JPH01270060A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPH01270060A JPH01270060A JP10091988A JP10091988A JPH01270060A JP H01270060 A JPH01270060 A JP H01270060A JP 10091988 A JP10091988 A JP 10091988A JP 10091988 A JP10091988 A JP 10091988A JP H01270060 A JPH01270060 A JP H01270060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- substituted
- phthalocyanine
- general formula
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0687—Trisazo dyes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0694—Azo dyes containing more than three azo groups
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は感光体、特に電子写真感光体に関するものであ
る。
る。
口、従来技術
電子写真感光体用の感光材料としては従来、セレン、酸
化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウムなどの無機系光導
電性物質が主に用いられており、その中で最近は、アモ
ルファスシリコン等の研究・開発も盛んに行われている
。
化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウムなどの無機系光導
電性物質が主に用いられており、その中で最近は、アモ
ルファスシリコン等の研究・開発も盛んに行われている
。
他方、有機光導電性物質(OP C)を使用する感光材
料は、無機系光導電性物質に比べて一般に毒性が弱く、
かつ可撓性や軽量性、製膜性、コスト等において有利で
あることから、最近注目されてきている。
料は、無機系光導電性物質に比べて一般に毒性が弱く、
かつ可撓性や軽量性、製膜性、コスト等において有利で
あることから、最近注目されてきている。
いずれの電子写真感光体に於いても電荷の発生と輸送と
いう両機能を分離して各層にもたしめた機能分離型感光
体は、この各々の機能を独立して設定することが可能で
、感光体設計上、選択の幅が広がり有利である。
いう両機能を分離して各層にもたしめた機能分離型感光
体は、この各々の機能を独立して設定することが可能で
、感光体設計上、選択の幅が広がり有利である。
また、機能分離型感光体では、電子写真感光体を向上さ
せることができ、感度、繰り返し特性、機械強度等の点
で優れる。
せることができ、感度、繰り返し特性、機械強度等の点
で優れる。
かかる電子写真感光体は、一般に電子写真複写機、プリ
ンター等に広く用いられている。例えばコンピュータの
端末に半導体レーザーを光源とするプリンターが用いら
れている。こうしたプリンターに組み込む電子写真感光
体は近赤外領域に高感度をもたなくてはならない。
ンター等に広く用いられている。例えばコンピュータの
端末に半導体レーザーを光源とするプリンターが用いら
れている。こうしたプリンターに組み込む電子写真感光
体は近赤外領域に高感度をもたなくてはならない。
また、半導体レーザー使用のプリンターに、白色光を光
源として複写機能をもたせた装置の開発も進められてい
る。
源として複写機能をもたせた装置の開発も進められてい
る。
この場合、感光体では、まず、プリンター機能に適応す
るために近赤外領域に高感度を有し、かつ複写機能に適
応するために可視光領域の光に高感度でなければならな
い。即ち、上記の如きプリンター機能と白色光を光源と
した複写機能との両機能を備えた装置に適用できる電子
写真感光体の開発が要請されている。
るために近赤外領域に高感度を有し、かつ複写機能に適
応するために可視光領域の光に高感度でなければならな
い。即ち、上記の如きプリンター機能と白色光を光源と
した複写機能との両機能を備えた装置に適用できる電子
写真感光体の開発が要請されている。
例えば、特開昭47−37543号、同55−2283
4号、同54−79632号、同56−116040号
公報等によりすでに知られているビスアゾ化合物を含有
する感光体としては、短波長及び中波長域で比較的良好
な感度を示すが、長波長域での感度が低く、半窩体光源
を用いるレーザプリンターには用いることができなかっ
た。
4号、同54−79632号、同56−116040号
公報等によりすでに知られているビスアゾ化合物を含有
する感光体としては、短波長及び中波長域で比較的良好
な感度を示すが、長波長域での感度が低く、半窩体光源
を用いるレーザプリンターには用いることができなかっ
た。
現在広く使用されているガリウムーアルミニウムーヒ素
(Ga−Af−As)系発光素子は発振波長が750n
m以上であり、このような長波長域に感度を有する有機
系感光体としては、例えば、特公昭49−4338号、
特開昭58−182639号、60−19151号公報
に記載されているχ、τ、ビ、η、η′型型金金属フタ
ロシアニン化合物挙げられる。
(Ga−Af−As)系発光素子は発振波長が750n
m以上であり、このような長波長域に感度を有する有機
系感光体としては、例えば、特公昭49−4338号、
特開昭58−182639号、60−19151号公報
に記載されているχ、τ、ビ、η、η′型型金金属フタ
ロシアニン化合物挙げられる。
しかし、このような長波長域に高感度を有する電子写真
感光体は、中波長域から短波長域での光感度が充分では
なく、白色光源等を光源とする複写機能には対応できな
かった。
感光体は、中波長域から短波長域での光感度が充分では
なく、白色光源等を光源とする複写機能には対応できな
かった。
前述のように、可視光用電子写真感光体及び半導体レー
ザー光用電子写真感光体は、それぞれ単独では比較的良
好な性能が得られているが、短波長域から長波長域まで
幅広く感度を有する感光体は現在得られていない。
ザー光用電子写真感光体は、それぞれ単独では比較的良
好な性能が得られているが、短波長域から長波長域まで
幅広く感度を有する感光体は現在得られていない。
更に、最近、電子写真複写機、プリンターの高速化に伴
い、複写プロセスに要する時間が著しく短縮されると共
に、複写回数も増大し、感光体の高感度化、高耐久化が
要求されてきている。
い、複写プロセスに要する時間が著しく短縮されると共
に、複写回数も増大し、感光体の高感度化、高耐久化が
要求されてきている。
ハ0発明の目的
本発明の目的は、可視光から近赤外領域に亘って高感度
の分光感度特性を有し、プリンター機能と白色光を光源
とする複写機能との両機能を備えた装置に適用でき、か
つ繰り返し特性に優れている複写プロセスの高速化に対
応できるような感光体を提供することである。
の分光感度特性を有し、プリンター機能と白色光を光源
とする複写機能との両機能を備えた装置に適用でき、か
つ繰り返し特性に優れている複写プロセスの高速化に対
応できるような感光体を提供することである。
二9発明の構成及びその作用効果
本発明は、フタロシアニン系化合物と下記一般式(1)
で表される化合物とをキャリア発生物質として含有する
層を有する感光体に係るものである。
で表される化合物とをキャリア発生物質として含有する
層を有する感光体に係るものである。
一般式(1)
(X’及びX2は、それぞれ、ハロゲン原子、置゛換若
しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアル
コキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基又は置換
若しくは未置換のアミノ基を表し、Xl及びx2のうち
少なくとも1つはハロゲン原子である。
しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアル
コキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基又は置換
若しくは未置換のアミノ基を表し、Xl及びx2のうち
少なくとも1つはハロゲン原子である。
p及びqはそれぞれOll又は2の整数を表し、p及び
qは同時に0となることはなく、且つ、pが2のときは
XI は互いに同一の又は異なる基であってよく、qが
2のときはX2は互いに同一の又は異なる基であってよ
い。
qは同時に0となることはなく、且つ、pが2のときは
XI は互いに同一の又は異なる基であってよく、qが
2のときはX2は互いに同一の又は異なる基であってよ
い。
Aは下記一般式(II)で表わされる基を表す。
一般式(II)
(式中、Arは少なくともフッ素化炭化水素基を有する
芳香族炭素環基又は芳香族複素環基を表す。
芳香族炭素環基又は芳香族複素環基を表す。
Zは置換若しくは未置換の芳香族炭素環又は置換若しく
は未置換の芳香族複素環を形成するのに必要な非金属原
子群を表す。) m及びnはそれぞれ0.1又は2の整数を表す。
は未置換の芳香族複素環を形成するのに必要な非金属原
子群を表す。) m及びnはそれぞれ0.1又は2の整数を表す。
但し、m及びnが同時に0となることはない。〕本発明
によれば、フタロシアニン系化合物と一般式(I)で表
される化合物とをキャリア発生物質として含有する層を
設けている点に顕著な特徴を有する。
によれば、フタロシアニン系化合物と一般式(I)で表
される化合物とをキャリア発生物質として含有する層を
設けている点に顕著な特徴を有する。
即ち、フタロシアニン系化合物は、例えば第1図に示す
ような分光感度スペクトルを有しており(τ型無金属フ
タロシアニン)、その感光波長域は主として長波域に亘
、す、7130nm付近に吸収ピークを有している。
ような分光感度スペクトルを有しており(τ型無金属フ
タロシアニン)、その感光波長域は主として長波域に亘
、す、7130nm付近に吸収ピークを有している。
しかし、フタロシアニン系化合物は長波長域に良好な光
感度を有するものではあるが、前述したように、これの
みでは白色光源等を光源とする複写機には対応できなか
った。
感度を有するものではあるが、前述したように、これの
みでは白色光源等を光源とする複写機には対応できなか
った。
この対策として、他のキやリア発生物質を併用して中波
長、短波長側を増悪することも考えられるが、問題は組
み合わせるべきキャリア発生物質の選択であって、この
選択によっては、かえってフタロシアニン系化合物の長
波長側の本来の光感度が損なわれるおそれもある。また
、かかる選択については必ずしも一律的な選択手段があ
るというものでもなく、数多くの化合物の中から実験の
積み重ねによって決定しているのが実情といえる。
長、短波長側を増悪することも考えられるが、問題は組
み合わせるべきキャリア発生物質の選択であって、この
選択によっては、かえってフタロシアニン系化合物の長
波長側の本来の光感度が損なわれるおそれもある。また
、かかる選択については必ずしも一律的な選択手段があ
るというものでもなく、数多くの化合物の中から実験の
積み重ねによって決定しているのが実情といえる。
ここにおいて、本発明者は、フタロシアニン系化合物と
一般式(1)で表される化合物とを併用することにより
、満足できる結果の得られることを見出した。
一般式(1)で表される化合物とを併用することにより
、満足できる結果の得られることを見出した。
即ち、一般式〔【〕で表される化合物は、例えば第1図
に示すような分光感度スペクトルを示すものであるが(
後述の例示アゾ化合物Na71) 、これとフタロシア
ニン系化合物(τ型無金属フタロシアニン)とを併用す
ることにより、第1図に示すように600nm以下の短
波長側を著しく増悪しつつ、フタロシアニン系化合物本
来の良好な長波長側の光感度を保持することが可能とな
ったり、また、繰り返し使用時も電位の履歴を小さくで
きた。
に示すような分光感度スペクトルを示すものであるが(
後述の例示アゾ化合物Na71) 、これとフタロシア
ニン系化合物(τ型無金属フタロシアニン)とを併用す
ることにより、第1図に示すように600nm以下の短
波長側を著しく増悪しつつ、フタロシアニン系化合物本
来の良好な長波長側の光感度を保持することが可能とな
ったり、また、繰り返し使用時も電位の履歴を小さくで
きた。
なお、実施例の項で後述する、比較アゾ化合物とτ型無
金属フタロシアニンとの併用の例を第1図に示す。これ
によると、長波長側、短波長側共に相当に感度が低下し
ていることが解る。
金属フタロシアニンとの併用の例を第1図に示す。これ
によると、長波長側、短波長側共に相当に感度が低下し
ていることが解る。
これによ冒穀可視域で主たる分光感度が必要な複写機(
例えば蛍光灯、ハロゲンランプ、キセノンランプ等の画
像信号−アナログ信号)として好適となり、かつ可視光
領域中の長波長側あるいは赤外域で主たる分光感度が必
要なプリンター(例えば発光ダイオード、He−Neレ
