JPH01267906A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH01267906A JPH01267906A JP63097073A JP9707388A JPH01267906A JP H01267906 A JPH01267906 A JP H01267906A JP 63097073 A JP63097073 A JP 63097073A JP 9707388 A JP9707388 A JP 9707388A JP H01267906 A JPH01267906 A JP H01267906A
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- Japan
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- composition
- dielectric
- present
- dielectric ceramic
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が高く、良
好度Qにすぐれ、温度係数の小さくかつ焼成温度変動の
影響を受は難い誘電体磁器組成物に関するものである。
好度Qにすぐれ、温度係数の小さくかつ焼成温度変動の
影響を受は難い誘電体磁器組成物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電体磁器組成物として、下記のような系が知
られている。
られている。
La20.−2TiO2−CaTiO,−2Mg0−T
ie2系Tie2−BaTiO,−Bi20.−La2
05系BaTi05系 5rTiO、系 CaTi0.系 5rTiO5−CaTi0.系 MgTi0.系 5rTiO,−CaTi0.−Nb2O5系発明が解決
しようとする課題 しかし、これらの一つの組成物が高い誘電率。
ie2系Tie2−BaTiO,−Bi20.−La2
05系BaTi05系 5rTiO、系 CaTi0.系 5rTiO5−CaTi0.系 MgTi0.系 5rTiO,−CaTi0.−Nb2O5系発明が解決
しようとする課題 しかし、これらの一つの組成物が高い誘電率。
小さい温度係数、すぐれた良好度及び焼成温度変動の影
響を受は難いなど、全てを満足することは不可能である
。
響を受は難いなど、全てを満足することは不可能である
。
さらに、Bi□03を含んでいるものは、積層セラミッ
クコンデンサの内部電極として、Pdを用いることがで
きないという問題点があった。
クコンデンサの内部電極として、Pdを用いることがで
きないという問題点があった。
本発明は誘電率、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が高く・良
好度にすぐれ・温度係数?小さくかつ焼成温度変動の影
響を受は難い誘電体磁器組成物を得ることを目的とする
ものである。
好度にすぐれ・温度係数?小さくかつ焼成温度変動の影
響を受は難い誘電体磁器組成物を得ることを目的とする
ものである。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、−紋穴%式%)
) と表わした時、 ただし、x+7+z==1.o。
) と表わした時、 ただし、x+7+z==1.o。
00o1≦m≦o、20
” + 3’ * zが以下に表わす各点a、b、c、
dで囲まれるモル比の範囲を主成分とする組成物に対し
、副成分としてNb2O5を0.1〜10.0重量%含
有することを特徴とするものである。
dで囲まれるモル比の範囲を主成分とする組成物に対し
、副成分としてNb2O5を0.1〜10.0重量%含
有することを特徴とするものである。
第1図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三角図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を図
を参照しながら説明する。すなわち、ム領域とC領域で
は温度係数が(−)側に大きくなり過ぎて、実用的でな
くなる。また、B領域とD領域では焼結困難となり、誘
電率、良好度Q。
す三角図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を図
を参照しながら説明する。すなわち、ム領域とC領域で
は温度係数が(−)側に大きくなり過ぎて、実用的でな
くなる。また、B領域とD領域では焼結困難となり、誘
電率、良好度Q。
絶縁抵抗が低下する。
第2図と第3図は主成分中のTie2の一部分を置換す
るZrO2の比率mの効果を示すグラフであり、ZrO
□の置換範囲を限定した理由をグラフを参照しながら説
明する。まず、Tie、の一部分をZrO、で置換する
ことにより、第2図に示すように絶縁抵抗を増加させ、
また第3図に示すように焼成温度に、よる温度係数変動
を小さくする効果を有し、その置換率lが0.01未満
では置換効果はなく、一方0.2を越えると焼結困難と
なり、誘電率、良好度Q、絶縁抵抗が低下する。
るZrO2の比率mの効果を示すグラフであり、ZrO
□の置換範囲を限定した理由をグラフを参照しながら説
