JPH01293557A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01293557A JPH01293557A JP63124445A JP12444588A JPH01293557A JP H01293557 A JPH01293557 A JP H01293557A JP 63124445 A JP63124445 A JP 63124445A JP 12444588 A JP12444588 A JP 12444588A JP H01293557 A JPH01293557 A JP H01293557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- diode chip
- view
- semiconductor chip
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体チップを銅張積層絶縁基板上または
電極板上に溶着させた半導体装置に関するものである。
電極板上に溶着させた半導体装置に関するものである。
［従来の技術〕
第５図は、従来の半導体装置を示す平面図であり、第６
図は側面図である。放熱用の金属ベース板１の上面には
半田印刷が施されており、この金属ベース板１上に銅張
積層絶縁基板２が載せられている０この銅張積層絶縁基
板２の電極上には所定の箇所に半導体チップが裁せられ
、この半導体チップが載せられる部分には予め半田印刷
が施されている。
図は側面図である。放熱用の金属ベース板１の上面には
半田印刷が施されており、この金属ベース板１上に銅張
積層絶縁基板２が載せられている０この銅張積層絶縁基
板２の電極上には所定の箇所に半導体チップが裁せられ
、この半導体チップが載せられる部分には予め半田印刷
が施されている。
この半田印刷が施されている部分の上に、トランジスタ
チップ３、フライホイールダイオードチップ６およびス
ピードアップダイオードチップ５が載せられる。半導体
チップを載せた銅張積層絶縁基板２および金属ベース板
１の組合わせを加熱板上に載せるか、あるいは加熱炉中
に入れるかして加熱し、半田の溶着により各部分を溶着
させて固定する。なお、スピードアップダイオードチッ
プ５は、ダーリントントランジスタのスイッチング速度
を速くするために入れるダイオードチップである。また
、第５図および第６図において４はアルミワイヤを示し
ている。
チップ３、フライホイールダイオードチップ６およびス
ピードアップダイオードチップ５が載せられる。半導体
チップを載せた銅張積層絶縁基板２および金属ベース板
１の組合わせを加熱板上に載せるか、あるいは加熱炉中
に入れるかして加熱し、半田の溶着により各部分を溶着
させて固定する。なお、スピードアップダイオードチッ
プ５は、ダーリントントランジスタのスイッチング速度
を速くするために入れるダイオードチップである。また
、第５図および第６図において４はアルミワイヤを示し
ている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来の半導体装置では、加熱
して半導体チップを半田付けする際、半導体チップが半
田の表面張力により浮いて、その位置がずれ、傾斜して
半導体チップが固定されてしまうという問題点があった
。第７図の部分拡大平面図では、フライホイールダイオ
ードチップ６が傾いて固定されている状態を示している
。また第８図の部分拡大断面図では、スピードアップダ
イオードチップ５が傾いて固定されている状態を示して
いる。
して半導体チップを半田付けする際、半導体チップが半
田の表面張力により浮いて、その位置がずれ、傾斜して
半導体チップが固定されてしまうという問題点があった
。第７図の部分拡大平面図では、フライホイールダイオ
ードチップ６が傾いて固定されている状態を示している
。また第８図の部分拡大断面図では、スピードアップダ
イオードチップ５が傾いて固定されている状態を示して
いる。
このように、半導体チップが所定の位置からずれ、傾い
て固定されると、後工程である自動ワイヤボンディング
装着によるボンディングが行ないにくくなったり、ある
いはボンディング強度が著しく低下するという問題を生
じる。この発明は、かかる従来の問題を解消するためな
されたもので、半導体チップが所定の位置からずれ、傾
いて固定されることを防止した半導体装置を提供するこ
とを目的としている。
て固定されると、後工程である自動ワイヤボンディング
装着によるボンディングが行ないにくくなったり、ある
いはボンディング強度が著しく低下するという問題を生
じる。この発明は、かかる従来の問題を解消するためな
されたもので、半導体チップが所定の位置からずれ、傾
いて固定されることを防止した半導体装置を提供するこ
とを目的としている。
［課題を解決するための手段］
この発明の半導体装置では、金属ベース板と、金属ベー
ス板上に設けられる絶縁層または絶縁基板と、絶縁層ま
たは絶縁基板上に設けられる電極と、電極のうち所定の
電極上に溶着される半導体チップとを備え、半導体チッ
プが溶着される位置の近傍の電極部分に溝が形成されて
いることを特徴としている。
ス板上に設けられる絶縁層または絶縁基板と、絶縁層ま
たは絶縁基板上に設けられる電極と、電極のうち所定の
電極上に溶着される半導体チップとを備え、半導体チッ
プが溶着される位置の近傍の電極部分に溝が形成されて
いることを特徴としている。
［作用］
この発明の半導体装置では、半導体チップが溶着される
位置の近傍の電極部分に溝が形成されている。このため
、半田を溶融して溶着する際、溶融した半田は溝を越え
て流れず゛、従来のように半田が広がりその上の半導体
装置がそれとともに移動し位置ずれしてしまうというこ
とがない。
位置の近傍の電極部分に溝が形成されている。このため
、半田を溶融して溶着する際、溶融した半田は溝を越え
て流れず゛、従来のように半田が広がりその上の半導体