ーザー等の気体レーザー、半導体レーザー等の画像信号
=デジタル信号)として好適となる。この意味で、アナ
ログ/デジタルの両方式を夫々実現できる。
例えば蛍光灯、ハロゲンランプ、キセノンランプ等の画
像信号−アナログ信号)として好適となり、かつ可視光
領域中の長波長側あるいは赤外域で主たる分光感度が必
要なプリンター(例えば発光ダイオード、He−Neレ
ーザー等の気体レーザー、半導体レーザー等の画像信号
=デジタル信号)として好適となる。この意味で、アナ
ログ/デジタルの両方式を夫々実現できる。
また、本発明においては、比較的厚い「多環キノン系化
合物等をキャリア発生物質として含有する層」を形成し
ても感光体としての特性が良好であり、従って段ムラ、
液ダレ、凝集などの製造時の塗布欠陥の発生が少なく生
産上有利である。
合物等をキャリア発生物質として含有する層」を形成し
ても感光体としての特性が良好であり、従って段ムラ、
液ダレ、凝集などの製造時の塗布欠陥の発生が少なく生
産上有利である。
以下、具体的な構成について述べる。
フタロシアニン系化合物と一般式CI)で表される化合
物との層中の含有量比は、重量比(フタロシアニン系化
合物:、=g式(I)で表される化合物)で、(100
: O) 〜(10: 100 ”) (7)範囲内で
あるのが好ましく、(100:50)〜(50: 10
0 )の範囲内であるのが更に好ましい。
物との層中の含有量比は、重量比(フタロシアニン系化
合物:、=g式(I)で表される化合物)で、(100
: O) 〜(10: 100 ”) (7)範囲内で
あるのが好ましく、(100:50)〜(50: 10
0 )の範囲内であるのが更に好ましい。
一般式(1)のXl及びX2により表わされるハロゲン
原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素
原子を挙げることができる。
原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素
原子を挙げることができる。
本発明のビスアゾ化合物はXI及びX2のうち、少なく
とも一方がハロゲン原子を有している。
とも一方がハロゲン原子を有している。
Xl及びX2で表されるアルキル基としては炭素原子数
1ないし4個の置換若しくは未置換のアルキル基が好ま
しく、このようなアルキル基の例としては、例えばメチ
ル基、エチル基、β−シアノエチル基、1so−プロピ
ル基、トリフルオロメチル基、t−ブチル基等が挙げら
れる。
1ないし4個の置換若しくは未置換のアルキル基が好ま
しく、このようなアルキル基の例としては、例えばメチ
ル基、エチル基、β−シアノエチル基、1so−プロピ
ル基、トリフルオロメチル基、t−ブチル基等が挙げら
れる。
またXI及びX2で表わされるアルコキシ基は、炭素原
子数が1ないし4個の置換若しくは未置換のアルコキシ
基が好ましく、このようなアルコキシ基の例としては、
メトキシ基、エトキシ基、β−クロルエトキシ基、5e
c−ブトキシ基等が挙げられる。
子数が1ないし4個の置換若しくは未置換のアルコキシ
基が好ましく、このようなアルコキシ基の例としては、
メトキシ基、エトキシ基、β−クロルエトキシ基、5e
c−ブトキシ基等が挙げられる。
更にまた、Xl及びX2で表わされる置換若しくは未置
換のアミノ基としては、例えばアルキル基、了り−ル基
(好ましくはフェニル基)等で置換されたもの、例えば
N−メチルアミノ基、N−エチルアミノ基、N、N−ジ
メチルアミノ基、N。
換のアミノ基としては、例えばアルキル基、了り−ル基
(好ましくはフェニル基)等で置換されたもの、例えば
N−メチルアミノ基、N−エチルアミノ基、N、N−ジ
メチルアミノ基、N。
N−ジエチルアミノ基、N−フェニルアミノ基、N、N
−ジフェニルアミノ基や、更にはアシル基で置換された
アセチルアミノ基、p−クロルベンゾイルアミノ基等が
挙げられる。
−ジフェニルアミノ基や、更にはアシル基で置換された
アセチルアミノ基、p−クロルベンゾイルアミノ基等が
挙げられる。
前記一般式CI)においてp及びqは、それぞれ、Ol
l又は2を表わすが、p及びqは同時にOとなることは
なく、好ましくはp=1、q=。
l又は2を表わすが、p及びqは同時にOとなることは
なく、好ましくはp=1、q=。
又はp=1、q=1の場合である。
更にまたp又はqが2のときは、XI又はx2は、それ
ぞれ同−又は異なる基をとることができる。
ぞれ同−又は異なる基をとることができる。
また、前記一般式CI)において、Aは下記−般式(I
I)で表わされる。
I)で表わされる。
一般式(n)
ゝ”z”’
式中、Arはフッ素化炭化水素基を少なくとも1個有す
る芳香族炭素環基又は芳香族複素環基を表わすが、前記
フッ素化炭化水素基の炭素原子数1ないし4のフッ素化
炭化水素基が好ましく、例えば、トリフルオロメチル基
、ペンクフルオロエチル基、テトラフルオロエチル基、
ヘプタフルオロプロピル基等が挙げられる。このうちさ
らに好ましいフ・ノ素化炭化水素基はトリフルオロメチ
ル基である。また、前記芳香族炭素環基の例としてはフ
ェニル基、ナフチル基、アンスリル基等が挙げられ、好
ましくはフェニル基である。さらに前記芳香族複素環基
としては、例えば、カルバゾリル基、ジベンゾフリル基
等が挙げられる。さらにまた前記芳香族炭素環基及び芳
香族複素環基において前記フッ素化炭化水素基以外の置
換基としては、例えば、炭素原子数1ないし4個の置換
及び未置換のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、
イソプロピル基、t−ブチル基、トリフルオロメチル基
環;置換及び未置換のアラルキル基、例えばベンジル基
、フェネチル基環;ハロゲン原子、例えば塩素原子、臭
素原子、フッ素原子、沃素原子;炭素原子数1〜4個の
置換若しくは未置換のアルコキシ基、例えばメトキシ基
、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基、2
−クロルエトキシ基等;ヒドロキシ基;置換若しくは未
置換のアリールオキシ基、例えばp−クロルフェノキシ
基、1−ナフトキ、シ基等;アシルオキシ基、例えばア
セチルオキシ基、p−シアノベンゾイルオキシ基環;カ
ルボキシル基、そのエステル基、例えばエトキシカルボ
ニル基、m−ブロモフェノキシカルボニル基;カルバモ
イル基、例えばアミノカルボニル基、t−ブチルアミノ
カルボニル基、アニリノカルボニル基環;アシル基、例
えばアセチル基、O−ニトロベンゾイル基等;スルホ基
、スルファモイル基、例えばアミノスルホニル基、t−
ブチルアミノスルホニル基、p−トリルアミノスルホニ
ル基等;アミノ基、アシルアミノ基、例えばアセチルア
ミノ基、ベンゾイルアミノ基環;スルホンアミド基、例
えばメタンスルホンアミド基、p−)ルエンスルホンア
ミド基等;シアノ基;ニトロ基等が挙げられる。これら
置換基のうち、好ましいものは炭素原子数1ないし4個
の置換・未置換のアルキル基、例えばメチル基、エチル
基、イソプロピル基、t−ブチル基、トリフルオロメチ
ル基等;ハロゲン原子、例えば塩素原子、臭素原子、フ
ッ素原子、沃素原子;炭素原子数1ないし4個の置換・
未置換のアルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ基
、t−ブトキシ基、2−クロルエトキシ基環;ニトロ基
;シアノ基等である。
る芳香族炭素環基又は芳香族複素環基を表わすが、前記
フッ素化炭化水素基の炭素原子数1ないし4のフッ素化
炭化水素基が好ましく、例えば、トリフルオロメチル基
、ペンクフルオロエチル基、テトラフルオロエチル基、
ヘプタフルオロプロピル基等が挙げられる。このうちさ
らに好ましいフ・ノ素化炭化水素基はトリフルオロメチ
ル基である。また、前記芳香族炭素環基の例としてはフ
ェニル基、ナフチル基、アンスリル基等が挙げられ、好
ましくはフェニル基である。さらに前記芳香族複素環基
としては、例えば、カルバゾリル基、ジベンゾフリル基
等が挙げられる。さらにまた前記芳香族炭素環基及び芳
香族複素環基において前記フッ素化炭化水素基以外の置
換基としては、例えば、炭素原子数1ないし4個の置換
及び未置換のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、
イソプロピル基、t−ブチル基、トリフルオロメチル基
環;置換及び未置換のアラルキル基、例えばベンジル基
、フェネチル基環;ハロゲン原子、例えば塩素原子、臭
素原子、フッ素原子、沃素原子;炭素原子数1〜4個の
置換若しくは未置換のアルコキシ基、例えばメトキシ基
、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基、2
−クロルエトキシ基等;ヒドロキシ基;置換若しくは未
置換のアリールオキシ基、例えばp−クロルフェノキシ
基、1−ナフトキ、シ基等;アシルオキシ基、例えばア
セチルオキシ基、p−シアノベンゾイルオキシ基環;カ
ルボキシル基、そのエステル基、例えばエトキシカルボ
ニル基、m−ブロモフェノキシカルボニル基;カルバモ
イル基、例えばアミノカルボニル基、t−ブチルアミノ
カルボニル基、アニリノカルボニル基環;アシル基、例
えばアセチル基、O−ニトロベンゾイル基等;スルホ基
、スルファモイル基、例えばアミノスルホニル基、t−
ブチルアミノスルホニル基、p−トリルアミノスルホニ
ル基等;アミノ基、アシルアミノ基、例えばアセチルア
ミノ基、ベンゾイルアミノ基環;スルホンアミド基、例
えばメタンスルホンアミド基、p−)ルエンスルホンア
ミド基等;シアノ基;ニトロ基等が挙げられる。これら
置換基のうち、好ましいものは炭素原子数1ないし4個
の置換・未置換のアルキル基、例えばメチル基、エチル
基、イソプロピル基、t−ブチル基、トリフルオロメチ
ル基等;ハロゲン原子、例えば塩素原子、臭素原子、フ
ッ素原子、沃素原子;炭素原子数1ないし4個の置換・
未置換のアルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ基
、t−ブトキシ基、2−クロルエトキシ基環;ニトロ基
;シアノ基等である。
前記一般式(II)において、Zは置換・未置換の芳香
族炭素環、または置換・未置換の芳香族複素環を形成す
るに必要な原子群であって、具体的には例えば置換・未
置換のベンゼン環、置換・未置換のナフタレン環、置換
・未置換のインドール環、置換・未置換のカルバゾール
環等を形成するのに必要な原子群を表わす。
族炭素環、または置換・未置換の芳香族複素環を形成す
るに必要な原子群であって、具体的には例えば置換・未
置換のベンゼン環、置換・未置換のナフタレン環、置換
・未置換のインドール環、置換・未置換のカルバゾール
環等を形成するのに必要な原子群を表わす。
これらの環を形成するのに必要な原子群の置換基として
は、例えばArの直換基として挙げたような一連の置換
基が列挙されるが、好ましくはハロゲン原子(塩素原子
、臭素原子、弗素原子、沃素原子)、スルホ基、スルフ
ァモイル基(例えばアミノスルホニル基、p−1−リル
アミノスルホニル基等)である。
は、例えばArの直換基として挙げたような一連の置換
基が列挙されるが、好ましくはハロゲン原子(塩素原子
、臭素原子、弗素原子、沃素原子)、スルホ基、スルフ
ァモイル基(例えばアミノスルホニル基、p−1−リル
アミノスルホニル基等)である。
本発明の前記一般式CI)で表わされるビスアゾ化合物
は、好ましくは下記一般式(II[)、(rv 〕、(
V)、(Vr)で表わされる。
は、好ましくは下記一般式(II[)、(rv 〕、(
V)、(Vr)で表わされる。
(以下余白)
り−一
々 ″
式中、x”、XIb、X2″およびX2bは、それぞれ
水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、ニトロ基、
シアノ基、ヒドロキシ基又は置換若しくは未置換のアミ
ノ基を表わし、)(Ill、Xlb、>(2aおよびX
tbのうち、少なくとも1つはハロゲン原子である。X
1′lおよび)(Ib、並びにX21およびXZbは、
それぞれ互いに同−又は異なる基であってもよい。
水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、ニトロ基、
シアノ基、ヒドロキシ基又は置換若しくは未置換のアミ
ノ基を表わし、)(Ill、Xlb、>(2aおよびX
tbのうち、少なくとも1つはハロゲン原子である。X
1′lおよび)(Ib、並びにX21およびXZbは、
それぞれ互いに同−又は異なる基であってもよい。
Ar′は前記一般式(1)におけるArと同義である。
Yは前記一般式CI )ImおけるZの置換基と同義で
ある。
ある。
下記に本発明の前記一般式(1)で示されるビスアゾ化
合物の具体例について述べるがこれによって本発明のビ
スアゾ化合物が限定されるものではない。
合物の具体例について述べるがこれによって本発明のビ
スアゾ化合物が限定されるものではない。
(以下余白)
−ω■−静
の下余白)
前記一般式(I)で表わされるビスアゾ化合物は、公知
の方法により容易に合成することができる。
の方法により容易に合成することができる。
合成例1(例示化合物阻71の合成)
2.7−ジアミツー4−ブロム−9−フルオレノン2.
