JPH01267906A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents

誘電体磁器組成物

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JPH01267906A
JPH01267906A JP63097073A JP9707388A JPH01267906A JP H01267906 A JPH01267906 A JP H01267906A JP 63097073 A JP63097073 A JP 63097073A JP 9707388 A JP9707388 A JP 9707388A JP H01267906 A JPH01267906 A JP H01267906A
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dielectric
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Hidenori Kuramitsu
秀紀 倉光
Wataru Kurahashi
倉橋 渡
Tetsuo Wano
和野 哲雄
Takashi Iguchi
隆 井口
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は誘電率、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が高く、良
好度Qにすぐれ、温度係数の小さくかつ焼成温度変動の
影響を受は難い誘電体磁器組成物に関するものである。
従来の技術 従来から誘電体磁器組成物として、下記のような系が知
られている。
La20.−2TiO2−CaTiO,−2Mg0−T
ie2系Tie2−BaTiO,−Bi20.−La2
05系BaTi05系 5rTiO、系 CaTi0.系 5rTiO5−CaTi0.系 MgTi0.系 5rTiO,−CaTi0.−Nb2O5系発明が解決
しようとする課題 しかし、これらの一つの組成物が高い誘電率。
小さい温度係数、すぐれた良好度及び焼成温度変動の影
響を受は難いなど、全てを満足することは不可能である
。
さらに、Bi□03を含んでいるものは、積層セラミッ
クコンデンサの内部電極として、Pdを用いることがで
きないという問題点があった。
本発明は誘電率、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が高く・良
好度にすぐれ・温度係数?小さくかつ焼成温度変動の影
響を受は難い誘電体磁器組成物を得ることを目的とする
ものである。
課題を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明は、−紋穴%式%)
) と表わした時、 ただし、x+7+z==1.o。
00o1≦m≦o、20 ” + 3’ * zが以下に表わす各点a、b、c、
dで囲まれるモル比の範囲を主成分とする組成物に対し
、副成分としてNb2O5を0.1〜10.0重量%含
有することを特徴とするものである。
第1図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三角図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を図
を参照しながら説明する。すなわち、ム領域とC領域で
は温度係数が(−)側に大きくなり過ぎて、実用的でな
くなる。また、B領域とD領域では焼結困難となり、誘
電率、良好度Q。
絶縁抵抗が低下する。
第2図と第3図は主成分中のTie2の一部分を置換す
るZrO2の比率mの効果を示すグラフであり、ZrO
□の置換範囲を限定した理由をグラフを参照しながら説
明する。まず、Tie、の一部分をZrO、で置換する
ことにより、第2図に示すように絶縁抵抗を増加させ、
また第3図に示すように焼成温度に、よる温度係数変動
を小さくする効果を有し、その置換率lが0.01未満
では置換効果はなく、一方0.2を越えると焼結困難と
なり、誘電率、良好度Q、絶縁抵抗が低下する。
第4図は、主成分に対し、外側で添加される副成分とし
てのNb2O5の含有の効果を示すグラフであり、Nb
、05の含有範囲を限定した理由をグラフを参照しなが
ら説明する。まず、第4図に示すようにNb2O5を含
有することKより、破壊電圧を増大する効果を有し、そ
の含有量が主成分に対し0.1重量%未満では含有効果
はなく、反対に10.0重量%を越えると良好度Qが低
下し、温度係数が(−)側に大きくなり、実用的でなく
なる。
本発明はさらに、上記主成分と副成分からなる組成物に
対し、マンガン、クロム、鉄、ニッケル。
コバルト及びケイ素の酸化物からなる群の中から選ばれ
た少なくとも1種類を、それぞれMnO□。
Or、O,、FeO、NiO、Coo 、 Sin、に
換算して、0.06〜1.00重量%添加含有した構成
としたものである。これらの添加物は磁器の焼結性を向
上する効果を有し、その添加量が0.06重量%未満で
は添加効果はなく、また1、00重量%を越えると誘電
率が低下することになる。
作用 本発明の誘電体磁器組成物により、誘電率、絶縁抵抗及
び絶縁破壊電圧が高く、良好度Qにすぐれ、温度係数の
小さく、かつ焼結温度変動の影響を受は難い誘電体磁器
組成物を得ることができる。
実施例 以下、本発明を具体的実施例により説明する。
(実施例1) 出発原料には化学的に高純度の5rCO,、CaCO3
゜Tie2. ZrO,及びWb20.粉末を下記の第
1表に示す組成になるように秤量し、めのうボールを備
えたゴム内張りしたボールミルに純水とともに入れ、2
0時間、湿式混合した。この混合物を脱水乾燥後、11
00°Cで2時間仮焼成した。粗粉砕後、再度、めのう
ボールを備えたゴム内張りしたボールミルに純水ととも
に入れ、20時間、湿式粉砕を行った。この粉砕物を脱
水乾燥した後、粉末にバインダーとして濃度5%のポリ
ビニルアルコール水溶液を9重量%添加して均質とした
後、32メソシユのふるいを通して整粒した。次に、と
の整粒粉体を金型と油圧プレスを用いて成形圧力1to
n/adで直径15咽、厚みo、4gに成形し、次いで
この成形物をZrO2粉を敷いた高純度のアルミナ匣鉢
中に入れ、空気中において下記の第1表に示す温度で2
時間焼成し、下記の第1表に示す配合組成の誘電体磁器
を得た。
これらの試料の電気特性は、試料の両面に銀電極を焼付
け、誘電率、良好度Q、温度係数は横河・ヒユーレット
・パラカード(株)のデジタルLCRメータモデル42
76Aを使用し、測定温度2゜°C2測定電圧1.o 
Vrms 、測定周波数1MHzによる測定で求めた。
尚、温度係数は20°Cにおける容量値を基準とし、次
式より求めた。
温度係数=(Css℃−C2o℃)/(020℃×65
)X 10 (1)pm /℃) また、絶縁抵抗は横河・ヒユーレット・パラカード(株
)のHRメータモデル4329人を使用し、測定電圧り
、C,so V 、測定時間1分間による測定で求めた
。さらに、絶縁破壊電圧は菊水電子工業(株)の高電圧
電源PH536に一3形を使用し、昇圧速度50 V 
/ 3510により求めた絶縁破壊電圧を素子厚みで除
算し、単位長さ当たりの絶縁破壊電圧値とした。これら
の試験条件及び結果を第1表に併せて示す。
(以下余 白) (実施例2) 出発原料には化学的に高純度のSrCO3,CaC0,
lTi02 、ZrO2,Wb 205.MnO2、C
r 203jeo 、Nip、Co。
及び5102粉末を下記の第2表に示す組成になるよう
に秤量し、それ以後は上記実施例1の場合と同様に処理
して第2表に示す配合組成の誘電体磁器を得た。
これらの試料の試験方法は実施例1と同一であり、試験
条件及び結果を第2表に併せて示す。
(以下余 白) 発明の効果 以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗及び絶
縁破壊電圧が高く、良好度Qにすぐれ、温度係数の小さ
く、かつ焼成温度変動の影響を受は難い誘電体磁器を得
ることができる0また、マンガン、クロム、鉄、ニッケ
ル、コノ(ルト及ヒケイ素の酸化物の添加により焼成温
度を低下させることができる。
さらに、得られた誘電体磁器は高誘電率であるため、素
体をきわめて小形にすることができ、回路の微小化に有
効であり、特に薄板状にして積層セラミックコンデンサ
、)・イブリッド微小回路などの用途に適している0
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる副成分として1重量%Nb2O
5を含有する主成分の組成範囲を示す三角図、第2図は
本発明に係わる副成分として1重量%Nb2O5を含有
し、主成分の一般式 %式%)) と表わした時、 X=0.30  、Y二0.19  、  m=0.5
1とし、Zr02の置換率mを0.26まで変化させた
時の特性の変化を示すグラフ、第3°図は本発明に係わ
る副成分として1重量%Nb2O5を含有し、主成分の
一般式 %式%)) と表わしだ時、 x=0.30  、 7==0.19  、  z=0
.51とし、ZrO□の置換率mを0.26まで変化さ
せ、さらに焼成温度を1340〜1380°Ctで変化
させた時の温度特性の変化を示すグラフ、第4図は本発
明に係わる主成分の一般式 %式%):] と表わした時、 !=0.30  、 7=0.19 、 m=0.51
 、 m=0.06とし、副成分Nb2o5の含有量を
16重量%まで変化させた時の特性の変化を示すグラフ
である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 主成分に対しくJ成分NtnOslll:量2含有(T
iO2)fl−mXZPQ2)m(モ」しン第2図 二二v克駈トクJO8rO−0,19CaO−0,57
((7t02 )I+−+++i’ZrOz)mノ!誠
分圧例;九Nbt05 Zr(h 置換中m 第3図 Z、021換牽m

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 xSrO−yCaO−z〔(TiO_2)_(_1_−
    _m)・(ZrO_2)_m〕と表わした時、 ただし、x+y+z=1.00 0.01≦m≦0.20 x,y,zが以下に表わす各点a,b,c,dで囲まれ
    るモル比の範囲を主成分とする組成物に対し、副成分と
    してNb_2_O_5を0.1〜10.0重量%含有す
    ることを特徴とする誘電体磁器組成物。
  2. (2)請求項1記載の誘電体磁器組成物に対し、マンガ
    ン,クロム,鉄,ニッケル,コバルト及びケイ素の酸化
    物からなる群の中から選ばれた少なくとも1種を、それ
    ぞれMnO_2,Cr_2O_5,FeO,NiO.C
    oO及びSiO_2に換算して、0.05〜1.00重
    量%添加含有したことを特徴とする誘電体磁器組成物。
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EP1125904A1 (en) * 2000-02-09 2001-08-22 TDK Corporation Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same
US9249166B1 (en) 2011-12-02 2016-02-02 Sandia Corporation Delaminated sodium nonatitanate and a method for producing delaminated sodium nonatitanate

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JPS60131708A (ja) * 1983-12-19 1985-07-13 株式会社村田製作所 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物

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