JPH0133108B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0133108B2 JPH0133108B2 JP23859184A JP23859184A JPH0133108B2 JP H0133108 B2 JPH0133108 B2 JP H0133108B2 JP 23859184 A JP23859184 A JP 23859184A JP 23859184 A JP23859184 A JP 23859184A JP H0133108 B2 JPH0133108 B2 JP H0133108B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- indium
- monoisopropylate
- diacetylacetonate
- reaction
- triisopropylate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、透明導電体形成に有用なインジウム
ジアセチルアセトナートモノイソプロピレートお
よびその製造方法に関するものである。
ジアセチルアセトナートモノイソプロピレートお
よびその製造方法に関するものである。
従来の技術
近年インジウムの酸化物被膜が液晶素子の透明
導電膜に使用されるようになり、インジウムの金
属としての特性を利用すべく、その応用範囲が拡
大してきている。
導電膜に使用されるようになり、インジウムの金
属としての特性を利用すべく、その応用範囲が拡
大してきている。
このような酸化物被膜の形成方法には、化学ス
プレー法、真空蒸着法、スクリーン印刷法等があ
る。化学スプレー法は比較的大面積の形状の被膜
を得るには有利であるが、微細で複雑な形状のも
のをえるにはエツチング処理等の余分な工程が必
要となり経済的に不利である。真空蒸着法は、最
近マスク蒸着法が発達し、エツチング処理は必要
でなくなつたが、バツチ式である為、大量生産に
好適とはいい難い。スクリーン印刷法では、上記
のような問題がなく、目的形状のものを印刷焼成
により容易に得ることができ、しかも、エツチン
グ処理にともなう廃液処理の必要もないという利
点を有する。
プレー法、真空蒸着法、スクリーン印刷法等があ
る。化学スプレー法は比較的大面積の形状の被膜
を得るには有利であるが、微細で複雑な形状のも
のをえるにはエツチング処理等の余分な工程が必
要となり経済的に不利である。真空蒸着法は、最
近マスク蒸着法が発達し、エツチング処理は必要
でなくなつたが、バツチ式である為、大量生産に
好適とはいい難い。スクリーン印刷法では、上記
のような問題がなく、目的形状のものを印刷焼成
により容易に得ることができ、しかも、エツチン
グ処理にともなう廃液処理の必要もないという利
点を有する。
しかし、従来のインジウム化合物を含む透明導
電性被膜形成用ペーストは、それ自体の安定性が
良くないため、スクリーン印刷時の作業性も悪
く、また、形成された被膜の導電性についてもバ
ラツキが大きいという欠点があつた。
電性被膜形成用ペーストは、それ自体の安定性が
良くないため、スクリーン印刷時の作業性も悪
く、また、形成された被膜の導電性についてもバ
ラツキが大きいという欠点があつた。
すなわち、従来、透明導電体形成用インジウム
化合物としては、オクチル酸インジウム
〔(C7H15CO2)3ln〕のような有機酸インジウムや、
インジウムトリスアセチルアセトナート〔In
(acac)3〕が使用されている。
化合物としては、オクチル酸インジウム
〔(C7H15CO2)3ln〕のような有機酸インジウムや、
インジウムトリスアセチルアセトナート〔In
(acac)3〕が使用されている。
有機酸インジウムは一般に加水分解しやすく、
またペーストとした場合、ペーストのゲル化を促
進する等、比較的容易に化学変化するという欠点
を持つており、このため、有機酸インジウムを含
有するペーストの寿命が短く、スクリーン印刷時
の作業性を悪くする原因となつている。
またペーストとした場合、ペーストのゲル化を促
進する等、比較的容易に化学変化するという欠点
を持つており、このため、有機酸インジウムを含
有するペーストの寿命が短く、スクリーン印刷時
の作業性を悪くする原因となつている。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、従来の透明導電体形成用インジウム
化合物の欠点を解消し、すなわち化学的安定性に
すぐれ、かつスクリーン印刷操作の容易なインジ
ウム化合物を提供し、かつ、その製造方法を提供
するものである。
化合物の欠点を解消し、すなわち化学的安定性に
すぐれ、かつスクリーン印刷操作の容易なインジ
ウム化合物を提供し、かつ、その製造方法を提供
するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点は、下記構造式(1):
で示されるインジウムジアセチルアセトナートモ
ノイソプロピレートにより解消される。
ノイソプロピレートにより解消される。
また、上記インジウムジアセチルアセトナート
モノイソプロピレートは、下記構造式(2): で示されるインジウムトリイソプロピレートと、
下記構造式(3): で示されるアセチルアセトンとを反応させること
を特徴とする本発明方法によつて製造される。
モノイソプロピレートは、下記構造式(2): で示されるインジウムトリイソプロピレートと、
下記構造式(3): で示されるアセチルアセトンとを反応させること
を特徴とする本発明方法によつて製造される。
作用および実施例
本発明にかかるインジウムジアセチルアセトナ
ートモノイソプロピレートは、良好な化学的安定
性と、有機溶媒に対する良好な溶解性を有してい
る。このためインジウムジアセチルアセトナート
モノイソプロピレートを、例えばベンゼン、又は
酢酸エチルなどの有機溶媒に高濃度で均一に溶解
させることができ、得られたペーストは、透明導
電体、例えば被膜などの形成用に使用することが
できる。
ートモノイソプロピレートは、良好な化学的安定
性と、有機溶媒に対する良好な溶解性を有してい
る。このためインジウムジアセチルアセトナート
モノイソプロピレートを、例えばベンゼン、又は
酢酸エチルなどの有機溶媒に高濃度で均一に溶解
させることができ、得られたペーストは、透明導
電体、例えば被膜などの形成用に使用することが
できる。
本発明方法においては、インジウムトリイソプ
ロピレート1モル部に対しアセチルアセトン2モ
ル部が反応し、1モル部のインジウムジアセチル
アセトナートモノイソプロピレートが得られる。
この反応において、所望量のインジウムトリイソ
プロピレートを有機溶媒に溶解し、この溶液に所
定量のアセチルアセトンを滴下混合してもよい。
或は、インジウムトリイソプロピレートと、アセ
チルアセトンとの所定量を、別々に有機溶媒に溶
解しておき、これら両溶液を混合してもよい。
ロピレート1モル部に対しアセチルアセトン2モ
ル部が反応し、1モル部のインジウムジアセチル
アセトナートモノイソプロピレートが得られる。
この反応において、所望量のインジウムトリイソ
プロピレートを有機溶媒に溶解し、この溶液に所
定量のアセチルアセトンを滴下混合してもよい。
或は、インジウムトリイソプロピレートと、アセ
チルアセトンとの所定量を、別々に有機溶媒に溶
解しておき、これら両溶液を混合してもよい。
上記いずれの反応操作においても、反応系を所
定温度に保持しながら反応が完了するまで撹拌す
る。反応が完了したならば反応系から有機溶媒
と、生成したイソプロピルアルコールとを常圧、
又は減圧下に蒸留して除去して、目的の化合物を
得る。
定温度に保持しながら反応が完了するまで撹拌す
る。反応が完了したならば反応系から有機溶媒
と、生成したイソプロピルアルコールとを常圧、
又は減圧下に蒸留して除去して、目的の化合物を
得る。
上記の反応において、反応温度に格別の限定は
ないが一般に室温以上100℃以下の温度が好まし
い。反応温度を100℃より高くしても格別の効果
はなく、却つて経済的に不利となる。上記の反応
温度範囲内では、反応時間は数分ないし数時間で
ある。
ないが一般に室温以上100℃以下の温度が好まし
い。反応温度を100℃より高くしても格別の効果
はなく、却つて経済的に不利となる。上記の反応
温度範囲内では、反応時間は数分ないし数時間で
ある。
本発明方法の反応に用いられる溶媒は、インジ
ウムトリイソプロピレート、アセチルアセトン、
およびインジウムジアセチルアセトナートモノイ
ソプロピレートに対し、化学的反応性に乏しく、
しかし、溶解性にすぐれているものであれば、格
別の限定はないが、一般に、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、などから選ばれる少くとも1種か
らなるものが好ましい。
ウムトリイソプロピレート、アセチルアセトン、
およびインジウムジアセチルアセトナートモノイ
ソプロピレートに対し、化学的反応性に乏しく、
しかし、溶解性にすぐれているものであれば、格
別の限定はないが、一般に、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、などから選ばれる少くとも1種か
らなるものが好ましい。
前述のように、反応完了後、反応系から有機溶
媒およびイソプロピルアルコールが常圧、又は減
圧下で蒸留除去される。使用した溶媒の沸点が、
インジウムジアセチルアセトナートモノイソプロ
ピレートの分解点以上である場合、上記蒸留除去
操作を減圧下において、上記目的化合物の分解点
より低い温度で行うことが好ましい。
媒およびイソプロピルアルコールが常圧、又は減
圧下で蒸留除去される。使用した溶媒の沸点が、
インジウムジアセチルアセトナートモノイソプロ
ピレートの分解点以上である場合、上記蒸留除去
操作を減圧下において、上記目的化合物の分解点
より低い温度で行うことが好ましい。
本発明のインジウムジアセチルアセトナートモ
ノイソプロピレートは、有機溶媒に溶解し易く高
濃度のペーストが容易に得られるので、このペー
ストは、特に液晶素子の透明導電性皮膜形成用に
好適である。
ノイソプロピレートは、有機溶媒に溶解し易く高
濃度のペーストが容易に得られるので、このペー
ストは、特に液晶素子の透明導電性皮膜形成用に
好適である。
このような透明導電性皮膜形成用ペーストを得
るには、本発明のインジウムジアセチルアセトナ
ートモノイソプロピレートを2〜20重量%の濃度
で、有機溶媒、例えばベンゼン、酢酸エチル、又
はメチルエチルケトンなどに溶解すればよい。こ
のとき抵抗値調整剤として、スズの有機錯化合
物、例えばジブチルスズアセテートを、インジウ
ムに対するスズの原子比が5〜30%になるよう
に、上記ペーストに添加すれば、より抵抗値の低
い透明導電性皮膜、例えば電極が得られる。
るには、本発明のインジウムジアセチルアセトナ
ートモノイソプロピレートを2〜20重量%の濃度
で、有機溶媒、例えばベンゼン、酢酸エチル、又
はメチルエチルケトンなどに溶解すればよい。こ
のとき抵抗値調整剤として、スズの有機錯化合
物、例えばジブチルスズアセテートを、インジウ
ムに対するスズの原子比が5〜30%になるよう
に、上記ペーストに添加すれば、より抵抗値の低
い透明導電性皮膜、例えば電極が得られる。
実施例 1
500mlの四つ口フラスコに撹拌機、温度計、滴
下ロート、および乾燥管付き冷却管をとりつけ、
このフラスコ中にインジウムトリイソプロピレー
ト35.05g(120ミリモル)、およびベンゼン300ml
を入れ、室温で撹拌しながら、滴下ロートよりア
セチルアセトン24.03g(240ミリモル)を5分間
で滴下した。滴下終了後、反応混合物を80℃に加
熱して30分還流し、その後、不溶分をろ去し、ベ
ンゼンと生成したイソプロピルアルコールを留出
させて、ろ液を減圧下に濃縮し、残渣としてイン
ジウムジアセチルアセトナートモノイソプロピレ
ート42.8g(収率95.9%)を得た。このものの
NMRの測定結果は次のようであつた。1 H NMR(CDCl3)δ(ppm) 1.09(d、6H) 1.93(s、12H) 4.12(m、1H) 5.28(s、 2H) また、この生成物のインジウム含量をキレート
滴定により測定したところ31.0%(理論値30.85
%)であり、また、その赤外線特性吸収はキレー
トC=O構造:1582cm-1、および、キレートC=
C構造:1526cm-1であつた。
下ロート、および乾燥管付き冷却管をとりつけ、
このフラスコ中にインジウムトリイソプロピレー
ト35.05g(120ミリモル)、およびベンゼン300ml
を入れ、室温で撹拌しながら、滴下ロートよりア
セチルアセトン24.03g(240ミリモル)を5分間
で滴下した。滴下終了後、反応混合物を80℃に加
熱して30分還流し、その後、不溶分をろ去し、ベ
ンゼンと生成したイソプロピルアルコールを留出
させて、ろ液を減圧下に濃縮し、残渣としてイン
ジウムジアセチルアセトナートモノイソプロピレ
ート42.8g(収率95.9%)を得た。このものの
NMRの測定結果は次のようであつた。1 H NMR(CDCl3)δ(ppm) 1.09(d、6H) 1.93(s、12H) 4.12(m、1H) 5.28(s、 2H) また、この生成物のインジウム含量をキレート
滴定により測定したところ31.0%(理論値30.85
%)であり、また、その赤外線特性吸収はキレー
トC=O構造:1582cm-1、および、キレートC=
C構造:1526cm-1であつた。
実施例 2
実施例1と同様の操作を行つた。但し、インジ
ウムトリイソプロピレートとアセチルアセトンと
を別々にそれぞれ150mlのベンゼンに溶解し、フ
ラスコ中で両溶液を混合して反応させた。
ウムトリイソプロピレートとアセチルアセトンと
を別々にそれぞれ150mlのベンゼンに溶解し、フ
ラスコ中で両溶液を混合して反応させた。
得られた生成物の収率は94.5%であり、この生
成物は実施例1記載と同様のNMR測定結果およ
びインジウム含有率を示した。
成物は実施例1記載と同様のNMR測定結果およ
びインジウム含有率を示した。
発明の効果
本発明のインジウムジアセチルアセトナートモ
ノイソプロピレートは、良好な安定性と有機溶媒
溶解性を示すので透明導電性皮膜形成用に有用な
ものである。また本発明方法により、インジウム
ジアセチルアセトナートモノイソプロピレートが
良好な収率で得られる。
ノイソプロピレートは、良好な安定性と有機溶媒
溶解性を示すので透明導電性皮膜形成用に有用な
ものである。また本発明方法により、インジウム
ジアセチルアセトナートモノイソプロピレートが
良好な収率で得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記構造式(1): で示されるインジウムジアセチルアセトナートモ
ノイソプロピレート。 2 下記構造式(2): で示されるインジウムトリイソプロピレートと、
下記構造式(3): で示されるアセチルアセトンとを反応させること
を特徴とする、下記構造式(1): で示されるインジウムジアセチルアセトナートモ
ノイソプロピレートの製造方法。 3 前記インジウムトリイソプロピレートとアセ
チルアセトンとの反応が室温から100℃までの温
度で行われる、特許請求の範囲第2項記載の方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23859184A JPS61118388A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | インジウムジアセチルアセトナ−トモノイソプロピレ−トおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23859184A JPS61118388A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | インジウムジアセチルアセトナ−トモノイソプロピレ−トおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61118388A JPS61118388A (ja) | 1986-06-05 |
| JPH0133108B2 true JPH0133108B2 (ja) | 1989-07-11 |
Family
ID=17032472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23859184A Granted JPS61118388A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | インジウムジアセチルアセトナ−トモノイソプロピレ−トおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61118388A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014119592A1 (ja) * | 2013-02-04 | 2014-08-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 抵抗体、誘電体等の電子部品用無機材料ペースト及び該無機材料ペーストの製造方法 |
-
1984
- 1984-11-14 JP JP23859184A patent/JPS61118388A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61118388A (ja) | 1986-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012092107A (ja) | 炭酸ビニレンの製造方法とその使用 | |
| JPH0150712B2 (ja) | ||
| JPS6146465B2 (ja) | ||
| JP2551434B2 (ja) | 3,4−ジヒドロキシテトラヒドロフランカーボネート及びその製造方法 | |
| JPH0133108B2 (ja) | ||
| JPH0212462B2 (ja) | ||
| JPH0212460B2 (ja) | ||
| JPH0212461B2 (ja) | ||
| JPH0133109B2 (ja) | ||
| JPH0616656A (ja) | 含フッ素無水フタル酸類の製造方法 | |
| EP0761640B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von 2-(4-Hydroxyphenoxy)-propionsäureestern | |
| JPH05238990A (ja) | 1,4,5,8−テトラキス(ヒドロキシメチル)ナフタレン誘導体およびその製造方法 | |
| JP3457349B2 (ja) | 化学気相析出法による成膜用組成物 | |
| RU2144534C1 (ru) | Способ получения морфолиния 3-метил-1,2,4-триазолил-5-тиоацетата, проявляющего гепатозащитную, ранозаживляющую и противовирусную активность | |
| JPH0219830B2 (ja) | ||
| JP2626336B2 (ja) | ヘキサメチルシクロトリシラザンの製造方法 | |
| CN116253638B (zh) | 一种合成2,4-二甲氧基苯甲酰氯及2,4-二甲氧基苯甲酸的方法 | |
| JPS6136292A (ja) | タングステンオキシアルコキシド化合物およびその製造方法ならびにエレクトロクロミツク表示素子の製造方法 | |
| US4026930A (en) | Azeotropic distillation of 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl trifluoroacetate with fluorotrichloromethane | |
| US4740637A (en) | Process for hydroxymethylation | |
| CN117777016A (zh) | 一种肉豆蔻醇烟酸酯的合成方法 | |
| US3990989A (en) | Azeotropic composition containing fluorotrichloromethane and 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl trifluoroacetate | |
| JPH07145130A (ja) | シアノアセチレンの製造方法 | |
| SU727634A1 (ru) | Способ получени -(2-аза-2-нитроалкил)-амидов | |
| JP2816760B2 (ja) | ビス(アルキルシクロヘキシル)リン酸の製造方法 |