JPH01308807A - 膜状超電導体の製造方法 - Google Patents
膜状超電導体の製造方法Info
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- JPH01308807A JPH01308807A JP13974888A JP13974888A JPH01308807A JP H01308807 A JPH01308807 A JP H01308807A JP 13974888 A JP13974888 A JP 13974888A JP 13974888 A JP13974888 A JP 13974888A JP H01308807 A JPH01308807 A JP H01308807A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＣＶＤ法による膜状超電導体の製造方法に間す
る。
る。
［従来の技術］
膜状超電導体を製造する方法としてはスクリーン印刷に
よる方法やスパッタリングによる方法が知られている。
よる方法やスパッタリングによる方法が知られている。
しかしながら、粉状原料を用いるスクリーン印刷による
方法にあっては、超電導体が低密度で無配向な多結晶体
となって高い臨界電流密度が期待できず、また、焼結の
ための高温処理が必要なためにＩＣ化に適さないという
欠点があった。一方、スパッタリングによる方法にあっ
ては、超電導体の成膜速度が遅く且つ組成が不安定とな
り易く、また、真空中で成膜することから装置を大型化
することが困難であるという欠点があった。
方法にあっては、超電導体が低密度で無配向な多結晶体
となって高い臨界電流密度が期待できず、また、焼結の
ための高温処理が必要なためにＩＣ化に適さないという
欠点があった。一方、スパッタリングによる方法にあっ
ては、超電導体の成膜速度が遅く且つ組成が不安定とな
り易く、また、真空中で成膜することから装置を大型化
することが困難であるという欠点があった。
ここで、薄膜の製造方法の一つとして組成、結晶の配向
性、母材との付着強度、成膜の制御等に優れたＣＶＤ法
があり、膜状超電導体の製造にこのＣＶＤ法を用いるこ
とが考えられている。
性、母材との付着強度、成膜の制御等に優れたＣＶＤ法
があり、膜状超電導体の製造にこのＣＶＤ法を用いるこ
とが考えられている。
［発明が解決しようとする課題］
膜状超電導体の製造にＣＶＤ法を用いる場合には、超電
導体の原料を気化させて反応チャンバ内に導き、気相反
応を生じさせて超電導膜を製造することとなる。
導体の原料を気化させて反応チャンバ内に導き、気相反
応を生じさせて超電導膜を製造することとなる。
このようなＣＶＤ法による膜状超電導体の製造を実現す
るためには次のような課題を解決する必要がある。
るためには次のような課題を解決する必要がある。
すなわち、成膜速度を速くするために超電導原料の蒸気
圧を高くするとともに、超電導体の組成に対応させて各
原料（原料ガス）の蒸気圧を制御する必要がある。また
、ＩＣ化を支障なく実現するためには、反応室における
反応温度をより低く抑えたいという要請がある。
圧を高くするとともに、超電導体の組成に対応させて各
原料（原料ガス）の蒸気圧を制御する必要がある。また
、ＩＣ化を支障なく実現するためには、反応室における
反応温度をより低く抑えたいという要請がある。
本発明は上記従来の事情に鑑みなされたもので、ＣＶＤ
法による膜状超電導体の製造を実現すると共にその生成
における反応温度を低く抑えることを実現する膜状超電
導体の製造方法を提供することを目的とする。
法による膜状超電導体の製造を実現すると共にその生成
における反応温度を低く抑えることを実現する膜状超電
導体の製造方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段及び作用コ上記課題を解決
してＣＶＤ法による膜状超電導体の製造を実現する本発
明は、複数種類の超電導原料ガスのいずれかを配位子を
含む金属錯体ガスとする工程と、前記複数種類の超電導