明する。まず、Tie、の一部分をZrO、で置換する
ことにより、第2図に示すように絶縁抵抗を増加させ、
また第3図に示すように焼成温度に、よる温度係数変動
を小さくする効果を有し、その置換率lが0.01未満
では置換効果はなく、一方0.2を越えると焼結困難と
なり、誘電率、良好度Q、絶縁抵抗が低下する。
第4図は、主成分に対し、外側で添加される副成分とし
てのNb2O5の含有の効果を示すグラフであり、Nb
、05の含有範囲を限定した理由をグラフを参照しなが
ら説明する。まず、第4図に示すようにNb2O5を含
有することKより、破壊電圧を増大する効果を有し、そ
の含有量が主成分に対し0.1重量%未満では含有効果
はなく、反対に10.0重量%を越えると良好度Qが低
下し、温度係数が(−)側に大きくなり、実用的でなく
なる。
てのNb2O5の含有の効果を示すグラフであり、Nb
、05の含有範囲を限定した理由をグラフを参照しなが
ら説明する。まず、第4図に示すようにNb2O5を含
有することKより、破壊電圧を増大する効果を有し、そ
の含有量が主成分に対し0.1重量%未満では含有効果
はなく、反対に10.0重量%を越えると良好度Qが低
下し、温度係数が(−)側に大きくなり、実用的でなく
なる。
本発明はさらに、上記主成分と副成分からなる組成物に
対し、マンガン、クロム、鉄、ニッケル。
対し、マンガン、クロム、鉄、ニッケル。
コバルト及びケイ素の酸化物からなる群の中から選ばれ
た少なくとも1種類を、それぞれMnO□。
た少なくとも1種類を、それぞれMnO□。
Or、O,、FeO、NiO、Coo 、 Sin、に
換算して、0.06〜1.00重量%添加含有した構成
としたものである。これらの添加物は磁器の焼結性を向
上する効果を有し、その添加量が0.06重量%未満で
は添加効果はなく、また1、00重量%を越えると誘電
率が低下することになる。
換算して、0.06〜1.00重量%添加含有した構成
としたものである。これらの添加物は磁器の焼結性を向
上する効果を有し、その添加量が0.06重量%未満で
は添加効果はなく、また1、00重量%を越えると誘電
率が低下することになる。
作用
本発明の誘電体磁器組成物により、誘電率、絶縁抵抗及
び絶縁破壊電圧が高く、良好度Qにすぐれ、温度係数の
小さく、かつ焼結温度変動の影響を受は難い誘電体磁器
組成物を得ることができる。
び絶縁破壊電圧が高く、良好度Qにすぐれ、温度係数の
小さく、かつ焼結温度変動の影響を受は難い誘電体磁器
組成物を得ることができる。
実施例
以下、本発明を具体的実施例により説明する。
(実施例1)
出発原料には化学的に高純度の5rCO,、CaCO3
゜Tie2. ZrO,及びWb20.粉末を下記の第
1表に示す組成になるように秤量し、めのうボールを備
えたゴム内張りしたボールミルに純水とともに入れ、2
0時間、湿式混合した。この混合物を脱水乾燥後、11
00°Cで2時間仮焼成した。粗粉砕後、再度、めのう
ボールを備えたゴム内張りしたボールミルに純水ととも
に入れ、20時間、湿式粉砕を行った。この粉砕物を脱
水乾燥した後、粉末にバインダーとして濃度5%のポリ
ビニルアルコール水溶液を9重量%添加して均質とした
後、32メソシユのふるいを通して整粒した。次に、と
の整粒粉体を金型と油圧プレスを用いて成形圧力1to
n/adで直径15咽、厚みo、4gに成形し、次いで
この成形物をZrO2粉を敷いた高純度のアルミナ匣鉢
中に入れ、空気中において下記の第1表に示す温度で2
時間焼成し、下記の第1表に示す配合組成の誘電体磁器
を得た。
゜Tie2. ZrO,及びWb20.粉末を下記の第
1表に示す組成になるように秤量し、めのうボールを備
えたゴム内張りしたボールミルに純水とともに入れ、2
0時間、湿式混合した。この混合物を脱水乾燥後、11
00°Cで2時間仮焼成した。粗粉砕後、再度、めのう
ボールを備えたゴム内張りしたボールミルに純水ととも
に入れ、20時間、湿式粉砕を行った。この粉砕物を脱
水乾燥した後、粉末にバインダーとして濃度5%のポリ
ビニルアルコール水溶液を9重量%添加して均質とした
後、32メソシユのふるいを通して整粒した。次に、と
の整粒粉体を金型と油圧プレスを用いて成形圧力1to
n/adで直径15咽、厚みo、4gに成形し、次いで
この成形物をZrO2粉を敷いた高純度のアルミナ匣鉢
中に入れ、空気中において下記の第1表に示す温度で2
時間焼成し、下記の第1表に示す配合組成の誘電体磁器
を得た。
これらの試料の電気特性は、試料の両面に銀電極を焼付
け、誘電率、良好度Q、温度係数は横河・ヒユーレット
・パラカード(株)のデジタルLCRメータモデル42
76Aを使用し、測定温度2゜°C2測定電圧1.o
Vrms 、測定周波数1MHzによる測定で求めた。
け、誘電率、良好度Q、温度係数は横河・ヒユーレット
・パラカード(株)のデジタルLCRメータモデル42
76Aを使用し、測定温度2゜°C2測定電圧1.o
Vrms 、測定周波数1MHzによる測定で求めた。
尚、温度係数は20°Cにおける容量値を基準とし、次
式より求めた。
式より求めた。
温度係数=(Css℃−C2o℃)/(020℃×65
)X 10 (1)pm /℃) また、絶縁抵抗は横河・ヒユーレット・パラカード(株