89g (0,01モル)を塩酸IQm I! 、水2
0mfに分散し、5℃以下に保ちつつ亜硝酸ナトリウム
1.40g (0,02モル)を水5mlに溶した溶液
を滴下した。同温度でさらに1時間攪拌をつづけた後、
不溶物を濾過除去し、濾液に六弗化燐酸アンモニウム4
.6gを水50mj!に溶かした溶液を加えた。
89g (0,01モル)を塩酸IQm I! 、水2
0mfに分散し、5℃以下に保ちつつ亜硝酸ナトリウム
1.40g (0,02モル)を水5mlに溶した溶液
を滴下した。同温度でさらに1時間攪拌をつづけた後、
不溶物を濾過除去し、濾液に六弗化燐酸アンモニウム4
.6gを水50mj!に溶かした溶液を加えた。
析出したテトラゾニウム塩を濾取し、N、N−ジメチル
ホルムアミド(DMF)100 mlに溶解した。5℃
以下に保ちながら、2−ヒドロキシ−3−ナフトエfl
−3−)リフルオロメチルアニリド6.62g (0,
02モル)をDMF200mffiに溶かした溶液を滴
下した。
ホルムアミド(DMF)100 mlに溶解した。5℃
以下に保ちながら、2−ヒドロキシ−3−ナフトエfl
−3−)リフルオロメチルアニリド6.62g (0,
02モル)をDMF200mffiに溶かした溶液を滴
下した。
ひきつづき5℃以下に保ちながらトリエタノールアミン
6 g (0,04モル)をDMF30mJに溶解した
ものを滴下し、5℃以下で1時間、室温で4時間攪拌し
た。反応後析出晶を濾取し、DMF洗浄、水洗浄して乾
燥し、目的物8.71 gを得た理論値 C=60.5%、H=2.77%、N=8.63%実測
値 C=60.1%、H=2.95%、N=8.72%合成
例2(例示化合物隘219の合成)2.7−ジアミツー
4−ブロム−9−フルオレノン2.89g (0,01
モル)を塩酸IQm l、水2Qmj!に分散し、5℃
以下に保ちつつ亜硝酸ナトリウム1.40g (0,0
2モル)を水5mlに溶した溶液を滴下した。同温度で
さらに1時間攪拌をつづけた後、不溶物を濾過除去し、
濾液に六弗化燐酸アンモニウム4.6gを水50mIt
に溶かした溶液を加えた。
6 g (0,04モル)をDMF30mJに溶解した
ものを滴下し、5℃以下で1時間、室温で4時間攪拌し
た。反応後析出晶を濾取し、DMF洗浄、水洗浄して乾
燥し、目的物8.71 gを得た理論値 C=60.5%、H=2.77%、N=8.63%実測
値 C=60.1%、H=2.95%、N=8.72%合成
例2(例示化合物隘219の合成)2.7−ジアミツー
4−ブロム−9−フルオレノン2.89g (0,01
モル)を塩酸IQm l、水2Qmj!に分散し、5℃
以下に保ちつつ亜硝酸ナトリウム1.40g (0,0
2モル)を水5mlに溶した溶液を滴下した。同温度で
さらに1時間攪拌をつづけた後、不溶物を濾過除去し、
濾液に六弗化燐酸アンモニウム4.6gを水50mIt
に溶かした溶液を加えた。
析出したテトラゾニウム塩を濾取し、N、N−ジメチル
ホルムアミド(DMF)100 mlに溶解した。5℃
以下に保ちながら、2−ヒドロキシ−3−(3’−)リ
フルオロメチルフェニルカルバモイル)ベンゾ[a)カ
ルバゾール8.40g (0,02)モルをDMF20
0mffiに溶かした溶液を滴下した。
ホルムアミド(DMF)100 mlに溶解した。5℃
以下に保ちながら、2−ヒドロキシ−3−(3’−)リ
フルオロメチルフェニルカルバモイル)ベンゾ[a)カ
ルバゾール8.40g (0,02)モルをDMF20
0mffiに溶かした溶液を滴下した。
ひきつづき5℃以下に保ちながらトリエタノールアミン
6 g (0,04モル)をDMF30mlに溶解した
ものを滴下し、5℃以下で1時間、室温で4時間攪拌し
た。反応後析出晶を濾取し、DMF洗浄、水洗浄して乾
燥し、目的物5.2gを得た。
6 g (0,04モル)をDMF30mlに溶解した
ものを滴下し、5℃以下で1時間、室温で4時間攪拌し
た。反応後析出晶を濾取し、DMF洗浄、水洗浄して乾
燥し、目的物5.2gを得た。
理論値
C=63.6%、H=2.87%、N=9.73%実測
値 C=63.4%、H=2.97%、N = 10.01
%本発明の他の化合物も前記合成例1と同様にそれぞれ
対応するアミノ化合物を用いてジアゾニウム塩を作り、
次いで2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸−置換アニリド
又は2−ヒドロキシ−3−(置換フェニルカルバモイル
)ベンツ(a) −”11換・未置換カルバゾールと反
応させて作ることができる。
値 C=63.4%、H=2.97%、N = 10.01
%本発明の他の化合物も前記合成例1と同様にそれぞれ
対応するアミノ化合物を用いてジアゾニウム塩を作り、
次いで2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸−置換アニリド
又は2−ヒドロキシ−3−(置換フェニルカルバモイル
)ベンツ(a) −”11換・未置換カルバゾールと反
応させて作ることができる。
次に、「フタロシアニン系化合物」について述べる。
有機系光導電材料の一つであるフタロシアニン系化合物
は、他のものに比べ感光域が長波長域に拡大しているこ
とが知られている。そしてα型のフタロシアニン化合物
が結晶形の安定なβ型のフタロシアニン化合物に変わる
過程で各種結晶形のフタロシアニン化合物が見出されて
いる。
は、他のものに比べ感光域が長波長域に拡大しているこ
とが知られている。そしてα型のフタロシアニン化合物
が結晶形の安定なβ型のフタロシアニン化合物に変わる
過程で各種結晶形のフタロシアニン化合物が見出されて
いる。
「フタロシア少ン系化合物」は無金属フタロシアニン化
合物、金属フタロシアニン化合物の一方又は両方を組み
合わせて使用でき、また、これらのそれぞれにおいて金
属、無金属め各々のフタロシアニン化合物に属する単数
又は複数のフタロシアニン化合物が使用できる。無金属
フタロシアニン化合物には、例えばα、β、γ、τ、τ
′、η、η′、X型無金属フタロシアニン化合物等が挙
げられる。無金属フタロシアニン化合物は、感度、帯電
安定性に優れているという特長がある。これらのうちの
無金属フタロシアニンのいくつかの特性値を示すと表1
のようになる。
合物、金属フタロシアニン化合物の一方又は両方を組み
合わせて使用でき、また、これらのそれぞれにおいて金
属、無金属め各々のフタロシアニン化合物に属する単数
又は複数のフタロシアニン化合物が使用できる。無金属
フタロシアニン化合物には、例えばα、β、γ、τ、τ
′、η、η′、X型無金属フタロシアニン化合物等が挙
げられる。無金属フタロシアニン化合物は、感度、帯電
安定性に優れているという特長がある。これらのうちの
無金属フタロシアニンのいくつかの特性値を示すと表1
のようになる。
(以下余白)
表−1
低下余白)
なお、これらの無金属フタロシアニン化合物は特公昭β
9−4338号公報、特開昭60−19154号公報、
特開昭58−182639号公報に詳細に記載されてい
る。
9−4338号公報、特開昭60−19154号公報、
特開昭58−182639号公報に詳細に記載されてい
る。
無金属フタロシアニンとしては第2図に示す如きX線回
折スペクトルを有するものがある。即ち、この無金属フ
タロシアニンは図示するように、Cu K ex (1
,541人)のXwAに対するブランク角度(但し、誤
差は2θ±0.2度)は?、5.9.1.16.7.1
7.3.22.3度にピークを有し、ブラッグ角度22
.3度にτ型にない特徴的なピークを有する。
折スペクトルを有するものがある。即ち、この無金属フ
タロシアニンは図示するように、Cu K ex (1
,541人)のXwAに対するブランク角度(但し、誤
差は2θ±0.2度)は?、5.9.1.16.7.1
7.3.22.3度にピークを有し、ブラッグ角度22
.3度にτ型にない特徴的なピークを有する。
また、その赤外線吸収スペクトルの特徴は、第3図のよ
うに、746C11−’、700〜750CIII−1
の間に3つのピーク、1318cm−’、1330CI
11−’に強度の等しいピークがある。
うに、746C11−’、700〜750CIII−1
の間に3つのピーク、1318cm−’、1330CI
11−’に強度の等しいピークがある。
また、第4図に示すように、Cu K a (1,54
1人)のX線に対するブラッグ角度2θ(但し、誤差は
2θ±0.2度)が7.7.9.3.16.9.17.