原料ガスを反応室に導入して紫外線照射下で加熱し化学
反応を発生させて膜状超電導体を形成する工程とを備え
たことを特徴とする。
してＣＶＤ法による膜状超電導体の製造を実現する本発
明は、複数種類の超電導原料ガスのいずれかを配位子を
含む金属錯体ガスとする工程と、前記複数種類の超電導
原料ガスを反応室に導入して紫外線照射下で加熱し化学
反応を発生させて膜状超電導体を形成する工程とを備え
たことを特徴とする。
すなわち、超電導原料の金属元素を錯体化することによ
り当該超電導原料を気相化したときの蒸気圧を高め、超
電導体の生成速度を速める。そして、この錯体の配位子
を適宜選択することにより、その金属錯体ガスの蒸気圧
を適宜変更して最終生成物たる超電導物質の各構成元素
の組成比に応じた蒸気圧て反応させることができる。
り当該超電導原料を気相化したときの蒸気圧を高め、超
電導体の生成速度を速める。そして、この錯体の配位子
を適宜選択することにより、その金属錯体ガスの蒸気圧
を適宜変更して最終生成物たる超電導物質の各構成元素
の組成比に応じた蒸気圧て反応させることができる。
ここに、配位子（Ｌｉｇａｎｄ）としては金属錯体の種
類に応じてＨＦＡ （Ｈｅｘａｆ １ｕｏｒｏａｃｅｔ
ｙｌａｃｅｔｏｎｅ）、ＤＰＭ（Ｄｉｐｉｖａｌｏｙｍ
ｅｔｈａｎｅ）、ＴＨＦ （Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕ
ｒａｎ）、ＤＭＦ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍｉｄ
ｅ）、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジメチルアセト
アミド等を用いる。
類に応じてＨＦＡ （Ｈｅｘａｆ １ｕｏｒｏａｃｅｔ
ｙｌａｃｅｔｏｎｅ）、ＤＰＭ（Ｄｉｐｉｖａｌｏｙｍ
ｅｔｈａｎｅ）、ＴＨＦ （Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕ
ｒａｎ）、ＤＭＦ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍｉｄ
ｅ）、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジメチルアセト
アミド等を用いる。
更に、紫外線照射下で化学反応を発生させ、これによっ
て膜状超電導体を形成するため、紫外線によるエネルギ
ーアシストにより、更にまた、反応室に供給される酸素
から紫外線により活性な発生機酸素を発生し、反応を促
進して化学反応に要する加熱の温度を低く抑えることが
できる。
て膜状超電導体を形成するため、紫外線によるエネルギ
ーアシストにより、更にまた、反応室に供給される酸素
から紫外線により活性な発生機酸素を発生し、反応を促
進して化学反応に要する加熱の温度を低く抑えることが
できる。
また、超電導体原料ガスに発生機酸素の原料ガス（Ｎ２
０．０３等）を混入し、反応室において紫外線照射下で
加熱して積極的に発生機酸素を発生させ、該発生機酸素
の存在下で化学反応を促進して膜状超電導体を形成する
ことを特徴とする。
０．０３等）を混入し、反応室において紫外線照射下で
加熱して積極的に発生機酸素を発生させ、該発生機酸素
の存在下で化学反応を促進して膜状超電導体を形成する
ことを特徴とする。
［発明の効果コ
本発明の製造方法によれば、超電導原料を金属錯体ガス
とすることにより、比較的低温の条件下において超電導
原料ガスの蒸気圧を高めることを実現し、膜状超電導体
の生産性を向上することができる。更に、超電導原料ガ
スを反応室で反応させる際に紫外線を照射することによ
り、超電導原料の化学反応を促進することができ、この
反応室での反応に必要とされる加熱温度を低く抑えるこ
とを実現して、膜状超電導体のＩＣへの適用を支障なく
達成することができる。。
とすることにより、比較的低温の条件下において超電導
原料ガスの蒸気圧を高めることを実現し、膜状超電導体
の生産性を向上することができる。更に、超電導原料ガ
スを反応室で反応させる際に紫外線を照射することによ
り、超電導原料の化学反応を促進することができ、この
反応室での反応に必要とされる加熱温度を低く抑えるこ
とを実現して、膜状超電導体のＩＣへの適用を支障なく
達成することができる。。
［実施例］
まず、本発明を実施するための装置の一例を第 １図に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
同図において、１．２．３はそれぞれ超電導体原料とな
る金属元素若しくは金属錯体を収容した原料容器であり
、これら原料容器１．２．３の上流には蒸気状の配位子
を収容した配位子容器１１．１２．１３が設けられ、こ
れら配位子容器１１．１２．１３は原料容器１．２．３
にそれぞれ接続されている。なお、通常、超電導元素の
化合物に配位子を付加して錯体ガスを作るが、例えば、
Ｂａメタルを直接配位子で錯体化し、金属錯体ガスを得
ることもできる。
る金属元素若しくは金属錯体を収容した原料容器であり
、これら原料容器１．２．３の上流には蒸気状の配位子
を収容した配位子容器１１．１２．１３が設けられ、こ
れら配位子容器１１．１２．１３は原料容器１．２．３
にそれぞれ接続されている。なお、通常、超電導元素の
化合物に配位子を付加して錯体ガスを作るが、例えば、
Ｂａメタルを直接配位子で錯体化し、金属錯体ガスを得
ることもできる。
原料容器１．２．３の下流には反応容器５が設けられ、
原料容器１．２．３はそれぞれ反応容器５に接続されて
いる。そして、反応容器５には酸素供給源１０が接続さ
れていると共に、トラップ６を介して真空ポンプ７が接
続され、更には、紫外線照射装置１５が設けられている
。また、各原料容器１．２．３、反応容器５及び原料容
器１．２．３から反応容器５への管路にはヒータ８が配
設されている。
原料容器１．２．３はそれぞれ反応容器５に接続されて
いる。そして、反応容器５には酸素供給源１０が接続さ
れていると共に、トラップ６を介して真空ポンプ７が接
続され、更には、紫外線照射装置１５が設けられている
。また、各原料容器１．２．３、反応容器５及び原料容
器１．２．３から反応容器５への管路にはヒータ８が配
設されている。
上記構成のＣＶＤ装置において、反応容器５内に超電導
体を膜状に付着させる基板９を設置し、真空ポンプ７に
より反応容器５内を減圧すると共にヒータ８により加熱
して超電導体の生成を開始する。
体を膜状に付着させる基板９を設置し、真空ポンプ７に
より反応容器５内を減圧すると共にヒータ８により加熱
して超電導体の生成を開始する。
すなわち、配位子容器１１．１２．１３の上流側からキ
ャリアガスとしてのアルゴンガス（Ａｒ）を供給し、配
位子容器１１．１２．１３内に収容されている配位子ガ
スをＡｒガスに乗せて原料容器１．２．３へ供給する。
ャリアガスとしてのアルゴンガス（Ａｒ）を供給し、配
位子容器１１．１２．１３内に収容されている配位子ガ
スをＡｒガスに乗せて原料容器１．２．３へ供給する。
そして、ヒータ８による加熱条件下で、原料容器１．２
．３内の超電導体原料を金属錯体ガス（配位子の付加反
応によるアダクツを含む）とし、この金属錯体ガスをＡ
ｒガスに乗せて反応容器５へ供給する。なお、原料容器
１．２．３から反応容器５への搬送途中において、ヒー
タ８による加熱で金属錯体ガスの温度が保持される。
．３内の超電導体原料を金属錯体ガス（配位子の付加反
応によるアダクツを含む）とし、この金属錯体ガスをＡ
ｒガスに乗せて反応容器５へ供給する。なお、原料容器
１．２．３から反応容器５への搬送途中において、ヒー
タ８による加熱で金属錯体ガスの温度が保持される。
このように、各原料容器１．２．３から金属錯体ガス（
例えば、原料容器１からＢａ錯体ガス、原料容器２から
Ｙ錯体ガス、原料容器３からＣｕ錯体ガス）を供給する
と共に酸素源から酸素ｏ２を供給して、反応容器５内で
紫外線照射装置１５からの紫外線照射下で化学反応を生
じさせ、所定の超電導物質を基板９上に降り積もらせて
膜状の超電導体を生成する。すなわち、紫外線によるエ
ネルギーアシ、スト及び発生機酸素の発生により化学反
応が促進され、超電導体の生成を比較的低い加熱温度（
反応温度）で達成することができる。ここで、紫外線に
よる光反応により発生機酸素を生成する発生機酸素原料
ガス（Ｎ２０．０３等）を超電導体原料ガスと共に或は
反応室５に直接導入し、超電導体生成反応に関与する発
生機酸素を積極的に発生させることもできる。
例えば、原料容器１からＢａ錯体ガス、原料容器２から
Ｙ錯体ガス、原料容器３からＣｕ錯体ガス）を供給する
と共に酸素源から酸素ｏ２を供給して、反応容器５内で
紫外線照射装置１５からの紫外線照射下で化学反応を生
じさせ、所定の超電導物質を基板９上に降り積もらせて
膜状の超電導体を生成する。すなわち、紫外線によるエ
ネルギーアシ、スト及び発生機酸素の発生により化学反
応が促進され、超電導体の生成を比較的低い加熱温度（
反応温度）で達成することができる。ここで、紫外線に
よる光反応により発生機酸素を生成する発生機酸素原料
ガス（Ｎ２０．０３等）を超電導体原料ガスと共に或は
反応室５に直接導入し、超電導体生成反応に関与する発
生機酸素を積極的に発生させることもできる。
尚、上記の工程において、配位子容器から原料容器へ金
属錯体の化学量論的組成を超えて配位子ガスを供給して
金属錯体ガスを過剰な配位子ガスと共に反応容器へ搬送
したり、或は、原料容器から反応容器への搬送途中にお
いて更なる配位子ガスを金属錯体ガスに混入させると、
搬送途中における金属錯体の分解を防止して原料の消失
を防止することができる。
属錯体の化学量論的組成を超えて配位子ガスを供給して
金属錯体ガスを過剰な配位子ガスと共に反応容器へ搬送
したり、或は、原料容器から反応容器への搬送途中にお
いて更なる配位子ガスを金属錯体ガスに混入させると、
搬送途中における金属錯体の分解を防止して原料の消失
を防止することができる。
上記した装置はＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０系の超電導体を生成
する例であるが、Ｂ１−９ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系の超電
導体を生成する場合には上記した装置に原料容器受には
配位子容器を備えた系を更に１系列増加させれば良い。
する例であるが、Ｂ１−９ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系の超電
導体を生成する場合には上記した装置に原料容器受には
配位子容器を備えた系を更に１系列増加させれば良い。
次いで、上記した装置により膜状超電導体を生成した実
施例を以下に説明する。
施例を以下に説明する。
〈実施例１〉
本実施例は、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−０系の超電導体を生成す
る例である。
る例である。
超電導原料となる金属錯体ガスとして、Ｂａ（ＨＦＡ）
２ガス、Ｙ（ＤＰＭ）３ガス、Ｃｔｊ（ＤＰＭ）２ガス
を用い、配位子ガスとして、Ｂａ（ＨＦＡ）２に対して
ＴＨＦ、Ｙ （ＤＰＭ）ｖに対してＤＰＭを用いた。な
お、Ｃｕ（ＤＰＭ）２は安定であるので配位子容器から
原料容器へ供給する配位子は用いなかフた。
２ガス、Ｙ（ＤＰＭ）３ガス、Ｃｔｊ（ＤＰＭ）２ガス
を用い、配位子ガスとして、Ｂａ（ＨＦＡ）２に対して
ＴＨＦ、Ｙ （ＤＰＭ）ｖに対してＤＰＭを用いた。な
お、Ｃｕ（ＤＰＭ）２は安定であるので配位子容器から
原料容器へ供給する配位子は用いなかフた。
また、キャリアガスとしてＡｒガスを用いた。
また、それぞれの原料容器において、２００℃で蒸気圧
４ｍｍＨｇのＢａ （ＨＦＡ）２ガス、１８０′Ｃで蒸
気圧２ｍｍＨｇのＹ（ＤＰＭ）３ガス、１００℃で蒸気
圧６ｍｍＨｇのＣｕ（ＤＰＭ）２ガスを得た。そして、
これら金属錯体ガスをＮ２０ガスと共に反応容器に導入
し、紫外線（波長１７５ｎｍ〜１９５ｎｍ）照射下にお
いて反応圧力１０〜１００Ｔｏｒｒで加熱して化学反応
させた。そして、反応後の試料を６００℃の酸素雰囲気
中で１０時間熱処理した結果、反応時の加熱温度が３５
０℃以下で、臨界温度Ｔ ｃ ＝９０に級、臨界電流密
度Ｊ ｃ ＝ １． ５ Ｘ １０５Ａ／ｃｒｎ２の超
電導体（ＹＢａ２Ｃｕ３０７−δ）の均一な膜が生成で
きた。これに対し、紫外線照射を行わずに上記と同様な
条件で超電導体を生成したところ、反応時の加熱温度は
３５０℃以上必要であフた。
４ｍｍＨｇのＢａ （ＨＦＡ）２ガス、１８０′Ｃで蒸
気圧２ｍｍＨｇのＹ（ＤＰＭ）３ガス、１００℃で蒸気
圧６ｍｍＨｇのＣｕ（ＤＰＭ）２ガスを得た。そして、
これら金属錯体ガスをＮ２０ガスと共に反応容器に導入
し、紫外線（波長１７５ｎｍ〜１９５ｎｍ）照射下にお
いて反応圧力１０〜１００Ｔｏｒｒで加熱して化学反応
させた。そして、反応後の試料を６００℃の酸素雰囲気
中で１０時間熱処理した結果、反応時の加熱温度が３５
０℃以下で、臨界温度Ｔ ｃ ＝９０に級、臨界電流密
度Ｊ ｃ ＝ １． ５ Ｘ １０５Ａ／ｃｒｎ２の超
電導体（ＹＢａ２Ｃｕ３０７−δ）の均一な膜が生成で
きた。これに対し、紫外線照射を行わずに上記と同様な
条件で超電導体を生成したところ、反応時の加熱温度は
３５０℃以上必要であフた。
なお、上記Ｙ（ＤＰＭ）３に代えて、 Ｙ （ＨＦＡ
）３を用いるとともに配位子としてＤＰＭに代えてＨＦ
Ａを用いたり、或は、Ｃｕ（ＤＰＭ）２に代えてＣＩＪ
（ＨＦＡ）２を用いたり、或は、キャリアガスをＡｒに
代えてＨｅを用いたりしても上記と同様な超電導体が得
られた。また、発生機酸素の原料としてＮ ２０に代え
て０３を用いても上記と同様な結果が得られた。
）３を用いるとともに配位子としてＤＰＭに代えてＨＦ
Ａを用いたり、或は、Ｃｕ（ＤＰＭ）２に代えてＣＩＪ
（ＨＦＡ）２を用いたり、或は、キャリアガスをＡｒに
代えてＨｅを用いたりしても上記と同様な超電導体が得
られた。また、発生機酸素の原料としてＮ ２０に代え
て０３を用いても上記と同様な結果が得られた。
〈実施例２〉
超電導体にある量のフッ素を添加することにより超電導
体の臨界温度Ｔｃ及び機械的強度の向上を図ることがで
きることに着目しく特願昭６３−１９０５３号、昭和６
３年１月２９日出願参照〉、本実施例は、フッ素を添加
したＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０系の超電導体を生成する例であ
る。
体の臨界温度Ｔｃ及び機械的強度の向上を図ることがで
きることに着目しく特願昭６３−１９０５３号、昭和６
３年１月２９日出願参照〉、本実施例は、フッ素を添加
したＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０系の超電導体を生成する例であ
る。
超電導原料となる金属錯体ガスとして、Ｂａ（ＨＦＡ）
２ガス、Ｙ（ＨＦＡ）３ガス、Ｃｕ（ＨＦＡ）２ガスを
用い、配位子ガスとして、Ｂａ（ＨＦＡ）２に対してＨ
ＦＡ、Ｙ （ＨＦＡ）３に対してＨＦＡを用いた。なお
、（：：ｕ（ＨＦＡ）２は安定であるのて配位子容器か
ら原料容器へ供給する配位子は用いなかった。
２ガス、Ｙ（ＨＦＡ）３ガス、Ｃｕ（ＨＦＡ）２ガスを
用い、配位子ガスとして、Ｂａ（ＨＦＡ）２に対してＨ
ＦＡ、Ｙ （ＨＦＡ）３に対してＨＦＡを用いた。なお
、（：：ｕ（ＨＦＡ）２は安定であるのて配位子容器か
ら原料容器へ供給する配位子は用いなかった。
また、キャリアガスとしてＡｒガスを用いた。
また、それぞれの原料容器において、２００°Ｃで蒸気
圧４ｍｍＨｇのＢａ（ＨＦＡ）２ガス、１２０℃で蒸気
圧２ｍｍＨｇのＹ（ＨＦＡ）３ガス、１００℃て蒸気圧
６ｍｍＨｇのＣｕ（ＨＦＡ）２ガスを得た。そして、こ
れら金属錯体ガスをＮ ２０ガスと共に反応容器に導入
して、紫外線（波長１７５ｎｍ〜１９５ｎｍ）照射下に
おいて反応圧力１０〜１００Ｔｏｒ ｒで化学反応させ
た。そして、反応後の試料を６００℃の酸素雰囲気中で
１０時間熱処理した結果、反応時の加熱温度が３５０℃
以下でフッ素を含有した超電導体（ＹＢａ２Ｃｕ３０工
Ｆ、）の均一な膜が生成できた。これに対し、紫外線照
射を行わずに上記と同様な条件で超電導体を生成したと
ころ、反応時の加熱温度は３５０℃以上必要であった・ なお、上記Ｙ（ＨＦＡ）３に代えＹ（ＤＰＭ）３を用い
たり、或は、ＣＩＪ（ＨＦＡ）２に代えてＣｕ（ＤＰＭ
）２を用いてもよく、この場合にあってもフッ素を含有
する配位子（ＨＦＡ）若しくはフッ素源ガスを反応容器
に導入することにより超電導体へのフッ素添加量を確保
することができ、上記と同様な超電導体が得られた。ま
た、発生機酸素の原料として０３を用いても上記と同様
な結果が得られた。
圧４ｍｍＨｇのＢａ（ＨＦＡ）２ガス、１２０℃で蒸気
圧２ｍｍＨｇのＹ（ＨＦＡ）３ガス、１００℃て蒸気圧
６ｍｍＨｇのＣｕ（ＨＦＡ）２ガスを得た。そして、こ
れら金属錯体ガスをＮ ２０ガスと共に反応容器に導入
して、紫外線（波長１７５ｎｍ〜１９５ｎｍ）照射下に
おいて反応圧力１０〜１００Ｔｏｒ ｒで化学反応させ
た。そして、反応後の試料を６００℃の酸素雰囲気中で
１０時間熱処理した結果、反応時の加熱温度が３５０℃
以下でフッ素を含有した超電導体（ＹＢａ２Ｃｕ３０工
Ｆ、）の均一な膜が生成できた。これに対し、紫外線照
射を行わずに上記と同様な条件で超電導体を生成したと
ころ、反応時の加熱温度は３５０℃以上必要であった・ なお、上記Ｙ（ＨＦＡ）３に代えＹ（ＤＰＭ）３を用い
たり、或は、ＣＩＪ（ＨＦＡ）２に代えてＣｕ（ＤＰＭ
）２を用いてもよく、この場合にあってもフッ素を含有
する配位子（ＨＦＡ）若しくはフッ素源ガスを反応容器
に導入することにより超電導体へのフッ素添加量を確保
することができ、上記と同様な超電導体が得られた。ま
た、発生機酸素の原料として０３を用いても上記と同様
な結果が得られた。
〈実施例３〉
本実施例は、Ｂ ｉ −Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系の超
電導体を生成する例である。
電導体を生成する例である。
超電導原料となる金属錯体ガスとして、Ｂｉ（ＯＣ２Ｈ
５）３ガス、 ５ｒ（ＨＦＡ）２ガス、 Ｃａ（ＨＦＡ
）２ガス、Ｃｕ（ＨＦＡ）２ガスを用い、配位子ガスと
して、Ｓｒ （ＨＦＡ）２に対してＴＨＦ、Ｃａ（ＨＦ
Ａ）２に対してＴＨＦを用いた。
５）３ガス、 ５ｒ（ＨＦＡ）２ガス、 Ｃａ（ＨＦＡ
）２ガス、Ｃｕ（ＨＦＡ）２ガスを用い、配位子ガスと
して、Ｓｒ （ＨＦＡ）２に対してＴＨＦ、Ｃａ（ＨＦ
Ａ）２に対してＴＨＦを用いた。
また、キャリアガスとしてＡｒガスを用いた。
また、それぞれの原料容器において、１２０℃で蒸気圧
ｌｍｍＨｇのＢ ｉ （ＯＣ２Ｈ５） ３ガス、８０℃
で蒸気圧ｌｍｍＨｇの５ｒ（ＨＦＡ：）２ガス、８０℃
で蒸気圧ｌｍｍＨｇのＣａ（ＨＦＡ）２ガス、１５０℃
で蒸気圧１．５ｍｍＨｇの Ｃｕ（ＨＦＡ）２ガスを得
た。そして、これら金属錯体ガスをＮ ２０ガスと共に
反応容器に導入して、紫外線（波長１７５ｎｍ〜１９５
ｎｍ）照射下において反応圧力１０〜１００Ｔｏｒ ｒ
で化学反応させた。そして、反応後の試料を７５０℃の
大気中で３０時間熱処理した結果、反応時の加熱温度３
５０℃以下で臨界温度Ｔｃ＝１００に級、臨界電流密度
ＪＣ” Ｉ Ｘ １０’Ａ／ｃＷ１２の超電導体（Ｂｉ
ＣａＳｒＣｕ２０ｘ）の均一な膜が生成できた。これに
対し、紫外線照射を行わずに上記と同様な条件で超電導
体を生成したところ、反応時の加熱温度は３５０℃以上
必要であった。
ｌｍｍＨｇのＢ ｉ （ＯＣ２Ｈ５） ３ガス、８０℃
で蒸気圧ｌｍｍＨｇの５ｒ（ＨＦＡ：）２ガス、８０℃
で蒸気圧ｌｍｍＨｇのＣａ（ＨＦＡ）２ガス、１５０℃
で蒸気圧１．５ｍｍＨｇの Ｃｕ（ＨＦＡ）２ガスを得
た。そして、これら金属錯体ガスをＮ ２０ガスと共に
反応容器に導入して、紫外線（波長１７５ｎｍ〜１９５
ｎｍ）照射下において反応圧力１０〜１００Ｔｏｒ ｒ
で化学反応させた。そして、反応後の試料を７５０℃の
大気中で３０時間熱処理した結果、反応時の加熱温度３
５０℃以下で臨界温度Ｔｃ＝１００に級、臨界電流密度
ＪＣ” Ｉ Ｘ １０’Ａ／ｃＷ１２の超電導体（Ｂｉ
ＣａＳｒＣｕ２０ｘ）の均一な膜が生成できた。これに
対し、紫外線照射を行わずに上記と同様な条件で超電導
体を生成したところ、反応時の加熱温度は３５０℃以上
