱くなると言
う欠点があった。
線層で形成される事になり、後工程のパッケージに組み
込む際、即ち通常アルミニュウム線を用いて該ボンディ
ングパッドとパッケージを接続されるが、ボンディング
パッド部の膜厚が厚いために接続条件によっては、該ボ
ンディングパッドが変形したり接着強度が弱くなると言
う欠点があった。
上述した従来技術の半導体装置では、多層配線層の最上
配線層がボンディングパッド構造として使用されている
のに対し本発明は、多層配線の最上配線層より下層の任
意配線層で構成されているという相違点を有する。
配線層がボンディングパッド構造として使用されている
のに対し本発明は、多層配線の最上配線層より下層の任
意配線層で構成されているという相違点を有する。
本発明の半導体装置は、ボンディングパッドが多層配線
の最上配線層より下層の任意配線層で構成することによ
りボンディングパッドが変形せず、接着強度の良い所謂
多層配線構造で問題なくパッケージに組み込む事が可能
なボンディングパッド構造を有し、且つ高密度・高集積
な半導体装置を得る内容を有する。
の最上配線層より下層の任意配線層で構成することによ
りボンディングパッドが変形せず、接着強度の良い所謂
多層配線構造で問題なくパッケージに組み込む事が可能
なボンディングパッド構造を有し、且つ高密度・高集積
な半導体装置を得る内容を有する。
本発明の第１の実施例に於ける、２層配線層でのボンデ
ィングパッド構造を有する半導体装置を第１図を参照し
ながら説明する。
ィングパッド構造を有する半導体装置を第１図を参照し
ながら説明する。
第１図従来例と同じであるがボンディングパッドの構造
が、第１の配線層で構成されている点で従来例と異なる
。すなわち第１図において第３図を同じ機能のところは
同一の機能で示しているが、第１図におけるボンディン
グパッドは下層の第１層目の層３０３により形成されて
いる。すなわち第１層目の金属層３０３は第１の配線層
とボンディングパッドとを形成する。次に第２層目すな
わち最上層の金属層３０５は第２の配線層を形成するが
ボンディングパッドは形成しない。
が、第１の配線層で構成されている点で従来例と異なる
。すなわち第１図において第３図を同じ機能のところは
同一の機能で示しているが、第１図におけるボンディン
グパッドは下層の第１層目の層３０３により形成されて
いる。すなわち第１層目の金属層３０３は第１の配線層
とボンディングパッドとを形成する。次に第２層目すな
わち最上層の金属層３０５は第２の配線層を形成するが
ボンディングパッドは形成しない。
本発明の第２の実施例に於ける、３層配線層でのボンデ
ィングパッド構造を有する半導体装置を第２図を参照し
ながら説明する。
ィングパッド構造を有する半導体装置を第２図を参照し
ながら説明する。
第２図の第２の配線層を形成する迄は、従来例と同じで
ある。第２の配線層（２０５）形成後、更に第３の配線
層（２０７）を形成するための絶縁層間膜（２０６）例
えばプラズマ気相成長法によるシリコン窒化膜を厚さ１
．５μｍ形成し、前記上層の第３の配線層（２０７）が
、前記第２層の配線層（２０５）と第３の配線層（２０
７）を接続するための開口窓スルーホールを、該絶縁層
間膜（２０６）に形成する。
ある。第２の配線層（２０５）形成後、更に第３の配線
層（２０７）を形成するための絶縁層間膜（２０６）例
えばプラズマ気相成長法によるシリコン窒化膜を厚さ１
．５μｍ形成し、前記上層の第３の配線層（２０７）が
、前記第２層の配線層（２０５）と第３の配線層（２０
７）を接続するための開口窓スルーホールを、該絶縁層
間膜（２０６）に形成する。
次いで第３の配線層（２０７）例えばアルミニュウム３
．０μｍを形成する。次に第３の配線層上（２０７）に
絶縁膜（２０８）例えばプラズマ気相成長法によるシリ
コン窒化膜を厚さ１．０μｍを形成し半導体チィップを
保護する事で半導体装置を完成する。
．０μｍを形成する。次に第３の配線層上（２０７）に
絶縁膜（２０８）例えばプラズマ気相成長法によるシリ
コン窒化膜を厚さ１．０μｍを形成し半導体チィップを
保護する事で半導体装置を完成する。
第２の実施例に於いてはボンディングパッドが、第２の
配線層で構成される点で第１の実施例と異なっている。
配線層で構成される点で第１の実施例と異なっている。
本発明によれば、前述した様にボンディングパッド部分
が、多層配線の最上配線層より下層の任意配線層される
ので、ボンディングパッド部分を構成する配線層の膜厚
が厚くならないので後工程のパッケージに組み込む際の
ボンディングパッド接続条件によらずボンディングパッ
ドが変形したり接着強度が弱くなると言う問題を解決で
きる効果がある。
が、多層配線の最上配線層より下層の任意配線層される
ので、ボンディングパッド部分を構成する配線層の膜厚
が厚くならないので後工程のパッケージに組み込む際の
ボンディングパッド接続条件によらずボンディングパッ
ドが変形したり接着強度が弱くなると言う問題を解決で
きる効果がある。
第１図は、本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図は
、本発明の第２の実施例の縦断面図、第３図は従来例の
縦断面図である。 ２０１．３０１・・・・・・半導体基板、２０２，２０
４゜２０６．２０８，３０２，３０４，３０６・・・・
・・絶縁膜、２０３．３０３・・・・・・第１の配線層
、２０５，３０５・・・・・・第２の配線層、２０７・
・・・・・第３の配線層。 代理人 弁理士 内 原 音 声 １ 図
、本発明の第２の実施例の縦断面図、第３図は従来例の
縦断面図である。 ２０１．３０１・・・・・・半導体基板、２０２，２０
４゜２０６．２０８，３０２，３０４，３０６・・・・
・・絶縁膜、２０３．３０３・・・・・・第１の配線層
、２０５，３０５・・・・・・第２の配線層、２０７・
・・・・・第３の配線層。 代理人 弁理士 内 原 音 声 １ 図
Claims (1)
- 多層配線が形成された半導体装置に於いて、ボンディ
ングパッドが前記多層配線の最上配線層より下層の配線
層で構成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63085754A JPH01257353A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63085754A JPH01257353A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257353A true JPH01257353A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13867645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63085754A Pending JPH01257353A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01257353A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51132764A (en) * | 1975-05-14 | 1976-11-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS6180836A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Hitachi Ltd | 多層配線を有する半導体装置 |
| JPS62237748A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6481236A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP63085754A patent/JPH01257353A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51132764A (en) * | 1975-05-14 | 1976-11-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS6180836A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Hitachi Ltd | 多層配線を有する半導体装置 |
| JPS62237748A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6481236A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
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