5.22.4.28.8度に主要なピークを有するX線
回折スペクトルを有し、かつこのX&’!回折スペクト
ルの上記ブラッグ角変9,3度のピークに対するブラッ
グ角度16.9度のピークの強度比が0.8〜1.0で
あり、かつ上記ブラッグ角度9.3度のピークに対する
ブラッグ角度22.4及び28.8度のそれぞれのピー
クの強度比が0.4以上である無金属フタロシアニンを
用いることができる。このフタロシアニンは、第2図の
ものに比べて、ブラッグ角度28.8度に特徴的なピー
クを有する。
1人)のX線に対するブラッグ角度2θ(但し、誤差は
2θ±0.2度)が7.7.9.3.16.9.17.
5.22.4.28.8度に主要なピークを有するX線
回折スペクトルを有し、かつこのX&’!回折スペクト
ルの上記ブラッグ角変9,3度のピークに対するブラッ
グ角度16.9度のピークの強度比が0.8〜1.0で
あり、かつ上記ブラッグ角度9.3度のピークに対する
ブラッグ角度22.4及び28.8度のそれぞれのピー
クの強度比が0.4以上である無金属フタロシアニンを
用いることができる。このフタロシアニンは、第2図の
ものに比べて、ブラッグ角度28.8度に特徴的なピー
クを有する。
このフタロシアニンは、第4図から明らかなように、第
5図に示し°たτ型無金属フタロシアニンについては、
上記前者の強度比に対応するブラッグ角度9.2度のピ
ークに対するブラッグ角度16.9度のピークの強度比
が0゜9〜1.0であるが上記後者の強度比については
一方のブラッグ角度を持たないため強度比を求められな
いのと異なり、また、第2図に示した無金属フタロシア
ニンについては上記前者の強度比に対応するブラッグ角
度9.1度のピークに対するブラッグ角度16.7度の
ピークの強度比が0.4〜0.6であるのが上記後者の
強度比に対してはブラッグ角度28.8度に対応するピ
ークがなくてその強度比を求められないのと異なる。
5図に示し°たτ型無金属フタロシアニンについては、
上記前者の強度比に対応するブラッグ角度9.2度のピ
ークに対するブラッグ角度16.9度のピークの強度比
が0゜9〜1.0であるが上記後者の強度比については
一方のブラッグ角度を持たないため強度比を求められな
いのと異なり、また、第2図に示した無金属フタロシア
ニンについては上記前者の強度比に対応するブラッグ角
度9.1度のピークに対するブラッグ角度16.7度の
ピークの強度比が0.4〜0.6であるのが上記後者の
強度比に対してはブラッグ角度28.8度に対応するピ
ークがなくてその強度比を求められないのと異なる。
また、第4図の無金属フタロシアニンの赤外線吸収スペ
クトルは第6図に示すように、700〜760cm−’
の間に720±2cm−’が最も強い4本の吸収帯、1
320±2C111−’、3288±30−1に特徴的
な吸収を有 ′するものが望ましく、τ型無金属フ
タロシアニンが上記したように700〜760 cm−
’の間に752±2■−1が最も強い4本の吸収帯を有
し、1320〜1340el11− ’、に1本でなく
2本の吸収帯を有するのと異なる。また、この無金属フ
タロシアニンは、第2図の無金属フタロシアニンの赤外
線吸収スペクトルとは700〜760cA−’のピーク
の強度比が異なり、また1330cm−’に吸収帯を有
さす、3288±3cm−’に特徴的な吸収を有する点
で異なる。
クトルは第6図に示すように、700〜760cm−’
の間に720±2cm−’が最も強い4本の吸収帯、1
320±2C111−’、3288±30−1に特徴的
な吸収を有 ′するものが望ましく、τ型無金属フ
タロシアニンが上記したように700〜760 cm−
’の間に752±2■−1が最も強い4本の吸収帯を有
し、1320〜1340el11− ’、に1本でなく
2本の吸収帯を有するのと異なる。また、この無金属フ
タロシアニンは、第2図の無金属フタロシアニンの赤外
線吸収スペクトルとは700〜760cA−’のピーク
の強度比が異なり、また1330cm−’に吸収帯を有
さす、3288±3cm−’に特徴的な吸収を有する点
で異なる。
また、第4図の無金属フタロシアニンの可視、近赤外線
吸収スペクトルは第7図に実線で示すように、770n
m以上、790nm未満に吸収極大があることが望まし
く、破線で示すτ型無金属フタロシアニンが790〜8
20nmに吸収極大を持ち、多くは約810nmに吸収
極大を持つものと異なる。
吸収スペクトルは第7図に実線で示すように、770n
m以上、790nm未満に吸収極大があることが望まし
く、破線で示すτ型無金属フタロシアニンが790〜8
20nmに吸収極大を持ち、多くは約810nmに吸収
極大を持つものと異なる。
これらの無金属フタロシアニン化合物はその結晶形が安
定で、アセトン、テトラヒドロフラン、トルエン、酢酸
エチル、1,2−ジクロロエタン等の有機溶剤に浸漬し
たり、例えば200℃に50時間放置したり、さらには
ミリング等の機械的歪力を加えてもその結晶形の転移が
起こり難く、感光体の繰り返し使用に対する電位安定性
等にも優れており、好ましい、なおこれは特願昭61−
295784号明細書等に詳細に記載されている。
定で、アセトン、テトラヒドロフラン、トルエン、酢酸
エチル、1,2−ジクロロエタン等の有機溶剤に浸漬し
たり、例えば200℃に50時間放置したり、さらには
ミリング等の機械的歪力を加えてもその結晶形の転移が
起こり難く、感光体の繰り返し使用に対する電位安定性
等にも優れており、好ましい、なおこれは特願昭61−
295784号明細書等に詳細に記載されている。
無金属フタロシアニンは次の構造式からなっており、そ
の熱力学的状態で各種のものに分けられる。
の熱力学的状態で各種のものに分けられる。
金属フタロシアニン化合物も特公昭49−4338号公
報等に詳細に記載されている。また、例えばε型銅フタ
ロシアニンや特願昭62−241938号記載のチタニ
ルフクロシアニン等も挙げられる。
報等に詳細に記載されている。また、例えばε型銅フタ
ロシアニンや特願昭62−241938号記載のチタニ
ルフクロシアニン等も挙げられる。
特に半導体レーザーに好適なフタロシアニン系化合物を
例示する。
例示する。
(以下余白)
表−2LD用ラフタロシアニ
ン上の如きフタロシアニン系化合物は公知の方法により
合成することができるが、市販品として入手することも
で″きる。
合成することができるが、市販品として入手することも
で″きる。
電子写真感光体の構成は種々の形態が知られて(するが
、電子写真感光体はそれらのいずれの形態をもとり得る
。
、電子写真感光体はそれらのいずれの形態をもとり得る
。
通常は、第8図〜第13図の形態である。第8図及び第
9図では、導電性支持体1上に前述のフタロシアニン系
化合物及び一般式(1)で表される化合物と必要に応じ
てキャリア輸送物質を含有するキャリア発生N2と、後
述するキャリア輸送物質を主成分として含有するキャリ
ア輸送N3との積層体より成る感光層4A、4日を設け
ており、第8図と第9図では、キャリア発生層2とキャ
リア輸送層3の積層順が異なる。第10図及び第11図
に示すようにこれらの感光IJ4A、E3は、導電性支
持体上に、接着層、バリア層などの中間N5を介して設
けてもよい、このように感光層を二層構成としたときに
最も優れた電子写真特性を有する感光体が得られる。ま
た、第12図及び第13図に示すように前記フタロシア
ニン系化合物及び一般式(I)で表される化合物をキャ
リア輸送物質を含有するIWG中に分散せしめて成る感
光N4Dを導電性支持体1上に直接、あるいは中間層5
を介して設けてもよい。また最表面層として保護層を設
けてもよい。
9図では、導電性支持体1上に前述のフタロシアニン系
化合物及び一般式(1)で表される化合物と必要に応じ
てキャリア輸送物質を含有するキャリア発生N2と、後
述するキャリア輸送物質を主成分として含有するキャリ
ア輸送N3との積層体より成る感光層4A、4日を設け
ており、第8図と第9図では、キャリア発生層2とキャ
リア輸送層3の積層順が異なる。第10図及び第11図
に示すようにこれらの感光IJ4A、E3は、導電性支
持体上に、接着層、バリア層などの中間N5を介して設
けてもよい、このように感光層を二層構成としたときに
最も優れた電子写真特性を有する感光体が得られる。ま
た、第12図及び第13図に示すように前記フタロシア
ニン系化合物及び一般式(I)で表される化合物をキャ
リア輸送物質を含有するIWG中に分散せしめて成る感
光N4Dを導電性支持体1上に直接、あるいは中間層5
を介して設けてもよい。また最表面層として保護層を設
けてもよい。
本発明の構成において、[フタロシアニン系化合物及び
一般式CI]で表される化合物をキャリア発生物質とし
て含有する層」は、第8図〜第13図においては、キャ
リア発生層2、感光FI4Dに該当するものである。
一般式CI]で表される化合物をキャリア発生物質とし
て含有する層」は、第8図〜第13図においては、キャ
リア発生層2、感光FI4Dに該当するものである。
キャリア発生層2、感光IJ4Dは、導電性支持体1、
若しくはキャリア輸送層3上に直接、あるいは必要に応
じて接着層若しくはバリヤ層などの中間N5を設けた上
に例えば次の方法によって形成することができる。
若しくはキャリア輸送層3上に直接、あるいは必要に応
じて接着層若しくはバリヤ層などの中間N5を設けた上
に例えば次の方法によって形成することができる。
M−1)フタロシアニン系化合物及び一般式CI)で表
されるアゾ化合物を一緒に或いは別々に適当な溶媒に溶
解した溶液を、或いは必要に応じてバインダー樹脂を加
え混合溶解した溶液を塗布する方法。
されるアゾ化合物を一緒に或いは別々に適当な溶媒に溶
解した溶液を、或いは必要に応じてバインダー樹脂を加
え混合溶解した溶液を塗布する方法。
M−2)フタロシアニン系化合物及び一般式(I)で表
されるアゾ化合物を一緒に或いは別々にボールミル、ホ
モミキサ等によって分散媒中で微細粒子(好ましくは粒
径5μm以下、更に好ましくは1μm以下)とし、必要
に応じてバインダー樹脂を加え混合分散した分散液を塗
布する方法。
されるアゾ化合物を一緒に或いは別々にボールミル、ホ
モミキサ等によって分散媒中で微細粒子(好ましくは粒
径5μm以下、更に好ましくは1μm以下)とし、必要
に応じてバインダー樹脂を加え混合分散した分散液を塗
布する方法。
キャリア発生層の形成に使用される溶媒あるいは分散媒
としては、n−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレ
ンジアミン、イソプロパツールアミン、トリエタノール
アミン、トリエチレンジアミン、N、N−ジメチルホル
ムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム
、1.2−ジクロロエタン、1.2−ジクロロプロパン
、1.1.2−)ジクロロエタン、1.1.1−トリク
ロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエタン
、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
メタノール、エタノール、イソプロパツール、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソ
ルブ等が挙げられる。
としては、n−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレ
ンジアミン、イソプロパツールアミン、トリエタノール
アミン、トリエチレンジアミン、N、N−ジメチルホル
ムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム
、1.2−ジクロロエタン、1.2−ジクロロプロパン
、1.1.2−)ジクロロエタン、1.1.1−トリク
ロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエタン
、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
メタノール、エタノール、イソプロパツール、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソ
ルブ等が挙げられる。
また、キャリア輸送層は上記キャリア発生層と同様にし
て形成することができる。
て形成することができる。
キャリア発生層あるいはキャリア輸送層の形成に用いら
れるバインダー樹脂は任意のものを用いることができる
が、疎水性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィル
ム形成性高分子重合体を用いるのが好ましい、このよう
な高分子重合体としては、例えば次のものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。
れるバインダー樹脂は任意のものを用いることができる
が、疎水性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィル
ム形成性高分子重合体を用いるのが好ましい、このよう
な高分子重合体としては、例えば次のものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。
