JPH0212460B2 - - Google Patents
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- JPH0212460B2 JPH0212460B2 JP23859384A JP23859384A JPH0212460B2 JP H0212460 B2 JPH0212460 B2 JP H0212460B2 JP 23859384 A JP23859384 A JP 23859384A JP 23859384 A JP23859384 A JP 23859384A JP H0212460 B2 JPH0212460 B2 JP H0212460B2
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、透明導電体形成に有用なインジウム
トリスアルキルアセトアセテートおよびその製造
方法に関するものである。
トリスアルキルアセトアセテートおよびその製造
方法に関するものである。
従来の技術
近年インジウムの酸化物被膜が液晶素子の透明
導電膜に使用されるようになり、インジウムの金
属としての特性を利用すべく、その応用範囲が拡
大してきている。
導電膜に使用されるようになり、インジウムの金
属としての特性を利用すべく、その応用範囲が拡
大してきている。
このような酸化物被膜の形成方法には、化学ス
プレー法、真空蒸着法、スクリーン印刷法等があ
る。化学スプレー法は比較的大面積の形状の被膜
を得るには有利であるが、微細で複雑な形状のも
のをえるにはエツチング処理等の余分な工程が必
要となり経済的に不利である。真空蒸着法は、最
近マスク蒸着法が発達し、エツチング処理は必要
でなくなつたが、バツチ式である為、大量生産に
好適とはいい難い。スクリーン印刷法では、上記
のような問題がなく、目的形状のものを印刷焼成
により容易に得ることができ、しかも、エツチン
グ処理にともなう廃液処理の必要もないという利
点を有する。
プレー法、真空蒸着法、スクリーン印刷法等があ
る。化学スプレー法は比較的大面積の形状の被膜
を得るには有利であるが、微細で複雑な形状のも
のをえるにはエツチング処理等の余分な工程が必
要となり経済的に不利である。真空蒸着法は、最
近マスク蒸着法が発達し、エツチング処理は必要
でなくなつたが、バツチ式である為、大量生産に
好適とはいい難い。スクリーン印刷法では、上記
のような問題がなく、目的形状のものを印刷焼成
により容易に得ることができ、しかも、エツチン
グ処理にともなう廃液処理の必要もないという利
点を有する。
しかし、従来のインジウム化合物を含む透明導
電性被膜形成用ペーストは、それ自体の安定性が
良くないため、スクリーン印刷時の作業性も悪
く、また、形成された被膜の導電性についてもバ
ラツキが大きいという欠点があつた。
電性被膜形成用ペーストは、それ自体の安定性が
良くないため、スクリーン印刷時の作業性も悪
く、また、形成された被膜の導電性についてもバ
ラツキが大きいという欠点があつた。
すなわち、従来、透明導電体形成用インジウム
化合物としては、オクチル酸インジウム
〔(C7H15CO2)3In〕のような有機酸インジウムや、
インジウムトリスアセチルアセトナート〔In
(acac)3〕が使用されている。
化合物としては、オクチル酸インジウム
〔(C7H15CO2)3In〕のような有機酸インジウムや、
インジウムトリスアセチルアセトナート〔In
(acac)3〕が使用されている。
有機酸インジウムは一般に加水分解しやすく、
またペーストとした場合、ペーストのゲル化を促
進する等、比較的容易に化学変化するという欠点
を持つており、このため、有機酸インジウムを含
有するペーストの寿命が短く、スクリーン印刷時
の作業性を悪くする原因となつている。
またペーストとした場合、ペーストのゲル化を促
進する等、比較的容易に化学変化するという欠点
を持つており、このため、有機酸インジウムを含
有するペーストの寿命が短く、スクリーン印刷時
の作業性を悪くする原因となつている。
発明が解決しようとす問題点
本発明は、従来の透明導電体形成用インジウム
化合物の欠点を解消し、すなわち化学的安定性に
すぐれ、かつスクリーン印刷操作の容易なインジ
ウム化合物を提供し、かつ、この製造方法を提供
するものである。
化合物の欠点を解消し、すなわち化学的安定性に
すぐれ、かつスクリーン印刷操作の容易なインジ
ウム化合物を提供し、かつ、この製造方法を提供
するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点は、下記構造式(1):
〔但し、上式中Rは2〜4個の炭素原子を有す
るアルキル基を表わす〕 で示されるインジウムトリスアルキルアセトアセ
テートにより解消される。
るアルキル基を表わす〕 で示されるインジウムトリスアルキルアセトアセ
テートにより解消される。
また、上記インジウムトリスアルキルアセトア