)のHRメータモデル4329人を使用し、測定電圧り
、C,so V 、測定時間1分間による測定で求めた
。さらに、絶縁破壊電圧は菊水電子工業(株)の高電圧
電源PH536に一3形を使用し、昇圧速度50 V
/ 3510により求めた絶縁破壊電圧を素子厚みで除
算し、単位長さ当たりの絶縁破壊電圧値とした。これら
の試験条件及び結果を第1表に併せて示す。
)X 10 (1)pm /℃) また、絶縁抵抗は横河・ヒユーレット・パラカード(株
)のHRメータモデル4329人を使用し、測定電圧り
、C,so V 、測定時間1分間による測定で求めた
。さらに、絶縁破壊電圧は菊水電子工業(株)の高電圧
電源PH536に一3形を使用し、昇圧速度50 V
/ 3510により求めた絶縁破壊電圧を素子厚みで除
算し、単位長さ当たりの絶縁破壊電圧値とした。これら
の試験条件及び結果を第1表に併せて示す。
(以下余 白)
(実施例2)
出発原料には化学的に高純度のSrCO3,CaC0,
lTi02 、ZrO2,Wb 205.MnO2、C
r 203jeo 、Nip、Co。
lTi02 、ZrO2,Wb 205.MnO2、C
r 203jeo 、Nip、Co。
及び5102粉末を下記の第2表に示す組成になるよう
に秤量し、それ以後は上記実施例1の場合と同様に処理
して第2表に示す配合組成の誘電体磁器を得た。
に秤量し、それ以後は上記実施例1の場合と同様に処理
して第2表に示す配合組成の誘電体磁器を得た。
これらの試料の試験方法は実施例1と同一であり、試験
条件及び結果を第2表に併せて示す。
条件及び結果を第2表に併せて示す。
(以下余 白)
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗及び絶
縁破壊電圧が高く、良好度Qにすぐれ、温度係数の小さ
く、かつ焼成温度変動の影響を受は難い誘電体磁器を得
ることができる0また、マンガン、クロム、鉄、ニッケ
ル、コノ(ルト及ヒケイ素の酸化物の添加により焼成温
度を低下させることができる。
縁破壊電圧が高く、良好度Qにすぐれ、温度係数の小さ
く、かつ焼成温度変動の影響を受は難い誘電体磁器を得
ることができる0また、マンガン、クロム、鉄、ニッケ
ル、コノ(ルト及ヒケイ素の酸化物の添加により焼成温
度を低下させることができる。
さらに、得られた誘電体磁器は高誘電率であるため、素
体をきわめて小形にすることができ、回路の微小化に有
効であり、特に薄板状にして積層セラミックコンデンサ
、)・イブリッド微小回路などの用途に適している0
体をきわめて小形にすることができ、回路の微小化に有
効であり、特に薄板状にして積層セラミックコンデンサ
、)・イブリッド微小回路などの用途に適している0
第1図は本発明に係わる副成分として1重量%Nb2O
5を含有する主成分の組成範囲を示す三角図、第2図は
本発明に係わる副成分として1重量%Nb2O5を含有
し、主成分の一般式 %式%)) と表わした時、 X=0.30 、Y二0.19 、 m=0.5
1とし、Zr02の置換率mを0.26まで変化させた
時の特性の変化を示すグラフ、第3°図は本発明に係わ
る副成分として1重量%Nb2O5を含有し、主成分の
一般式 %式%)) と表わしだ時、 x=0.30 、 7==0.19 、 z=0
.51とし、ZrO□の置換率mを0.26まで変化さ
せ、さらに焼成温度を1340〜1380°Ctで変化
させた時の温度特性の変化を示すグラフ、第4図は本発
明に係わる主成分の一般式 %式%):] と表わした時、 !=0.30 、 7=0.19 、 m=0.51
、 m=0.06とし、副成分Nb2o5の含有量を
16重量%まで変化させた時の特性の変化を示すグラフ
である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 主成分に対しくJ成分NtnOslll:量2含有(T
iO2)fl−mXZPQ2)m(モ」しン第2図 二二v克駈トクJO8rO−0,19CaO−0,57
((7t02 )I+−+++i’ZrOz)mノ!誠
分圧例;九Nbt05 Zr(h 置換中m 第3図 Z、021換牽m
5を含有する主成分の組成範囲を示す三角図、第2図は
本発明に係わる副成分として1重量%Nb2O5を含有
し、主成分の一般式 %式%)) と表わした時、 X=0.30 、Y二0.19 、 m=0.5
1とし、Zr02の置換率mを0.26まで変化させた
時の特性の変化を示すグラフ、第3°図は本発明に係わ
る副成分として1重量%Nb2O5を含有し、主成分の
一般式 %式%)) と表わしだ時、 x=0.30 、 7==0.19 、 z=0
.51とし、ZrO□の置換率mを0.26まで変化さ
せ、さらに焼成温度を1340〜1380°Ctで変化
させた時の温度特性の変化を示すグラフ、第4図は本発
明に係わる主成分の一般式 %式%):] と表わした時、 !=0.30 、 7=0.19 、 m=0.51
、 m=0.06とし、副成分Nb2o5の含有量を
16重量%まで変化させた時の特性の変化を示すグラフ
である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 主成分に対しくJ成分NtnOslll:量2含有(T