装置がそれとともに移動し位置ずれしてしまうというこ
とがない。
［実施例］
第１図は、この発明の一実施例を示す平面図であり、第
２図は、第１図の実施例の側面図である。
２図は、第１図の実施例の側面図である。
従来と同様に、放熱用の金属ベース板１の上面には予め
半田印刷が施されており、その上に銅張積層絶縁基板２
が載せられる。銅張積層絶縁基板２の上の電極部分の半
導体チップが載せられる部分には、予め半田印刷が施さ
れている。半田印刷の施されている部分の上に、トラン
ジスタチップ３、フライホイールダイオードチップ６お
よびスピードアップダイオードチップ５を載せ、加熱し
て１、 それぞれの部分を半田により溶着する。この後
ワイヤボンディング工程によりアルミワイヤ４を取付け
る。
半田印刷が施されており、その上に銅張積層絶縁基板２
が載せられる。銅張積層絶縁基板２の上の電極部分の半
導体チップが載せられる部分には、予め半田印刷が施さ
れている。半田印刷の施されている部分の上に、トラン
ジスタチップ３、フライホイールダイオードチップ６お
よびスピードアップダイオードチップ５を載せ、加熱し
て１、 それぞれの部分を半田により溶着する。この後
ワイヤボンディング工程によりアルミワイヤ４を取付け
る。
従来の半導体装置と異なる部分は、スピードアップダイ
オードチップ５およびフライホイールダイオードチップ
６が溶着される位置の近傍の電極部分に溝７〜１２が形
成されていることである。
オードチップ５およびフライホイールダイオードチップ
６が溶着される位置の近傍の電極部分に溝７〜１２が形
成されていることである。
第３図には、第１図に示す実施例のフライホイールダイ
オードチップ６の近傍を部分拡大平面図で示す。第３図
に示されるように、フライホイールダイオードチップ６
のまわりには、銅の部分を切欠いて形成した溝７および
銅の部分をくりぬいて形成した満８が設けられている。
オードチップ６の近傍を部分拡大平面図で示す。第３図
に示されるように、フライホイールダイオードチップ６
のまわりには、銅の部分を切欠いて形成した溝７および
銅の部分をくりぬいて形成した満８が設けられている。
半田溶着させるため加熱した際、溶融した半田はこの満
７．８を越えて流れ出すことがないため、フライホイー
ルダイオードチップ６は位置ずれすることなく半田溶着
により固定される。
７．８を越えて流れ出すことがないため、フライホイー
ルダイオードチップ６は位置ずれすることなく半田溶着
により固定される。
第４図は、第１の実施例のスピードアップダイオードチ
ップ５の近傍を示す部分拡大平面図である。スピードア
ップダイオードチップ５が溶着される位置の近傍の電極
部分には銅の部分を切欠いて形成された溝９〜１２が設
けられている。スピードアップダイオードチップ５を半
田溶着により電極上に固定するため加熱した際、溶融し
た半田は溝９〜１２を越えて流れ出ることなく、このた
めスピードアップダイオードチップ５は位置ずれするこ
となく電極に固定される。
ップ５の近傍を示す部分拡大平面図である。スピードア
ップダイオードチップ５が溶着される位置の近傍の電極
部分には銅の部分を切欠いて形成された溝９〜１２が設
けられている。スピードアップダイオードチップ５を半
田溶着により電極上に固定するため加熱した際、溶融し
た半田は溝９〜１２を越えて流れ出ることなく、このた
めスピードアップダイオードチップ５は位置ずれするこ
となく電極に固定される。
この実施例では、金属ベース板上に設けられた銅張積層
絶縁基板を例示して説明したが、たとえば、メタライズ
絶縁基板の上に金属電極板を載せた場合にも、金属電極
板に同様の溝を形成することにより、この実施例と同様
の効果が得られる。
絶縁基板を例示して説明したが、たとえば、メタライズ
絶縁基板の上に金属電極板を載せた場合にも、金属電極
板に同様の溝を形成することにより、この実施例と同様
の効果が得られる。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明の半導体装置では、小片
の半導体チップが溶着される位置の近傍の？！！極部骨
部分が形成されているため、加熱して半導体チップを溶
着させる際、溶着のための溶融物は半導体チップ周辺の
溝を越えることができず、このため溶融物上に載ってい
る半導体チップは位置ずれを生じることがない。したが
って、この半導体装置では、半導体チップが傾いて固定
されることなく、後工程におけるワイヤボンディングが
容易となり、かつ信頼性の高いボンディングを行なうこ
とができる。
の半導体チップが溶着される位置の近傍の？！！極部骨
部分が形成されているため、加熱して半導体チップを溶
着させる際、溶着のための溶融物は半導体チップ周辺の
溝を越えることができず、このため溶融物上に載ってい
る半導体チップは位置ずれを生じることがない。したが
って、この半導体装置では、半導体チップが傾いて固定
されることなく、後工程におけるワイヤボンディングが
容易となり、かつ信頼性の高いボンディングを行なうこ
とができる。
第１図は、この発明の一実施例を示す平面図である。第
２図は、第１図の実施例の側面図である。 第３図は、第１図の実施例のフライホイールダイオード
チップの近傍を示す部分拡大平面図である。 第４図は、第１図の実施例のスピードアップダイオード
チップの近傍を示す部分拡大平面図である。 第５図は、従来の半導体装置を示す平面図である。 第６図は、同じ〈従来の半導体装置を示す側面図である
。第７図は、従来の半導体装置のフライホイールダイオ
ードチップの近傍を示す部分拡大平面図である。第８図
は、従来の半導体装置のスピードアップダイオードチッ
プの近傍を示す部分拡大平面図である。 図において、１は金属ベース板、２は銅張積層絶縁基板
、３は半導体トランジスタチップ、４はアルミワイヤ、
５はスピードアップダイオードチップ、６はフライホイ
ールダイオードチップ、７〜１２は溝を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
２図は、第１図の実施例の側面図である。 第３図は、第１図の実施例のフライホイールダイオード
チップの近傍を示す部分拡大平面図である。 第４図は、第１図の実施例のスピードアップダイオード
チップの近傍を示す部分拡大平面図である。 第５図は、従来の半導体装置を示す平面図である。 第６図は、同じ〈従来の半導体装置を示す側面図である
。第７図は、従来の半導体装置のフライホイールダイオ
ードチップの近傍を示す部分拡大平面図である。第８図
は、従来の半導体装置のスピードアップダイオードチッ
プの近傍を示す部分拡大平面図である。 図において、１は金属ベース板、２は銅張積層絶縁基板
、３は半導体トランジスタチップ、４はアルミワイヤ、
５はスピードアップダイオードチップ、６はフライホイ
ールダイオードチップ、７〜１２は溝を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 金属ベース板と、前記金属ベース板上に設けられる絶
縁層または絶縁基板と、前記絶縁層または絶縁基板上に
設けられる電極と、前記電極のうち所定の電極上に溶着
される半導体チップとを備え、樹脂封止される半導体装
置において、 前記半導体チップが溶着される位置の近傍の前記電極部
分に溝が形成されていることを特徴とする、半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124445A JPH07120680B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124445A JPH07120680B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293557A true JPH01293557A (ja) | 1989-11-27 |
| JPH07120680B2 JPH07120680B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=14885688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63124445A Expired - Lifetime JPH07120680B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120680B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021044452A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58106942U (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | ワイヤボンデイング用回路基板 |
| JPS60194552A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-03 | Nec Corp | 混成集積回路装置 |
| JPS60200546A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS61136579U (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-25 | ||
| JPS6289141U (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-08 | ||
| JPS6346844U (ja) * | 1986-09-16 | 1988-03-30 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63124445A patent/JPH07120680B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58106942U (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | ワイヤボンデイング用回路基板 |
| JPS60194552A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-03 | Nec Corp | 混成集積回路装置 |
| JPS60200546A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS61136579U (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-25 | ||
| JPS6289141U (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-08 | ||
| JPS6346844U (ja) * | 1986-09-16 | 1988-03-30 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021044452A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| US11552065B2 (en) | 2019-09-12 | 2023-01-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07120680B2 (ja) | 1995-12-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071220 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220 Year of fee payment: 13 |