セテートは、下記構造式(2): で示されるインジウムトリイソプロピレートと、 下記構造式(3): 〔但し、上式中Rは、2〜4個の炭素原子を有
するアルキル基を表わす〕 で示されるアセト酢酸アルキルとを反応させるこ
とを特徴とする本発明方法によつて製造される。
セテートは、下記構造式(2): で示されるインジウムトリイソプロピレートと、 下記構造式(3): 〔但し、上式中Rは、2〜4個の炭素原子を有
するアルキル基を表わす〕 で示されるアセト酢酸アルキルとを反応させるこ
とを特徴とする本発明方法によつて製造される。
作用および実施例
本発明にかかるインジウムトリスアルキルアセ
トアセテートは、良好な化学的安定性と、有機溶
媒に対する良好な溶解性を有している。このため
インジウムトリスアルキルアセトアセテートを、
例えばベンゼン、又は酢酸エチルなどの有機溶媒
に高濃度で均一に溶解させることができ、得られ
たペーストは、透明導電体、例えば皮膜などの形
成用に使用することができる。
トアセテートは、良好な化学的安定性と、有機溶
媒に対する良好な溶解性を有している。このため
インジウムトリスアルキルアセトアセテートを、
例えばベンゼン、又は酢酸エチルなどの有機溶媒
に高濃度で均一に溶解させることができ、得られ
たペーストは、透明導電体、例えば皮膜などの形
成用に使用することができる。
本発明のインジウムトリスアルキルアセトアセ
テートの具体例としては、インジウムトリスエチ
ルアセトアセテート、インジウムトリスプロピル
アセトアセテートおよびインジウムトリスブチル
アセトアセテートがある。
テートの具体例としては、インジウムトリスエチ
ルアセトアセテート、インジウムトリスプロピル
アセトアセテートおよびインジウムトリスブチル
アセトアセテートがある。
本発明方法においては、インジウムトリイソプ
ロピレート1部(モル)に対しアセト酢酸アルキ
ル3部(モル)が反応し、1部(モル)のインジ
ウムトリスアルキルアセトアセテートが得られ
る。アセト酢酸アルキルの具体例としてはアセト
酢酸エチル、アセト酢酸プロピルおよびアセト酢
酸ブチルがある。
ロピレート1部(モル)に対しアセト酢酸アルキ
ル3部(モル)が反応し、1部(モル)のインジ
ウムトリスアルキルアセトアセテートが得られ
る。アセト酢酸アルキルの具体例としてはアセト
酢酸エチル、アセト酢酸プロピルおよびアセト酢
酸ブチルがある。
上記反応において、所定量のインジウムトリイ
ソプロピレートを有機溶媒に溶解し、この溶液に
所定量のアセト酢酸アルキルを滴下混合してもよ
い。或は、インジウムトリイソプロピレートとア
セト酢酸アルキルとの所定量を別々に有機溶媒に
溶解しておき、これら両溶液を混合してもよい。
ソプロピレートを有機溶媒に溶解し、この溶液に
所定量のアセト酢酸アルキルを滴下混合してもよ
い。或は、インジウムトリイソプロピレートとア
セト酢酸アルキルとの所定量を別々に有機溶媒に
溶解しておき、これら両溶液を混合してもよい。
上記いづれの反応操作においても、反応系を所
定温度に保持しながら反応が完了するまで撹拌す
る。反応が完了したならば反応系から有機溶媒
と、生成したイソプロピルアルコールとを常圧、
又は減圧下に蒸留して除去して、目的の化合物を
得る。
定温度に保持しながら反応が完了するまで撹拌す
る。反応が完了したならば反応系から有機溶媒
と、生成したイソプロピルアルコールとを常圧、
又は減圧下に蒸留して除去して、目的の化合物を
得る。
上記の反応において、反応温度に格別の限定は
ないが一般に室温以上100℃以下の温度が好まし
い。反応温度を100℃より高くしても格別の効果
はなく、却つて経済的に不利となる。上記の反応
温度範囲内では、反応時間は数分ないし数時間で
ある。
ないが一般に室温以上100℃以下の温度が好まし
い。反応温度を100℃より高くしても格別の効果
はなく、却つて経済的に不利となる。上記の反応
温度範囲内では、反応時間は数分ないし数時間で
ある。
本発明方法の反応に用いられる溶媒は、用いら
れるインジウムトリイソプロピレート、アセト酢
酸アルキル、およびインジウムトリスアルキルア
セトアセテートに対し、化学的反応性に乏しく、
しかし、溶解性にすぐれているものであれば格別
の限定はないが、一般に、ベンゼン、トルエン、
キシレンなどから選ばれる少くとも1種からなる
ものが好ましい。
れるインジウムトリイソプロピレート、アセト酢
酸アルキル、およびインジウムトリスアルキルア
セトアセテートに対し、化学的反応性に乏しく、
しかし、溶解性にすぐれているものであれば格別
の限定はないが、一般に、ベンゼン、トルエン、
キシレンなどから選ばれる少くとも1種からなる
ものが好ましい。
前述のように、反応完了後、反応系から有機溶
媒およびイソプロピルアルコールが常圧、又は減
圧下で蒸留除去される。使用した溶媒の沸点が、
インジウムトリスアルキルアセトアセテートの分
解点以上である場合、上記蒸留除去操作を減圧下
において、上記目的化合物の分解点より低い温度
で行うことが好ましい。
媒およびイソプロピルアルコールが常圧、又は減
圧下で蒸留除去される。使用した溶媒の沸点が、
インジウムトリスアルキルアセトアセテートの分
解点以上である場合、上記蒸留除去操作を減圧下
において、上記目的化合物の分解点より低い温度
で行うことが好ましい。
本発明のインジウムトリスアルキルアセトアセ
テートは、有機溶媒に溶解し易く高濃度のペース
トが容易に得られるので、このペーストは特に液
晶素子の透明導電性皮膜形成用に好適である。
テートは、有機溶媒に溶解し易く高濃度のペース
トが容易に得られるので、このペーストは特に液
晶素子の透明導電性皮膜形成用に好適である。
このような透明導電性皮膜形成用ペーストを得
るには、本発明のインジウムトリスアルキルアセ
トアセテートを2〜30重量%の濃度で、有機溶
媒、例えばベンゼン、酢酸エチル、又はメチルエ
チルケトンなどに溶解すればよい。このとき、抵
抗値調整剤として、スズの有機錯化合物、例えば
ジブチルスズアセテートを、インジウムに対する
スズの原子比が5〜30%になるように、上記ペー
ストに添加すれば、より抵抗値の低い透明導電性
皮膜、例えば電極、が得られる。
るには、本発明のインジウムトリスアルキルアセ
トアセテートを2〜30重量%の濃度で、有機溶
媒、例えばベンゼン、酢酸エチル、又はメチルエ
チルケトンなどに溶解すればよい。このとき、抵
抗値調整剤として、スズの有機錯化合物、例えば
ジブチルスズアセテートを、インジウムに対する
スズの原子比が5〜30%になるように、上記ペー
ストに添加すれば、より抵抗値の低い透明導電性
皮膜、例えば電極、が得られる。
実施例 1
500mlの四つ口フラスコに、撹拌機、温度計、
滴下ロート、および乾燥管付き冷却管をとりつ
け、このフラスコ中に、インジウムトリイソプロ
ピレート35.05g(120ミリモル)およびベンゼン
300mlを入れ、室温で撹拌しながら、滴下ロート
より、アセト酢酸エチル46.85g(360ミリモル)
を5分間で滴下した。滴下終了後、反応混合物を
80℃に加熱して30分還流し、その後、不溶分をろ
去し、次にベンゼンと生成したイソプロピルアル
コールを留出させて、ろ液を減圧下に濃縮し、残
渣としてインジウムトリスエチルアセトアセテー
ト59.88g(収率99.4%)を得た。この生成物の
NMRの測定結果は次のようであつた。1 H NMR(CDCl3)δ(ppm) 1.22(t,9H) 1.93(s,9H) 4.11(q,6H) 4.85(s,3H) また、この生成物のインジウム含量をキレート
滴定により測定したところ22.5%(理論値22.86
%)であつた。また、その赤外特性吸収は下記の
通りであつた。
滴下ロート、および乾燥管付き冷却管をとりつ
け、このフラスコ中に、インジウムトリイソプロ
ピレート35.05g(120ミリモル)およびベンゼン
300mlを入れ、室温で撹拌しながら、滴下ロート
より、アセト酢酸エチル46.85g(360ミリモル)
を5分間で滴下した。滴下終了後、反応混合物を
80℃に加熱して30分還流し、その後、不溶分をろ
去し、次にベンゼンと生成したイソプロピルアル
コールを留出させて、ろ液を減圧下に濃縮し、残
渣としてインジウムトリスエチルアセトアセテー
ト59.88g(収率99.4%)を得た。この生成物の
NMRの測定結果は次のようであつた。1 H NMR(CDCl3)δ(ppm) 1.22(t,9H) 1.93(s,9H) 4.11(q,6H) 4.85(s,3H) また、この生成物のインジウム含量をキレート
滴定により測定したところ22.5%(理論値22.86
%)であつた。また、その赤外特性吸収は下記の
通りであつた。
キレート C=O構造:1601cm-1
キレート C=C構造:1520cm-1
実施例 2
500mlの四つ口フラスコに、撹拌機、温度計、
滴下ロート、および乾燥管付き冷却管をとりつ
け、このフラスコ中に、インジウムトリイソプロ
ピレート35.05g(120ミリモル)およびベンゼン
300mlを入れ、室温で撹拌しながら、滴下ロート
より、アセト酢酸ブチル56.95g(360ミリモル)
を5分間で滴下した。滴下終了後、反応混合物を
80℃に加熱して30分還流し、その後、不溶分をろ
去し、次にベンゼンと生成したイソプロピルアル
コールを留出させて、ろ液を減圧下に濃縮し残渣
としてインジウムトリスブチルアセトアセテート
68.88g(収率98.0%)を得た。この生成物の
NMRの測定結果は次のようであつた。1 H NMR(CDCl3)δ(ppm) 0.91(t,9H) 1.1−1.8(br,12H) 1.97(s,9H) 4.08(t,6H) 4.88(s,3H) また、この生成物のインジウム含量をキレート
滴定により測定したところ19.8%(理論値19.58
%)であつた。また、その赤外特性吸収は下記の
通りであつた。
滴下ロート、および乾燥管付き冷却管をとりつ
け、このフラスコ中に、インジウムトリイソプロ
ピレート35.05g(120ミリモル)およびベンゼン
300mlを入れ、室温で撹拌しながら、滴下ロート
より、アセト酢酸ブチル56.95g(360ミリモル)
を5分間で滴下した。滴下終了後、反応混合物を
80℃に加熱して30分還流し、その後、不溶分をろ
去し、次にベンゼンと生成したイソプロピルアル
コールを留出させて、ろ液を減圧下に濃縮し残渣
としてインジウムトリスブチルアセトアセテート
68.88g(収率98.0%)を得た。この生成物の
NMRの測定結果は次のようであつた。1 H NMR(CDCl3)δ(ppm) 0.91(t,9H) 1.1−1.8(br,12H) 1.97(s,9H) 4.08(t,6H) 4.88(s,3H) また、この生成物のインジウム含量をキレート
滴定により測定したところ19.8%(理論値19.58
%)であつた。また、その赤外特性吸収は下記の
通りであつた。
キレート C=O構造:1604cm-1
キレート C=C構造:1512cm-1
実施例 3
実施例2と同様の操作を行つた。但し、インジ
ウムトリイソプロピレートと、アセト酢酸ブチル
は、別々に、それぞれ150mlのベンゼンに溶解し、
フラスコ中で、両溶液を混合して反応させた。
ウムトリイソプロピレートと、アセト酢酸ブチル
は、別々に、それぞれ150mlのベンゼンに溶解し、
フラスコ中で、両溶液を混合して反応させた。
得られた生成物の収率は97.0%であり、この生
成物は実施例1記載と同様のNMR測定結果、イ
ンジウム含有率および赤外特性吸収を示した。
成物は実施例1記載と同様のNMR測定結果、イ
ンジウム含有率および赤外特性吸収を示した。
発明の効果
本発明のインジウムトリスアルキルアセトアセ
テートは、良好な安定性と有機溶媒溶解性を示す
ので透明導電性皮膜形成用に有用なものである。
テートは、良好な安定性と有機溶媒溶解性を示す
ので透明導電性皮膜形成用に有用なものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記構造式(1): 〔但し、上式中Rは2〜4個の炭素原子を有す
るアルキル基を表わす〕 で示されるインジウムトリスアルキルアセトアセ
テート。 2 特許請求の範囲第1項記載の化合物におけ
る、インジウムトリスエチルアセトアセテート。 3 特許請求の範囲第1項記載の化合物における
インジウムトリスブチルアセトアセテート。 4 下記構造式(2): で示されるインジウムトリイソプロピレートと、 下記構造式(3): 〔但し上式中Rは2〜4個の炭素原子を有する
アルキル基を表わす〕 で示されるアセト酢酸アルキルとを反応させるこ
とを特徴とする、下記構造式(1): 〔但し、上式中Rは上記定義の通り〕 で表わされるインジウムトリスアルキルアセトア
セテートを製造する方法。 5 前記インジウムトリイソプロピレートとアセ
ト酢酸アルキルとの反応が室温から100℃までの
温度で行われる、特許請求の範囲第4項記載の方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23859384A JPS61118338A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | インジウムトリスアルキルアセトアセテ−トおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23859384A JPS61118338A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | インジウムトリスアルキルアセトアセテ−トおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61118338A JPS61118338A (ja) | 1986-06-05 |
| JPH0212460B2 true JPH0212460B2 (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=17032500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23859384A Granted JPS61118338A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | インジウムトリスアルキルアセトアセテ−トおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61118338A (ja) |
-
1984
- 1984-11-14 JP JP23859384A patent/JPS61118338A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61118338A (ja) | 1986-06-05 |
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