iO2)fl−mXZPQ2)m(モ」しン第2図 二二v克駈トクJO8rO−0,19CaO−0,57
((7t02 )I+−+++i’ZrOz)mノ!誠
分圧例;九Nbt05 Zr(h 置換中m 第3図 Z、021換牽m
Claims (2)
- (1)一般式 xSrO−yCaO−z〔(TiO_2)_(_1_−
_m)・(ZrO_2)_m〕と表わした時、 ただし、x+y+z=1.00 0.01≦m≦0.20 x,y,zが以下に表わす各点a,b,c,dで囲まれ
るモル比の範囲を主成分とする組成物に対し、副成分と
してNb_2_O_5を0.1〜10.0重量%含有す
ることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - (2)請求項1記載の誘電体磁器組成物に対し、マンガ
ン,クロム,鉄,ニッケル,コバルト及びケイ素の酸化
物からなる群の中から選ばれた少なくとも1種を、それ
ぞれMnO_2,Cr_2O_5,FeO,NiO.C
oO及びSiO_2に換算して、0.05〜1.00重
量%添加含有したことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097073A JP2676778B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097073A JP2676778B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01267906A true JPH01267906A (ja) | 1989-10-25 |
| JP2676778B2 JP2676778B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=14182465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63097073A Expired - Fee Related JP2676778B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2676778B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1125904A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-22 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| US9249166B1 (en) | 2011-12-02 | 2016-02-02 | Sandia Corporation | Delaminated sodium nonatitanate and a method for producing delaminated sodium nonatitanate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131708A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | 株式会社村田製作所 | 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物 |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63097073A patent/JP2676778B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131708A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | 株式会社村田製作所 | 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1125904A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-22 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| US6933256B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-08-23 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing same |
| US9249166B1 (en) | 2011-12-02 | 2016-02-02 | Sandia Corporation | Delaminated sodium nonatitanate and a method for producing delaminated sodium nonatitanate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2676778B2 (ja) | 1997-11-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |