JPH01304748A - Eclゲートアレイ - Google Patents

Eclゲートアレイ

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Publication number
JPH01304748A
JPH01304748A JP13584288A JP13584288A JPH01304748A JP H01304748 A JPH01304748 A JP H01304748A JP 13584288 A JP13584288 A JP 13584288A JP 13584288 A JP13584288 A JP 13584288A JP H01304748 A JPH01304748 A JP H01304748A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output buffer
output
power supply
layer wirings
electric source
Prior art date
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Pending
Application number
JP13584288A
Other languages
English (en)
Inventor
Michihiko Uemura
植村 吾彦
Masaji Kato
加藤 正次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP13584288A priority Critical patent/JPH01304748A/ja
Publication of JPH01304748A publication Critical patent/JPH01304748A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はECLゲートアレイに関し、特に出力バッファ
電源パターンのレイアウトに関する。
〔従来の技術〕
従来の二層配線からなるECLゲートアレイの出力バッ
ファのレイアウトについて説明する。この出力バッファ
としては、第2図の回路図に示すように、トランジスタ
Qx”Q7及び抵抗R1〜R5によって構成されたもの
を用いる。この回路は、第8図に示す第一層配線の電極
のみを示したトランジスタQt〜Q?及び抵抗R1〜R
9の領域32をレイアウトし、この出力バッファ下地3
6の上に、第9図に示すように、第一層配線31で各素
子間を接続し、第二層配線33からなる電源パターンG
NDA22.GND2B。
VREP 24 、 Vcsg 25 、 VE226
をレイアウトし、スルーホール34により第一層配線3
1と接続することによって構成していた。
これら出力バッファ11〜17を、第9図のように並べ
ることにより出力バッファ列とし、隣接する出力バッフ
ァの第二M配線からなる電源パターンGN DA、  
GND 、  VFLEF 、 Vcsi 、  VE
Eは各々の出力バッファ間で接続され電源バス27をな
していた。この出力バッファは、論理の反転を行なわな
いため、抵抗R5を使用しておらず、この抵抗R5の両
端子間が短絡されている〔発明が解決しようとする課題
〕 上述した従来のECLゲートアレイは、出力バッファ列
上に第二層配線からなる電源バスがレイアウトされてい
るため、出力バッファを構成するトラジスタ抵抗、及び
これらトランジスタと抵抗とを接続する第−増配線と、
第二層配線による電源バスとの間に寄生容量を生じ、特
に第2図中のノードN及び出力端子OUTにそれぞれ生
じる寄生容量C1及びC2により出力バッファのゲート
遅延時間が大きくなるという欠点がある。
本発明の目的は、このような欠点を除き、出力バッファ
を構成するトランジスタ、抵抗を形成する第−増配線、
及び出力端子を形成する第−増配線上に第二層配線から
なる電源パターンを存在したいようにして、寄生容量を
少くし、ゲート遅延時間の遅れを少くしたELCゲート
アレイを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の構成は、入力信号を差動増幅トランジスタによ
り増幅しエミッタフォロワの出力トランジスタから出力
する型式の出力バッファを配列して出力バッファ列を設
け、これら出力バッファ列のトランジスタおよび抵抗を
第−増配線とし、これら出力バッファ列に供給される第
1および第2の電源配線と第1および第2の基準電圧配
線とを第二層配線として配置したECLゲートアレイに
おいて、前記出力バッファを構成する一対の差動トラン
ジスタおよび出力トランジスタの各素子上に前記第二層
配線からなる電源パターンを設けない出力バッファを前
記出力バッファ列の中央部分・:こ配列し、この中央の
出力バッファへの電源接続を両側の第二層配線から行う
ようにしたことを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のECLゲートアレイの出力
バッファ列を示したチップレイアウト図、第3図は第1
図の部品配置を示すレイアウト図、第4図は第1図の部
品および配線のレイアウト図である。本実施例は、チッ
プ1の上辺及び下辺に出力バッファ11〜17が7個隣
接して並べられている。出力バッファ11〜13及び出
力バッファ15〜17の部分には、各々の出力バッファ
の電源端子GNDA、GND、V艮。、。
V C8R、V twに接続する第二層配線33からな
る各々の電源パターンGNDA2.GND3゜VRip
 4 、 Vcsg 5 、 VEI!6が電源バス7
を形成している。また、出力バッファ14の部分では、
電源バス7は左右で不連続となっている。
次に、各々の出力バッファのレイアウトについて説明す
る。出力バッファ11〜13及び出力バッファ15〜1
7は、従来例の第8図と同様のレイアウトであり、出力
バッファ14は、第3図のように、トランジスタQ1〜
Qフ及び抵抗R1〜R3がレイアウトされた出力バッフ
ァとなっている。この素子上を第4図に示すように、各
素子間を第−増配線31で接続し、第二層配線33から
なる電源パターンGNDA2゜2’ 、GND3,3’
 、VREP 4.VC5E 5゜VEE6,6’をレ
イアウトし、スルーホール34により第−増配線31と
接続している。ここで第2図の電源端子GNDAのレイ
アウトは、GNDA2とGNDA2’に分離され、電源
端子GNDのレイアウトはGND3とGND3’とに分
離されることにより、Q+ 、Q2 、Q4 、Q5.
Rt上に第二層からなる電源パターンをレイアウトする
ことなしに出力バッファを構成できる。出力バッファ1
4の第二層33からなる各電源パターンGNDA2.G
ND3.Veer 4.VEE6は、出力バッファ15
の第二層33からなる各電源パタ−ンのGNDA、GN
D、VREP 、VERに接続され、出力バッファ14
の第二層配線からなる各電源パターンGNDA2’ 、
GND3’ 、VcsE5 、 V EE6 ’は、出
力バッファは、出力バッファ13の第二層からなる各電
源パターンGNDA。
G N D 、 VcsE、 VERに接続されている
第5図は本発明の第2の実施例のECLゲートアレイの
チップレイアウト図である。本実施例は、第1の実施例
と同様に出力バッファ14は、第2図中のトランジスタ
Ql 、 C3、C4、Q7抵抗R1,ノードNを形成
する第−増配線31、及び出力端子OUTを形成する第
−増配線31上に第二層配線33からなる電源パターン
がレイアウトされていない。この実施例では、出力バッ
ファ14中の第二層配線33からなる電源パターンVE
E8が隣接する第二層からなる電源パターンと接続され
ているため、第1の実施例に比べより安定な電源V11
Bを各々の出力バッファ11〜17に供給できるという
利点がある。
従来例では出力バッファのノードNをなす第−増配線と
第二層配線からなる電源パターンとの間に生ずる寄生容
量C1は0.5pFであり、出力端子の第−増配線と第
二層配線の電源パターンとの間に生ずる寄生容量C2は
1.0pFであった。第2図の出力バッファにおいて、
抵抗R5を流れる電流を4mA、出力端子を一2■50
Ωで終端した場合の出力バッファのゲート遅延時間tP
dと寄生容量C1およびC2との関係は、第8図および
第9図に示される。
第8図から寄生容量cl=Q、5pFではtpdが20
ps遅くなり、第9図から寄生容量C2=1.0pFで
はtpaが20ps遅くなっていることがわかる。
一方、本実施例では、これらの寄生容量をもたないため
、出力バッファ列中の一つ以上の出力バッファのゲート
遅延jpdを他の出力バッファより40ps早めること
が出来、10%程度早い応答速度とすることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明の構成によれば、第二層配
線からなる電源バスに被われた出力バッファ列中のひと
つ以上の出力バッファのトランジスタQ+ 、C3、C
4、Qフ、抵抗R1,ノードNを形成する第−増配線、
及び出力端子を形成する第−増配線上に、第二層配線か
らなる電源パターンが除いていることにより、各トラン
ジスタ、抵抗及びノードを形成する第−増配線、及び出
力端子を形成する第−増配線と、第二層配線からなる電
源パターンとの間の寄生容量をなくすことができ、その
分だけゲート遅延量を早めることが出来、回路応答速度
を早めることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一の実施例のECLゲートアレイの
出力バッファ列のレイアウト図、第2図は一般の出力バ
ッファの一例の回路図、第3図。 第4図は第1図の出力バッファを構成しているトランジ
スタ、抵抗を含むレイアウト図および第−増配線と部品
とのレイアウト図、第5図は本発明の第2の実施例の出
力バッファのレイアウト図、第6図、第7図は出力バッ
ファのゲート遅延時間と寄生容量C1および寄生容量C
2との関係を示す特性図、第8図、第9図は従来の出力
バッファ列の一例の部品レイアウト図および配線レイア
ウト図である。 1・・・チップ、11〜17・・・出力バッファ、2゜
2’ 、22・・・接地パターンGNDA、3.3’。 23・・・接地パターンGND、4.4’ 、24・・
・電源パターンVRip 、5.5’ 、25・・・電
源パターンVcsg 、6.6’ 、8.26−電源パ
ターンVEE、7,27・・・電源バス、31・・・第
−増配線、32・・・トランジスタ、抵抗部、33・・
・第二層配線、34・・・スルーホール、36・・・出
力バッファ下地、Q 1〜Q 7− トランジスタ、Q
 lbl Q 10゜Qls・・・ベース、コレクタ、
エミッタ電極、R1−R5−・・抵抗、R1a% R,
5,・・・抵抗R1〜R1の電極。 寄生容量 CI 第6 図 第7図 第8図 第′:?図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  入力信号を差動増幅トランジスタにより増幅しエミッ
    タフォロワの出力トランジスタから出力する型式の出力
    バッファを配列して出力バッファ列を設け、これら出力
    バッファ列のトランジスタおよび抵抗を第一層配線とし
    、これら出力バッファ列に供給される第1および第2の
    電源配線と第1および第2の基準電圧配線とを第二層配
    線として配置したECLゲートアレイにおいて、前記出
    力バッファを構成する一対の差動トランジスタおよび出
    力トランジスタの各素子上に前記第二層配線からなる電
    源パターンを設けない出力バッファを前記出力バッファ
    列の中央部分に配列し、この中央の出力バッファへの電
    源接続を両側の第二層配線から行うようにしたことを特
    徴とするECLゲートアレイ。
JP13584288A 1988-06-01 1988-06-01 Eclゲートアレイ Pending JPH01304748A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13584288A JPH01304748A (ja) 1988-06-01 1988-06-01 Eclゲートアレイ

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JP13584288A JPH01304748A (ja) 1988-06-01 1988-06-01 Eclゲートアレイ

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JPH01304748A true JPH01304748A (ja) 1989-12-08

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JP13584288A Pending JPH01304748A (ja) 1988-06-01 1988-06-01 Eclゲートアレイ

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