P−1)ポリカーボネート
P−2)ポリエステル
P−3)メタクリル酸
P−4)アクリル樹脂
P−5)ポリ塩化ビニル
P−6)ポリ塩化ビニリデン
P−7)ポリスチレン
P−8)ポリビニルアセテート
P−9)スチレンープクジエン共重合体P−10)塩化
ビニリデン−アクリロニトリル共重合体 P−11)塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体P−12)
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 P−13)シリコン樹脂 P−14)シリコン−アルキッド樹脂 P−15)フェノールホルムアルデヒド樹脂P−16)
スチレン−アルキッド樹脂 P−17)ポリ−N−ビニルカルバゾールP−18)ポ
リビニルブチラール P−19)ポリビニルフォルマール これらのバインダー樹脂は、単独であるいは2種以上の
混合物として用いることができる。
ビニリデン−アクリロニトリル共重合体 P−11)塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体P−12)
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 P−13)シリコン樹脂 P−14)シリコン−アルキッド樹脂 P−15)フェノールホルムアルデヒド樹脂P−16)
スチレン−アルキッド樹脂 P−17)ポリ−N−ビニルカルバゾールP−18)ポ
リビニルブチラール P−19)ポリビニルフォルマール これらのバインダー樹脂は、単独であるいは2種以上の
混合物として用いることができる。
−キャリア発生層において、キャリア発生物質とバイン
ダーとの重量比は昇ましくはZoo : 0〜100
0である。キャリア発生物質の含有割合がこれより少な
いと光怒度が低く、残留電位の増加を招き、またこれよ
り多いと暗減衰及び受容電位が低下する。
ダーとの重量比は昇ましくはZoo : 0〜100
0である。キャリア発生物質の含有割合がこれより少な
いと光怒度が低く、残留電位の増加を招き、またこれよ
り多いと暗減衰及び受容電位が低下する。
形成されるキャリア発生層の膜厚は、好ましくは0.0
1〜10μmである。
1〜10μmである。
また、前記のようにして形成されるキャリア輸送層にお
いて、キャリア輸送物質はキャリア輸送層中のバインダ
ー樹脂100重量部当り20〜200重量部が好ましく
、特に好ましくは30〜150重量部である。
いて、キャリア輸送物質はキャリア輸送層中のバインダ
ー樹脂100重量部当り20〜200重量部が好ましく
、特に好ましくは30〜150重量部である。
また、形成されるキャリア輸送層の厚さは、好ましくは
5〜50μml、特に好ましくは5〜30μmである。
5〜50μml、特に好ましくは5〜30μmである。
キャリア輸送物質としては、特に制限はないが、例えば
オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾ
ール誘4体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導
体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、4ミダ
ゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、スチリル
化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、アミン
yJ導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導
体、ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベ
ンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導
体、アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカルバ
ゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニルア
ントラセン等から選ばれた一種又は二種以上が例示され
る。
オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾ
ール誘4体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導
体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、4ミダ
ゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、スチリル
化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、アミン
yJ導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導
体、ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベ
ンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導
体、アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカルバ
ゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニルア
ントラセン等から選ばれた一種又は二種以上が例示され
る。
キャリア輸送物質としては、光照射時発生するれるアゾ
化合物とめ組合せに好適なものが好ましく用いられ、か
かる電荷輸送物質として好ましいものは下記一般式(A
)、CB)及び(C)で表わされるものが挙げられる。
化合物とめ組合せに好適なものが好ましく用いられ、か
かる電荷輸送物質として好ましいものは下記一般式(A
)、CB)及び(C)で表わされるものが挙げられる。
−形式(A)
但し、Ar’ s Ar” 、Ar’はそれぞれ置換又
は未置換の了り−ル基を表わし、Ar3は置換又は未置
換のアリーレン基を表わし、R6は水素原子、置換若し
くは未置換のアルキル基、又は置換著しくは未置換のア
リール基を表わす。
は未置換の了り−ル基を表わし、Ar3は置換又は未置
換のアリーレン基を表わし、R6は水素原子、置換若し
くは未置換のアルキル基、又は置換著しくは未置換のア
リール基を表わす。
このような化合物の具体例は特開昭58−65440号
の第3〜4頁及び同58−198043号の第3〜6頁
に詳細に記載されている。
の第3〜4頁及び同58−198043号の第3〜6頁
に詳細に記載されている。
但し、R7は置換・未置換のアリール基、置換・未置換
の複素環基であり、R8は水素原子、置換・未置換のア
ルキル基、置換・未置換のアリール基を表わし、詳細に
は特開昭58−134642号及び同58−16635
4号の公報に記載されている。
の複素環基であり、R8は水素原子、置換・未置換のア
ルキル基、置換・未置換のアリール基を表わし、詳細に
は特開昭58−134642号及び同58−16635
4号の公報に記載されている。
−形式(C)
但し、R9は置換・未置換のアリール基であり、RIo
は水素原子、ハロゲン原子、置換・未置換のアルキル基
、置換・未置換のアルコキシ基、置換・未置換のアミノ
基、ヒドロキシ基であり、R”は置換・未置換の了り−
ル基、置換・未置換の複素環基を表わす、これらの化合
物の合成法及びその例示は特公昭57−148750号
公報に詳細に記載されており、本発明に援用することが
できる。
は水素原子、ハロゲン原子、置換・未置換のアルキル基
、置換・未置換のアルコキシ基、置換・未置換のアミノ
基、ヒドロキシ基であり、R”は置換・未置換の了り−
ル基、置換・未置換の複素環基を表わす、これらの化合
物の合成法及びその例示は特公昭57−148750号
公報に詳細に記載されており、本発明に援用することが
できる。
本発明のその他の好ましいキャリア輸送物質としては、
特開昭57−67940号、同59−15252号、同
57−101844号公報にそれぞれ記載されているヒ
ドラゾン化合物を挙げることができる。
特開昭57−67940号、同59−15252号、同
57−101844号公報にそれぞれ記載されているヒ
ドラゾン化合物を挙げることができる。
感光体に用いられる導電性支持体としては、合金を含め
た金属板、金属ドラム又は導電性ポリマー、酸化インジ
ウム等の導電性化合物や合金を含めたアルミニウム、パ
ラジウム、金等の金属薄層を塗布、蒸着あるいはラミネ
ートして、導電性化−された紙、プラスチックフィルム
等が挙げられる。
た金属板、金属ドラム又は導電性ポリマー、酸化インジ
ウム等の導電性化合物や合金を含めたアルミニウム、パ
ラジウム、金等の金属薄層を塗布、蒸着あるいはラミネ
ートして、導電性化−された紙、プラスチックフィルム
等が挙げられる。
接着層あるいはバリヤ層などの中間層としては、前記バ
インダー樹脂として用いられる高分子重合体のほか、ポ
リビニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメ
チルセルロースなどの有機高分子物質または酸化アルミ
ニウムなどが用いられる。
インダー樹脂として用いられる高分子重合体のほか、ポ
リビニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメ
チルセルロースなどの有機高分子物質または酸化アルミ
ニウムなどが用いられる。
本発明の感光層には有機アミン類を添加することができ
、特に2級アミンを添加するのが好ましい。
、特に2級アミンを添加するのが好ましい。
かかる2級アミンとしては、例えばジメチルアミン、ジ
エチルアミン、ジ−nプロピルアミン、ジ−インプロピ
ルアミン、ジ−nブチルアミン、ジ−イソブチルアミン
、ジ−nアミルアミン、ジ−イソアミルアミン、ジ−n
ヘキシルアミン、ジ−イソヘキシルアミン、ジ−nペン
チルアミン、ジ−イソペンチルアミン、ジ−nオクチル
アミン、ジ−イソオクチルアミン、ジ−nノニルアミン
、ジ−イソノニルアミン、ジ−nデシルアミン、ジ−イ
ソデシルアミン、ジ−nモノデシルアミン、ジ−イソモ
ノデシルアミン、ジ−nドデシルアミン、ジ−イソドデ
シルアミン等を挙げることができる。
エチルアミン、ジ−nプロピルアミン、ジ−インプロピ
ルアミン、ジ−nブチルアミン、ジ−イソブチルアミン
、ジ−nアミルアミン、ジ−イソアミルアミン、ジ−n
ヘキシルアミン、ジ−イソヘキシルアミン、ジ−nペン
チルアミン、ジ−イソペンチルアミン、ジ−nオクチル
アミン、ジ−イソオクチルアミン、ジ−nノニルアミン
、ジ−イソノニルアミン、ジ−nデシルアミン、ジ−イ
ソデシルアミン、ジ−nモノデシルアミン、ジ−イソモ
ノデシルアミン、ジ−nドデシルアミン、ジ−イソドデ
シルアミン等を挙げることができる。
又かかる有機アミン類の添加量としては、キャリア発生
物質の1倍以下、好ましくは0.2倍〜o、oos倍の
範囲のモル数とするのがよい。
物質の1倍以下、好ましくは0.2倍〜o、oos倍の
範囲のモル数とするのがよい。
感光層には、オゾン劣化防止の目的で酸化防止剤を添加
することができる。
することができる。
かかる酸化防止剤の代表的具体例を以下に示すが、これ
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
(I)群:ヒンダードフェノール類
ジブチルヒドロキシトルエン、2.2′−メチレンビス
(6−t−ブチル−4−メチルフェノール)、4.4′
−ブチリデンビス(6−t−ブチル−3−メチルフェノ
ール)、4.4’−チオビス(6−を−ブチル−3−メ
チルフェノール)、2.2’−ブチリデンビス(6−t
−ブチル−4−メチルフェノール)、α−トコフェロー
ル、β−トコフェロール、2,2.4−)リメチル−6
−ヒドロキシ−7−t−7’チルクロマン、ペンタエリ
スチルテトラキス(3−(3,5−ジ−t−ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)、2.2’−
チオジエチレンビス(3−(3,5−ジ−t−ブチルー
4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)、1.6−
ヘキサンジオールビス(3−(3゜5−ジ−t−ブチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、ブチル
ヒドロキシアニソール、ジブチルヒドロキシアニソール
、1− (2−[(3,5−ジーtert−ブチルー4
−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ)エチル〕
−4−(3−(3,5−ジーtert−ブチルー4−ヒ
ドロキシフェニル)プロピオニルオキシ)−2,2゜6
.6−チトラメチルピペリジルなど。
(6−t−ブチル−4−メチルフェノール)、4.4′
−ブチリデンビス(6−t−ブチル−3−メチルフェノ
ール)、4.4’−チオビス(6−を−ブチル−3−メ
チルフェノール)、2.2’−ブチリデンビス(6−t
−ブチル−4−メチルフェノール)、α−トコフェロー
ル、β−トコフェロール、2,2.4−)リメチル−6
−ヒドロキシ−7−t−7’チルクロマン、ペンタエリ
スチルテトラキス(3−(3,5−ジ−t−ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)、2.2’−
チオジエチレンビス(3−(3,5−ジ−t−ブチルー
4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)、1.6−
ヘキサンジオールビス(3−(3゜5−ジ−t−ブチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、ブチル
ヒドロキシアニソール、ジブチルヒドロキシアニソール
、1− (2−[(3,5−ジーtert−ブチルー4
−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ)エチル〕
−4−(3−(3,5−ジーtert−ブチルー4−ヒ
ドロキシフェニル)プロピオニルオキシ)−2,2゜6
.6−チトラメチルピペリジルなど。
(II)群:パラフェニレンジアミン類N−フェニル−
ゴーイソプロピル−p−フェニレンジアミン、N、N’
−ジー5ec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N−
フェニル−N −5ee −ブチル−p−フェニレンジ
アミン、N、N’−ジイソプロピル−p−フェニレンジ
アミン、N、 N’−ジメチル−N、N’−ジ−t−ブ
チル−p−フェニレンジアミンなど。
ゴーイソプロピル−p−フェニレンジアミン、N、N’
−ジー5ec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N−
フェニル−N −5ee −ブチル−p−フェニレンジ
アミン、N、N’−ジイソプロピル−p−フェニレンジ
アミン、N、 N’−ジメチル−N、N’−ジ−t−ブ
チル−p−フェニレンジアミンなど。
(I[r)群:ハイドロキノン類
2.5−ジ−t−オクチルハイドロキノン、2゜6−シ
ドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン
、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t−
オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オク
タデセニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
ドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン
、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t−
オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オク
タデセニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
(IV)群:有機硫黄化合物類
ジラウリル−3,3′−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−3,3′−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シルー3,3゛−チオジプロピオネートなど。
アリル−3,3′−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シルー3,3゛−チオジプロピオネートなど。
(V)群:有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ (ノニルフェニル)ホ
スフィン、トリ (ジノニルフェニル)ホスフィン、ト
リクレジルホスフィン、トリ (2,4−ジブチルフェ
ノキシ)ホスフィンなど。
スフィン、トリ (ジノニルフェニル)ホスフィン、ト
リクレジルホスフィン、トリ (2,4−ジブチルフェ
ノキシ)ホスフィンなど。
これらの化合物はゴム、プラスチック、油脂類等の酸化
防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる
。
防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる
。
これらの酸化防止剤はキャリア輸送層に添加してよい。
その場合の酸化防止剤の添加量はキャリア輸送物質10
0重量部に対して0.1〜100重量部、好ましくは1
〜50重量部、特に好ましくは1〜25重量部である。
0重量部に対して0.1〜100重量部、好ましくは1
〜50重量部、特に好ましくは1〜25重量部である。
キャリア発生層には感度の向上、残留電位乃至反復使用
時の疲労低減等を目的として、一種又は二種以上の電子
受容性物質を含有せしめることができる。
時の疲労低減等を目的として、一種又は二種以上の電子
受容性物質を含有せしめることができる。
ここに用いることのできる電子受容性物質としては、例
えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、
4−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、O−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン
、1.3.5−)IJニトロベンゼン、バラニトロベン
ゾ二トリル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド
、クロラニル、ブルマニル、ジクロロジシアノバラベン
ゾキノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、
2.7−シニトロフルオレノン、2,4.7−トリニト
ロフルオレノン、2゜4.5.7−テトラニトロフルオ
レノン、9−フルオレニリデン〔ジシアノメチレンマロ
ノジニトリル〕、ポリニトロ−9−フルオレニリデンー
〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、
0−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジ
ニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロ
サリチル酸、3,5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、
メリット酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げ
ることができる。
えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、
4−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、O−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン
、1.3.5−)IJニトロベンゼン、バラニトロベン
ゾ二トリル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド
、クロラニル、ブルマニル、ジクロロジシアノバラベン
ゾキノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、
2.7−シニトロフルオレノン、2,4.7−トリニト
ロフルオレノン、2゜4.5.7−テトラニトロフルオ
レノン、9−フルオレニリデン〔ジシアノメチレンマロ
ノジニトリル〕、ポリニトロ−9−フルオレニリデンー
〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、
0−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジ
ニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロ
サリチル酸、3,5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、
メリット酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げ
ることができる。
電子受容性物質の添加量は、重量比でキャリア発生物質
:電子受容性物質=1007 (0,01〜200)
、好ましくは100 : (0,1〜100)であ
る。
:電子受容性物質=1007 (0,01〜200)
、好ましくは100 : (0,1〜100)であ
る。
電子受容性物質はキャリア輸送層に添加してもよい。か
かる層への電子受容性物質の添加量は重量比でキャリア
輸送物!=電子受容性物質=100: (0,01〜
100)、好ましくは100 : (0,1〜50
)である。
かる層への電子受容性物質の添加量は重量比でキャリア
輸送物!=電子受容性物質=100: (0,01〜
100)、好ましくは100 : (0,1〜50
)である。
また本発明の感光体には、その他、必要により感光層を
保護する目的で紫外線吸収剤等を含有してもよく、また
感色性補正の染料を含有してもよい。
保護する目的で紫外線吸収剤等を含有してもよく、また
感色性補正の染料を含有してもよい。
第14図には、本発明の感光体11を用いた画像形成装
置の一例を示している。ここで、26は分離電極、27
はクリーニングブレード、28は除電ランプ、21は長
波用光源、22は短波用(可視光)光源、20は帯電極
、23は現像器、25は転写電極である。
置の一例を示している。ここで、26は分離電極、27
はクリーニングブレード、28は除電ランプ、21は長
波用光源、22は短波用(可視光)光源、20は帯電極
、23は現像器、25は転写電極である。
また、光源21.22に使用可能な光源としては、白色
光、レーザー光(半導体レーザー、He−Neレーザー
)、LED等があげられる。
光、レーザー光(半導体レーザー、He−Neレーザー
)、LED等があげられる。
現像器23は、正転現像法、反転現像法のいずれでもよ
い。除電ランプ28は、正転現像時、反転現像時のいず
れにおいても有効である。
い。除電ランプ28は、正転現像時、反転現像時のいず
れにおいても有効である。
画像形成に際しては、まず白色光源を使用する場合は、
20で帯電された感光体は22で像露光され、23で現
像される。これを25の転写極で祇24に転写し、26
の分離極で紙を分離する。
20で帯電された感光体は22で像露光され、23で現
像される。これを25の転写極で祇24に転写し、26
の分離極で紙を分離する。
残ったトナーは27でかき落とす。
一方、レーザー光源を用いた場合は、20で帯電された
感光体は21のレーザー光源で像露光され、23で現像
される。これを25の転写極で紙24に転写し、26の
分離極で紙を分離する。残ったトナーは27でかき落と
す。
感光体は21のレーザー光源で像露光され、23で現像
される。これを25の転写極で紙24に転写し、26の
分離極で紙を分離する。残ったトナーは27でかき落と
す。
この記録装置のように、ドラム状の像担持体を用いるも
のにあっては、レーザー光源による像露光は、第15図
に示したようなレーザービームスキャナによるものが好
ましい。
のにあっては、レーザー光源による像露光は、第15図
に示したようなレーザービームスキャナによるものが好
ましい。
第15図のレーザービームスキャナの動作を次に述べる
。
。
半導体レーザー41で発生されたレーザービームは、駆
動モータ42により回転されるポリゴンミラー43によ
り回転走査され、f−θレンズ44を経て反射鏡45に
より光路を曲げられて像担持体23の表面上に投射され
輝線46を形成する。
動モータ42により回転されるポリゴンミラー43によ
り回転走査され、f−θレンズ44を経て反射鏡45に
より光路を曲げられて像担持体23の表面上に投射され
輝線46を形成する。
47はビーム走査開始を検出するためのインデックスセ
ンサで、48.49は倒れ負補正用のシリ。
ンサで、48.49は倒れ負補正用のシリ。
ンドリカルレンズである。50a、50b、50Cは反
射鏡でビーム走査光路及びビーム検知の光路を形成する
。
射鏡でビーム走査光路及びビーム検知の光路を形成する
。
走査が開始されるとビームがインデックスセンサ47に
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器20により予め一様に帯電されている像坦持体上を
走査する。レーザービーム51による主走査と像担持体
の回転による副走査によりドラム表面に潜像が形成され
てゆく。
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器20により予め一様に帯電されている像坦持体上を
走査する。レーザービーム51による主走査と像担持体
の回転による副走査によりドラム表面に潜像が形成され
てゆく。
また、像担持体がベルト状のように平面状態をとり得る
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。
