JPH01296429A - 記録媒体の製造方法 - Google Patents
記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH01296429A JPH01296429A JP63126404A JP12640488A JPH01296429A JP H01296429 A JPH01296429 A JP H01296429A JP 63126404 A JP63126404 A JP 63126404A JP 12640488 A JP12640488 A JP 12640488A JP H01296429 A JPH01296429 A JP H01296429A
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- Japan
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- recording medium
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- recording
- recording layer
- layer
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、考魂記録媒体及びその製造方法に関するもの
である。さらに詳しくは、磁気テープ、磁気ディスク、
磁気カード、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の記録層
の保護膜形成方法及びその方法を用いて製造される磁気
記録媒体に関するものである。
である。さらに詳しくは、磁気テープ、磁気ディスク、
磁気カード、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の記録層
の保護膜形成方法及びその方法を用いて製造される磁気
記録媒体に関するものである。
従来の技術
従来より、磁気記録媒体には、大きく分けて塗布型と蒸
着型がある。
着型がある。
塗布型の磁気記録媒体では、一般にＦｅ２Ｏ３やＣＯを
添加したγ−Ｆ ｅ２０３等の磁性粉末をポリビニール
・ブチラール、 トルエン、メチルイソブチル等のに混
合物に混合分散して塗料化し、媒体基体表面に４〜５μ
ｍの厚みで塗布する方法である。
添加したγ−Ｆ ｅ２０３等の磁性粉末をポリビニール
・ブチラール、 トルエン、メチルイソブチル等のに混
合物に混合分散して塗料化し、媒体基体表面に４〜５μ
ｍの厚みで塗布する方法である。
発明が解決しようとした課題
この方法では製造が容易である反面、磁性粉末を小さく
することに限界があり、高密度記録用としては性能が不
十分であった。
することに限界があり、高密度記録用としては性能が不
十分であった。
一方、蒸着型の記録媒体では、記録密度は塗布型に比べ
良くなるが、磁性金属層が表面に出ているため耐久性に
問題がある。そこで、１０００〜２０００の金属を電子
ビームやスッパタ法で蒸着した上へ、オーバーコートを
行い、さらに磁気記録媒体表面に潤滑性を与えるために
滑剤を塗布しているが、まだ十分な耐久性が得られてい
ない現状である。さらに、オーバーコートや滑剤の塗布
を薄く均一に行えないため、記録用磁気ヘッドと記録層
のギャップが大きくなり、蒸着型本来の高密度記録が十
分発揮できない状況である。
良くなるが、磁性金属層が表面に出ているため耐久性に
問題がある。そこで、１０００〜２０００の金属を電子
ビームやスッパタ法で蒸着した上へ、オーバーコートを
行い、さらに磁気記録媒体表面に潤滑性を与えるために
滑剤を塗布しているが、まだ十分な耐久性が得られてい
ない現状である。さらに、オーバーコートや滑剤の塗布
を薄く均一に行えないため、記録用磁気ヘッドと記録層
のギャップが大きくなり、蒸着型本来の高密度記録が十
分発揮できない状況である。
以上述べてきた従来法の欠点に鑑み、本発明の目的は、
オーバーコートや滑剤をより薄く均一に且つピンホール
無く行う方法を提供し、蒸着型磁気記録媒体の信頼性を
向上させると共に高密度記録を実現することにある。
オーバーコートや滑剤をより薄く均一に且つピンホール
無く行う方法を提供し、蒸着型磁気記録媒体の信頼性を