必要であった。
第１図は本発明の一実施例に係る製造装置の構成図であ
る。 １．２．３は原料容器、 ５は反応容器、 ７は真空ポンプ、 ９は基板、 １０は酸素供給源、 １１．１２．１３は配位子容器、 １５は紫外線照射装置である。 特許出願人 三菱金属株式会社
る。 １．２．３は原料容器、 ５は反応容器、 ７は真空ポンプ、 ９は基板、 １０は酸素供給源、 １１．１２．１３は配位子容器、 １５は紫外線照射装置である。 特許出願人 三菱金属株式会社
Claims (3)
- （１）複数種類の超電導原料ガスのいずれかを配位子を
含む金属錯体ガスとする工程と、前記複数種類の超電導
原料ガスを反応室に導入して紫外線照射下で加熱し化学
反応を発生させて膜状超電導体を形成する工程とを備え
たことを特徴とする膜状超電導体の製造方法。 - （２）複数種類の超電導体原料ガスのいずれかを金属錯
体ガスとする工程と、複数種類の超電導体原料ガスに発
生機酸素の原料ガスを混入して反応室に導入する工程と
、反応室において紫外線照射下で加熱して発生機酸素を
発生させ該発生機酸素の存在下で化学反応を促進して膜
状超電導体を形成する工程とを備えたことを特徴とする
膜状超電導体の製造方法。 - （３）複数種類の超電導原料ガスには酸素ガスを含み、
紫外線照射下でオゾンを発生することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の膜状超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13974888A JPH01308807A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 膜状超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13974888A JPH01308807A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 膜状超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01308807A true JPH01308807A (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=15252465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13974888A Pending JPH01308807A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 膜状超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01308807A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63310515A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導体薄膜の製造方法 |
| JPH01148798A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導薄膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-06 JP JP13974888A patent/JPH01308807A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63310515A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導体薄膜の製造方法 |
| JPH01148798A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導薄膜の製造方法 |
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