JPH0133111B2 - - Google Patents

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JPH0133111B2
JPH0133111B2 JP19881781A JP19881781A JPH0133111B2 JP H0133111 B2 JPH0133111 B2 JP H0133111B2 JP 19881781 A JP19881781 A JP 19881781A JP 19881781 A JP19881781 A JP 19881781A JP H0133111 B2 JPH0133111 B2 JP H0133111B2
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JP
Japan
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butyl
ethylphosphonate
hydroxy
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general formula
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JP19881781A
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Juko Takahashi
Yutaka Terada
Shinichi Yago
Tamaki Ishii
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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  • Liquid Carbonaceous Fuels (AREA)
  • Anti-Oxidant Or Stabilizer Compositions (AREA)
  • Lubricants (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般式() (式中、Rは低級アルキル基を、R′は低級アル
キル基またはフエニル基を示す。) で示されるビスフエノール誘導体、およびその製
造法に関する。 従来よりポリオレフイン、ABS樹脂、ポリス
チレン、ハイインパクトポリスチレン、アクリロ
ニトリル−スチレン共重合物、ポリアミド、ポリ
アセタールおよびエチレン−プロピレン共重合物
などの合成樹脂、天然ゴムおよびブタジエンゴ
ム、イソプレンゴム、イソプレン−イソブチレン
共重合ゴム、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、
アクリロニトリル−ブタジエン共重合ゴム、クロ
ロプレン−エチレン−プロピレン三元共重合ゴム
などの合成ゴム、潤滑油、燃料油などの石油製
品、油脂およびグリースなどの各種の有機物質
は、熱、光および酸素により劣化を受け易く、か
かる劣化を抑制するために、各種の劣化防止剤、
たとえばスチレン化フエノール、2,6−ジ−t
−ブチル−4−メチルフエノールなどのフエノー
ル系化合物を配合することもよく知られている。
しかしこれらはいずれも、高温度で長時間有機物
質中に保持された場合に効果の持続性に乏しいと
いう欠点があつた。 このような事情に鑑み本発明者らは、これらの
欠点の改良されたすぐれた劣化防止性能を有する
化合物を開発すべく鋭意研究の結果、前記一般式
()で示されるビスフエノール誘導体の開発に
成功し、該誘導体が劣化防止剤として非常に有用
であることを見出し、本発明に至つた。 前記一般式()で示されるビスフエノール誘
導体は本発明者らによつて初めて合成された新規
化合物であり、該誘導体は、一般式() (式中、Rは前記と同じ意味を有する。) で示されるビスフエノールモノアクリレート類と
一般式() (式中、R′は前記と同じ意味を有する。) で示される二置換ホスフアイトとを反応させるこ
とにより製造することができる。 前記一般式()および()において、置換
基Rとして具体的には、メチル基、エチル基、n
−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、
第二ブチル基、第三ブチル基などが挙げられ、ま
た一般式()および()において、置換基
R′としては、前記Rと同様のそれぞれのアルキ
ル基またはフエニル基が挙げられる。 本発明の一般式()で示されるビスフエノー
ル誘導体を製造するにあたり、反応原料として使
用されるビスフエノールモノアクリレート類は公
知であつて、たとえば2,2′−メチレンビス(6
−t−ブチル−4−低級アルキルフエノール)と
塩化アクリロイルを、不活性溶媒中で、トリエチ
ルアミン、ピリジンなどの脱塩化水素剤の存在下
に反応させることによつて、容易に製造される。
また他の反応原料である二置換ホスフアイトも公
知であり、具体的にはジメチルホスフアイト、ジ
エチルホスフアイト、ジ−n−プロピルホスフア
イト、ジイソプロピルホスフアイト、ジブチルホ
スフアイト、ジフエニルホスフアイトなどが例示
される。 かかるビスフエノールモノアクリレート類と二
置換ホスフアイトとの反応は、溶媒中で、通常は
塩基性触媒の存在下に行なわれる。 この場合の溶媒としては、メタノール、エタノ
ール、t−ブチルアルコールなどのアルコール
類、エチレングリコールジメチルエーテル、ジオ
キサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類、
およびジクロロメタン、クロロホルムなどのハロ
ゲン化炭化水素などが用いられるが、特にクロロ
ホルムが好ましい。 また塩基性触媒としては、ナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、カリウム−t−ブト
キシドなどのアルカリ金属アルコキシド、トリエ
チルアミンなどの第三級アミン類、および水酸化
トリメチルベンジルアンモニウムなどが用いられ
るが、特に好ましいのはナトリウムメトキシドで
ある。触媒の使用量は通常、ビスフエノールモノ
アクリレート類に対して0.05〜5重量パーセント
の範囲である。 反応温度は、0℃からその溶媒の還流温度の範
囲であるが、ほとんどの反応は還流温度で行なわ
れる。 本反応における両原料の反応モル比は、通常二
置換ホスフアイトに対してビスフエノールモノア
クリレート類が0.9〜1.1モル倍である。 かくして製造される本発明の一般式()で示
されるビスフエノール誘導体として、具体的には
次のようなものが例示される。 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
メチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−エチルベンジル)−4−エ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
メチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−プロピルベンジル)−4−
プロピルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン
酸ジメチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−イソプロピルベンジル)−
4−イソプロピルフエノキシカルボニル〕エチル
ホスホン酸ジメチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−ブチルベンジル)−4−ブ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
メチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−sec−ブチルベンジル)−4
−sec−ブチルフエノキシカルボニル〕エチルホ
スホン酸ジメチル、 2−〔2,4−ジ−t−ブチル−6−(3,5−
ジ−t−ブチル−2−ヒドロキシベンジル)フエ
ノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジメチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
エチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−エチルベンジル)−4−エ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
エチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−プロピルベンジル)−4−
プロピルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン
酸ジエチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−イソプロピルベンジル)−
4−イソプロピルフエノキシカルボニル〕エチル
ホスホン酸ジエチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−ブチルベンジル)−4−ブ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
エチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−sec−ブチルベンジル)−4
−sec−ブチルフエノキシカルボニル〕エチルホ
スホン酸ジエチル、 2−〔2,4−ジ−t−ブチル−6−(3,5−
ジ−t−ブチル−2−ヒドロキシベンジル)フエ
ノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジエチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
プロピル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−エチルベンジル)−4−エ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
プロピル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−プロピルベンジル)−4−
プロピルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン
酸ジプロピル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−イソプロピルベンジル)−
4−イソプロピルフエノキシカルボニル〕エチル
ホスホン酸ジプロピル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−ブチルベンジル)−4−ブ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
プロピル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−sec−ブチルベンジル)−4
−sec−ブチルフエノキシカルボニル〕エチルホ
スホン酸ジプロピル、 2−〔2,4−ジ−t−ブチル−6−(3,5−
ジ−t−ブチル−2−ヒドロキシベンジル)フエ
ノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジプロピ
ル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
イソプロピル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−エチルベンジル)−4−エ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
イソプロピル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−プロピルベンジル)−4−
プロピルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン
酸ジイソプロピル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−イソプロピルベンジル)−
4−イソプロピルフエノキシカルボニル〕エチル
ホスホン酸ジイソプロピル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−ブチルベンジル)−4−ブ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
イソプロピル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−sec−ブチルベンジル)−4
−sec−ブチルフエノキシカルボニル〕エチルホ
スホン酸ジイソプロピル、 2−〔2,4−ジ−t−ブチル−6−(3,5−
ジ−t−ブチル−2−ヒドロキシベンジル)フエ
ノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジイソプロ
ピル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
ブチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−エチルベンジル)−4−エ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
ブチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−プロピルベンジル)−4−
プロピルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン
酸ジブチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−イソプロピルベンジル)−
4−イソプロピルフエノキシカルボニル〕エチル
ホスホン酸ジブチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−ブチルベンジル)−4−ブ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
ブチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−sec−ブチルベンジル)−4
−sec−ブチルフエノキシカルボニル〕エチルホ
スホン酸ジブチル、 2−〔2,4−ジ−t−ブチル−6−(3,5−
ジ−t−ブチル−2−ヒドロキシベンジル)フエ
ノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジブチル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
フエニル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−エチルベンジル)−4−エ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
フエニル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−プロピルベンジル)−4−
プロピルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン
酸ジフエニル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−イソプロピルベンジル)−
4−イソプロピルフエノキシカルボニル〕エチル
ホスホン酸ジフエニル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−ブチルベンジル)−4−ブ
チルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジ
フエニル、 2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−
2−ヒドロキシ−5−sec−ブチルベンジル)−4
−sec−ブチルフエノキシカルボニル〕エチルホ
スホン酸ジフエニル、および 2−〔2,4−ジ−t−ブチル−6−(3,5−
ジ−t−ブチル−2−ヒドロキシベンジル)フエ
ノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジフエニ
ル。 これらの本発明における新規ビスフエノール誘
導体は、前記のポリオレフイン、アクリロニトリ
ル−スチレン共重合物の如き各種合成樹脂、天然
あるいは各種合成ゴム、潤滑油等の石油製品、各
種油脂物質等の各種の有機物質の劣化防止剤とし
て有用であるが、天然および合成ポリマーの熱的
および酸化的劣化の防止に対して特に有用であ
る。 また、本発明の一般式()で示されるビスフ
エノール誘導体を劣化防止剤として用いる場合、
それ単独の使用でも有機物質の安定化に有効であ
るが、その他の添加剤、たとえば酸化防止剤、含
イオウ化合物、リン含有化合物、紫外線吸収剤、
光安定剤、可塑剤、金属石鹸類、顔料、染料、充
填剤など、また腐食防止剤、防錆剤、流動点降下
剤、清浄分散剤、極圧剤などのような油用添加
剤、および金属キレート剤などをそれぞれの目的
に応じて併用してもよい。 次に、実施例によつて本発明を説明する。 原料製造例 1 温度計、滴下ろう斗、撹拌装置をそなえた500
ml四口フラスコに、2,2′−メチレンビス(6−
t−ブチル−4−メチルフエノール)82.0g
(0.241モル)、トルエン200g、およびトリエチル
アミン29.3g(0.290モル)を仕込み、容器内の
空気を窒素置換し、1℃まで冷却する。滴下ろう
斗から塩化アクリロイル25g(0.276モル)とト
ルエン50gの混合液を2時間かけて滴下する。滴
下終了後、希塩酸で過剰のトリエチルアミンを中
和し、生成したトリエチルアミン塩酸塩をろ別す
る。ろ液を水洗したのちトルエンを180g留去す
る。蒸留残にn−ヘキサン50gを加えて再結晶す
ると、白色結晶状の2,2′−メチレンビス(6−
t−ブチル−4−メチルフエノール)モノアクリ
レート90.0gが得られた(収率95%)。 m.p. 133〜134℃ 元素分析 C26H34C3 C H 計算値% 79.15 8.69 測定値% 79.34 8.86 実施例 1 温度計、撹拌装置、冷却管をそなえた200ml四
口フラスコに、2,2′−メチレンビス(6−t−
ブチル−4−メチルフエノール)モノアクリレー
ト7.90g(0.020モル)、ジエチルホスフアイト
2.76g(0.020モル)およびクロロホルム30gを
仕込み、容器内の空気を窒素置換する。これに28
%ナトリウムメトキシドメタノール溶液を0.3g
加えたのち昇温し、約6時間還流下で反応させ
る。反応終了後30℃に冷却し、希塩酸で中和した
のち水洗し、クロロホルム層を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥後、クロロホルムを留去する。蒸留残に
n−ヘキサン5gを加えて再結晶すると、白色結
晶状の2−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチ
ル−2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4
−メチルフエノキシカルボニル〕エチルホスホン
酸ジエチル9.02gが得られた(収率88%)。この
化合物を−1とする。 m.p. 129〜131℃ 赤外線吸収スペクトル(単位cm-1)(流動パラフ
イン) 3180(ν0-H)、1755(νC=0)、1260(νP=0)、105
0
(νP-0)、860(δ面外 arom.C−H) 実施例 2 実施例1で使用したと同様のフラスコに、2,
2′−メチレンビス(6−t−ブチル−4−メチル
フエノール)モノアクリレート8.56g(0.022モ
ル)、ジフエニルホスフアイト5.08g(0.022モ
ル)およびクロロホルム70gを仕込み、容器内の
空気を窒素置換する。これに28%ナトリウムメト
キシドメタノール溶液0.3gを加えたのち昇温し、
約10時間還流下で反応させる。以下実施例1と同
様に後処理し、蒸留残として、無色透明油状の2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチル
フエノキシカルボニル〕エチルホスホン酸ジフエ
ニル13.3gを得た(収率98%、純度90%)。 この粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフイー(メルク社製シリカゲル、展開溶媒:n
−ヘキサン−酢酸エチル)で分離精製し、白色ガ
ラス状の精製目的化合物を得た。この化合物を
−2とする。 得量 9.5g(収率70%) m.p. 58〜63℃ 元素分析値 C38H45O6P C H P 計算値% 72.6 7.2 4.9 測定値% 72.5 7.1 5.0 赤外線吸収スペクトル(単位cm-1)(流動パラフ
イン) 3480、3300(ν0-H)、1740(νC=0)、1595
(νarpn.C=C)、1140(νP-0)、860(δ面外 arom.C−H) 参考例 1 酸化防止剤を含まない溶液重合法ポリブタジエ
ンゴム(JSR BR−01から酸化防止剤をアセトン
で抽出したゴムを使用した)に表−1に示す供試
化合物をロール混練したものを供試ゴムとし、熱
および酸化安定性と耐熱変色性の試験を行なつ
た。その結果を表−1に示す。 なお、熱および酸化安定性は、供試ゴムを100
℃ギヤーオーブン中で熱老化させ、15時間毎にゲ
ル分(トルエン不溶分)を測定し、ゲル分が10重
量%になるまでの時間(Gel I.P.とする)で評価
した。また耐熱変色性は、100℃ギヤーオーブン
中で15時間、60時間および120時間熱老化後のそ
れぞれのゴム色相で評価した。 【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、Rは低級アルキル基を、R′は低級アル
    キル基またはフエニル基を示す。) で示されるビスフエノール誘導体。 2 一般式 (式中、Rは低級アルキル基を示す。) で示されるビスフエノールモノアクリレート類と
    一般式 (式中、R′は低級アルキル基またはフエニル基
    を示す。) で示される二置換ホスフアイトを反応させること
    を特徴とする一般式 (式中、RおよびR′は前記と同じ意味を有す
    る。) で示されるビスフエノール誘導体の製造法。
JP19881781A 1981-12-09 1981-12-09 ビスフエノ−ル誘導体およびその製造法 Granted JPS5899491A (ja)

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