JPH0129852Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0129852Y2 JPH0129852Y2 JP1982072995U JP7299582U JPH0129852Y2 JP H0129852 Y2 JPH0129852 Y2 JP H0129852Y2 JP 1982072995 U JP1982072995 U JP 1982072995U JP 7299582 U JP7299582 U JP 7299582U JP H0129852 Y2 JPH0129852 Y2 JP H0129852Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- transistors
- pair
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、発振回路の改良に係り、特に安定に
動作する集積回路化された発振回路に関するもの
である。集積回路化された第１図に示す如き発振
回路が、本願と同一の出願人により提案されてい
る。第１図において、１は差動接続された第１及
び第２トランジスタ２及び３と、該第１及び第２
トランジスタ２及び３の共通エミツタに接続され
た定電流トランジスタ４と、前記第２トランジス
タ３のコレクタと前記第１トランジスタ２のベー
スとの間に接続された帰還コンデンサ５とから成
る正帰還増幅部、６は一端が前記第２トランジス
タ３のコレクタに接続された水晶振動子等の発振
素子、及び７は差動接続された第３及び第４トラ
ンジスタ８及び９と、該第３及び第４トランジス
タ８及び９の共通エミツタに接続され、ベースに
印加される制御信号に応じてそのコレクタ電流が
変化する第５トランジスタ１０と、前記第３トラ
ンジスタ８のベース・コレクタ間に接続されたコ
ンデンサ１１と、前記第３及び第４トランジスタ
８及び９のベース・ベース間に接続された抵抗１
２とから成る可変容量リアクタンス部である。し
かして、第１図の回路において、可変容量リアク
タンス部７は、全体として可変容量リアクタンス
Cxとなり、発振素子６に前記可変容量リアクタ
ンスCxが並列接続される構成を有している。そ
の為、前記可変容量リアクタンスCxの値を変化
することにより、発振回路は所定の周波数範囲の
出力発振信号を発生することが出来る。ちなみ
に、可変容量リアクタンスCxは、 Cx＝Ｒ・gn・Ｃ……(1) （ただし、Ｒは抵抗１２の抵抗値、gnは相互
コンダクタンス、Ｃはコンデンサ１１の容量リア
クタンスである。）となり、相互コンダクタンス
gnは、第５トランジスタ１０に流れる電流Ｉに
比例するから、前記第５トランジスタ１０のベー
スに制御信号を印加して前記電流Ｉを変化させれ
ば、可変容量リアクタンスCxは、制御信号に応
じたものとなる。 ところで、発振回路の出力端子１３に得られる
出力発振信号は、第２図実線イで示す如く、電源
電圧（＋VCC）とアース電位とで定まる振巾を有
する。一方、可変容量リアクタンス部７の第３及
び第４トランジスタ８及び９のベースには、バイ
アス電源１４により＋VBのバイアス電圧が印加
されているので、第３トランジスタ８のベース電
圧は、第２図破線ロの如くなる。第２図イ及びロ
を比較すれば明らかな如く、出力発振信号が＋
VBより低下すると、出力発振信号の電圧が第３
トランジスタ８のベース電圧よりも低下するとい
う状態になる。しかして、出力端子１３は、可変
容量リアクタンス部７の第３トランジスタ８のコ
レクタにも接続されており、出力発振信号の電圧
は、第３トランジスタ８のコレクタ電圧でもある
から、出力発振信号の電圧が第３トランジスタ８
のベース電圧よりも低下するということは、第３
トランジスタ８のコレクタ・ベース電圧が逆バイ
アスとなり、前記第３トランジスタ８が飽和状態
となることを意味する。そして、前記第３トラン
ジスタ８が飽和すると、可変容量リアクタンス部
７が正常な働きをしなくなり、特性が不安定とな
つたり、発振停止を生じたりする。 本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、以
下実施例に基き図面を参照しながら説明する。第
３図は本考案の一実施例を示すもので、正帰還増
幅部１の定電流トランジスタ４のエミツタを、ア
ースではなく、所定の電位点に接続したことを特
徴とするものである。すなわち、第３図において
は、直列接続された第１、第２及び第３バイアス
抵抗１５，１６及び１７が設けられており、第２
及び第３バイアス抵抗１６及び１７の接続点にベ
ースが接続されたバイアス用のトランジスタ１８
が設けられている。そして、前記バイアス用のト
ランジスタ１８のエミツタが定電流トランジスタ
４のエミツタに接続されているから、前記定電流
トランジスタ４のエミツタ電圧VEは、前記第１
乃至第３バイアス抵抗１５乃至１７の値と、前記
バイアス用のトランジスタ１８のベース・エミツ
タ間電圧によつて定まる。尚、第３図において、
第１図と同一の回路素子には同一の図番を付して
説明を省略してある。ところで、可変容量リアク
タンス部７の第３トランジスタ８が飽和する際の
該第３トランジスタ８のコレクタ電圧VCは、第
４トランジスタ９のベース電圧をVBとすれば、 VC＝VB−VBE＋Vsat……(2) （ただし、VBEは、トランジスタのベース・エ
ミツタ間電圧、Vsatは、トランジスタのコレク
タ・エミツタ間飽和電圧。）となる。一方、正帰
還増幅部１の定電流トランジスタ４のエミツタ電
圧VEが定まると、前記正帰還増幅部１の第２ト
ランジスタ３のコレクタ最低電圧Vminは、 Vmin＝VE＋2Vsat……(3)となり、前記第２ト
ランジスタ３のコレクタ電圧によつて、前記第３
トランジスタ８に飽和を生じない為には、 VC＜Vmin……(4)という条件が必要となる。 従つて、第２乃至第４式から、前記VEは、 VE＞VB−VBE−Vsat……(5)となる様に定めら
れなければならない。 第４図は、VE＝VBとした場合の出力発振信号
を示すもので、該出力発振信号（実線イ）は、電
源電圧（＋VCC）と定電流トランジスタ４のエミ
ツタ電圧（＋VE）とで定まる振巾を有しており、
第３トランジスタ８のベース電圧（破線ロ）より
も低下しないことを示している。前記定電流トラ
ンジスタ４のエミツタ電圧VEとして、例えば
2V、第４トランジスタ９のベース電圧を例えば
3Vとすれば、安定な動作を得ることが出来る。 以上述べた如く、本考案に依れば、可変容量リ
アクタンス部７の第２トランジスタ８が飽和を生
じないので、確実なる発振信号を得ることが出来
る実用的なものである。
動作する集積回路化された発振回路に関するもの
である。集積回路化された第１図に示す如き発振
回路が、本願と同一の出願人により提案されてい
る。第１図において、１は差動接続された第１及
び第２トランジスタ２及び３と、該第１及び第２
トランジスタ２及び３の共通エミツタに接続され
た定電流トランジスタ４と、前記第２トランジス
タ３のコレクタと前記第１トランジスタ２のベー
スとの間に接続された帰還コンデンサ５とから成
る正帰還増幅部、６は一端が前記第２トランジス
タ３のコレクタに接続された水晶振動子等の発振
素子、及び７は差動接続された第３及び第４トラ
ンジスタ８及び９と、該第３及び第４トランジス
タ８及び９の共通エミツタに接続され、ベースに
印加される制御信号に応じてそのコレクタ電流が
変化する第５トランジスタ１０と、前記第３トラ
ンジスタ８のベース・コレクタ間に接続されたコ
ンデンサ１１と、前記第３及び第４トランジスタ
８及び９のベース・ベース間に接続された抵抗１
２とから成る可変容量リアクタンス部である。し
かして、第１図の回路において、可変容量リアク
タンス部７は、全体として可変容量リアクタンス
Cxとなり、発振素子６に前記可変容量リアクタ
ンスCxが並列接続される構成を有している。そ
の為、前記可変容量リアクタンスCxの値を変化
することにより、発振回路は所定の周波数範囲の
出力発振信号を発生することが出来る。ちなみ
に、可変容量リアクタンスCxは、 Cx＝Ｒ・gn・Ｃ……(1) （ただし、Ｒは抵抗１２の抵抗値、gnは相互
コンダクタンス、Ｃはコンデンサ１１の容量リア
クタンスである。）となり、相互コンダクタンス
gnは、第５トランジスタ１０に流れる電流Ｉに
比例するから、前記第５トランジスタ１０のベー
スに制御信号を印加して前記電流Ｉを変化させれ
ば、可変容量リアクタンスCxは、制御信号に応
じたものとなる。 ところで、発振回路の出力端子１３に得られる
出力発振信号は、第２図実線イで示す如く、電源
電圧（＋VCC）とアース電位とで定まる振巾を有
する。一方、可変容量リアクタンス部７の第３及
び第４トランジスタ８及び９のベースには、バイ
アス電源１４により＋VBのバイアス電圧が印加
されているので、第３トランジスタ８のベース電
圧は、第２図破線ロの如くなる。第２図イ及びロ
を比較すれば明らかな如く、出力発振信号が＋
VBより低下すると、出力発振信号の電圧が第３
トランジスタ８のベース電圧よりも低下するとい
う状態になる。しかして、出力端子１３は、可変
容量リアクタンス部７の第３トランジスタ８のコ
レクタにも接続されており、出力発振信号の電圧
は、第３トランジスタ８のコレクタ電圧でもある
から、出力発振信号の電圧が第３トランジスタ８
のベース電圧よりも低下するということは、第３
トランジスタ８のコレクタ・ベース電圧が逆バイ
アスとなり、前記第３トランジスタ８が飽和状態
となることを意味する。そして、前記第３トラン
ジスタ８が飽和すると、可変容量リアクタンス部
７が正常な働きをしなくなり、特性が不安定とな
つたり、発振停止を生じたりする。 本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、以
下実施例に基き図面を参照しながら説明する。第
３図は本考案の一実施例を示すもので、正帰還増
幅部１の定電流トランジスタ４のエミツタを、ア
ースではなく、所定の電位点に接続したことを特
徴とするものである。すなわち、第３図において
は、直列接続された第１、第２及び第３バイアス
抵抗１５，１６及び１７が設けられており、第２
及び第３バイアス抵抗１６及び１７の接続点にベ
ースが接続されたバイアス用のトランジスタ１８
が設けられている。そして、前記バイアス用のト
ランジスタ１８のエミツタが定電流トランジスタ
４のエミツタに接続されているから、前記定電流
トランジスタ４のエミツタ電圧VEは、前記第１
乃至第３バイアス抵抗１５乃至１７の値と、前記
バイアス用のトランジスタ１８のベース・エミツ
タ間電圧によつて定まる。尚、第３図において、
第１図と同一の回路素子には同一の図番を付して
説明を省略してある。ところで、可変容量リアク
タンス部７の第３トランジスタ８が飽和する際の
該第３トランジスタ８のコレクタ電圧VCは、第
４トランジスタ９のベース電圧をVBとすれば、 VC＝VB−VBE＋Vsat……(2) （ただし、VBEは、トランジスタのベース・エ
ミツタ間電圧、Vsatは、トランジスタのコレク
タ・エミツタ間飽和電圧。）となる。一方、正帰
還増幅部１の定電流トランジスタ４のエミツタ電
圧VEが定まると、前記正帰還増幅部１の第２ト
ランジスタ３のコレクタ最低電圧Vminは、 Vmin＝VE＋2Vsat……(3)となり、前記第２ト
ランジスタ３のコレクタ電圧によつて、前記第３
トランジスタ８に飽和を生じない為には、 VC＜Vmin……(4)という条件が必要となる。 従つて、第２乃至第４式から、前記VEは、 VE＞VB−VBE−Vsat……(5)となる様に定めら
れなければならない。 第４図は、VE＝VBとした場合の出力発振信号
を示すもので、該出力発振信号（実線イ）は、電
源電圧（＋VCC）と定電流トランジスタ４のエミ
ツタ電圧（＋VE）とで定まる振巾を有しており、
第３トランジスタ８のベース電圧（破線ロ）より
も低下しないことを示している。前記定電流トラ
ンジスタ４のエミツタ電圧VEとして、例えば
2V、第４トランジスタ９のベース電圧を例えば
3Vとすれば、安定な動作を得ることが出来る。 以上述べた如く、本考案に依れば、可変容量リ
アクタンス部７の第２トランジスタ８が飽和を生
じないので、確実なる発振信号を得ることが出来
る実用的なものである。
第１図は、本考案の改良の対象となる発振回路
を示す回路図、第２図はその発振出力信号を示す
特性図、第３図は本考案の一実施例を示す回路
図、及び第４図はその発振出力信号を示す特性図
である。 主な図番の説明、１……正帰還増幅部、４……
定電流トランジスタ、７……可変容量リアクタン
ス部、８……第３トランジスタ、９……第４トラ
ンジスタ。
を示す回路図、第２図はその発振出力信号を示す
特性図、第３図は本考案の一実施例を示す回路
図、及び第４図はその発振出力信号を示す特性図
である。 主な図番の説明、１……正帰還増幅部、４……
定電流トランジスタ、７……可変容量リアクタン
ス部、８……第３トランジスタ、９……第４トラ
ンジスタ。
Claims (1)
- 差動接続された一対のトランジスタと、該一対
のトランジスタの共通エミツタに接続された定電
流トランジスタと、前記一対のトランジスタの一
方のベースと他方のコレクタとの間に接続された
正帰還用のコンデンサとを含み、前記他方のトラ
ンジスタのコレクタを発振出力信号が得られる出
力端子とする正帰還増幅部、該正帰還増幅部の出
力端子に接続された発振周波数を定める為の発振
素子、及び差動接続された一対のトランジスタ
と、該一対のトランジスタの一方のベース・コレ
クタ間に接続されたコンデンサと、前記一対のト
ランジスタのベースに基準電圧を与えるバイアス
電源とを含み、前記一方のトランジスタのコレク
タが前記出力端子に接続された可変容量リアクタ
ンス部と、前記正帰還増幅部の定電流トランジス
タのエミツタに所定のエミツタ電圧を与える電圧
供給回路とを備え、前記可変容量リアクタンス部
の一方のトランジスタが飽和しない様、前記エミ
ツタ電圧を前記バイアス電源の出力電圧と略等し
いか前記バイアス電源の出力電圧よりも大なる値
に設定したことを特徴とする発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299582U JPS58173916U (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299582U JPS58173916U (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58173916U JPS58173916U (ja) | 1983-11-21 |
| JPH0129852Y2 true JPH0129852Y2 (ja) | 1989-09-12 |
Family
ID=30082523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7299582U Granted JPS58173916U (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58173916U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60172410U (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-15 | 三洋電機株式会社 | 発振周波数制御回路 |
| JPH0346573Y2 (ja) * | 1986-09-19 | 1991-10-02 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54956A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-06 | Sony Corp | Vco |
| JPS5524722A (en) * | 1978-08-10 | 1980-02-22 | Nippon Steel Corp | Continuous casting machine |
-
1982
- 1982-05-18 JP JP7299582U patent/JPS58173916U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58173916U (ja) | 1983-11-21 |
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