ホ、実施例
以下に実施例を説明するが、これに先立って第4図、第
6図及び第7図に示す特性をもつ無金属フタロシアニン
化合物Aの合成例、τ型無金属フタロシアニン化合物の
合成例及びチタニルフタロシアニンの合成例を示す。
6図及び第7図に示す特性をもつ無金属フタロシアニン
化合物Aの合成例、τ型無金属フタロシアニン化合物の
合成例及びチタニルフタロシアニンの合成例を示す。
(無金属フタロシアニン化合物Aの合成例)リチウムフ
タロシアニン50gを0℃において十分攪拌した濃硫酸
の600mJに加える。次いでその混合物はこの温度に
おいて2時間攪拌される。
タロシアニン50gを0℃において十分攪拌した濃硫酸
の600mJに加える。次いでその混合物はこの温度に
おいて2時間攪拌される。
次いでできた溶液は粗い焼結されたガラス濾斗を通して
濾過されて、4リツトルの氷と水の中へ攪拌しながら徐
々に注入される。数時間放置した後に、その混合物は濾
過され、得られた塊りは中性になるまで水で洗浄される
。ついでその塊は最終的にメタノールで数回洗浄されか
つ空気中で乾燥させられる。この乾燥された粉末は24
時間連続抽出装置中でアセトンによって抽出されかつ空
気中で乾燥させられて青い粉末となる。
濾過されて、4リツトルの氷と水の中へ攪拌しながら徐
々に注入される。数時間放置した後に、その混合物は濾
過され、得られた塊りは中性になるまで水で洗浄される
。ついでその塊は最終的にメタノールで数回洗浄されか
つ空気中で乾燥させられる。この乾燥された粉末は24
時間連続抽出装置中でアセトンによって抽出されかつ空
気中で乾燥させられて青い粉末となる。
上記においてリチウムに対して塩の残渣を保証するため
に析出は反復される。このようにして30.5gの青い
粉末が得られた。この得られたものは、そのX線回折図
形がすでに出版されている資料に記載されているα型フ
タロシアニン化合物のX線回折図形と一致していた。
に析出は反復される。このようにして30.5gの青い
粉末が得られた。この得られたものは、そのX線回折図
形がすでに出版されている資料に記載されているα型フ
タロシアニン化合物のX線回折図形と一致していた。
このようにして得られた金属を含まないα型フタロシア
ニン化合物30gを直径13/16インチのボールで半
分溝たされた内容積900mj!の磁製ボールミル中に
仕込み、約8Orpmで164時間ミリングした。その
後テトラヒドロフラン、1.2−ジクロロエタン等の有
機溶剤200ml1をボールミル中に加え、24時間再
度ミリングした。このミリングした後の分散液について
有機溶剤の除去及び乾燥を行い、無金属フタロシアニン
化合物A28.3gを得た。
ニン化合物30gを直径13/16インチのボールで半
分溝たされた内容積900mj!の磁製ボールミル中に
仕込み、約8Orpmで164時間ミリングした。その
後テトラヒドロフラン、1.2−ジクロロエタン等の有
機溶剤200ml1をボールミル中に加え、24時間再
度ミリングした。このミリングした後の分散液について
有機溶剤の除去及び乾燥を行い、無金属フタロシアニン
化合物A28.3gを得た。
(τ型無金属フタロシアニン化合物の合成例)α型無金
属フタロシアニン化合物(ICI製モノライトファース
トプルGS)を加熱したジメチルホルムアルデヒドによ
り3回抽出して精製した。この操作により精製物はβ型
に転移した。次にこのβ型無金属フタロシアニン化合物
の1部分を濃硫酸に溶解し、この溶液を氷水中に注いで
再沈澱させることにより、α型に転移させた。この再沈
澱物をアンモニア水、メタノール等で洗浄後10℃で乾
燥した0次に上記により精製したα型無金属フタロシア
ニン化合物を磨砕助剤及び分散剤と−ともにサンドミル
に入れ、温度100±20℃で15〜25時間混練した
。この操作により結晶形がτ型に転移したのを確認後、
容器より取り出し、水及びメタノール等で磨砕助剤及び
分散剤を十分除去した後乾燥して鮮明な青味を帯びたτ
型無金属フタロシアニンの青色結晶を得た。
属フタロシアニン化合物(ICI製モノライトファース
トプルGS)を加熱したジメチルホルムアルデヒドによ
り3回抽出して精製した。この操作により精製物はβ型
に転移した。次にこのβ型無金属フタロシアニン化合物
の1部分を濃硫酸に溶解し、この溶液を氷水中に注いで
再沈澱させることにより、α型に転移させた。この再沈
澱物をアンモニア水、メタノール等で洗浄後10℃で乾
燥した0次に上記により精製したα型無金属フタロシア
ニン化合物を磨砕助剤及び分散剤と−ともにサンドミル
に入れ、温度100±20℃で15〜25時間混練した
。この操作により結晶形がτ型に転移したのを確認後、
容器より取り出し、水及びメタノール等で磨砕助剤及び
分散剤を十分除去した後乾燥して鮮明な青味を帯びたτ
型無金属フタロシアニンの青色結晶を得た。
(チクニルフタロシアニンの合成例)
フタロジニトリル40gと4塩化チタン18g及びα−
クロロナフタレン500mJの混合物を窒素気流下24
0〜250℃で3時間加熱攪拌して反応を完結させた。
クロロナフタレン500mJの混合物を窒素気流下24
0〜250℃で3時間加熱攪拌して反応を完結させた。
その後濾過し、生成物であるジクロロチタニウムフタロ
シアニンを収得した。得られたジクロロチタニウムフタ
ロシアニンと濃アンモニア水300m1の混合物を1時
間加熱環流し、目的物であるチタニルフタロシアニン1
8gを得た。生成物はアセトンにより、ソックスレー抽
出器で充分洗浄を行った。
シアニンを収得した。得られたジクロロチタニウムフタ
ロシアニンと濃アンモニア水300m1の混合物を1時
間加熱環流し、目的物であるチタニルフタロシアニン1
8gを得た。生成物はアセトンにより、ソックスレー抽
出器で充分洗浄を行った。
この生成物を質量スペクトル分析したところ、チタニル
フタロシアニン(M” 576)を主成分とし、クロル
化チタニルフタロシアニン(M” 610)を少量含む
ものであった。
フタロシアニン(M” 576)を主成分とし、クロル
化チタニルフタロシアニン(M” 610)を少量含む
ものであった。
実施例1
ポリメチルメタクリレート(エルバサイト−2010゜
デュポン社製) 2.0 gを1.2−ジクロロエタン
100mnに溶解した後、キャリア発生物質CGM2と
してτ型無金属フタロシアニン又は前記チタニルフタロ
シアニン1.0gを加えサンドグラインダにより10時
間分散した。これをA液とする。
デュポン社製) 2.0 gを1.2−ジクロロエタン
100mnに溶解した後、キャリア発生物質CGM2と
してτ型無金属フタロシアニン又は前記チタニルフタロ
シアニン1.0gを加えサンドグラインダにより10時
間分散した。これをA液とする。
次に上記メタクリル酸樹脂1gを1,2−ジクロロエタ
ン100mβに溶解させた後、キャリア発生物質CGM
Iとして例示アゾ化合物[71) 2gを混合し、サン
ドグラインダで10時間分散した。
ン100mβに溶解させた後、キャリア発生物質CGM
Iとして例示アゾ化合物[71) 2gを混合し、サン
ドグラインダで10時間分散した。
これをB液とする。
上記A液IQm ItとB液50mj?を攪拌混合し、
これをキャリア発生層形成用塗布液とし、AJ蒸着をほ
どこしたポリエステルベース上にワイヤーバーで塗布し
、乾燥後膜要約0.2μmの電荷発生層を形成した。
これをキャリア発生層形成用塗布液とし、AJ蒸着をほ
どこしたポリエステルベース上にワイヤーバーで塗布し
、乾燥後膜要約0.2μmの電荷発生層を形成した。
次に下記組成のキャリア輸送層形成用塗布液を用い、ド
クターブレードにより乾燥後膜要約20μmの電荷輸送
層を形成し上記の電荷発生層上に積層し、感光体を得た
。
クターブレードにより乾燥後膜要約20μmの電荷輸送
層を形成し上記の電荷発生層上に積層し、感光体を得た
。
1.2−ジクロロエタン 100m1ポリカ
ーボネート樹脂(同上)15g 2 g この得られた感光体を試料隘1とす゛る。
ーボネート樹脂(同上)15g 2 g この得られた感光体を試料隘1とす゛る。
次に、試料陽1において、使用されるキャリア発生物質
又はその併用比を表−3に示す様に変えた以外は試料嵐
1と同様にして試料11h2〜8を作製した。
又はその併用比を表−3に示す様に変えた以外は試料嵐
1と同様にして試料11h2〜8を作製した。
こうして得られた感光体試料阻1〜8の特性評価試験を
以下の様にして行った。
以下の様にして行った。
静電帯電試験装置E P A −8100(川口電機側
型)を用いて、怒光体表面電位が初期電位から半減す
゛るのに必要な露光量El/z CEux−sec)
を測定した。
型)を用いて、怒光体表面電位が初期電位から半減す
゛るのに必要な露光量El/z CEux−sec)
を測定した。
上記静電帯電試験装置E P A−8100を用いて、
帯電−露光−除電を100回繰り返した時の1回目と1
00回目の帯電電位の変化量ΔV0→166 (y)
を測定した。
帯電−露光−除電を100回繰り返した時の1回目と1
00回目の帯電電位の変化量ΔV0→166 (y)
を測定した。
前述のE P A −8100を用いる測定系において
光源にタングステンランプを使用し、モノクロメータを
通し特に問題とする780nn+±lnmの波長の光に
対する露光量E1/□ (V an ” / erg)
を測定した。
光源にタングステンランプを使用し、モノクロメータを
通し特に問題とする780nn+±lnmの波長の光に
対する露光量E1/□ (V an ” / erg)
を測定した。
これは値の大きい方が感度がよい。
(以下余白)
*比較アゾ化合物
1゜
表−3の結果から、実施例の怒光体は比較感光体に比べ
て、白色光に対する感度、半導体レーザ光源に対する感
度及び繰り返し特性の全ての点において、優れた性能を
示していることが明らかである。
て、白色光に対する感度、半導体レーザ光源に対する感
度及び繰り返し特性の全ての点において、優れた性能を
示していることが明らかである。
実施例−2
使用されるキャリア発生物質の組合せを表−4に示す様
に変え、さらにキャリア輸送層形成用塗布液に用られる
ポリカーボネート樹脂をニーピロンZ−200(三菱ガ
ス化学側型)に代える以外は実施例−1と同様にして試
料患9〜12を作製し、これらの試料について実施例−
1と同様に特性評画試験を行い、得られた結果を表−4
に示す。
に変え、さらにキャリア輸送層形成用塗布液に用られる
ポリカーボネート樹脂をニーピロンZ−200(三菱ガ
ス化学側型)に代える以外は実施例−1と同様にして試
料患9〜12を作製し、これらの試料について実施例−
1と同様に特性評画試験を行い、得られた結果を表−4
に示す。
(以下余白)
表−4の結果から、実施例の感光体は、白色光に対する
感度、半導体レーザ光に対する感度及び繰り返し特性の
全ての点において、優れた性能を示すことがわかる。
感度、半導体レーザ光に対する感度及び繰り返し特性の
全ての点において、優れた性能を示すことがわかる。
実施例−3
使用されるキャリア発生物質の組合せを表−5に示す様
に変え、さらにキャリア輸送層形成用塗布液に用いられ
るポリカーボネート樹脂をニーピロンZ−200(前出
)に代え、キャリア輸送物質をに代える以外は実施例−
1と同様にして試料魚13〜15を作製し、これらの試
料について実施例−1と同様な特性評価試験を行い、得
られた結果を表−5に示す。
に変え、さらにキャリア輸送層形成用塗布液に用いられ
るポリカーボネート樹脂をニーピロンZ−200(前出
)に代え、キャリア輸送物質をに代える以外は実施例−
1と同様にして試料魚13〜15を作製し、これらの試
料について実施例−1と同様な特性評価試験を行い、得
られた結果を表−5に示す。
(以下余白)
表−5の結果から、実施例の感光体は白色光に対する感
度、半導体レーザ光に対する感度及び繰り返し特性の全
ての点において、優れた性能を示すことがわかる。
度、半導体レーザ光に対する感度及び繰り返し特性の全
ての点において、優れた性能を示すことがわかる。
実施例−4
使用されるキャリア発生物質の組合せを表−6に示す様
に変え、さらにキャリア輸送層形成用塗布液に用いられ
るポリカーボネート樹脂をユーピOCH。
に変え、さらにキャリア輸送層形成用塗布液に用いられ
るポリカーボネート樹脂をユーピOCH。
に代える以外は実施例−1と同様にして試料11m16
〜18を作製し、これらの試料について実施例−1と同
様な特性評価試験を行い、得られた結果を表−6に示す
。
〜18を作製し、これらの試料について実施例−1と同
様な特性評価試験を行い、得られた結果を表−6に示す
。
表−6の結果から、実施例の感光体は白色光に対する1
6度、半導体レーザ光に対する感度及び操り返し特性の
全ての点において、優れた性能を示すことがわかる。
6度、半導体レーザ光に対する感度及び操り返し特性の
全ての点において、優れた性能を示すことがわかる。
実施例−5
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートシ
ート状導電性基体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水
マレイン酸共重合体(エスレフクMP−10:積水化学
工業社製)よりなる厚さ約0.1μmの中間層を形成し
た。
ート状導電性基体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水
マレイン酸共重合体(エスレフクMP−10:積水化学
工業社製)よりなる厚さ約0.1μmの中間層を形成し
た。
次いで、下記組成のキャリア輸送層形成用塗布液を前記
中間層上に塗布、乾燥して15μm厚のキャリア輸送層
を形成した。
中間層上に塗布、乾燥して15μm厚のキャリア輸送層
を形成した。
1.2−ジクロロエタン 100mA+ポリ
カーボネート樹脂(パンライトに一1300帝人化成社
製)15g 2g − 次に、ポリカーボネート樹脂(パンライトL−1250
、奇人化成n製)5gを1.2−ジクロロエタン200
mfに溶解した後、キャリア僕生物質CGM2としてτ
型無金属フタロシアニン化合物10gを混合し、サンド
グラインダーで10時間分散した。これをA液とする。
カーボネート樹脂(パンライトに一1300帝人化成社
製)15g 2g − 次に、ポリカーボネート樹脂(パンライトL−1250
、奇人化成n製)5gを1.2−ジクロロエタン200
mfに溶解した後、キャリア僕生物質CGM2としてτ
型無金属フタロシアニン化合物10gを混合し、サンド
グラインダーで10時間分散した。これをA液とする。
次に上記ポリカーボネート樹脂1gを1.2−ジクロロ
エタン120mA!に溶解した後、キャリア発生物質C
GMIとして例示アゾ化合物Nl (71)2gを混合
し、サンドグラインダーで10時間分散した。これをB
液とする。
エタン120mA!に溶解した後、キャリア発生物質C
GMIとして例示アゾ化合物Nl (71)2gを混合
し、サンドグラインダーで10時間分散した。これをB
液とする。
上記のA液200mj!とB液20mJとを攪拌混合し
て得た分散液に、下記キャリア輸送物質4g添加し、更
にモノクロロベンゼン20mj!を加えてキャリア発生
層形成用塗布液とした。この塗布液を′ 前記キャリア
輸送層上にスプレー塗布し、膜厚5μmのキャリア発生
層を形成した。
て得た分散液に、下記キャリア輸送物質4g添加し、更
にモノクロロベンゼン20mj!を加えてキャリア発生
層形成用塗布液とした。この塗布液を′ 前記キャリア
輸送層上にスプレー塗布し、膜厚5μmのキャリア発生
層を形成した。
こうして得られた感光体を試料嵐19とする。
次に試料阻19において、使用されるキャリア発生物質
又はその含有量を表−7に示すように変え、その他は試
料磁19と同様にして試料魚20〜23を作製した。こ
れらの各試料について実施例−1と同様な特性評価を行
い、得られた結果を表−7に示す。
又はその含有量を表−7に示すように変え、その他は試
料磁19と同様にして試料魚20〜23を作製した。こ
れらの各試料について実施例−1と同様な特性評価を行
い、得られた結果を表−7に示す。
(以下余白)
表−7の結果から、実施例の感光体は白色光に対する感
度、半導体レーザ光に対する感度及び繰り返し特性の全
ての点において、優れた性能を示すことがわかる。
度、半導体レーザ光に対する感度及び繰り返し特性の全
ての点において、優れた性能を示すことがわかる。
図面は本発明を例示して説明するためのものであって、
第1図は感光体の吸収スペクトル、
第2図は無金属フタロシアニンのX線回折スペクトル図
、 第3図は無金属フタロシアニンの赤外吸収スペクトル図
、 第4図は他の無金属フタロシアニンのX線回折スペクト
ル図、 第5図はτ型無金属フタロシアニンのX線回折スペクト
ル図、 第6図は他の無金属フタロシアニンのX線回折スペクト
ル図、 第7図は無金属フタロシアニンの二側の近赤外吸収スペ
クトル図、 第8図、第9図、第10図、第11図、第12図、第1
3図はそれぞれ感光体の構成例について示す断面図、 第14図は画像形成装置の構成概略図、第15図は像露
光のためのレーザービームスキャナの構成概要図 である。 なお、図面に示す符号において、 1−−−−−−一導電性支持体 2−−−−−−一〜−−−・キャリア発生層3・・・・
・−・・・−・−・キャリア輸送層4A、4B、40−
・−・−・・−感光層5−・・・−・−−−−一中間層 6−・−・−・−・−電荷輸送物質を含有する層11−
・−・・−・・・感光体 21.22−−−−−−−−−−一光源23−・−−一
−−−−−・・現像器 28・・・・・・・−・・・−除電ランプ41−・−一
−−−−−−−・−レーザー51−・−一−−−−−−
−レーザービームである。 代理人 弁理士 逢 坂 末 弟1図 1長(nm1 1で傘tア゛f!【67ワ:7タロシ7二ン=100:
5(11X牙泉5虫度(カウント) Xt泉独屋(カワ〉ト) it適過率%) X線回折スイクトル図 2θ(deq)(Cuにct (1,541人))第7
図 嗜長(nm)
、 第3図は無金属フタロシアニンの赤外吸収スペクトル図
、 第4図は他の無金属フタロシアニンのX線回折スペクト
ル図、 第5図はτ型無金属フタロシアニンのX線回折スペクト
ル図、 第6図は他の無金属フタロシアニンのX線回折スペクト
ル図、 第7図は無金属フタロシアニンの二側の近赤外吸収スペ
クトル図、 第8図、第9図、第10図、第11図、第12図、第1
3図はそれぞれ感光体の構成例について示す断面図、 第14図は画像形成装置の構成概略図、第15図は像露
光のためのレーザービームスキャナの構成概要図 である。 なお、図面に示す符号において、 1−−−−−−一導電性支持体 2−−−−−−一〜−−−・キャリア発生層3・・・・
・−・・・−・−・キャリア輸送層4A、4B、40−
・−・−・・−感光層5−・・・−・−−−−一中間層 6−・−・−・−・−電荷輸送物質を含有する層11−
・−・・−・・・感光体 21.22−−−−−−−−−−一光源23−・−−一
−−−−−・・現像器 28・・・・・・・−・・・−除電ランプ41−・−一
−−−−−−−・−レーザー51−・−一−−−−−−
−レーザービームである。 代理人 弁理士 逢 坂 末 弟1図 1長(nm1 1で傘tア゛f!【67ワ:7タロシ7二ン=100:
5(11X牙泉5虫度(カウント) Xt泉独屋(カワ〉ト) it適過率%) X線回折スイクトル図 2θ(deq)(Cuにct (1,541人))第7
図 嗜長(nm)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、フタロシアニン系化合物と下記一般式〔 I 〕で表
される化合物とをキャリア発生物質として含有する層を
有する感光体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔X^1及びX^2は、それぞれ、ハロゲン原子、置換
若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のア
ルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基又は置
換若しくは未置換のアミノ基を表し、X^1及びX^2
のうち少なくとも1つはハロゲン原子である。 p及びqはそれぞれ0、1又は2の整数を表し、p及び
qは同時に0となることはなく、且つ、pが2のときは
X^1は互いに同一の又は異なる基であってよく、qが
2のときはX^2は互いに同一の又は異なる基であって
よい。 Aは下記一般式〔II〕で表わされる基を表す。 一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Arは少なくともフッ素化炭化水素基を有する
芳香族炭素環基又は芳香族複素環基を表す。 Zは置換若しくは未置換の芳香族炭素環又は置換若しく
は未置換の芳香族複素環を形成するのに必要な非金属原
子群を表す。) m及びnはそれぞれ0、1又は2の整数を表す。 但し、m及びnが同時に0となることはない。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10091988A JP2583787B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10091988A JP2583787B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270060A true JPH01270060A (ja) | 1989-10-27 |
| JP2583787B2 JP2583787B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=14286753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10091988A Expired - Lifetime JP2583787B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583787B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0743561A3 (en) * | 1995-05-17 | 1998-01-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
| US6960417B2 (en) | 1993-11-05 | 2005-11-01 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor |
| JP2010181911A (ja) * | 2001-03-22 | 2010-08-19 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体およびそれを用いた電子写真装置 |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP10091988A patent/JP2583787B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6960417B2 (en) | 1993-11-05 | 2005-11-01 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor |
| US7192677B2 (en) | 1993-11-05 | 2007-03-20 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor |
| EP0743561A3 (en) * | 1995-05-17 | 1998-01-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
| JP2010181911A (ja) * | 2001-03-22 | 2010-08-19 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体およびそれを用いた電子写真装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2583787B2 (ja) | 1997-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0530263B2 (ja) | ||
| JPH0424698B2 (ja) | ||
| CN1085352C (zh) | 包括氧钛酞菁的电摄影元件、处理盒及电摄影设备 | |
| JP2583787B2 (ja) | 感光体 | |
| JP2976313B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2867039B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0337658A (ja) | 感光体 | |
| JPH0518424B2 (ja) | ||
| JP2720061B2 (ja) | 感光体 | |
| JP2583788B2 (ja) | 感光体 | |
| JPH0333854A (ja) | 感光体 | |
| JP3347681B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2582628B2 (ja) | 感光体 | |
| JP2563810B2 (ja) | 感光体 | |
| JP2976312B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH01315755A (ja) | 感光体 | |
| JPH05346672A (ja) | 光導電性層用塗布液及び電子写真感光体 | |
| JPH0477906B2 (ja) | ||
| JPS63210943A (ja) | 感光体 | |
| JPH0228662A (ja) | 感光体 | |
| JPH01315756A (ja) | 感光体 | |
| JPH0337657A (ja) | 感光体 | |
| JPH01283568A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH01284859A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH01319043A (ja) | 電子写真感光体 |