JPH0318618B2 - - Google Patents
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- JPH0318618B2 JPH0318618B2 JP19603381A JP19603381A JPH0318618B2 JP H0318618 B2 JPH0318618 B2 JP H0318618B2 JP 19603381 A JP19603381 A JP 19603381A JP 19603381 A JP19603381 A JP 19603381A JP H0318618 B2 JPH0318618 B2 JP H0318618B2
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- JP
- Japan
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- butyl
- pentaerythritol
- pentaerythritol tetrakis
- general formula
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Anti-Oxidant Or Stabilizer Compositions (AREA)
- Fats And Perfumes (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一般式()
(式中、Rは低級アルキル基を示し、nは1ま
たは2を示す。) で示されるビスフエノール誘導体、およびその製
造法に関する。 従来よりポリオレフイン、ABS樹脂、ポリス
チレン、ハイインパクトポリスチレン、アクリロ
ニトリル−スチレン共重合物、ポリアミド、ポリ
アセタールおよびエチレン−プロピレン共重合物
などの合成樹脂、天然ゴムおよびブタジエンゴ
ム、イソプレンゴム、イソプレン−イソブチレン
共重合ゴム、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、
アクリロニトリル−ブタジエン共重合ゴム、クロ
ロプレン−エチレン−プロピレン三元共重合ゴム
などの合成ゴム、潤滑油、燃料油などの石油製
品、油脂およびグリースなどの各種の有機物質
は、熱、光および酸素により劣化を受け易く、か
かる劣化を抑制するために、各種の劣化防止剤、
たとえばスチレン化フエノール、2,6−ジ−t
−ブチル−4−メチルフエノール、n−オクタデ
シル 3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒド
ロキシフエニル)プロピオネート、ペンタエリス
リトール テトラキス〔3−(3,5−ジ−t−
ブチル−4−ヒドロキシフエニル)プロピオネー
ト〕などのフエノール系酸化防止剤を単独で用い
たり、これらのフエノール系酸化防止剤とトリス
(ノニルフエニル)ホスフアイト、ジステアリル
ペンタエリスリトールジホスフアイトなどのリン
系酸化防止剤とを併用したり、あるいは前記のフ
エノール系酸化防止剤とジラウリルチオジプロピ
オネート、ジステアリルチオジプロピオネートな
どのイオウ系酸化防止剤とを併用することも周知
の事実である。しかし、これらはいずれも高温度
で長時間有機物質中に保持された場合、効果の持
続性に乏しいという欠点を有するものであつた。 このような事情に鑑み本発明者らは、これらの
欠点の改良された優れた劣化防止性能を有する化
合物を開発すべく鋭意研究の結果、前記一般式
()で示されるビスフエノール誘導体の開発に
成功し、該誘導体が酸化防止剤として非常に有用
であることを見出した。 前記一般式()で示されるビスフエノール誘
導体は、本発明者らにより初めて見出された文献
未記載の新規化合物であつて、該誘導体は、一般
式() (式中、Rは前記と同じ意味を有する。) で示されるビスフエノールモノアクリレート類と
一般式() (式中、nは前記と同じ意味を有する。) で示されるペンタエリスリトール誘導体とを反応
させることによつて製造することができる。 前記一般式()および()において、置換
基Rとして具体的には、メチル基、エチル基、n
−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基などが示される。 一般式()で示されるビスフエノール誘導体
を製造するにあたり、原料として用いられる一般
式()で示されるビスフエノールモノアクリレ
ート類は、たとえば2,2′−メチレンビス(6−
t−ブチル−4−低級アルキルフエノール)と塩
化アクロイルを不活性溶媒中で、脱塩化水素剤の
存在下に反応させることにより容易に製造するこ
とができる。 また一般式()で示されるペンタエリスリト
ール誘導体は、n=1の場合には、チオグリコー
ル酸とペンタエリスリトールを、n=2の場合に
は、3−メルカプトプロピオン酸とペンタエリス
リトールをそれぞれ、たとえばベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素中で、パラトル
エンスルホン酸等の酸性触媒存在下で反応させる
ことによつて製造することができる。 一般式()で示されるビスフエノールモノア
クリレート類と一般式()で示されるペンタエ
リスリトール誘導体との反応は、通常、溶媒中、
塩基性触媒の存在もしくは不存在下で行なわれ
る。ここで溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、t−ブチルアルコール等のアルコール類、ジ
クロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化
水素が用いられるが、特に好ましいのはクロロホ
ルムである。 この反応において、塩基性触媒の使用はより有
効であり、かかる触媒としては、トリエチルアミ
ン等の第三級アミン類または水酸化トリメチルベ
ンジルアンモニウム等が用いられるが、特に好ま
しいのはトリエチルアミンである。これらの触媒
を使用する場合、その使用量は通常、一般式
()で示されるペンタエリスリトール誘導体に
対して0.5〜5重量パーセントの範囲である。 反応温度は−5℃から用いる溶媒の還流温度の
範囲であるが、通常は還流温度で行なわれる。 両原料の反応モル比は、一般的にはペンタエリ
スリトール誘導体1モルに対してビスフエノール
モノアクリレート類が3.5〜4.5モルの範囲であ
る。 かくして製造される本発明の一般式()で示
されるビスフエノール誘導体として、具体的には
次のようなものが例示される。 ペンタエリスリトール テトラキス{2−{2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチルフエ
ノキシカルボニル〕エチルチオアセテート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{2−{2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−エチルベンジル)−4−エチルフエ
ノキシカルボニル〕エチルチオアセテート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{2−{2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−プロピルベンジル)−4−プロピル
フエノキシカルボニル〕エチルチオアセテート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{2−{2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−イソプロピルベンジル)−4−イソ
ピロピルフエノキシカルボニル〕エチルチオアセ
テート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{2−{2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−ブチルベンジル)−4−ブチルフエ
ノキシカルボニル〕エチルチオアセテート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{2−〔2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−sec−ブチルベンジル)−4−sec−
ブチルフエノキシカルボニル〕エチルチオアセテ
ート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{2−〔2,
4−ジ−t−ブチル−6−(3,5−ジ−t−ブ
チル−2−ヒドロキシベンジル)フエノキシカル
ボニル〕エチルチオアセテート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチル
フエノキシカルボニル〕エチルチオ]プロピオネ
ート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−エチルベンジル)−4−エチル
フエノキシカルボニル〕エチルチオ]プロピオネ
ート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−プロピルベンジル)−4−プロ
ピルフエノキシカルボニル〕エチルチオ]プロピ
オネート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−イソプロピルベンジル)−4−
イソプロピルフエノキシカルボニル〕エチルチ
オ]プロピオネート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−ブチルベンジル)−4−ブチル
フエノキシカルボニル〕エチルチオ]プロピオネ
ート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−sec−ブチルベンジル)−4−
sec−ブチルフエノキシカルボニル〕エチルチオ]
プロピオネート}、および ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2,4−ジ−t−ブチル−6−(3,5−ジ−
t−ブチル−2−ヒドロキシベンジル)フエノキ
シカルボニル〕エチルチオ]プロピオネート}。 本発明の一般式()で示されるビスフエノー
ル誘導体は、前記の各種合成樹脂、天然あるいは
合成ゴム、潤滑油等の石油製品、油脂類等の各種
の有機物質の劣化防止剤として有用であるが、天
然ならびに合成ポリマーの熱的および酸化的劣化
に対して特に有用である。 一般式()で示されるビスフエノール誘導体
を劣化防止剤として使用する場合、それ単独の使
用でも有機物質の安定化に有効であるが、その他
の添加剤、たとえば酸化防止剤、含イオウ化合
物、リン含有化合物、紫外線吸収剤、光安定剤、
可塑剤、金属石鹸類、顔料、染料、充填剤など、
また腐食防止剤、防錆剤、流動点降下剤、消泡
剤、清浄分散剤、極圧剤などのような油用添加
剤、および金属キシレート剤などをそれぞれの目
的に応じて併用してもよい。 以下、実施例によつて本発明を説明する。 原料製造例 1 2,2′−メチレンビス(6−t−ブチル−4−
メチルフエノール)モノアクリレートの合成: 温度計、滴下ろう斗、撹拌装置を備えた500ml
四ツ口フラスコに、2,2′−メチレンビス(6−
t−ブチル−4−メチルフエノール)82.0g
(0.241モル)、トルエン200gおよびトリエチルア
ミン29.3g(0.290モル)を仕込み、容器内の空
気を窒素置換し、1℃まで冷却する。これに塩化
アクリロイル25g(0.276モル)とトルエン50g
の混合液を2時間かけて滴下する。滴下終了後、
希塩酸で過剰のトリエチルアミンを中和し、生成
したトリエチルアミン塩酸塩を別する。液を
水洗したのち、トルエン180gを留去し、蒸留残
液にn−ヘキサン50gを加えて再結晶すると、白
状結晶状の2,2′−メチレンビス(6−t−ブチ
ル−4−メチルフエノール)モノアクリレートが
90.0g得られた(収率95%)。 m.p.133〜134℃ 元素分析 C26H34O3 C H 計算値% 79.2 8.7 測定値% 79.3 8.9 原料製造例 2 ペンタエリスリトール テトラキス(3−メル
カプトプロピオネート)の合成: 温度計、デイーンスタークトラツプ、撹拌装置
を備えた100ml四ツ口フラスコに、ペンタエリス
リトール5.0g(0.036モル)、3−メルカプトプ
ロピオン酸19.11g(0.180モル)、トルエン20g
およびパラトルエンスルホン酸0.10g(0.0005モ
ル)を仕込み、容器内の空気を窒素置換し、5時
間反応させる。反応終了後、トルエン層をPH7に
なるまで水洗した後、トルエンを留去して、無色
透明油状のペンタエリスリトール テトラキス
(3−メルカプトロピオネート)16.23gを得た
(収率93%)。 元素分析 C17H28O8S4 C H S 計算値% 41.8 5.8 26.2 測定値% 41.9 5.2 26.2 原料製造例 3 ペンタエリスリトール テトラキス(チオグリ
コレート)の合成: ペンタエリスリトール5.0g(0.036モル)、チ
オグリコール酸16.6g(0.180モル)、トルエン20
gおよびパラトルエンスルホン酸0.10g(0.0005
モル)を用い、原料製造例2と同様の方法で反応
させて、無色透明油状のペンタエリスリトール
テトラキス(チオグリコレート)14.0gを得た
(収率90%)。 元素分析 C13H20O8S4 C H S 計算値% 36.1 4.7 29.7 測定値% 36.2 4.7 29.7 実施例 1 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチル
フエノキシカルボニル〕エチルチオ]プロピオネ
ート}(化合物−1)の合成: 温度計、撹拌装置を備えた四ツ口フラスコに、
2,2′−メチレンビス(6−t−ブチル−4−メ
チルフエノール)モノアクリレート7.90g(0.02
モル)、ペンタエリスリトール テトラキス(3
−メルカプトプロピオネート)2.62g(0.0054モ
ル)およびエタノール50gを仕込み、容器内の空
気を窒素置換した後、トリエチルアミン0.02g
(0.0002モル)を加える。その後昇温し、還流下
で10時間反応させる。反応終了後、30℃まで冷却
し、希塩酸でトリエチルアミンを中和したのちク
ロロホルム抽出し、クロロホルム層を水洗後、ク
ロロホルムを減圧留去し、白色ガラス状の表題化
合物10.2gを得た(収率99%)。 m.p.76〜80℃ 元素分析 C121H164O20S4 C H C 計算値% 70.3 8.0 6.2 測定値% 69.9 8.2 6.1 赤外線吸収スペクトル(流動パラフイン) 3470cm-1(νO-H)、1738cm-1(νC=O)、1595cm-1
(νarpn.C=C)、858cm-1(δ面 外 arom.C−H) 実施例 2 ペンタエリスリトール テトラキス{2−〔2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチルフエ
ノキシカルボニル〕エチルチオアセテート}(化
合物−2)の合成: 実施例1におけるペンタエリスリトールテトラ
キス(3−メルカプトプロピオネート)に代えて
ペンタエリスリトール テトラキス(チオグリコ
レート)2.34g(0.0054モル)を使用する以外
は、実施例1と同様に反応を行なつて、白色ガラ
ス状の表題化合物9.75gを得た(収率97%)。 m.p.72〜78℃ 元素分析 C117H156O20S4 C H S 計算値% 69.9 7.8 6.4 測定値% 69.3 8.0 6.5 赤外線吸収スペクトル(流動パラフイン) 3490cm-1(νO-H)、1740cm-1(νC=O)、1600cm-1
(νarpn.C=C)、860cm-1(δ面 外 arom.C−H) 参考例 1 酸化防止剤を含まない溶液重合法ポリブタジエ
ンゴム(JSR BR−01から酸化防止剤をアセトン
で抽出したゴムを使用した)に表−1に示す供試
化合物をロール混練したものと供試ゴムとし、熱
および酸化安定性と耐熱変色性の試験を行なつ
た。その結果を表−1に示す。 熱および酸化安定性は、供試ゴムを100℃ギヤ
ーオーブン中で熱老化させ、15時間毎にゲル分
(トルエン不溶分)を測定し、ゲル分が10wt%に
なるまでの時間(Gel I.P.とする)で評価した。 また耐熱変色性は、100℃ギヤーオーブン中で
15時間、60時間および120時間熱老化後のゴム色
相で評価した。 なお表−1において、AO−1〜AO−4は以
下の化合物を示すものである。 AO−1 2,6−ジ−t−ブチル−4−メチル
フエノール AO−2 n−オクタデシル 3−(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシフエニ
ル)プロピオネート AO−3 ペンタエリスリトール テトラキス
〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−
ヒドロキシフエニル)プロピオネー
ト〕 AO−4 ペンタエリスリトール テトラキス
(3−ラウリルチオプロピオネート) 【表】
たは2を示す。) で示されるビスフエノール誘導体、およびその製
造法に関する。 従来よりポリオレフイン、ABS樹脂、ポリス
チレン、ハイインパクトポリスチレン、アクリロ
ニトリル−スチレン共重合物、ポリアミド、ポリ
アセタールおよびエチレン−プロピレン共重合物
などの合成樹脂、天然ゴムおよびブタジエンゴ
ム、イソプレンゴム、イソプレン−イソブチレン
共重合ゴム、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、
アクリロニトリル−ブタジエン共重合ゴム、クロ
ロプレン−エチレン−プロピレン三元共重合ゴム
などの合成ゴム、潤滑油、燃料油などの石油製
品、油脂およびグリースなどの各種の有機物質
は、熱、光および酸素により劣化を受け易く、か
かる劣化を抑制するために、各種の劣化防止剤、
たとえばスチレン化フエノール、2,6−ジ−t
−ブチル−4−メチルフエノール、n−オクタデ
シル 3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒド
ロキシフエニル)プロピオネート、ペンタエリス
リトール テトラキス〔3−(3,5−ジ−t−
ブチル−4−ヒドロキシフエニル)プロピオネー
ト〕などのフエノール系酸化防止剤を単独で用い
たり、これらのフエノール系酸化防止剤とトリス
(ノニルフエニル)ホスフアイト、ジステアリル
ペンタエリスリトールジホスフアイトなどのリン
系酸化防止剤とを併用したり、あるいは前記のフ
エノール系酸化防止剤とジラウリルチオジプロピ
オネート、ジステアリルチオジプロピオネートな
どのイオウ系酸化防止剤とを併用することも周知
の事実である。しかし、これらはいずれも高温度
で長時間有機物質中に保持された場合、効果の持
続性に乏しいという欠点を有するものであつた。 このような事情に鑑み本発明者らは、これらの
欠点の改良された優れた劣化防止性能を有する化
合物を開発すべく鋭意研究の結果、前記一般式
()で示されるビスフエノール誘導体の開発に
成功し、該誘導体が酸化防止剤として非常に有用
であることを見出した。 前記一般式()で示されるビスフエノール誘
導体は、本発明者らにより初めて見出された文献
未記載の新規化合物であつて、該誘導体は、一般
式() (式中、Rは前記と同じ意味を有する。) で示されるビスフエノールモノアクリレート類と
一般式() (式中、nは前記と同じ意味を有する。) で示されるペンタエリスリトール誘導体とを反応
させることによつて製造することができる。 前記一般式()および()において、置換
基Rとして具体的には、メチル基、エチル基、n
−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基などが示される。 一般式()で示されるビスフエノール誘導体
を製造するにあたり、原料として用いられる一般
式()で示されるビスフエノールモノアクリレ
ート類は、たとえば2,2′−メチレンビス(6−
t−ブチル−4−低級アルキルフエノール)と塩
化アクロイルを不活性溶媒中で、脱塩化水素剤の
存在下に反応させることにより容易に製造するこ
とができる。 また一般式()で示されるペンタエリスリト
ール誘導体は、n=1の場合には、チオグリコー
ル酸とペンタエリスリトールを、n=2の場合に
は、3−メルカプトプロピオン酸とペンタエリス
リトールをそれぞれ、たとえばベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素中で、パラトル
エンスルホン酸等の酸性触媒存在下で反応させる
ことによつて製造することができる。 一般式()で示されるビスフエノールモノア
クリレート類と一般式()で示されるペンタエ
リスリトール誘導体との反応は、通常、溶媒中、
塩基性触媒の存在もしくは不存在下で行なわれ
る。ここで溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、t−ブチルアルコール等のアルコール類、ジ
クロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化
水素が用いられるが、特に好ましいのはクロロホ
ルムである。 この反応において、塩基性触媒の使用はより有
効であり、かかる触媒としては、トリエチルアミ
ン等の第三級アミン類または水酸化トリメチルベ
ンジルアンモニウム等が用いられるが、特に好ま
しいのはトリエチルアミンである。これらの触媒
を使用する場合、その使用量は通常、一般式
()で示されるペンタエリスリトール誘導体に
対して0.5〜5重量パーセントの範囲である。 反応温度は−5℃から用いる溶媒の還流温度の
範囲であるが、通常は還流温度で行なわれる。 両原料の反応モル比は、一般的にはペンタエリ
スリトール誘導体1モルに対してビスフエノール
モノアクリレート類が3.5〜4.5モルの範囲であ
る。 かくして製造される本発明の一般式()で示
されるビスフエノール誘導体として、具体的には
次のようなものが例示される。 ペンタエリスリトール テトラキス{2−{2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチルフエ
ノキシカルボニル〕エチルチオアセテート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{2−{2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−エチルベンジル)−4−エチルフエ
ノキシカルボニル〕エチルチオアセテート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{2−{2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−プロピルベンジル)−4−プロピル
フエノキシカルボニル〕エチルチオアセテート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{2−{2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−イソプロピルベンジル)−4−イソ
ピロピルフエノキシカルボニル〕エチルチオアセ
テート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{2−{2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−ブチルベンジル)−4−ブチルフエ
ノキシカルボニル〕エチルチオアセテート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{2−〔2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−sec−ブチルベンジル)−4−sec−
ブチルフエノキシカルボニル〕エチルチオアセテ
ート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{2−〔2,
4−ジ−t−ブチル−6−(3,5−ジ−t−ブ
チル−2−ヒドロキシベンジル)フエノキシカル
ボニル〕エチルチオアセテート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチル
フエノキシカルボニル〕エチルチオ]プロピオネ
ート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−エチルベンジル)−4−エチル
フエノキシカルボニル〕エチルチオ]プロピオネ
ート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−プロピルベンジル)−4−プロ
ピルフエノキシカルボニル〕エチルチオ]プロピ
オネート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−イソプロピルベンジル)−4−
イソプロピルフエノキシカルボニル〕エチルチ
オ]プロピオネート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−ブチルベンジル)−4−ブチル
フエノキシカルボニル〕エチルチオ]プロピオネ
ート}、 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−sec−ブチルベンジル)−4−
sec−ブチルフエノキシカルボニル〕エチルチオ]
プロピオネート}、および ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2,4−ジ−t−ブチル−6−(3,5−ジ−
t−ブチル−2−ヒドロキシベンジル)フエノキ
シカルボニル〕エチルチオ]プロピオネート}。 本発明の一般式()で示されるビスフエノー
ル誘導体は、前記の各種合成樹脂、天然あるいは
合成ゴム、潤滑油等の石油製品、油脂類等の各種
の有機物質の劣化防止剤として有用であるが、天
然ならびに合成ポリマーの熱的および酸化的劣化
に対して特に有用である。 一般式()で示されるビスフエノール誘導体
を劣化防止剤として使用する場合、それ単独の使
用でも有機物質の安定化に有効であるが、その他
の添加剤、たとえば酸化防止剤、含イオウ化合
物、リン含有化合物、紫外線吸収剤、光安定剤、
可塑剤、金属石鹸類、顔料、染料、充填剤など、
また腐食防止剤、防錆剤、流動点降下剤、消泡
剤、清浄分散剤、極圧剤などのような油用添加
剤、および金属キシレート剤などをそれぞれの目
的に応じて併用してもよい。 以下、実施例によつて本発明を説明する。 原料製造例 1 2,2′−メチレンビス(6−t−ブチル−4−
メチルフエノール)モノアクリレートの合成: 温度計、滴下ろう斗、撹拌装置を備えた500ml
四ツ口フラスコに、2,2′−メチレンビス(6−
t−ブチル−4−メチルフエノール)82.0g
(0.241モル)、トルエン200gおよびトリエチルア
ミン29.3g(0.290モル)を仕込み、容器内の空
気を窒素置換し、1℃まで冷却する。これに塩化
アクリロイル25g(0.276モル)とトルエン50g
の混合液を2時間かけて滴下する。滴下終了後、
希塩酸で過剰のトリエチルアミンを中和し、生成
したトリエチルアミン塩酸塩を別する。液を
水洗したのち、トルエン180gを留去し、蒸留残
液にn−ヘキサン50gを加えて再結晶すると、白
状結晶状の2,2′−メチレンビス(6−t−ブチ
ル−4−メチルフエノール)モノアクリレートが
90.0g得られた(収率95%)。 m.p.133〜134℃ 元素分析 C26H34O3 C H 計算値% 79.2 8.7 測定値% 79.3 8.9 原料製造例 2 ペンタエリスリトール テトラキス(3−メル
カプトプロピオネート)の合成: 温度計、デイーンスタークトラツプ、撹拌装置
を備えた100ml四ツ口フラスコに、ペンタエリス
リトール5.0g(0.036モル)、3−メルカプトプ
ロピオン酸19.11g(0.180モル)、トルエン20g
およびパラトルエンスルホン酸0.10g(0.0005モ
ル)を仕込み、容器内の空気を窒素置換し、5時
間反応させる。反応終了後、トルエン層をPH7に
なるまで水洗した後、トルエンを留去して、無色
透明油状のペンタエリスリトール テトラキス
(3−メルカプトロピオネート)16.23gを得た
(収率93%)。 元素分析 C17H28O8S4 C H S 計算値% 41.8 5.8 26.2 測定値% 41.9 5.2 26.2 原料製造例 3 ペンタエリスリトール テトラキス(チオグリ
コレート)の合成: ペンタエリスリトール5.0g(0.036モル)、チ
オグリコール酸16.6g(0.180モル)、トルエン20
gおよびパラトルエンスルホン酸0.10g(0.0005
モル)を用い、原料製造例2と同様の方法で反応
させて、無色透明油状のペンタエリスリトール
テトラキス(チオグリコレート)14.0gを得た
(収率90%)。 元素分析 C13H20O8S4 C H S 計算値% 36.1 4.7 29.7 測定値% 36.2 4.7 29.7 実施例 1 ペンタエリスリトール テトラキス{3−[2
−〔2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−
ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチル
フエノキシカルボニル〕エチルチオ]プロピオネ
ート}(化合物−1)の合成: 温度計、撹拌装置を備えた四ツ口フラスコに、
2,2′−メチレンビス(6−t−ブチル−4−メ
チルフエノール)モノアクリレート7.90g(0.02
モル)、ペンタエリスリトール テトラキス(3
−メルカプトプロピオネート)2.62g(0.0054モ
ル)およびエタノール50gを仕込み、容器内の空
気を窒素置換した後、トリエチルアミン0.02g
(0.0002モル)を加える。その後昇温し、還流下
で10時間反応させる。反応終了後、30℃まで冷却
し、希塩酸でトリエチルアミンを中和したのちク
ロロホルム抽出し、クロロホルム層を水洗後、ク
ロロホルムを減圧留去し、白色ガラス状の表題化
合物10.2gを得た(収率99%)。 m.p.76〜80℃ 元素分析 C121H164O20S4 C H C 計算値% 70.3 8.0 6.2 測定値% 69.9 8.2 6.1 赤外線吸収スペクトル(流動パラフイン) 3470cm-1(νO-H)、1738cm-1(νC=O)、1595cm-1
(νarpn.C=C)、858cm-1(δ面 外 arom.C−H) 実施例 2 ペンタエリスリトール テトラキス{2−〔2
−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒド
ロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチルフエ
ノキシカルボニル〕エチルチオアセテート}(化
合物−2)の合成: 実施例1におけるペンタエリスリトールテトラ
キス(3−メルカプトプロピオネート)に代えて
ペンタエリスリトール テトラキス(チオグリコ
レート)2.34g(0.0054モル)を使用する以外
は、実施例1と同様に反応を行なつて、白色ガラ
ス状の表題化合物9.75gを得た(収率97%)。 m.p.72〜78℃ 元素分析 C117H156O20S4 C H S 計算値% 69.9 7.8 6.4 測定値% 69.3 8.0 6.5 赤外線吸収スペクトル(流動パラフイン) 3490cm-1(νO-H)、1740cm-1(νC=O)、1600cm-1
(νarpn.C=C)、860cm-1(δ面 外 arom.C−H) 参考例 1 酸化防止剤を含まない溶液重合法ポリブタジエ
ンゴム(JSR BR−01から酸化防止剤をアセトン
で抽出したゴムを使用した)に表−1に示す供試
化合物をロール混練したものと供試ゴムとし、熱
および酸化安定性と耐熱変色性の試験を行なつ
た。その結果を表−1に示す。 熱および酸化安定性は、供試ゴムを100℃ギヤ
ーオーブン中で熱老化させ、15時間毎にゲル分
(トルエン不溶分)を測定し、ゲル分が10wt%に
なるまでの時間(Gel I.P.とする)で評価した。 また耐熱変色性は、100℃ギヤーオーブン中で
15時間、60時間および120時間熱老化後のゴム色
相で評価した。 なお表−1において、AO−1〜AO−4は以
下の化合物を示すものである。 AO−1 2,6−ジ−t−ブチル−4−メチル
フエノール AO−2 n−オクタデシル 3−(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシフエニ
ル)プロピオネート AO−3 ペンタエリスリトール テトラキス
〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−
ヒドロキシフエニル)プロピオネー
ト〕 AO−4 ペンタエリスリトール テトラキス
(3−ラウリルチオプロピオネート) 【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、Rは低級アルキル基を示し、nは1ま
たは2を示す。) で示されるビスフエノール誘導体。 2 一般式 (式中、Rは低級アルキル基を示す。) で示されるビスフエノールモノアクリレート類と
一般式 (式中、nは1または2を示す。) で示されるペンタエリスリトール誘導体とを反応
させることを特徴とする一般式 (式中、Rおよびnは前記と同じ意味を有す
る。) で示されるビスフエノール誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19603381A JPS5899459A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | ビスフエノ−ル誘導体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19603381A JPS5899459A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | ビスフエノ−ル誘導体およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5899459A JPS5899459A (ja) | 1983-06-13 |
| JPH0318618B2 true JPH0318618B2 (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16351084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19603381A Granted JPS5899459A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | ビスフエノ−ル誘導体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5899459A (ja) |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP19603381A patent/JPS5899459A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5899459A (ja) | 1983-06-13 |
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