向上させると共に高密度記録を実現することにある。
課題を解決するための手段
本発明は、媒体基体上に蒸着形成された磁気記録層の表
面に直接または間接にシラン界面活性剤よりなる単分子
を形成するもので、その方法はシラン界面活性剤を単分
子状に化学吸着させる工程と、膜形成後さらに所定のガ
スを含む雰囲気中でエネルギー線（光、電子ビーム、Ｘ
線、γ線、イオンビーム等）を照射、あるいはプラズマ
処理を行うこと等によりシラン界面活性剤の感応基を変
性させる工程とを含み、これらの工程を複数回交互に行
う等の方法により複数層の単分子膜が保護膜として形成
されていることを特徴とした高密度記録媒体を提供する
ものである。
面に直接または間接にシラン界面活性剤よりなる単分子
を形成するもので、その方法はシラン界面活性剤を単分
子状に化学吸着させる工程と、膜形成後さらに所定のガ
スを含む雰囲気中でエネルギー線（光、電子ビーム、Ｘ
線、γ線、イオンビーム等）を照射、あるいはプラズマ
処理を行うこと等によりシラン界面活性剤の感応基を変
性させる工程とを含み、これらの工程を複数回交互に行
う等の方法により複数層の単分子膜が保護膜として形成
されていることを特徴とした高密度記録媒体を提供する
ものである。
作用
本発明によれば、磁気記録媒体の表面に複数層の単分子
保護膜が互いに層間で化学結合した状態の高密度の有機
薄膜を、ピンホールなくかつ均一な厚みで非常に薄く形
成でき、高性能な表面保護膜を形成することが可能とな
る。
保護膜が互いに層間で化学結合した状態の高密度の有機
薄膜を、ピンホールなくかつ均一な厚みで非常に薄く形
成でき、高性能な表面保護膜を形成することが可能とな
る。
実施例
以下、実施例を第１〜７図を用いて説明する。
例えば、第１図に示すように、磁気記録用ディスク基板
（媒体基体）１上にスッパタ法等により磁気記録層２（
Ｆｅ−Ｎｉ１ Ｎｉ−Ｃｏ・旧・・等の磁性金属や磁性
金属酸化膜）を形成した後、シラン界面活性剤としてＣ
Ｈ２”ＣＨ−（ＣＨ２）ｎ−８ｉ Ｃｌａ （。：整数
。１０〜２０程度が最も扱いやすい）を用い、２ Ｘ
１０−３〜５ Ｘ １０−２Ｍｏｌ／１程度の濃度で溶
かした８０％ｎ−へキサン、１２％四塩化炭素、８％ク
ロロホルム溶液を調整し、前記磁気記録層の形成された
媒体基体を浸漬すると、磁気記録層として蒸着された金
属表面はナチュラルオキサイドが形成されているので表
面で シラン界面活性剤による単分子吸着膜３が一層（２０〜
３０ の厚み）形成される。
（媒体基体）１上にスッパタ法等により磁気記録層２（
Ｆｅ−Ｎｉ１ Ｎｉ−Ｃｏ・旧・・等の磁性金属や磁性
金属酸化膜）を形成した後、シラン界面活性剤としてＣ
Ｈ２”ＣＨ−（ＣＨ２）ｎ−８ｉ Ｃｌａ （。：整数
。１０〜２０程度が最も扱いやすい）を用い、２ Ｘ
１０−３〜５ Ｘ １０−２Ｍｏｌ／１程度の濃度で溶
かした８０％ｎ−へキサン、１２％四塩化炭素、８％ク
ロロホルム溶液を調整し、前記磁気記録層の形成された
媒体基体を浸漬すると、磁気記録層として蒸着された金
属表面はナチュラルオキサイドが形成されているので表
面で シラン界面活性剤による単分子吸着膜３が一層（２０〜
３０ の厚み）形成される。
次に、酸素あるいはＮ２を含んだ雰囲気中で（空気中で
もよい）ビニル基４ （ＣＨｐ＝ＣＨ−）をエネルギー
線（電子線、Ｘ線、γ線、紫外線、イオン線）で照射し
、ビニル基４に水酸（−ＯＨ）基５（第３図）あるいは
アミン（−Ｎ Ｈ２）基６（第４図）を付加させる。な
お、これらの感応基がビニル基に付加することはＦＴＩ
Ｒ分析により確認された。また、このとき表面に並んだ
ビニル基は、０２やＮ２を含んだプラズマ中で処理する
方法でも−ＯＨ基や−ＮＨ２基の付加を行うことができ
る。以下、同じ反応液を用い化学吸着工程およびＯＨ基
あるいはＮＮ２基イτ１加工程を繰り返すことにより、
磁気記録媒体等の表面に複数層の単分子膜が互いに層間
で化学結合した状態の高密度の単分子累積膜７（保護膜
８（第１図））を得ることができる。（第５図及び第６
図）更に、最終層にＦを含んだ単分子膜を形成しようと
した場合には、最終の吸着工程で試薬としてＣＦ３−Ｃ
Ｆ２− （ＣＨ２） ｌ１ｌ−８ｉ Ｃ１３等Ｆを含ん
だンリコン界面活性剤を用いて化学吸着を行ったり、或
は成膜を終えた後、さらに最表面の単分子膜をフッ素を
含むカス中でプラズマ処理することにより表面にＦを含
む単分子累積膜を形成できる。
もよい）ビニル基４ （ＣＨｐ＝ＣＨ−）をエネルギー
線（電子線、Ｘ線、γ線、紫外線、イオン線）で照射し
、ビニル基４に水酸（−ＯＨ）基５（第３図）あるいは
アミン（−Ｎ Ｈ２）基６（第４図）を付加させる。な
お、これらの感応基がビニル基に付加することはＦＴＩ
Ｒ分析により確認された。また、このとき表面に並んだ
ビニル基は、０２やＮ２を含んだプラズマ中で処理する
方法でも−ＯＨ基や−ＮＨ２基の付加を行うことができ
る。以下、同じ反応液を用い化学吸着工程およびＯＨ基
あるいはＮＮ２基イτ１加工程を繰り返すことにより、
磁気記録媒体等の表面に複数層の単分子膜が互いに層間
で化学結合した状態の高密度の単分子累積膜７（保護膜
８（第１図））を得ることができる。（第５図及び第６
図）更に、最終層にＦを含んだ単分子膜を形成しようと
した場合には、最終の吸着工程で試薬としてＣＦ３−Ｃ
Ｆ２− （ＣＨ２） ｌ１ｌ−８ｉ Ｃ１３等Ｆを含ん
だンリコン界面活性剤を用いて化学吸着を行ったり、或
は成膜を終えた後、さらに最表面の単分子膜をフッ素を
含むカス中でプラズマ処理することにより表面にＦを含
む単分子累積膜を形成できる。
一方、シラン界面活性剤を一層化学吸着法で形成した基
板を長鎖脂肪酸（例えば、ＣＨ２−（ＣＨ２）。−ＣＯ
ＯＨｌ 。は１０〜２５）あるいは、長鎖アルコール
（例えば、ＣＨ３−（ＣＨ２）。−０Ｈ１。は１０〜２
５）を溶かした水溶液中に浸せきすることにより、長鎖
脂肪酸あるいは長鎖アルコールの単分子膜をさらに一層
前記シラン界面活性剤よりなる単分子膜表面に吸着形成
できる。
板を長鎖脂肪酸（例えば、ＣＨ２−（ＣＨ２）。−ＣＯ
ＯＨｌ 。は１０〜２５）あるいは、長鎖アルコール
（例えば、ＣＨ３−（ＣＨ２）。−０Ｈ１。は１０〜２
５）を溶かした水溶液中に浸せきすることにより、長鎖
脂肪酸あるいは長鎖アルコールの単分子膜をさらに一層
前記シラン界面活性剤よりなる単分子膜表面に吸着形成
できる。
例えば、ＣＮ３−（ＣＮ２）ＩＴ−ＯＨを１０−５ｍｏ
ｌ／ｌ溶かした水溶液中に１０°Ｃで３０分浸せきする
と長鎖アルコールの単分子膜がＯＨ基を表にして一層長
鎖アルコールの単分子膜９を吸着形成できる。
ｌ／ｌ溶かした水溶液中に１０°Ｃで３０分浸せきする
と長鎖アルコールの単分子膜がＯＨ基を表にして一層長
鎖アルコールの単分子膜９を吸着形成できる。
（第７図）
なお、上記実施例では、直接磁気記録媒体表面に単分子
累積膜を形成した例を示したが、磁気記録媒体上にＣや
Ｗｌ Ｍｏ等の物質を蒸着しこれらの膜を介して単分子
累積膜を形成しても同じ効果が得られることは言うまで
もない。また、磁気ディスクを例にして説明したが、磁
気テープ、磁気カード、さらに媒体基体にＰＭＭＡ等の
透明体を用いれば光磁気記録媒体へ応用できることも言
うまでもない。
累積膜を形成した例を示したが、磁気記録媒体上にＣや
Ｗｌ Ｍｏ等の物質を蒸着しこれらの膜を介して単分子
累積膜を形成しても同じ効果が得られることは言うまで
もない。また、磁気ディスクを例にして説明したが、磁
気テープ、磁気カード、さらに媒体基体にＰＭＭＡ等の
透明体を用いれば光磁気記録媒体へ応用できることも言
うまでもない。
また、本方法は、磁気記録媒体の保護膜形成以外にも、
光記録媒体や半導体素子の保護膜としても応用可能であ
る。
光記録媒体や半導体素子の保護膜としても応用可能であ
る。
発明の効果
以上述べてきた本発明により、磁気記録媒体等の表面に
複数層の単分子保護膜が互いに層間で化学結合した状態
の高密度の有機薄膜をピンホール無く、かつ均一な厚み
て、非常に薄（形成できる。
複数層の単分子保護膜が互いに層間で化学結合した状態
の高密度の有機薄膜をピンホール無く、かつ均一な厚み
て、非常に薄（形成できる。
従って、基体が磁気記録媒体等の場合、記録再生ヘッド
の効率が向上し、ノイズも減少でき、効果大なるもので
ある。すなわち、本発明の方法により基体表面に複数層
の単分子膜よりなる超薄膜を化学吸着することにより、
ピンホールフリーで均一な膜厚の有機保護膜が得られる
。さらに有機薄膜表面にＦを含ませることにより、保護
膜に滑性を持たせることができ、ヘッドの滑り性が向上
される。従って、耐摩耗性向上効果大なるものである。
の効率が向上し、ノイズも減少でき、効果大なるもので
ある。すなわち、本発明の方法により基体表面に複数層
の単分子膜よりなる超薄膜を化学吸着することにより、
ピンホールフリーで均一な膜厚の有機保護膜が得られる
。さらに有機薄膜表面にＦを含ませることにより、保護
膜に滑性を持たせることができ、ヘッドの滑り性が向上
される。従って、耐摩耗性向上効果大なるものである。
以」二、述べてきた実施例は、基体として磁気記録媒体
を用いて説明してきたが、光ディスク、レフード等耐摩
耗性を向上したり、表面保護を目的とした全てのものに
使用できることは明かである。
を用いて説明してきたが、光ディスク、レフード等耐摩
耗性を向上したり、表面保護を目的とした全てのものに
使用できることは明かである。
なお、化学吸着用の材料として、ジアセチレン系の誘導
体〔例えば、ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＨ２）。−ＣＣ−ＣＣ
−（ＣＨ２）ＩＩ−３ｉ Ｃｌａ （ｎｌ、：整数）等
］を用いた場合には、紫外線照射により架橋を生成させ
面方向の導電性を持たすことができ、基体表面の帯電を
防止することも可能である。
体〔例えば、ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＨ２）。−ＣＣ−ＣＣ
−（ＣＨ２）ＩＩ−３ｉ Ｃｌａ （ｎｌ、：整数）等
］を用いた場合には、紫外線照射により架橋を生成させ
面方向の導電性を持たすことができ、基体表面の帯電を
防止することも可能である。
第１図〜第７図は本発明の詳細な説明するための磁気記
録媒体断面図を示し、第１図は概念図、第２図〜第７図
は第１図中Ｏ印Ａ部を分子レベルまで拡大した工程断面
図である。 １・・・・・・媒体基体、２・・・・・・磁気記録層、
３・・・・・・単分子吸着膜、４・・・・・・ビニル基
、５・・・・・・水酸基、６・・・・・・アミノ基、７
・・・・・・単分子累積膜、８・・・・・・長鎖アルコ
ールの単分子膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名出語 城 憾 ０ト 惺 城 懺 惺 し）
録媒体断面図を示し、第１図は概念図、第２図〜第７図
は第１図中Ｏ印Ａ部を分子レベルまで拡大した工程断面
図である。 １・・・・・・媒体基体、２・・・・・・磁気記録層、
３・・・・・・単分子吸着膜、４・・・・・・ビニル基
、５・・・・・・水酸基、６・・・・・・アミノ基、７
・・・・・・単分子累積膜、８・・・・・・長鎖アルコ
ールの単分子膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名出語 城 憾 ０ト 惺 城 懺 惺 し）
Claims (8)
- （１）任意の媒体基体上に形成された記録層表面にシラ
ン界面活性剤よりなる単分子膜が複数層直接または間接
に形成されていることを特徴とした記録媒体。 - （２）複数層の単分子保護膜が互いに層間で化学結合し
ていることを特徴とした特許請求の範囲第１項記載の記
録媒体。 - （３）最上層の単分子膜がＦを含んでいることを特徴と
した特許請求の範囲第１項または第２項記載の記録媒体
。 - （４）最上層の単分子膜が−ＯＨ基を含んでいることを
特徴とした特許請求の範囲第１項記載の記録媒体。 - （５）媒体基体表面に記録層を形成する工程と、シラン
界面活性剤を化学吸着させ、前記記録層上に直接または
間接に前記活性剤のシリコンと記録層上の酸素を化学結
合させて、単分子膜を一層形成する工程と、一層単分子
膜を形成した後、Ｎ＿２又はＯ＿２を含むガス雰囲気中
で高エネルギービームを照射するか又はプラズマ処理し
た後シラン界面活性剤を化学吸着させる工程を、複数回
繰り返すことを特徴とした記録媒体の製造方法。 - （６）シラン界面活性剤として、ＣＨ＿２＝ＣＨ−（Ｃ
Ｈ＿２）＿ｎ−ＳｉＣｌ＿３（ｎ：整数）で表される化
学物質を用いることを特徴とした特許請求の範囲第５項
記載の記録媒体の製造方法。 - （７）媒体基体として光学的に透明な材料を用いたこと
を特徴とした特許請求の範囲第６項記載の記録媒体の製
造方法。 - （８）媒体基体表面に記録層を形成する工程と、シラン
界面活性剤と化学吸着させ前記活性剤のシリコンと記録
層上の酸素を化学結合させて単分子膜を一層形成する工
程と、長鎖脂肪酸又は長鎖アルコールを溶解した水溶液
に浸せきし、さらにもう一層の長鎖脂肪酸又はアルコー
ル単分子膜を吸着累積する工程を含むことを特徴とした
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126404A JP2532577B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 記録媒体の製造方法 |
| US07/354,240 US4992300A (en) | 1988-05-24 | 1989-05-19 | Manufacturing method for a recording medium or a recording head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126404A JP2532577B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296429A true JPH01296429A (ja) | 1989-11-29 |
| JP2532577B2 JP2532577B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=14934316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63126404A Expired - Fee Related JP2532577B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2532577B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001403A1 (fr) * | 1999-06-24 | 2001-01-04 | Fujitsu Limited | Procede de production d'un support d'enregistrement magnetique et support d'enregistrement magnetique ainsi obtenu |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61122925A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP63126404A patent/JP2532577B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61122925A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001403A1 (fr) * | 1999-06-24 | 2001-01-04 | Fujitsu Limited | Procede de production d'un support d'enregistrement magnetique et support d'enregistrement magnetique ainsi obtenu |
| US6878398B2 (en) | 1999-06-24 | 2005-04-12 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing magnetic recording medium and the magnetic recording medium |
| US6890585B2 (en) | 1999-06-24 | 2005-05-10 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing magnetic recording medium and the magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2532577B2 (ja) | 1996-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |