JPS6335980B2 - - Google Patents
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- JPS6335980B2 JPS6335980B2 JP55133211A JP13321180A JPS6335980B2 JP S6335980 B2 JPS6335980 B2 JP S6335980B2 JP 55133211 A JP55133211 A JP 55133211A JP 13321180 A JP13321180 A JP 13321180A JP S6335980 B2 JPS6335980 B2 JP S6335980B2
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野に於ける電子
写真用像形成部材や原稿読取装置等に於ける光導
電層を構成する光導電部材としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性を有すること、光
応答性が良好で、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時に於いて人体に対して無公害である事、更
には固体撮像装置に於いては、残像を所定時間内
に容易に処理する事が出来る事等の特性が要求さ
れる。殊に、事務機としてオフイスで使用される
電子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部
材の場合には、上記の使用時に於ける無公害性は
重要な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後Siと記す）
があり、例えば、独国公開第2746967号公報、同
第2855718号公報には電子写真用像形成部材とし
て、特開昭55−39404号公報には光電変換読取装
置への応用が記載されている。 然乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐湿性
等の使用環境特性の点に於いて、更に改良される
可き点が存し、実用的な固体撮像装置が読取装
置、電子写真用像形成部材等には、生産性、量産
性をも加味して仲々有効に使用し得ないのが実情
である。 例えば、電子写真用像形成部材や固体撮像装置
に適用した場合に、その使用時に於いて残留電位
が残る場合が度々観測され、この様な種の光導電
部材は繰返し長時間使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起こる。残像が生ずる所謂ゴ
ースト現像を発する様になる等の不都合な点が少
なくなかつた。 更には例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは、従来のSe、CdS、ZnO或
いはPVCzやTNF等のOPC（有機光導電部材）に
較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電
池用として使用する為の特性が付与されたａ−Si
から成る単層構成の光導電層を有する電子写真用
像形成部材の上記光導電層に静電像形成の為の帯
電処理を施しても暗減衰（dark decay）が著し
く速く、通常の電子写真法が仲々適用され難い
事、及び多湿雰囲気中に於いては、上記傾向が著
しく、場合によつては現像時間まで帯電々荷を全
く保持し得ない事がある等、解決され得る可き点
が存在している事が判明している。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、所望の電
気的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工
夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体とし
ハロゲン原子を含有するアモルフアス材料、所謂
ハロゲン含有アモルフアスシリコン（以後ａ−
Si；Ｘと記す）から成る光導電層と、該光導電層
を支持する支持体との間に特定の中間層を介在さ
せる層構成に設計されて作製された光導電部材は
実用的に充分使用し得るばかりでなく、従来の光
導電部材と較べてみても殆んどの点に於いて凌駕
していること、殊に電子写真用の光導電部材とし
て著しく優れた特性を有していることを見出した
点に基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全
く又は殆んど観測されない光導電部材を提供する
ことを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、光感度が高く、分光感度
領域も略々可視光域を覆つていて、且つ光応答性
の速い光導電部材を提供することである。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合通常の電子写真法が極めて
有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の帯
電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿雰
囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されない
優れた電子写真特性を有する光導電部材を提供す
ることである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の光導電部材は、支持体と、シリコン原
子を母体とし、ハロゲン原子を含むアモルフアス
材料で構成されている光導電層と、これ等の間に
設けられ、前記支持体側から前記光導電層中への
キヤリアの流入を阻止し且つ電磁波照射によつて
前記光導電層中に生じ前記支持体側に向つて移動
するキヤリアの前記光導電層側から前記支持体側
への通過を許す機能を有する中間層とを備えた光
導電部材に於いて、前記中間層は、（SixC1-x）y
X1-Y又は（SixC1-x）y（Ｈ＋Ｘ）1-y（但し、0.1≦
Ｘ≦0.35、0.80≦Ｙ≦0.99）で示されるアモルフ
アス材料で構成され、30〜1000Åの層厚を有する
事を特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し
得、極めてすぐれた電気的、光導的、光導電的特
性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材或いは固体撮像装
置として適用させた場合には帯電処理の際の電荷
保持能に長け、画像形成への残留電位の影響が全
くなく、多湿雰囲気中でもその電気的特性が安定
しており高感度で、高SN比を有するものであり、
又、耐光疲労、繰返し使用性に著しく長け、更に
電子写真用像形成部材の場合には濃度が高く、ハ
ーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高
品質の可視画像を得る事が出来る。 又、電子写真用像形成部材に適用させる場合、
高暗抵抗のａ−Si：Ｘは光感度が低く、逆に光感
度の高いａ−Si：Ｘは暗抵抗が108Ωcm前後と低
く、いずれの場合にも、従来の層構成の光導電層
のままでは電子写真用の像形成部材には適用され
なかつたのに対して、本発明の場合には、比較的
低抵抗（５×109Ωcm以上）のａ−Si：Ｘ層でも
電子写真用の光導電層を構成することができるの
で、抵抗は比較的低いが高感度であるａ−Si：Ｘ
も充分使用し得、ａ−Si：Ｘの特性面からの制約
が軽減され得る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は本発明の光導電部材の基本的な構成例
を説明する為に模式的に示した模式的構成図であ
る。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、中間層１０２、
該中間層１０２に直接接触した状態に設けられて
いる光導電層１０３とで構成される層構造を有
し、本発明の最も基本的な例である。 支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性
であつても良い。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、
Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pb等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面がNiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等の薄
膜を設けることによつて導電処理され、或いはポ
リエステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれ
ば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、
Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金属で真空
蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリング等で処理
し、又は前記金属でラミネート処理して、その表
面が導電処理される。支持体の形状としては、円
筒状、ベルト状、板状等の、任意の形状とし得、
所望によつて、その形状は決定されるが、例え
ば、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形
成部材として使用するのであれば連続高速複写の
場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材
が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材
として可撓性が要求される場合には、支持体とし
ての機能が充分発揮される範囲内であれば可能な
限り薄くされる。而乍らこの様な場合支持体の製
造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は、10μ以上とされる。 中間層１０２は、シリコン原子及び炭素原子と
を母体とし、ハロゲン原子（Ｘと記す）を含む非
光導電性のアモルフアス材料〔ａ−（SixC1-x）y：
X1-yと略記する。但し０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１〕
で構成され、支持体１０１の側から光導電層１０
３中へのキヤリアの流入を効果的に阻止し且つ電
磁波の照射によつて光導電層１０３中に生じ、支
持体１０１の側に向つて移動するフオトキヤリア
の光導電層１０３側から支持体１０１の側への通
過を容易に許す機能を有するものである。 ａ−（SixC1-x）y：X1-yで構成される中間層１０
２の形成はグロー放電法、スパツターリング法、
イオンインプランテーシヨン法、イオンプレーテ
イング法、エレクトロンビーム法等によつて成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易で
ある、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲン
原子を、作製する中間層中に導入するのが容易に
行える等の利点からグロー放電法或いはスパツタ
ーリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して中間
層１０２を形成しても良い。 グロー放電法によつて中間層１０２を形成する
には、ａ−（SixC1-x）y：X1-y形成用の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体１０１の設置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放
電を生起させることでガスプラズマ化して前記支
持体１０１上にａ−（SixC1-x）y：X1-yを堆積させ
れば良い。 本発明に於いて、ａ−（SixC1-x）y：X1-y形成用
の原料ガスとしては、Si、Ｃ、Ｘの中の少なくと
も１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化
し得る物質をガス化したものの中の大概のものが
使用され得る。 Si、Ｃ、Ｘの中の１つとしSiを構成原子とする
原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原子
とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガス
と、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子と
する原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、Si、Ｃ
及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、ハロゲン原子Ｘとして好適な
のはＦ、Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ま
しいのである。 本発明に於いて、中間層１０２は、ａ−（Six
C1-x）y：X1-yで構成されるものであるが、中間層
１０２には更に水素原子を含有させることが出来
る。 中間層１０２への水素原子の含有は、光導電層
１０３との連続層形成の際に原料ガス種の一部共
通化を計ることが出来るので生産コスト面の上で
好都合である。 本発明に於いて、中間層１０２を形成するのに
有効に使用される原料ガスと成り得るものとして
は、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易に
ガス化し得る物質を挙げることが出来る。 この様な中間層形成用の物質としては、例えば
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数１〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系
炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロ
ゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水
素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体として
は、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、ハロゲン化水素としては、FH、HI、HCl、
HBr、ハロゲン間化合物としては、BrF、ClF、
ClF3、ClF5、BrF5、BrF3、IF7、IF5、ICl、IBr、
ハロゲン化硅素としてはSiF4、Si2F6、SiCl4、
SiCl3Br、SiCl2Br2、SiClBr3、SiCl3I、SiBr4、
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2F3、
SiH2Cl2、SiHCl3、SiH3Cl、SiH3Br、SiH2Br2、
SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4、Si2H6、
Si3H3、Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他に、CCl4、CHF3、CH2F2、CH3F、
CH3Cl、CH3Br、CH3I、C2H5Cl等のハロゲン置
換パラフイン系炭化水素、SF4、SF6等のフツ素
化硫黄化合物、Si（CH3）4、Si（C2H5）4、等のケイ
化アルキルやSiCl（CH3）3、SiCl2（CH3）2、
SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シランの誘導体も有効なものとして挙げることが
出来る。 これ等の中間層形成物質は、形成される中間層
中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有
される様に、中間層形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の中間層
が形成され得るSi（CH3）4とハロゲン原子を含有
させるものとしてのSiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2、
或いはSiH3Cl等を所定の混合比でガス状態で中
間層形成用の装置系内に導入してグロー放電を生
起させることによつてａ−SixC1-x：Ｘ：Ｈから
成る中間層を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて中間層１０２を形
成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又
はＣウエーハー又はSiとＣとが混合されて含有さ
れているウエーハーをターゲツトとして、これ等
をハロゲンと必要に応じて水素を構成要素として
含む種々のガス雰囲気中でスパツターリングする
ことによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともハロゲン原子を
含有するガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて成される。Ｃ及びＸ、必要に応じてＨ
の導入用の原料ガスとなる物質としては先述した
グロー放電の例で示した中間層形成用の物質がス
パツターリング法の場合にも有効な物質として使
用され得る。 本発明に於いて、中間層１０２をグロー放電法
又はスパツターリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えばHe、
Be、Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明に於ける中間層１０２は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成
される。 即ち、Si、Ｃ、及びＸ、必要に応じてＨを構成
原子とする物質は、その作成条件によつて構造的
には結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電
気物性的には、導電性から半導体性、絶縁性まで
の間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性
質までの間の性質を、各々示すので、本発明に於
いては、非光導電性のａ−（SixC1-x）y：X1-yが形
成される様に、その作成条件の選択が厳密に成さ
れる。 本発明の中間層１０２を構成するａ−（Six
C1-x）y：X1-yは、中間層１０２の機能が、支持体
１０１側から光導電層１０３中へのキヤリアの流
入を阻止し、且つ光導電層１０３中で発生したフ
オトキヤリアが移動して支持体１０１側に通過す
るのを容易に許すことを果すものであることか
ら、電気絶縁性的挙動を示すものとして形成され
る。 又、光導電層１０３中で発生したフオトキヤリ
アが中間層１０２中を通過する際、その通過がス
ムーズに成される程度に、通過するキヤリアに対
する易動度（mobility）の値を有するものとして
ａ−（SixC1-x）y：X1-yが作成される条件の中の重
要な要素として、作成時の支持体温度を挙げる事
が出来る。 即ち、支持体１０１の表面にａ（SixC1-x）y：
X1-yからなる中間層１０２を形成する際、層形
成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であつて、本発明に於い
ては、目的とする特性を有するａ−（SixC1-x）y：
X1-yが所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の中間層１０２を形成する際の支持体温度
としては、中間層１０２の形成法に併せて適宜最
適範囲が選択されて、中間層１０２の形成が実行
されるが、通常の場合、100〜300℃、好適には
150〜250℃とされるのが望ましいものである。中
間層１０２の形成には、同一系内で中間層１０２
から光導電層１０３、更には必要に応じて光導電
層１０３上に形成される第３の層まで連続的に形
成する事が出来る、各層を構成する原子の組成比
の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比
較的容易である事等の為に、グロー放電法やスパ
ツターリング法の採用が有利であるが、これ等の
層形成法で中間層１０２を形成する場合には、前
記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワー
が作成されるａ−（SixC1-x）y：X1-yの特性を左右
する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）y：X1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、通常10
〜200W、好適には20〜100Wである。 堆積室内のガス圧は通常0.001〜5Torr、好適
には、0.01〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける中間層１０２に含
有される炭素原子及びハロゲン原子の量は、中間
層１０２の作製条件と同様本発明の目的を達成す
る所望の特性が得られる中間層が形成される重要
な因子である。 本発明における中間層１０２に含有される炭素
原子の量は通常は40〜90atomic％、好適には50
〜90atomic％、最適には50〜80atomic％とされ
るのが望ましいものである。ハロゲン原子の含有
量としては、通常の場合１〜20atomic％、好適
には215atomic％とされるのが望ましく、これ等
の範囲にハロゲン含有量がある場合に形成される
光導電部材は、実際面に於いて優れたものとして
充分適用させ得るものである。必要に応じて含有
される水素原子の含有量としては、通常の場合
19atomic％以下、好適には13atomic％以下とさ
れるのが望ましいものである。即ち、先のａ−
（SixC1-x）y：X1-yの表示で行えば、ｘが通常は0.1
〜0.35、好適には0.15〜0.30、ｙが通常0.99〜
0.80、好適には0.99〜0.82、最適には0.98〜0.85で
ある。 ハロゲン原子と水原子の両方が含まれる場合、
先と同様のａ−（SixC1-x）y（Ｈ＋Ｘ）1-yの表示で
行えば、この場合のｘ，ｙの数値範囲もａ−（Six
C1-x）y：X1-yの場合と、略々同様である。 本発明に於ける中間層１０２の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な
因子の１つである。 中間層１０２の層厚が充分過ぎる程に薄いと、
支持体１０１の側からの光導電層１０３へのキヤ
リアの流入を阻止する働きが充分果し得なくな
り、又、充分過ぎる程以上に厚いと、光導電層１
０３中に於いて生ずるフエオトキヤリアの支持体
１０１の側への通過する確率が極めて小さくな
り、従つて、いずれの場合にも、本発明の目的を
効果的に達成され得なくなる。 本発明の目的を効果的に達成する為の中間層１
０２の層厚としては、通常の場合、30〜1000Å、
好適には、50〜600Åである。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、中間層１０２上に積層される光導電層１０
３は下記に示す半導体特性を有するａ−Si：Ｘで
構成される。 ｐ型ａ−Si：Ｘ……アクセプターのみを含む
もの。或いは、ドナーとアクセプターとの両方
を含み、アクセプターの濃度（Na）が高いも
の。 p-型ａ−Si：Ｘ……のタイプに於いてアク
セプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ型不純物
をライトリードプしたもの。 ｎ型ａ−Si：Ｘ……ドナーのみを含むもの。
或いはドナーとアクセプターの両方を含み、ド
ナーの濃度（Nd）が高いもの。 n-型ａ−Si：Ｘ……のタイプに於いてドナ
ーの濃度（Nd）が低い、所謂ｎ型不純物をラ
イトリードープしたもの。 ｉ型ａ−Si：Ｘ……NaNdＯのもの又
は、NaNdのもの。 本発明に於いては、中間層１０２を設けること
によつて前記した様に光導電層１０３を構成する
ａ−Si：Ｘは、従来に較べて比較的低抵抗のもの
も使用され得るものであるが、一層良好な結果を
得る為には、形成される光導電層１０３の暗抵抗
が好適には５×109Ωcm以上、最適には1010Ωcm以
上となる様に光導電層１０３が形成されるのが望
ましいものである。 殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された
光導電部材を電子写真用像形成部材や、低照度領
域で使用される高感度の読取装置や固体撮像装
置、或いは光電変換装置として使用する場合には
重要な要素である。 本発明に於ける光導電部材の光導電層の層厚と
しては、読取装置、固体撮像装置或いは電子写真
用像形成部材等の適用するものの目的に適合させ
て所望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、光導電層の層厚としては、
光導電層の機能及び中間層の機能が各々有効に活
されて本発明の目的が効果的に達成される様に中
間層との層厚関係に於いて適宜所望に従つて決め
られるものであり、通常の場合、中間層の層厚に
対して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好ま
しいものである。 具体的な値としては、通常１〜100μ、好適に
は２〜50μの範囲とされるのが望ましい。 本発明において、光導電層中に含有されるハロ
ゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフツ素、塩
素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフツ素、塩素
を好適なものとして挙げることが出来る。 ここに於いて、「層中にＸが含有されている」
ということは、「Ｘが、Siと結合した状態」、「Ｘ
がイオン化して層中に取り込まれている状態」又
は「X2として層中に取り込まれている状態」の
何れかの又はこれ等の複合されている状態を意味
する。 本発明において、ａ−Si：Ｘで構成される層を
形成するには例えばグロー放電法、スパツタリン
グ法、或いはイオンプレーテイング法等の放電現
象を利用する真空堆積法によつて成される。例え
ば、グロー放電法によつて、ａ−Si：Ｘ層を形成
するには、Siを生成し得るSi生成原料ガスと共
に、ハロゲン導入用原料ガスを内部が減圧にし得
る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電
を生起させ、予め所定位置に設置されてある所定
の支持体表面上にａ−Si：Ｘからなる層を形成さ
せれば良い。又、スパツターリング法で形成する
場合には、例えばAr、He等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で
Siで形成されたターゲツトをスパツターリングす
る際、ハロゲン導入用ガスをスパツターリング用
の堆積室に導入してやれば良い。 本発明において使用されるSi生成原料ガスとし
ては、SiH4、Si2H6、Si3H6、Si4H10等のガス状
態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
作成作業の際の扱い易さ、Si生成効率の良さ等の
点でSiH4、Si2H6が好ましいものとして挙げられ
る。 本発明において使用されるハロゲン導入用原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が
挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、
ハロゲン間化合物等のガス状態の又はガス化し得
るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、Siとハロゲンとを同時に生成し得
る、ガス状態の又はガス化し得る、ハロゲンを含
む硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、
BrF5、BrF3、IF7、IF5、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲンを含む硅素化合物としては、具体的に
は例えばSiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハロゲ
ン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来
る。 この様なハロゲンを含む硅素化合物を採用して
グロー放電法によつて本発明の特徴的な光導電部
材を形成する場合には、Siを生成し得る原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定
の支持体上にａ−Si：Ｘから成る層を形成するこ
とが出来る。 グロー放電法に従つて、本発明の光導電部材を
製造する場合、基本的には、Si生成用の原料ガス
であるハロゲン化硅素ガスとAr、H2、He等のガ
スとを所定の混合比とガス流量になる様にしてａ
−Si：Ｘから成る光導電層を形成する堆積室内に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所定の支
持体上に形成されてある中間層に接触してａ−
Si：Ｘから成る光導電層を形成し得るものである
が、これ等のガスに更に水素を含む硅素化合物の
ガスも所定量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。反応スパツターリング法或いはイオンプレー
テイング法に依つてａ−Si：Ｘから成る光導電層
を形成するには、スパツターリング法の場合には
Siから成るターゲツトを使用して、これを所定の
ガスプラズマ雰囲気中でスパツターリングし、イ
オンプレーテイング法の場合には、多結晶シリコ
ン又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸着ボート
に収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱法、或
いはエレクトロンビーム法（EB法）等によつて
加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰
囲気中を通過させる事で行う事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ンを導入するには、前記のハロゲン化合物又は前
記のハロゲンを含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。 本発明においては、ハロゲン導入用の原料ガス
として上記されたハロゲン化合物或いはハロゲン
を含む硅素化合物が有効なものとして使用される
ものであるが、その他に、HF、HCl、HBr、HI
等のハロゲン化水素、SiH2F2、SiH2Cl2、
SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3等のハロゲン置換水
素化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得
る、水素を構成要素の１つとするハロゲン化物も
有効なものとして挙げる事が出来る。 これ等の水素を含むハロゲン化物は、層形成の
際に層中にハロゲンの導入と同時に電気的或いは
光電的特性の制御に極めて有効なＨも導入される
ので、本発明においては好適なハロゲン導入用の
原料ガスとして使用される。 水素をａ−Si：Ｘから成る光導電層中に構造的
に導入するには、上記の他にH2、或いはSiH4、
Si2H6、Si3H3、Si4H10等の水素化硅素のガスを
ａ−Siを生成する為のシリコン又はシリコン化合
物と堆積室中に共存させて放電を生起させる事で
も行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン導入用のガス及び
H2ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガスも
含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成
し、前記Siターゲツトをスパツタリングする事に
よつて、所定の特性を有する支持体表面上にＨが
導入されたａ−Si：Ｘから成る層が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H3、
PH3、PF3等のガスを導入してやることも出来
る。 本発明に於いて、形成される光導電部材の光導
電層中に含有されるＸの量又は（Ｈ＋Ｘ）の量は
通常の場合１〜40atomic％、好適には５〜
30atomic％とされるのが望ましい。 層中に含有されるＨの量を制御するには、例え
ば堆積支持体温度又は／及びＨを含有させる為に
使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 光導電層をｎ型又はｐ型とするには、グロー放
電法や反応スパツターリング法等による層形成の
際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは両不
純物を形成される層中にその量を制御し乍らドー
ピングしてやる事によつて成される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、光導電層をｐ型にするには、周期律表第族
Ａの元素、例えば、Ｂ、Al、Ga、In、Tl等が好
適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合には、
周期律表第族Ａの元素、例えば、Ｎ、Ｐ、As、
Sb、Bi等が好適なものとして挙げられる。これ
等の不純物は、層中に含有される量がppmオーダ
ーであるので、光導電層を構成する主物質程その
公害性に注意を払う必要はないが出来る限り公害
性のないものを使用するものが好ましい。この様
な観点からすれば、形成される層の電気的・光学
的特性を加味して、例えば、Ｂ、Ga、Ｐ、Sb等
が最適である。この他に、例えば、熱拡散やイン
プランテーシヨンによつてLi等がインターステイ
シアルにドーピングされることでｎ型に制御する
ことも可能である。 光導電層中にドーピングされる不純物の量は、
所望される電気的・光学的特性に応じて適宜決定
されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合に
は、通常10-6〜10-3atomic％、好適には10-5〜
10-4atomic％、周期律表第族Ａの場合には通
常10-8〜10-3atomic％、好適には10-8〜
10-4atomic％とされるのが望ましい。 第２図には、本発明の光導電部材の別の実施態
様例の構成を説明する為の模式的構成図が示され
る。 第２図に示される光導電部材２００は、光導電
層２０３の上に、中間層２０２と同様の機能を有
する上部層２０５を設けた以外は、第１図に示す
光導電部材１００と同様の層構造を有するもので
ある。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１の上
に中間層１０２と同様の材料で同様の機能を有す
る様に形成された中間層２０２と、必要に応じて
Ｈが導入されているａ−Si：Ｘで構成される光導
電層２０３と、該光導電層２０３上に設けられ、
自由表面２０４を有する上部層２０５を具備して
いる。 上部層２０５は、例えば光導電部材２００を自
由表面２０４に帯電処理を施して電荷像を形成す
る場合の様な使い方をする際、自由表面２０４に
保持される可き電荷が光導電層２０３中に流入す
るのを阻止し、且つ、電磁波の照射を受けた際に
は、光導電層２０３中に発生したフオトキヤリア
と、電磁波の照射を受けた部分の帯電々荷とがリ
コンビネーシヨンを起す様に、フオトキヤリアの
通過又は帯電々荷の通過を容易に許す機能を有す
る。 上部層２０５は、中間層２０２と同様の特性を
有する、必要に応じて水素原子を含むａ−（Six
C1-x）y：X1-yで構成される他ａ−SiaN1-a、ａ−
（SiaC1-a）b：X1-b、ａ−（SiaH1-a）b：（Ｈ＋Ｘ）1-
ｂ、ａ−SicO1-c、ａ−（SicO1-c）d：X1-d、ａ−
（SicO1-c）d：（Ｈ＋Ｘ）1-d等の光導電層を構成する
母体原子であるシリコン原子と窒素原子又は酸素
原子とで構成されるか又は、これ等の原子を母体
とし水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
含むアモルフアス材料、SiNO、Al3O3、等の無
機絶縁性材料、ポリエステル、ポリパラキシリレ
ン、ポリウレタン等の有機絶縁性材料で構成する
ことも出来る。 而乍ら、上部層２０５を構成する材料として
は、生産性、量産性、及び形成された層の電気的
及び使用環境的安定性等の点から、中間層２０２
と同様の特性を有するａ−（SixC1-x）y：X1-yで構
成するか又は、ハロゲン原子を含まないａ−Six
C1-xで構成するのが望ましい。上部層２０５を構
成する材料としては、上記に挙げた物質の他好適
なものとしては、シリコン原子と、Ｃ、Ｎ、Ｏの
中の少なくとも２つの原子を母体とし、ハロゲン
原子か又はハロゲン原子と水素原子とを含むアモ
ルフアス材料を挙げることが出来る。ハロゲン原
子としては、Ｆ、Cl、Br等が挙げられるが、熱
的安定性の点から上記アモルフアス材料の中Ｆを
含有するものが有効である。上部層２０５を構成
する材料の選択及びその層厚の決定は、上部層２
０５側より光導電層２０３の感受する電磁波を照
射する様にして光導電部材２００を使用する場合
には、照射される電磁波が光導電層２０３に充分
量到達して、効率良く、フオトキヤリアの発生を
引起させ得る様に注意深く成される。 上部層２０５は、中間層２０２と同様の手法
で、例えばグロー放電法や反応スパツターリング
法で形成することが出来る。 上部層２０５形成の際に使用される出発物質と
しては、中間層を形成するのに使用される前記の
物質が使用される他、炭素原子導入用の出発物質
として、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭
素数１〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３
のアセチレン系炭化水素等を挙げることが出来
る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H3）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 酸素原子を上部層２０５中に含有させる為の出
発物質としては、例えば、酸素（O2）、オゾン
（O3）、一酸化炭素（CO）、二酸化炭素（CO2）、
一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一酸化
二窒素（N2O）等を挙げることが出来る。 これ等の他に、上部層２０５形成用の出発物質
の１つとして、例えばCCl4、CHF3、CH2F2、
CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I、C2H5Cl等のハ
ロゲン置換パラフイン系炭化水素、SF4、SF6等
のフツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等
のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3、SiCl2（CH3）2、
SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シランの誘導体も有効なものとして挙げることが
出来る。 これ等の上部層２０５形成用の出発物質は、所
定の原子が構成原子として、形成される上部層２
０５中に含まれる様に、層形成の際に適宜選択さ
れて使用される。 例えば、グロー放電法を採用するのであれば、
Si（CH3）4、SiCl2（CH3）2等の単独ガス又はSiH4
−N2O系、SiH4−O2（−Ar）系、SiH4−NO2系、
SiH4−O2−N2系、SiCl4−CO2−H2系、SiCl4−
NO−H2系、SiH4−NH3系、SiCl4−NH4系、
SiH4−N2系、SiH4−NH3−NO系、Si（CH3）4−
SiH4系、SiCl2（CH3）2−SiH4系等の混合ガスを
上部層１０５形成用の出発物質として使用するこ
とが出来る。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
前述した機能が充分発揮される様に、厚を構成す
る材料、層形成条件等によつて所望に従つて適宜
決定される。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
通常の場合、30〜1000Å、好適には、50〜600Å
とされるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材を電子写真用像形成部材と
して使用する場合にある種の電子写真プロセスを
採用するのであれば、第１図又は第２図に示され
る層構成の光導電部材の自由表面上に更に表面被
覆層を設ける必要がある。この場合の表面被覆層
は、例えば、特公昭42−23910号公報同43−24748
号公報に記載されているNP方式の様な電子写真
プロセスを適用するのであれば、電気的絶縁性で
あつて、帯電処理を受けた際の静電荷保持能が充
分あつて、ある程度以上の厚みがあることが要求
されるが、例えば、カールソンプロセスの如き電
子写真プロセスを適用するのであれば、静電像形
成後の明部の電位は非常に小さいことが望ましい
ので表面被覆層の厚さとしては非常に薄いことが
要求される。表面被覆層は、その所望される電気
的特性を満足するのに加えて、光導電層又は上部
層に化学的・物理的に悪影響を与えないこと、光
導電層又は上部層との電気的接触及び接着性、更
には耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性等を考慮
して形成される。 表面被覆層の形成材料として有効に使用される
ものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
ビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、
ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プ
ロピレン−四弗化エチレンコポリマー、三弗化エ
チレン一弗化ビニリデンコポリマー、ポリブデ
ン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン、ポリ
パラキシリレン等の有機絶縁体、シリコン窒化
物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙げられ
る。これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体はフ
イルム状とされて光導電層又は上部層の上に貼合
されても良く、又、それ等の塗布液を形成して、
光導電層又は上部層上に塗布し、層形成しても良
い。表面被覆層の層厚は、所望される特性に応じ
て、又、使用される材質によつて適宜決定される
が、通常の場合、0.5〜70μ程度とされる。殊に表
面被覆層が先述した保護層としての機能が要求さ
れる場合には、通常の場合、10μ以下とされ、逆
に電気的絶縁層としての機能が要求される場合に
は、通常の場合10μ以上とされる。而乍ら、この
保護層と電気的絶縁層とを差別する層厚は、使用
材料及び適用される電子写真プロセス、設計され
る像形成部材の構造によつて、変動するもので、
先の10μという値は絶対的なものではない。 又、この表面被覆層は、反射防止層としての役
目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて効果
的となる。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第３図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）３０９を支持台３０２上に静置され
たグロー放電堆積室３０１内の所定位置にある固
定部材３０３に堅固に固定した。基板３０９は、
固定部材３０３内の加熱ヒーター３０８によつて
±0.5℃の精度で加熱される。温度は、熱電対
（アルメルークロメル）によつて基板裏面を直接
測定されるようになされた。次いで系内の全バル
ブが閉じられていることを確認してからメインバ
ルブ３１０を全開して、室３０１内が排気され、
約５×10-6torrの真空度にした。その後ヒーター
３０８の入力電圧を上昇させ、モリブデン基板温
度を検知しながら入力電圧を変化させ、200℃の
一定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ３４０、次いで流出バルブ
３２５，３２６，３２７及び流入バルブ３２０，
３２１，３２２を全開し、フローメーター３１
６，３１７，３１８内も十分脱気真空状態にされ
た。補助バルブ３４０、バルブ３２５，３２６，
３２７，３２０，３２１，３２２を閉じた後、
H2を10vol％含むSiF4ガス（純度99.999％）ボン
ベ３１１のバルブ３３０、H2で10vol％に希釈さ
れたC2H2ガスボンベ３１２のバルブ３３１を開
け、出口圧ゲージ３３５，３３６の圧を１Kg／cm2
に調整し、流入バルブ３２０，３２１を余々に開
けてフローメーター３１６，３１７内へSiF4ガス
C2H4ガスを流入させた。引続いて、流出バルブ
３２５，３２６を徐々に開け、次いで補助バルブ
３４０を徐々に開けた。このときSiF4ガス流量と
C2H4ガス流量比が１：80になるように流入バル
ブ３２０，３２１を調整した。次にピラニーゲー
ジ３４１の読みを注視しながら補助バルブ３４０
の開口を調整し、室３０１内が１×10-2torrにな
るまで補助バルブ３４０を開けた。室３０１内圧
が安定してから、メインバルブ３１０を徐々に閉
じ、ピラニーゲージ３４１の指示が0.5Torrにな
るまで開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安
定するのを確認した。続いて高周波電源３４２の
スイツチをON状態にして、誘導コイル３４３
に、13.56MHzの高周波電力を投入コイル部（室
上部）の室３０１内にグロー放電を発生させ、
60Wの入力電力とした。上記条件で基板上に層を
堆積させる為に１分間条件を保つて中間層を形成
した。その後、高周波電源３４２をoff状態とし、
グロー放電を中止させた状態で、流出バルブ３２
６を閉じ、次にH2で500volppmに希釈された
B2H6ガスボンベ３１３のバルブ３３２を開け、
出口圧ゲージ３３７の圧を１Kg／cm2に調整し、流
入バルブ３２２を徐々に開けてフローメーメー３
１８内へB2H6ガスを流入させた。引続いて流出
バルブ３２７を徐々に開けた。このときB2H6ガ
ス流量とSIF4ガス流量比が１：70になるように
流入バルブ３２０，３２２を調整した。次に中間
層の形成時と同様にピラニーゲージ３４１の指示
が0.5Torrになる様に補助バルブ３４０、メイン
バルブ３１０の開口を調整し、安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を以前と同様に60Wにした。こうしてグロー
放電を更に３時間持続させて光導電層を形成した
後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし高周波電
源３４２もoff状態とし、基板温度が100℃になる
のを待つてから流出バルブ３２５，３２７及び流
入バルブ３２０−２，３２１，３２２を閉じ、メ
インバルブ３１０を全開にして、室３０１内を
10-3torr以下にした後、メインバルブ３１０を閉
じ、室３０１内をリークバルブ３４３によつて大
気圧として基板を取り出した。この場合、形成さ
れた層の全厚は約9μであつた。こうして時られ
た像形成部材を、帯電露光実験装置に設置し、
6.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、直ちに光像
を照射した。光像は、タングステンランプ光源を
用い、0.8lux・secの光量を透過型のテストチヤ
ートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5KVで0.2sec間のコロナ帯電を行い、直ち
に0.8lux・secの光量で画像露光を行い、その後
直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケード
し、次に転写紙上に転写・定着したところ極めて
鮮明な画像が得られた。 この結果と先の結果から本実施例で得られた電
子写真用像形成部材は帯電極性に対する依存性が
なく、両極性像形成部材の特性を具備しているこ
とが判つた。 実施例 ２ モリブデン基板上に中間層を形成する際のグロ
ー放電保持時間を、下記の第１表に示す様に種々
変化させた以外は実施例１と全く同様の条件及び
手順によつて試料No.〜で示される像形成部材
を作成し、実施例１と全く同様の帯電露光実験装
置に設置して同様の画像形成を行つたところ下記
の第１表に示す如き結果を得た。 第１表に示される結果から判る様に、本発明の
目的を達成するには中間層の膜厚を30Å〜1000Å
の範囲で形成する必要がある。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野に於ける電子
写真用像形成部材や原稿読取装置等に於ける光導
電層を構成する光導電部材としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性を有すること、光
応答性が良好で、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時に於いて人体に対して無公害である事、更
には固体撮像装置に於いては、残像を所定時間内
に容易に処理する事が出来る事等の特性が要求さ
れる。殊に、事務機としてオフイスで使用される
電子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部
材の場合には、上記の使用時に於ける無公害性は
重要な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後Siと記す）
があり、例えば、独国公開第2746967号公報、同
第2855718号公報には電子写真用像形成部材とし
て、特開昭55−39404号公報には光電変換読取装
置への応用が記載されている。 然乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐湿性
等の使用環境特性の点に於いて、更に改良される
可き点が存し、実用的な固体撮像装置が読取装
置、電子写真用像形成部材等には、生産性、量産
性をも加味して仲々有効に使用し得ないのが実情
である。 例えば、電子写真用像形成部材や固体撮像装置
に適用した場合に、その使用時に於いて残留電位
が残る場合が度々観測され、この様な種の光導電
部材は繰返し長時間使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起こる。残像が生ずる所謂ゴ
ースト現像を発する様になる等の不都合な点が少
なくなかつた。 更には例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは、従来のSe、CdS、ZnO或
いはPVCzやTNF等のOPC（有機光導電部材）に
較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電
池用として使用する為の特性が付与されたａ−Si
から成る単層構成の光導電層を有する電子写真用
像形成部材の上記光導電層に静電像形成の為の帯
電処理を施しても暗減衰（dark decay）が著し
く速く、通常の電子写真法が仲々適用され難い
事、及び多湿雰囲気中に於いては、上記傾向が著
しく、場合によつては現像時間まで帯電々荷を全
く保持し得ない事がある等、解決され得る可き点
が存在している事が判明している。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、所望の電
気的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工
夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体とし
ハロゲン原子を含有するアモルフアス材料、所謂
ハロゲン含有アモルフアスシリコン（以後ａ−
Si；Ｘと記す）から成る光導電層と、該光導電層
を支持する支持体との間に特定の中間層を介在さ
せる層構成に設計されて作製された光導電部材は
実用的に充分使用し得るばかりでなく、従来の光
導電部材と較べてみても殆んどの点に於いて凌駕
していること、殊に電子写真用の光導電部材とし
て著しく優れた特性を有していることを見出した
点に基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全
く又は殆んど観測されない光導電部材を提供する
ことを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、光感度が高く、分光感度
領域も略々可視光域を覆つていて、且つ光応答性
の速い光導電部材を提供することである。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合通常の電子写真法が極めて
有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の帯
電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿雰
囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されない
優れた電子写真特性を有する光導電部材を提供す
ることである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の光導電部材は、支持体と、シリコン原
子を母体とし、ハロゲン原子を含むアモルフアス
材料で構成されている光導電層と、これ等の間に
設けられ、前記支持体側から前記光導電層中への
キヤリアの流入を阻止し且つ電磁波照射によつて
前記光導電層中に生じ前記支持体側に向つて移動
するキヤリアの前記光導電層側から前記支持体側
への通過を許す機能を有する中間層とを備えた光
導電部材に於いて、前記中間層は、（SixC1-x）y
X1-Y又は（SixC1-x）y（Ｈ＋Ｘ）1-y（但し、0.1≦
Ｘ≦0.35、0.80≦Ｙ≦0.99）で示されるアモルフ
アス材料で構成され、30〜1000Åの層厚を有する
事を特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し
得、極めてすぐれた電気的、光導的、光導電的特
性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材或いは固体撮像装
置として適用させた場合には帯電処理の際の電荷
保持能に長け、画像形成への残留電位の影響が全
くなく、多湿雰囲気中でもその電気的特性が安定
しており高感度で、高SN比を有するものであり、
又、耐光疲労、繰返し使用性に著しく長け、更に
電子写真用像形成部材の場合には濃度が高く、ハ
ーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高
品質の可視画像を得る事が出来る。 又、電子写真用像形成部材に適用させる場合、
高暗抵抗のａ−Si：Ｘは光感度が低く、逆に光感
度の高いａ−Si：Ｘは暗抵抗が108Ωcm前後と低
く、いずれの場合にも、従来の層構成の光導電層
のままでは電子写真用の像形成部材には適用され
なかつたのに対して、本発明の場合には、比較的
低抵抗（５×109Ωcm以上）のａ−Si：Ｘ層でも
電子写真用の光導電層を構成することができるの
で、抵抗は比較的低いが高感度であるａ−Si：Ｘ
も充分使用し得、ａ−Si：Ｘの特性面からの制約
が軽減され得る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は本発明の光導電部材の基本的な構成例
を説明する為に模式的に示した模式的構成図であ
る。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、中間層１０２、
該中間層１０２に直接接触した状態に設けられて
いる光導電層１０３とで構成される層構造を有
し、本発明の最も基本的な例である。 支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性
であつても良い。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、
Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pb等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面がNiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等の薄
膜を設けることによつて導電処理され、或いはポ
リエステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれ
ば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、
Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金属で真空
蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリング等で処理
し、又は前記金属でラミネート処理して、その表
面が導電処理される。支持体の形状としては、円
筒状、ベルト状、板状等の、任意の形状とし得、
所望によつて、その形状は決定されるが、例え
ば、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形
成部材として使用するのであれば連続高速複写の
場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材
が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材
として可撓性が要求される場合には、支持体とし
ての機能が充分発揮される範囲内であれば可能な
限り薄くされる。而乍らこの様な場合支持体の製
造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は、10μ以上とされる。 中間層１０２は、シリコン原子及び炭素原子と
を母体とし、ハロゲン原子（Ｘと記す）を含む非
光導電性のアモルフアス材料〔ａ−（SixC1-x）y：
X1-yと略記する。但し０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１〕
で構成され、支持体１０１の側から光導電層１０
３中へのキヤリアの流入を効果的に阻止し且つ電
磁波の照射によつて光導電層１０３中に生じ、支
持体１０１の側に向つて移動するフオトキヤリア
の光導電層１０３側から支持体１０１の側への通
過を容易に許す機能を有するものである。 ａ−（SixC1-x）y：X1-yで構成される中間層１０
２の形成はグロー放電法、スパツターリング法、
イオンインプランテーシヨン法、イオンプレーテ
イング法、エレクトロンビーム法等によつて成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易で
ある、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲン
原子を、作製する中間層中に導入するのが容易に
行える等の利点からグロー放電法或いはスパツタ
ーリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して中間
層１０２を形成しても良い。 グロー放電法によつて中間層１０２を形成する
には、ａ−（SixC1-x）y：X1-y形成用の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体１０１の設置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放
電を生起させることでガスプラズマ化して前記支
持体１０１上にａ−（SixC1-x）y：X1-yを堆積させ
れば良い。 本発明に於いて、ａ−（SixC1-x）y：X1-y形成用
の原料ガスとしては、Si、Ｃ、Ｘの中の少なくと
も１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化
し得る物質をガス化したものの中の大概のものが
使用され得る。 Si、Ｃ、Ｘの中の１つとしSiを構成原子とする
原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原子
とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガス
と、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子と
する原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、Si、Ｃ
及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、ハロゲン原子Ｘとして好適な
のはＦ、Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ま
しいのである。 本発明に於いて、中間層１０２は、ａ−（Six
C1-x）y：X1-yで構成されるものであるが、中間層
１０２には更に水素原子を含有させることが出来
る。 中間層１０２への水素原子の含有は、光導電層
１０３との連続層形成の際に原料ガス種の一部共
通化を計ることが出来るので生産コスト面の上で
好都合である。 本発明に於いて、中間層１０２を形成するのに
有効に使用される原料ガスと成り得るものとして
は、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易に
ガス化し得る物質を挙げることが出来る。 この様な中間層形成用の物質としては、例えば
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数１〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系
炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロ
ゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水
素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体として
は、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、ハロゲン化水素としては、FH、HI、HCl、
HBr、ハロゲン間化合物としては、BrF、ClF、
ClF3、ClF5、BrF5、BrF3、IF7、IF5、ICl、IBr、
ハロゲン化硅素としてはSiF4、Si2F6、SiCl4、
SiCl3Br、SiCl2Br2、SiClBr3、SiCl3I、SiBr4、
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2F3、
SiH2Cl2、SiHCl3、SiH3Cl、SiH3Br、SiH2Br2、
SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4、Si2H6、
Si3H3、Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他に、CCl4、CHF3、CH2F2、CH3F、
CH3Cl、CH3Br、CH3I、C2H5Cl等のハロゲン置
換パラフイン系炭化水素、SF4、SF6等のフツ素
化硫黄化合物、Si（CH3）4、Si（C2H5）4、等のケイ
化アルキルやSiCl（CH3）3、SiCl2（CH3）2、
SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シランの誘導体も有効なものとして挙げることが
出来る。 これ等の中間層形成物質は、形成される中間層
中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有
される様に、中間層形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の中間層
が形成され得るSi（CH3）4とハロゲン原子を含有
させるものとしてのSiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2、
或いはSiH3Cl等を所定の混合比でガス状態で中
間層形成用の装置系内に導入してグロー放電を生
起させることによつてａ−SixC1-x：Ｘ：Ｈから
成る中間層を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて中間層１０２を形
成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又
はＣウエーハー又はSiとＣとが混合されて含有さ
れているウエーハーをターゲツトとして、これ等
をハロゲンと必要に応じて水素を構成要素として
含む種々のガス雰囲気中でスパツターリングする
ことによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともハロゲン原子を
含有するガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて成される。Ｃ及びＸ、必要に応じてＨ
の導入用の原料ガスとなる物質としては先述した
グロー放電の例で示した中間層形成用の物質がス
パツターリング法の場合にも有効な物質として使
用され得る。 本発明に於いて、中間層１０２をグロー放電法
又はスパツターリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えばHe、
Be、Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明に於ける中間層１０２は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成
される。 即ち、Si、Ｃ、及びＸ、必要に応じてＨを構成
原子とする物質は、その作成条件によつて構造的
には結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電
気物性的には、導電性から半導体性、絶縁性まで
の間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性
質までの間の性質を、各々示すので、本発明に於
いては、非光導電性のａ−（SixC1-x）y：X1-yが形
成される様に、その作成条件の選択が厳密に成さ
れる。 本発明の中間層１０２を構成するａ−（Six
C1-x）y：X1-yは、中間層１０２の機能が、支持体
１０１側から光導電層１０３中へのキヤリアの流
入を阻止し、且つ光導電層１０３中で発生したフ
オトキヤリアが移動して支持体１０１側に通過す
るのを容易に許すことを果すものであることか
ら、電気絶縁性的挙動を示すものとして形成され
る。 又、光導電層１０３中で発生したフオトキヤリ
アが中間層１０２中を通過する際、その通過がス
ムーズに成される程度に、通過するキヤリアに対
する易動度（mobility）の値を有するものとして
ａ−（SixC1-x）y：X1-yが作成される条件の中の重
要な要素として、作成時の支持体温度を挙げる事
が出来る。 即ち、支持体１０１の表面にａ（SixC1-x）y：
X1-yからなる中間層１０２を形成する際、層形
成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であつて、本発明に於い
ては、目的とする特性を有するａ−（SixC1-x）y：
X1-yが所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の中間層１０２を形成する際の支持体温度
としては、中間層１０２の形成法に併せて適宜最
適範囲が選択されて、中間層１０２の形成が実行
されるが、通常の場合、100〜300℃、好適には
150〜250℃とされるのが望ましいものである。中
間層１０２の形成には、同一系内で中間層１０２
から光導電層１０３、更には必要に応じて光導電
層１０３上に形成される第３の層まで連続的に形
成する事が出来る、各層を構成する原子の組成比
の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比
較的容易である事等の為に、グロー放電法やスパ
ツターリング法の採用が有利であるが、これ等の
層形成法で中間層１０２を形成する場合には、前
記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワー
が作成されるａ−（SixC1-x）y：X1-yの特性を左右
する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）y：X1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、通常10
〜200W、好適には20〜100Wである。 堆積室内のガス圧は通常0.001〜5Torr、好適
には、0.01〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける中間層１０２に含
有される炭素原子及びハロゲン原子の量は、中間
層１０２の作製条件と同様本発明の目的を達成す
る所望の特性が得られる中間層が形成される重要
な因子である。 本発明における中間層１０２に含有される炭素
原子の量は通常は40〜90atomic％、好適には50
〜90atomic％、最適には50〜80atomic％とされ
るのが望ましいものである。ハロゲン原子の含有
量としては、通常の場合１〜20atomic％、好適
には215atomic％とされるのが望ましく、これ等
の範囲にハロゲン含有量がある場合に形成される
光導電部材は、実際面に於いて優れたものとして
充分適用させ得るものである。必要に応じて含有
される水素原子の含有量としては、通常の場合
19atomic％以下、好適には13atomic％以下とさ
れるのが望ましいものである。即ち、先のａ−
（SixC1-x）y：X1-yの表示で行えば、ｘが通常は0.1
〜0.35、好適には0.15〜0.30、ｙが通常0.99〜
0.80、好適には0.99〜0.82、最適には0.98〜0.85で
ある。 ハロゲン原子と水原子の両方が含まれる場合、
先と同様のａ−（SixC1-x）y（Ｈ＋Ｘ）1-yの表示で
行えば、この場合のｘ，ｙの数値範囲もａ−（Six
C1-x）y：X1-yの場合と、略々同様である。 本発明に於ける中間層１０２の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な
因子の１つである。 中間層１０２の層厚が充分過ぎる程に薄いと、
支持体１０１の側からの光導電層１０３へのキヤ
リアの流入を阻止する働きが充分果し得なくな
り、又、充分過ぎる程以上に厚いと、光導電層１
０３中に於いて生ずるフエオトキヤリアの支持体
１０１の側への通過する確率が極めて小さくな
り、従つて、いずれの場合にも、本発明の目的を
効果的に達成され得なくなる。 本発明の目的を効果的に達成する為の中間層１
０２の層厚としては、通常の場合、30〜1000Å、
好適には、50〜600Åである。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、中間層１０２上に積層される光導電層１０
３は下記に示す半導体特性を有するａ−Si：Ｘで
構成される。 ｐ型ａ−Si：Ｘ……アクセプターのみを含む
もの。或いは、ドナーとアクセプターとの両方
を含み、アクセプターの濃度（Na）が高いも
の。 p-型ａ−Si：Ｘ……のタイプに於いてアク
セプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ型不純物
をライトリードプしたもの。 ｎ型ａ−Si：Ｘ……ドナーのみを含むもの。
或いはドナーとアクセプターの両方を含み、ド
ナーの濃度（Nd）が高いもの。 n-型ａ−Si：Ｘ……のタイプに於いてドナ
ーの濃度（Nd）が低い、所謂ｎ型不純物をラ
イトリードープしたもの。 ｉ型ａ−Si：Ｘ……NaNdＯのもの又
は、NaNdのもの。 本発明に於いては、中間層１０２を設けること
によつて前記した様に光導電層１０３を構成する
ａ−Si：Ｘは、従来に較べて比較的低抵抗のもの
も使用され得るものであるが、一層良好な結果を
得る為には、形成される光導電層１０３の暗抵抗
が好適には５×109Ωcm以上、最適には1010Ωcm以
上となる様に光導電層１０３が形成されるのが望
ましいものである。 殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された
光導電部材を電子写真用像形成部材や、低照度領
域で使用される高感度の読取装置や固体撮像装
置、或いは光電変換装置として使用する場合には
重要な要素である。 本発明に於ける光導電部材の光導電層の層厚と
しては、読取装置、固体撮像装置或いは電子写真
用像形成部材等の適用するものの目的に適合させ
て所望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、光導電層の層厚としては、
光導電層の機能及び中間層の機能が各々有効に活
されて本発明の目的が効果的に達成される様に中
間層との層厚関係に於いて適宜所望に従つて決め
られるものであり、通常の場合、中間層の層厚に
対して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好ま
しいものである。 具体的な値としては、通常１〜100μ、好適に
は２〜50μの範囲とされるのが望ましい。 本発明において、光導電層中に含有されるハロ
ゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフツ素、塩
素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフツ素、塩素
を好適なものとして挙げることが出来る。 ここに於いて、「層中にＸが含有されている」
ということは、「Ｘが、Siと結合した状態」、「Ｘ
がイオン化して層中に取り込まれている状態」又
は「X2として層中に取り込まれている状態」の
何れかの又はこれ等の複合されている状態を意味
する。 本発明において、ａ−Si：Ｘで構成される層を
形成するには例えばグロー放電法、スパツタリン
グ法、或いはイオンプレーテイング法等の放電現
象を利用する真空堆積法によつて成される。例え
ば、グロー放電法によつて、ａ−Si：Ｘ層を形成
するには、Siを生成し得るSi生成原料ガスと共
に、ハロゲン導入用原料ガスを内部が減圧にし得
る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電
を生起させ、予め所定位置に設置されてある所定
の支持体表面上にａ−Si：Ｘからなる層を形成さ
せれば良い。又、スパツターリング法で形成する
場合には、例えばAr、He等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で
Siで形成されたターゲツトをスパツターリングす
る際、ハロゲン導入用ガスをスパツターリング用
の堆積室に導入してやれば良い。 本発明において使用されるSi生成原料ガスとし
ては、SiH4、Si2H6、Si3H6、Si4H10等のガス状
態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
作成作業の際の扱い易さ、Si生成効率の良さ等の
点でSiH4、Si2H6が好ましいものとして挙げられ
る。 本発明において使用されるハロゲン導入用原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が
挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、
ハロゲン間化合物等のガス状態の又はガス化し得
るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、Siとハロゲンとを同時に生成し得
る、ガス状態の又はガス化し得る、ハロゲンを含
む硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、
BrF5、BrF3、IF7、IF5、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲンを含む硅素化合物としては、具体的に
は例えばSiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハロゲ
ン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来
る。 この様なハロゲンを含む硅素化合物を採用して
グロー放電法によつて本発明の特徴的な光導電部
材を形成する場合には、Siを生成し得る原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定
の支持体上にａ−Si：Ｘから成る層を形成するこ
とが出来る。 グロー放電法に従つて、本発明の光導電部材を
製造する場合、基本的には、Si生成用の原料ガス
であるハロゲン化硅素ガスとAr、H2、He等のガ
スとを所定の混合比とガス流量になる様にしてａ
−Si：Ｘから成る光導電層を形成する堆積室内に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所定の支
持体上に形成されてある中間層に接触してａ−
Si：Ｘから成る光導電層を形成し得るものである
が、これ等のガスに更に水素を含む硅素化合物の
ガスも所定量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。反応スパツターリング法或いはイオンプレー
テイング法に依つてａ−Si：Ｘから成る光導電層
を形成するには、スパツターリング法の場合には
Siから成るターゲツトを使用して、これを所定の
ガスプラズマ雰囲気中でスパツターリングし、イ
オンプレーテイング法の場合には、多結晶シリコ
ン又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸着ボート
に収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱法、或
いはエレクトロンビーム法（EB法）等によつて
加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰
囲気中を通過させる事で行う事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ンを導入するには、前記のハロゲン化合物又は前
記のハロゲンを含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。 本発明においては、ハロゲン導入用の原料ガス
として上記されたハロゲン化合物或いはハロゲン
を含む硅素化合物が有効なものとして使用される
ものであるが、その他に、HF、HCl、HBr、HI
等のハロゲン化水素、SiH2F2、SiH2Cl2、
SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3等のハロゲン置換水
素化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得
る、水素を構成要素の１つとするハロゲン化物も
有効なものとして挙げる事が出来る。 これ等の水素を含むハロゲン化物は、層形成の
際に層中にハロゲンの導入と同時に電気的或いは
光電的特性の制御に極めて有効なＨも導入される
ので、本発明においては好適なハロゲン導入用の
原料ガスとして使用される。 水素をａ−Si：Ｘから成る光導電層中に構造的
に導入するには、上記の他にH2、或いはSiH4、
Si2H6、Si3H3、Si4H10等の水素化硅素のガスを
ａ−Siを生成する為のシリコン又はシリコン化合
物と堆積室中に共存させて放電を生起させる事で
も行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン導入用のガス及び
H2ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガスも
含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成
し、前記Siターゲツトをスパツタリングする事に
よつて、所定の特性を有する支持体表面上にＨが
導入されたａ−Si：Ｘから成る層が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H3、
PH3、PF3等のガスを導入してやることも出来
る。 本発明に於いて、形成される光導電部材の光導
電層中に含有されるＸの量又は（Ｈ＋Ｘ）の量は
通常の場合１〜40atomic％、好適には５〜
30atomic％とされるのが望ましい。 層中に含有されるＨの量を制御するには、例え
ば堆積支持体温度又は／及びＨを含有させる為に
使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 光導電層をｎ型又はｐ型とするには、グロー放
電法や反応スパツターリング法等による層形成の
際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは両不
純物を形成される層中にその量を制御し乍らドー
ピングしてやる事によつて成される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、光導電層をｐ型にするには、周期律表第族
Ａの元素、例えば、Ｂ、Al、Ga、In、Tl等が好
適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合には、
周期律表第族Ａの元素、例えば、Ｎ、Ｐ、As、
Sb、Bi等が好適なものとして挙げられる。これ
等の不純物は、層中に含有される量がppmオーダ
ーであるので、光導電層を構成する主物質程その
公害性に注意を払う必要はないが出来る限り公害
性のないものを使用するものが好ましい。この様
な観点からすれば、形成される層の電気的・光学
的特性を加味して、例えば、Ｂ、Ga、Ｐ、Sb等
が最適である。この他に、例えば、熱拡散やイン
プランテーシヨンによつてLi等がインターステイ
シアルにドーピングされることでｎ型に制御する
ことも可能である。 光導電層中にドーピングされる不純物の量は、
所望される電気的・光学的特性に応じて適宜決定
されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合に
は、通常10-6〜10-3atomic％、好適には10-5〜
10-4atomic％、周期律表第族Ａの場合には通
常10-8〜10-3atomic％、好適には10-8〜
10-4atomic％とされるのが望ましい。 第２図には、本発明の光導電部材の別の実施態
様例の構成を説明する為の模式的構成図が示され
る。 第２図に示される光導電部材２００は、光導電
層２０３の上に、中間層２０２と同様の機能を有
する上部層２０５を設けた以外は、第１図に示す
光導電部材１００と同様の層構造を有するもので
ある。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１の上
に中間層１０２と同様の材料で同様の機能を有す
る様に形成された中間層２０２と、必要に応じて
Ｈが導入されているａ−Si：Ｘで構成される光導
電層２０３と、該光導電層２０３上に設けられ、
自由表面２０４を有する上部層２０５を具備して
いる。 上部層２０５は、例えば光導電部材２００を自
由表面２０４に帯電処理を施して電荷像を形成す
る場合の様な使い方をする際、自由表面２０４に
保持される可き電荷が光導電層２０３中に流入す
るのを阻止し、且つ、電磁波の照射を受けた際に
は、光導電層２０３中に発生したフオトキヤリア
と、電磁波の照射を受けた部分の帯電々荷とがリ
コンビネーシヨンを起す様に、フオトキヤリアの
通過又は帯電々荷の通過を容易に許す機能を有す
る。 上部層２０５は、中間層２０２と同様の特性を
有する、必要に応じて水素原子を含むａ−（Six
C1-x）y：X1-yで構成される他ａ−SiaN1-a、ａ−
（SiaC1-a）b：X1-b、ａ−（SiaH1-a）b：（Ｈ＋Ｘ）1-
ｂ、ａ−SicO1-c、ａ−（SicO1-c）d：X1-d、ａ−
（SicO1-c）d：（Ｈ＋Ｘ）1-d等の光導電層を構成する
母体原子であるシリコン原子と窒素原子又は酸素
原子とで構成されるか又は、これ等の原子を母体
とし水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
含むアモルフアス材料、SiNO、Al3O3、等の無
機絶縁性材料、ポリエステル、ポリパラキシリレ
ン、ポリウレタン等の有機絶縁性材料で構成する
ことも出来る。 而乍ら、上部層２０５を構成する材料として
は、生産性、量産性、及び形成された層の電気的
及び使用環境的安定性等の点から、中間層２０２
と同様の特性を有するａ−（SixC1-x）y：X1-yで構
成するか又は、ハロゲン原子を含まないａ−Six
C1-xで構成するのが望ましい。上部層２０５を構
成する材料としては、上記に挙げた物質の他好適
なものとしては、シリコン原子と、Ｃ、Ｎ、Ｏの
中の少なくとも２つの原子を母体とし、ハロゲン
原子か又はハロゲン原子と水素原子とを含むアモ
ルフアス材料を挙げることが出来る。ハロゲン原
子としては、Ｆ、Cl、Br等が挙げられるが、熱
的安定性の点から上記アモルフアス材料の中Ｆを
含有するものが有効である。上部層２０５を構成
する材料の選択及びその層厚の決定は、上部層２
０５側より光導電層２０３の感受する電磁波を照
射する様にして光導電部材２００を使用する場合
には、照射される電磁波が光導電層２０３に充分
量到達して、効率良く、フオトキヤリアの発生を
引起させ得る様に注意深く成される。 上部層２０５は、中間層２０２と同様の手法
で、例えばグロー放電法や反応スパツターリング
法で形成することが出来る。 上部層２０５形成の際に使用される出発物質と
しては、中間層を形成するのに使用される前記の
物質が使用される他、炭素原子導入用の出発物質
として、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭
素数１〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３
のアセチレン系炭化水素等を挙げることが出来
る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H3）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 酸素原子を上部層２０５中に含有させる為の出
発物質としては、例えば、酸素（O2）、オゾン
（O3）、一酸化炭素（CO）、二酸化炭素（CO2）、
一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一酸化
二窒素（N2O）等を挙げることが出来る。 これ等の他に、上部層２０５形成用の出発物質
の１つとして、例えばCCl4、CHF3、CH2F2、
CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I、C2H5Cl等のハ
ロゲン置換パラフイン系炭化水素、SF4、SF6等
のフツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等
のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3、SiCl2（CH3）2、
SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シランの誘導体も有効なものとして挙げることが
出来る。 これ等の上部層２０５形成用の出発物質は、所
定の原子が構成原子として、形成される上部層２
０５中に含まれる様に、層形成の際に適宜選択さ
れて使用される。 例えば、グロー放電法を採用するのであれば、
Si（CH3）4、SiCl2（CH3）2等の単独ガス又はSiH4
−N2O系、SiH4−O2（−Ar）系、SiH4−NO2系、
SiH4−O2−N2系、SiCl4−CO2−H2系、SiCl4−
NO−H2系、SiH4−NH3系、SiCl4−NH4系、
SiH4−N2系、SiH4−NH3−NO系、Si（CH3）4−
SiH4系、SiCl2（CH3）2−SiH4系等の混合ガスを
上部層１０５形成用の出発物質として使用するこ
とが出来る。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
前述した機能が充分発揮される様に、厚を構成す
る材料、層形成条件等によつて所望に従つて適宜
決定される。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
通常の場合、30〜1000Å、好適には、50〜600Å
とされるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材を電子写真用像形成部材と
して使用する場合にある種の電子写真プロセスを
採用するのであれば、第１図又は第２図に示され
る層構成の光導電部材の自由表面上に更に表面被
覆層を設ける必要がある。この場合の表面被覆層
は、例えば、特公昭42−23910号公報同43−24748
号公報に記載されているNP方式の様な電子写真
プロセスを適用するのであれば、電気的絶縁性で
あつて、帯電処理を受けた際の静電荷保持能が充
分あつて、ある程度以上の厚みがあることが要求
されるが、例えば、カールソンプロセスの如き電
子写真プロセスを適用するのであれば、静電像形
成後の明部の電位は非常に小さいことが望ましい
ので表面被覆層の厚さとしては非常に薄いことが
要求される。表面被覆層は、その所望される電気
的特性を満足するのに加えて、光導電層又は上部
層に化学的・物理的に悪影響を与えないこと、光
導電層又は上部層との電気的接触及び接着性、更
には耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性等を考慮
して形成される。 表面被覆層の形成材料として有効に使用される
ものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
ビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、
ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プ
ロピレン−四弗化エチレンコポリマー、三弗化エ
チレン一弗化ビニリデンコポリマー、ポリブデ
ン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン、ポリ
パラキシリレン等の有機絶縁体、シリコン窒化
物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙げられ
る。これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体はフ
イルム状とされて光導電層又は上部層の上に貼合
されても良く、又、それ等の塗布液を形成して、
光導電層又は上部層上に塗布し、層形成しても良
い。表面被覆層の層厚は、所望される特性に応じ
て、又、使用される材質によつて適宜決定される
が、通常の場合、0.5〜70μ程度とされる。殊に表
面被覆層が先述した保護層としての機能が要求さ
れる場合には、通常の場合、10μ以下とされ、逆
に電気的絶縁層としての機能が要求される場合に
は、通常の場合10μ以上とされる。而乍ら、この
保護層と電気的絶縁層とを差別する層厚は、使用
材料及び適用される電子写真プロセス、設計され
る像形成部材の構造によつて、変動するもので、
先の10μという値は絶対的なものではない。 又、この表面被覆層は、反射防止層としての役
目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて効果
的となる。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第３図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）３０９を支持台３０２上に静置され
たグロー放電堆積室３０１内の所定位置にある固
定部材３０３に堅固に固定した。基板３０９は、
固定部材３０３内の加熱ヒーター３０８によつて
±0.5℃の精度で加熱される。温度は、熱電対
（アルメルークロメル）によつて基板裏面を直接
測定されるようになされた。次いで系内の全バル
ブが閉じられていることを確認してからメインバ
ルブ３１０を全開して、室３０１内が排気され、
約５×10-6torrの真空度にした。その後ヒーター
３０８の入力電圧を上昇させ、モリブデン基板温
度を検知しながら入力電圧を変化させ、200℃の
一定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ３４０、次いで流出バルブ
３２５，３２６，３２７及び流入バルブ３２０，
３２１，３２２を全開し、フローメーター３１
６，３１７，３１８内も十分脱気真空状態にされ
た。補助バルブ３４０、バルブ３２５，３２６，
３２７，３２０，３２１，３２２を閉じた後、
H2を10vol％含むSiF4ガス（純度99.999％）ボン
ベ３１１のバルブ３３０、H2で10vol％に希釈さ
れたC2H2ガスボンベ３１２のバルブ３３１を開
け、出口圧ゲージ３３５，３３６の圧を１Kg／cm2
に調整し、流入バルブ３２０，３２１を余々に開
けてフローメーター３１６，３１７内へSiF4ガス
C2H4ガスを流入させた。引続いて、流出バルブ
３２５，３２６を徐々に開け、次いで補助バルブ
３４０を徐々に開けた。このときSiF4ガス流量と
C2H4ガス流量比が１：80になるように流入バル
ブ３２０，３２１を調整した。次にピラニーゲー
ジ３４１の読みを注視しながら補助バルブ３４０
の開口を調整し、室３０１内が１×10-2torrにな
るまで補助バルブ３４０を開けた。室３０１内圧
が安定してから、メインバルブ３１０を徐々に閉
じ、ピラニーゲージ３４１の指示が0.5Torrにな
るまで開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安
定するのを確認した。続いて高周波電源３４２の
スイツチをON状態にして、誘導コイル３４３
に、13.56MHzの高周波電力を投入コイル部（室
上部）の室３０１内にグロー放電を発生させ、
60Wの入力電力とした。上記条件で基板上に層を
堆積させる為に１分間条件を保つて中間層を形成
した。その後、高周波電源３４２をoff状態とし、
グロー放電を中止させた状態で、流出バルブ３２
６を閉じ、次にH2で500volppmに希釈された
B2H6ガスボンベ３１３のバルブ３３２を開け、
出口圧ゲージ３３７の圧を１Kg／cm2に調整し、流
入バルブ３２２を徐々に開けてフローメーメー３
１８内へB2H6ガスを流入させた。引続いて流出
バルブ３２７を徐々に開けた。このときB2H6ガ
ス流量とSIF4ガス流量比が１：70になるように
流入バルブ３２０，３２２を調整した。次に中間
層の形成時と同様にピラニーゲージ３４１の指示
が0.5Torrになる様に補助バルブ３４０、メイン
バルブ３１０の開口を調整し、安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を以前と同様に60Wにした。こうしてグロー
放電を更に３時間持続させて光導電層を形成した
後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし高周波電
源３４２もoff状態とし、基板温度が100℃になる
のを待つてから流出バルブ３２５，３２７及び流
入バルブ３２０−２，３２１，３２２を閉じ、メ
インバルブ３１０を全開にして、室３０１内を
10-3torr以下にした後、メインバルブ３１０を閉
じ、室３０１内をリークバルブ３４３によつて大
気圧として基板を取り出した。この場合、形成さ
れた層の全厚は約9μであつた。こうして時られ
た像形成部材を、帯電露光実験装置に設置し、
6.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、直ちに光像
を照射した。光像は、タングステンランプ光源を
用い、0.8lux・secの光量を透過型のテストチヤ
ートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5KVで0.2sec間のコロナ帯電を行い、直ち
に0.8lux・secの光量で画像露光を行い、その後
直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケード
し、次に転写紙上に転写・定着したところ極めて
鮮明な画像が得られた。 この結果と先の結果から本実施例で得られた電
子写真用像形成部材は帯電極性に対する依存性が
なく、両極性像形成部材の特性を具備しているこ
とが判つた。 実施例 ２ モリブデン基板上に中間層を形成する際のグロ
ー放電保持時間を、下記の第１表に示す様に種々
変化させた以外は実施例１と全く同様の条件及び
手順によつて試料No.〜で示される像形成部材
を作成し、実施例１と全く同様の帯電露光実験装
置に設置して同様の画像形成を行つたところ下記
の第１表に示す如き結果を得た。 第１表に示される結果から判る様に、本発明の
目的を達成するには中間層の膜厚を30Å〜1000Å
の範囲で形成する必要がある。
【表】
◎：優 ○：良 △：実用上使用し得る
×：不可
中間層の膜堆積速度：1Å／sec
実施例 ３ モリブデン基板上に中間層を形成する際にSiF4
ガス流量とC2H4ガス流量比を下記の第２表に示
す様に種々変化させた以外は実施例１と全く同様
の条件及び手順によつて試料No.〜で示される
像形成部材を作成し、実施例11と全く同様の帯電
露光実験装置して同様の画像形成を行なつたとこ
ろ、下記の第２表に示す如き結果を得た。試料No.
〜に関して、electon microprobe法により
分析したところ、第３表に示す如き結果を得た。
第２，３表の結果から本発明の目的を達成するに
は中間層におけるSiとＣの組成比ｘを0.1〜0.47の
範囲内で形成する必要がある。
×：不可
中間層の膜堆積速度：1Å／sec
実施例 ３ モリブデン基板上に中間層を形成する際にSiF4
ガス流量とC2H4ガス流量比を下記の第２表に示
す様に種々変化させた以外は実施例１と全く同様
の条件及び手順によつて試料No.〜で示される
像形成部材を作成し、実施例11と全く同様の帯電
露光実験装置して同様の画像形成を行なつたとこ
ろ、下記の第２表に示す如き結果を得た。試料No.
〜に関して、electon microprobe法により
分析したところ、第３表に示す如き結果を得た。
第２，３表の結果から本発明の目的を達成するに
は中間層におけるSiとＣの組成比ｘを0.1〜0.47の
範囲内で形成する必要がある。
【表】
【表】
実施例 ４
実施例１と同様にモリブデン基板を設置し続い
て、実施例１と同様の操作によつてグロー放電堆
積室３０１内を５×10-8Torrの真空となし、基
板温度は200℃に保たれた後実施例１と同様の操
作によつてSiF4，C2H4ガス流入系を５×
10-6torrの真空となし、その後補助バルブ３４０
及び各流出バルブ３２５，３２６各流入バルブ３
２０−２，３２１を閉じた後、H2を10vol％含む
SiF4ガスボンベ３１１のバルブ３３０、H2で
10vol％に希釈されたC2H4ガスボンベ３１２のバ
ルブ３３１を開け、出口圧ゲージ３３５，３３６
の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３２０−
２，３２１を徐々に開けてフローメーター３１
６，３１７内へSiF4ガスC2H4ガスを流入させた。
引続いて、流出バルブ３２５，３２６を徐々に開
け、次いで補助バルブ３４０を徐々に開けた。こ
のときSiF4ガス流量とC2H4ガス流量比が１：80
になるように流入バルブ３２０−２，３２１を調
整した。次にピラニーゲージ３４１の読みを注視
しながら補助バルブ３４０の開口を調整し、室３
０１内が１×10-2Torrになるまで補助バルブ３
４０を開けた。室３０１内圧が安定してから、メ
インバルブ３１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ
３４１の指示が0.5Torrになるまで開口を絞つ
た。ガス流入が安定し室内圧が一定となり、基板
温度が200℃に安定してから、実施例１と同様に
高周波電源３４２をON状態として、60Wの入力
電力でグロー放電を開始させ、１分間同条件を保
つて基板上に中間層を形成した後、高周波電源
342をoff状態とし、グロー放電を、中止させた状
態で流出バルブ３２６を閉じた。次に中間層の形
成時と同様にピラニーゲージ３４１の指示が
0.5Torrになる様に補助バルブ３４０、メインバ
ルブ３１０の開口を調整し安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を以前と同様に60Wにした。こうしてグロー
放電を更に５時間持続させて光導電層を形成した
後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、高周波
電源３４２もoff状態とし、基板温度が100℃にな
るのを待つてから流出バルブ３２５及び流入バル
ブ３２０−２，３２１を閉じ、メインバルブ３１
０を全開にして、室３０１内を10-5torr以下にし
た後、メインバルブ３１０を閉じ室３０１内をリ
ークバルブ３４４によつて大気圧として基板を取
り出した。この場合、形成された層の全厚は約
15μであつた。この像形成部材に就て、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し
たところコロナ放電を行なつて画像形成した方
がコロナ放電を行なつて画像形成したよりもそ
の画質が優れており、極めて鮮明であつた。この
結果より本実施例で得られた感光体には帯電極性
の依存性が認められた。 実施例 ５ 実施例１と同様な条件及び手順によつてモリブ
デン基板上に１分間の中間層の形成を行なつた
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中止させた状態で流出バルブ３２６を閉じ、
次にH2で250volppmに希釈されたPH3ガスボン
ベ３１４のバルブ３３３を開け出口圧ゲージ３３
８の圧を１Kg／cm2に調整し流入バルブ３２３を
徐々に開けてフローメーター３１９内へPH3ガス
を流入させた。引き続いて流出バルブ３２８を
徐々に開けた。このときPH3ガス流量とSiF4ガス
流量比が１：60になる様に流入バルブ３２０，３
２３を調整した。 次に中間層の形成時と同様にピラニーゲージ３
４１の指示が0.5torrになる様に補助バルブ３４
０、メインバルブ３１０の開口を調整し安定化さ
せた。 引き続き、再び高周波電源３４２をon状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を60Wにした。こうしてグロー放電を更に４
時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒー
ター３０８をoff状態にし、高周波電源３４２も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から流出バルブ３２５，３２８及び流入バルブ３
２０−２，３２１，３２３を閉じ、メインバルブ
３１０を全開にして、室３０１内を10-5torr以下
にした後、メインバルブ３１０を閉じ室３０１内
をリークバルブ３４４によつて大気圧として基板
を取り出した。この場合、形成された層の全厚は
約11μであつた。こうして得られた像形成部材
を、実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に
画像を形成したところコロナ放電を行なつて画
像形成した方が、コロナ放電を行なつて画像形
成したよりもその画質が優れており極めて鮮明で
あつた。この結果より本実施例で得られた感光体
には帯電極性の依存性が認められた。 実施例 ６ モリブデン基板上に中間層を形成した後、引き
続いて光導電層を形成する際B2H6ガス流量を
SiF4ガス流量の1/15になるようにした以外は実施
例１と同様な条件及び手順によつて中間層、光導
電層をモリブデン基板上に形成した。このように
して得られた像形成部材を実施例１と同様の条件
及び手順で転写紙上に画像を形成したところコ
ロナ放電を行なつて画像形成した方が、コロナ
放電を行なつて画像形成したよりもその画質が優
れており極めて鮮明であつた。この結果より本実
施例で得られた感光体には帯電極性の依存性が認
められた。而し、その帯電極性依存性は実施例
４，５で得られた像形成部材とは逆であつた。 実施例 ７ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成、５時間の
光導電層の形成を行なつた後、高周波電源３４２
をoff状態としてグロー放電を中止させた状態で
流出バルブ３２７を閉じ、そして再び流出バルブ
３２６を開き、中間層の形成時と同様の条件にな
るようにした。引き続き再び高周波電源をon状
態にしてグロー放電を再開させた。そのときの入
力電力も中間層形成時と同様の60Wとした。こう
してグロー放電を２分間持続させて光導電層上に
上部層を形成した後加熱ヒーター３０８をoff状
態にし、高周波電源３４２もoff状態とし、基板
温度が100℃になるのを待つてから流出バルブ３
２５，３２６及び流入バルブ３２０−２，３２
１，３２２を閉じ、メインバルブ３１０を全開に
して、室３０１内を10-5torr以下にした後、メイ
ンバルブ３１０を閉じ室３０１内をリークバルブ
３４４によつて大気圧として基板を取り出した。
こうして得られた像形成部材を実施例１と同様の
帯電露光実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間
コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光像
は、タングステンランプ光源を用い、1.0lux・
secの光量を透過型のテストチヤートを通して照
射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ８ 表面が清浄にされた、コーニング7059ガラス
（１mm厚、４×４cm、両面研磨したもの）表面の
一方に、電子ビーム蒸着法によつてITOを1000Å
蒸着したものを、実施例１と同様の装置（第３
図）の固定部材３０３上にITO蒸着面を上面にし
て設置した。続いて、実施例１と同様の操作によ
つてグロー放電堆積室３０１内を５×10-6torrの
真空となし、基板温度は150℃に保たれた後、補
助バルブ３４０、次いで流出バルブ３２５，３２
７，３２９及び流入バルブ３２０−２，３２２，
３２４を全開し、フローメーター３１６，３１
８，３２０内も十分脱気真空状態にされた。補助
バルブ３４０、バルブ３２６，３２７，３２９，
３１７，３１８，３２０−２を閉じた後、H2で
10vol％に希釈されたSiCl（CH3）3ガス（純度
99.999％）ボンベ３１５バルブ３３４を開け出口
圧ゲージの圧を１Kg／cm2に調整し流入バルブ３２
４を徐々に開けてフローメーター３２０−１内へ
SiCl（CH3）3ガスを流入させた。引続いて流出バ
ルブ３２９を徐々に開けた。次にピラニーゲージ
３４１の読みを注視しながら補助バルブ３４０の
開口を調整し、室３０１内が１×10-2torrになる
まで補助バルブ３４０を開けた。室３０１の内圧
が安定してから、メインバルブ３１０を徐々に閉
じ、ピラニーゲージ３４１の指示が0.5torrにな
るまでに開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が
安定するのを確認し、続いて高周波電源３４２の
スイツチをON状態にして誘導コイル３４３に、
13.56MHzの高周波電力を投入しコイル部（室上
部）の室３０１内にグロー放電を発生させ、20W
の入力電力とした。１分間同条件を同つて中間層
を形成した後、高周波電源３４２をoff状態とし、
グロー放電を中止させた状態で、しばらくして流
出バルブ３２９、流入バルブ３２４を閉じ基板温
度を200℃に上げた。次にH2を10vol％含むSiF4
ガスボンベ３１１のバルブ３３４、H2で
500volppmに希釈されたB2H6ガスボンベ３１３
のバルブ３３２を開け、出口圧ゲージ３３５，３
３７の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３２０
−２，３２２を徐々に開けてフローメーター３１
６，３１８内へSiF4ガス、B2H6ガスを各々流入
させた。引続いて流出バルブ３２５，３２７を
徐々に開けた。このときのSiH4ガス流量とB2H6
ガス流量の比が70：１になる様に流入バルブ３２
０，３２２の開口を定め安定化させた。尚、室３
０１内の内圧が0.5torrになるようにバルブ調整
操作を中間層形成時と同様に行なつた。 その後引き続き、再び高周波電源３４２をon
状態にして、グロー放電を再開させた。そのとき
の入力電圧を60Wにし以前より増加させた。こう
してグロー放電を更に３時間持続させて光導電層
を形成した後、加熱ヒーター３０８をoff状態に
し、高周波電源３４２もoff状態とし、基板温度
が100℃になるのを待つてから流出バルブ３２５，
３２７及び流入バルブ３２０−２，３２２，３２
４を閉じ、メインバルブ３１０を全開にして、室
３０１内を10-5torr以下にした後、メインバルブ
３１０を閉じ室３０１内をリークバルブ３４４に
よつて大気圧として基板を取り出した。この場
合、形成された層の全厚は約9μであつた。こう
して得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に
設置し、6.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像は、タングステンラ
ンプ光源を用い、1.0lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）の部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 又、コロナ帯電極性をに、現像剤極性をに
変えても同様に鮮明で良好な画像が実施例１と同
様に得られた。 実施例 ９ 第４図に示す装置を用い、以下の如き操作によ
つてモリブデン基板上に中間層を形成した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）４０２を堆積室４０１内の所定位置
にある固定部材４０６に堅固に固定した。基板４
０２は固定部材４０６内の加熱ヒーター４０７に
よつて±0.5℃の精度で加熱される。温度は熱電
対（アルメルークロメル）によつて基板裏面を直
接測定されるようになされた。次いで系内の全バ
ルブが閉じられていることを確認してからメイン
バルブ４２７を全開して室４０１内が排気され約
５×10-6torrの真空度にした。その後ヒーター４
０７の入力電圧を上昇させモリブデン基板温度を
検知しながら入力電圧を変化させ200℃の一定値
になるまで安定させた。 その後、補助バルブ４２７、次いで流出バルブ
４１８，４１９，４２０及び流入バルブ４１５，
４１６，４１７を全開し、フローメーター４２
４，４２５，４２６内も十分脱気真空状態にされ
た。補助バルブ４２７、バルブ４１８，４１９，
４２０，４２４，４２５，４２６を閉じた後、
SiF4ガス（純度99.999％）ボンベ４１０及びAr
ガスボンベ４０９のバルブ４１２のバルブ４１３
を開け、出口圧ゲージ４２２，４２１の圧を１
Kg／cm2に調整し、流入バルブ４１６，４１５を
徐々に開けてフローメーター４２５，４２４内に
各々SiF4ガス、Arガスを流入させた。引き続い
て、流出バルブ４１９，４１８を徐々に開け、次
いで補助バルブ４２７を徐々に開けた。この時
SiF4ガス流量とArガス流量比が１：20になるよ
うに流入バルブ４１６，４１５を調整した。次に
ピラニーゲージ４３０の読みを注視しながら補助
バルブ４２７の開口を調整し、室４０１内が１×
10-2torrになるまで補助バルブ４２７を開けた。
室４０１内圧が安定してからメインバルブ４２９
を徐々に閉じピラニーゲージ４３０の指示が
0.5torrになるまで開口を絞つた。 シヤツター４０８を開として、フローメーター
４２５，４２４が安定するのを確認してから、高
周波電源４３１をon状態にし、面積比が１：９
である多結晶高純度シリコンと高純度グラフアイ
トからなるターゲツト４０４，４０３および固定
部材４０６間に13.56MHz、100Wの交流電力が入
力された。この条件で安定した放電を続ける様に
マツチングを取りながら層を形成した。この様に
して２分間放電を続けて100Å厚のａ−Six
C1-x）：Ｆを形成した。その後高周波電源４３１
をoff状態にし、放電を一旦中止させた。ボンベ
のバルブ４１２，４１３を閉じメインバルブ４２
９を全開して室４０１内及びフローメーター４２
４，４２５内を10-5torrまで真空にした後、メイ
ンバルブ４２９補助バルブ４２７、流出バルブ４
１８，４１９、流入バルブ４１５，４１６を閉じ
た。SiF4ガスボンベ４１０をH2を10vol％含む
SiF4ガス（99.999％）に変えた。メインバルブ４
２９をあけ室４０１内を５×10-7torrまで真空に
した後、ボンベ４１０のバルブ４１３をあけ出口
圧ゲージ４２２の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バ
ルブ４１６を除々に開けてフローメーター４２５
内へSiF4ガスを流入させた。引続いて流出バルブ
４１９を除々に開けた。次にH2で500volppmに
希釈したB2H6ガスボンベ４１１のバルブ４１４
を開け、出口圧ゲージ４２３の圧１Kg／cm2に調整
し、流入バルブ４１７を徐々に開けてフローメー
ター４２６内へB2H6ガスを流入させた。引続い
て、流出バルブ４２０を徐々に開け、次いで補助
バルブ４２７を徐々に開けた。このときSiF4ガス
流量とB2H6ガス流量比が70：１になるように流
入バルブ４１６，４１７を調整した。次にピラニ
ーゲージ４３０の読みを注視しながら補助バルブ
４２７メインバルブ４２９の開口を調整して、ピ
ラニーゲージ４３０の指示が0.5torrになるまで
開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安定する
のを確認し、シヤツター４０８を閉とし続いて高
周波電源４３７のスイツチをON状態にして、電
極４０７，４０８間に13.56MHzの高周波電力を
投入し室４０１内にグロー放電を発生させ60Wの
入力電力とした。グロー放電を３時間持続させて
光導電層を形成した後、加熱ヒーター４０７を
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から流出バルブ４１９，４２０及び流入バルブ４
１５，４１６，４１７を閉じ、メインバルブ４２
９を全開にして、室４０１内を10-5torr以下にし
た後、メインバルブ４２９を閉じ室４０１内をリ
ークバルブ４２８によつて大気圧として基板を取
り出した。この場合、形成された層の全厚は約
9μであつた。こうして得られた像形成部材を、
帯電露光実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間
コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光像
は、タングステンランプ光源を用い0.8lux・sec
の光量を透過型のテストチヤートを通して照射さ
せた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5KVで0.2sec間のコロナ帯電を行い、直ち
に0.8lux・secの光量で画像露光を行い、その後
直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケード
し、次に転写紙上に転写定着したところ極めて鮮
明な画像が得られた。 この結果を先の結果から本実施例で得られた電
子写真感光体は帯電極性に対する依存性がなく両
極性像形成部材の特性を具備していることが判つ
た。 実施例 10 実施例９と同様な条件及び手順によつてモリブ
デン基板上に２分間の中間層の形成を行つた後、
高周波電源３４２をび加熱ヒータ４０７をoff状
態として流出バルブ４１８，４１９、流入バルブ
４１５，４１６を閉じ、基板温度が100℃になる
のを待つて補助バルブ４２７、メインバルブ４２
９を閉じた。引き続き、リークバルブ４２８を開
いて堆積室４０１内を大気圧にリークしてターゲ
ツト４０４，４０３から高純度グラフアイトから
なるターゲツト４０３をのぞき高純度シリコンタ
ーゲツト４０４だけにした。 その後リークバルブ４２８を閉じて堆積室４０
１内を５×10-7torr程度まで真空にし、次に補助
バルブ４２７、流出バルブ４１８，４１９を開き
フローメータ４２４，４２５内を十分に脱気した
後流出バルブ４１８，４１９と補助バルブ４２７
を閉じた。再び基板４０２を加熱ヒーター４０７
をon状態にして基板温度を200℃に保つた。そし
てSiF4ガス（純度99.999％）ボンベ４１０のバル
ブ４１３及びArガスボンベ４０９のバルブ４１
２を開け、出口圧ゲージ４２２，４２１の圧を１
Kg／cm2に調整し、流入バルブ４１６，４１５を
徐々に開けてフローメーター４２５，４２４内へ
各々SiF4ガス、Arガスを流入させた。引き続い
て、流出バルブ４１９，４１８を除々に開け、次
いで補助バルブ４２７を除々に開けた。この時
SiF4ガス流量とArガス流量比が１：20になるよ
うに流入バルブ４１６，４１５を調整した。次に
ピラニーゲージ４３０の読みを注視しながら補助
バルブ４２７の開口を調整し、室４０１内が１×
10-4torrになるまで補助バルブ４２７を開けた。
室４０１内圧が安定してからメインバルブ４２９
を除々に閉じピラニーゲージ４３０の指示が１×
10-2torrになるまで開口を絞つた。 シヤツター４０８を開として、フローメーター
４２５，４２４が安定するのを確認してから、高
周波電源４３１をon状態にし、多結晶高純度シ
リコンターゲツト４０４および固定部材４０６間
に13.56MHz、100Wの交流電力が入力された。こ
の条件で安定した放電を続ける様にマツチングを
取りながら層を形成した。この様にして３時間放
電を続けて光導電層を形成した後、加熱ヒーター
４０７をoff状態にし、高周波電源４３１もoff状
態とし、基板温度100℃になるのを待つてから流
出バルブ４１８，４１９及び流入バルブ４１５，
４１６，４１７を閉じ、メインバルブ４２９を全
開にして、室４０１内を10-5torr以下にした後、
メインバルブ４２９を閉じ室４０１内をリークバ
ルブ４２８によつて大気圧として基板を取り出し
た。この場合、形成された層の全厚は約9μであ
つた。こうして得られた像形成部材を、帯電露光
実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間コロナ帯
電を行ない、直ちに光像を照射した。光像はタン
グステンランプ光源を用い、0.8lux・secの光量
を透過型のテストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を部材表面にカスケードすること
によつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 11 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成、５時間の
光導電層の形成を行なつた後、下記の第４表に示
す様な種々の上部層を設けた。 その後、実施例１と同様にして、両極性に
関して帯電、露光及び転写を行なつた処、いずれ
も帯電極性に対する依存性がなく、極めて鮮明な
トナー画像が得られた。
て、実施例１と同様の操作によつてグロー放電堆
積室３０１内を５×10-8Torrの真空となし、基
板温度は200℃に保たれた後実施例１と同様の操
作によつてSiF4，C2H4ガス流入系を５×
10-6torrの真空となし、その後補助バルブ３４０
及び各流出バルブ３２５，３２６各流入バルブ３
２０−２，３２１を閉じた後、H2を10vol％含む
SiF4ガスボンベ３１１のバルブ３３０、H2で
10vol％に希釈されたC2H4ガスボンベ３１２のバ
ルブ３３１を開け、出口圧ゲージ３３５，３３６
の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３２０−
２，３２１を徐々に開けてフローメーター３１
６，３１７内へSiF4ガスC2H4ガスを流入させた。
引続いて、流出バルブ３２５，３２６を徐々に開
け、次いで補助バルブ３４０を徐々に開けた。こ
のときSiF4ガス流量とC2H4ガス流量比が１：80
になるように流入バルブ３２０−２，３２１を調
整した。次にピラニーゲージ３４１の読みを注視
しながら補助バルブ３４０の開口を調整し、室３
０１内が１×10-2Torrになるまで補助バルブ３
４０を開けた。室３０１内圧が安定してから、メ
インバルブ３１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ
３４１の指示が0.5Torrになるまで開口を絞つ
た。ガス流入が安定し室内圧が一定となり、基板
温度が200℃に安定してから、実施例１と同様に
高周波電源３４２をON状態として、60Wの入力
電力でグロー放電を開始させ、１分間同条件を保
つて基板上に中間層を形成した後、高周波電源
342をoff状態とし、グロー放電を、中止させた状
態で流出バルブ３２６を閉じた。次に中間層の形
成時と同様にピラニーゲージ３４１の指示が
0.5Torrになる様に補助バルブ３４０、メインバ
ルブ３１０の開口を調整し安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を以前と同様に60Wにした。こうしてグロー
放電を更に５時間持続させて光導電層を形成した
後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、高周波
電源３４２もoff状態とし、基板温度が100℃にな
るのを待つてから流出バルブ３２５及び流入バル
ブ３２０−２，３２１を閉じ、メインバルブ３１
０を全開にして、室３０１内を10-5torr以下にし
た後、メインバルブ３１０を閉じ室３０１内をリ
ークバルブ３４４によつて大気圧として基板を取
り出した。この場合、形成された層の全厚は約
15μであつた。この像形成部材に就て、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し
たところコロナ放電を行なつて画像形成した方
がコロナ放電を行なつて画像形成したよりもそ
の画質が優れており、極めて鮮明であつた。この
結果より本実施例で得られた感光体には帯電極性
の依存性が認められた。 実施例 ５ 実施例１と同様な条件及び手順によつてモリブ
デン基板上に１分間の中間層の形成を行なつた
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中止させた状態で流出バルブ３２６を閉じ、
次にH2で250volppmに希釈されたPH3ガスボン
ベ３１４のバルブ３３３を開け出口圧ゲージ３３
８の圧を１Kg／cm2に調整し流入バルブ３２３を
徐々に開けてフローメーター３１９内へPH3ガス
を流入させた。引き続いて流出バルブ３２８を
徐々に開けた。このときPH3ガス流量とSiF4ガス
流量比が１：60になる様に流入バルブ３２０，３
２３を調整した。 次に中間層の形成時と同様にピラニーゲージ３
４１の指示が0.5torrになる様に補助バルブ３４
０、メインバルブ３１０の開口を調整し安定化さ
せた。 引き続き、再び高周波電源３４２をon状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を60Wにした。こうしてグロー放電を更に４
時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒー
ター３０８をoff状態にし、高周波電源３４２も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から流出バルブ３２５，３２８及び流入バルブ３
２０−２，３２１，３２３を閉じ、メインバルブ
３１０を全開にして、室３０１内を10-5torr以下
にした後、メインバルブ３１０を閉じ室３０１内
をリークバルブ３４４によつて大気圧として基板
を取り出した。この場合、形成された層の全厚は
約11μであつた。こうして得られた像形成部材
を、実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に
画像を形成したところコロナ放電を行なつて画
像形成した方が、コロナ放電を行なつて画像形
成したよりもその画質が優れており極めて鮮明で
あつた。この結果より本実施例で得られた感光体
には帯電極性の依存性が認められた。 実施例 ６ モリブデン基板上に中間層を形成した後、引き
続いて光導電層を形成する際B2H6ガス流量を
SiF4ガス流量の1/15になるようにした以外は実施
例１と同様な条件及び手順によつて中間層、光導
電層をモリブデン基板上に形成した。このように
して得られた像形成部材を実施例１と同様の条件
及び手順で転写紙上に画像を形成したところコ
ロナ放電を行なつて画像形成した方が、コロナ
放電を行なつて画像形成したよりもその画質が優
れており極めて鮮明であつた。この結果より本実
施例で得られた感光体には帯電極性の依存性が認
められた。而し、その帯電極性依存性は実施例
４，５で得られた像形成部材とは逆であつた。 実施例 ７ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成、５時間の
光導電層の形成を行なつた後、高周波電源３４２
をoff状態としてグロー放電を中止させた状態で
流出バルブ３２７を閉じ、そして再び流出バルブ
３２６を開き、中間層の形成時と同様の条件にな
るようにした。引き続き再び高周波電源をon状
態にしてグロー放電を再開させた。そのときの入
力電力も中間層形成時と同様の60Wとした。こう
してグロー放電を２分間持続させて光導電層上に
上部層を形成した後加熱ヒーター３０８をoff状
態にし、高周波電源３４２もoff状態とし、基板
温度が100℃になるのを待つてから流出バルブ３
２５，３２６及び流入バルブ３２０−２，３２
１，３２２を閉じ、メインバルブ３１０を全開に
して、室３０１内を10-5torr以下にした後、メイ
ンバルブ３１０を閉じ室３０１内をリークバルブ
３４４によつて大気圧として基板を取り出した。
こうして得られた像形成部材を実施例１と同様の
帯電露光実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間
コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光像
は、タングステンランプ光源を用い、1.0lux・
secの光量を透過型のテストチヤートを通して照
射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ８ 表面が清浄にされた、コーニング7059ガラス
（１mm厚、４×４cm、両面研磨したもの）表面の
一方に、電子ビーム蒸着法によつてITOを1000Å
蒸着したものを、実施例１と同様の装置（第３
図）の固定部材３０３上にITO蒸着面を上面にし
て設置した。続いて、実施例１と同様の操作によ
つてグロー放電堆積室３０１内を５×10-6torrの
真空となし、基板温度は150℃に保たれた後、補
助バルブ３４０、次いで流出バルブ３２５，３２
７，３２９及び流入バルブ３２０−２，３２２，
３２４を全開し、フローメーター３１６，３１
８，３２０内も十分脱気真空状態にされた。補助
バルブ３４０、バルブ３２６，３２７，３２９，
３１７，３１８，３２０−２を閉じた後、H2で
10vol％に希釈されたSiCl（CH3）3ガス（純度
99.999％）ボンベ３１５バルブ３３４を開け出口
圧ゲージの圧を１Kg／cm2に調整し流入バルブ３２
４を徐々に開けてフローメーター３２０−１内へ
SiCl（CH3）3ガスを流入させた。引続いて流出バ
ルブ３２９を徐々に開けた。次にピラニーゲージ
３４１の読みを注視しながら補助バルブ３４０の
開口を調整し、室３０１内が１×10-2torrになる
まで補助バルブ３４０を開けた。室３０１の内圧
が安定してから、メインバルブ３１０を徐々に閉
じ、ピラニーゲージ３４１の指示が0.5torrにな
るまでに開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が
安定するのを確認し、続いて高周波電源３４２の
スイツチをON状態にして誘導コイル３４３に、
13.56MHzの高周波電力を投入しコイル部（室上
部）の室３０１内にグロー放電を発生させ、20W
の入力電力とした。１分間同条件を同つて中間層
を形成した後、高周波電源３４２をoff状態とし、
グロー放電を中止させた状態で、しばらくして流
出バルブ３２９、流入バルブ３２４を閉じ基板温
度を200℃に上げた。次にH2を10vol％含むSiF4
ガスボンベ３１１のバルブ３３４、H2で
500volppmに希釈されたB2H6ガスボンベ３１３
のバルブ３３２を開け、出口圧ゲージ３３５，３
３７の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３２０
−２，３２２を徐々に開けてフローメーター３１
６，３１８内へSiF4ガス、B2H6ガスを各々流入
させた。引続いて流出バルブ３２５，３２７を
徐々に開けた。このときのSiH4ガス流量とB2H6
ガス流量の比が70：１になる様に流入バルブ３２
０，３２２の開口を定め安定化させた。尚、室３
０１内の内圧が0.5torrになるようにバルブ調整
操作を中間層形成時と同様に行なつた。 その後引き続き、再び高周波電源３４２をon
状態にして、グロー放電を再開させた。そのとき
の入力電圧を60Wにし以前より増加させた。こう
してグロー放電を更に３時間持続させて光導電層
を形成した後、加熱ヒーター３０８をoff状態に
し、高周波電源３４２もoff状態とし、基板温度
が100℃になるのを待つてから流出バルブ３２５，
３２７及び流入バルブ３２０−２，３２２，３２
４を閉じ、メインバルブ３１０を全開にして、室
３０１内を10-5torr以下にした後、メインバルブ
３１０を閉じ室３０１内をリークバルブ３４４に
よつて大気圧として基板を取り出した。この場
合、形成された層の全厚は約9μであつた。こう
して得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に
設置し、6.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像は、タングステンラ
ンプ光源を用い、1.0lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）の部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 又、コロナ帯電極性をに、現像剤極性をに
変えても同様に鮮明で良好な画像が実施例１と同
様に得られた。 実施例 ９ 第４図に示す装置を用い、以下の如き操作によ
つてモリブデン基板上に中間層を形成した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）４０２を堆積室４０１内の所定位置
にある固定部材４０６に堅固に固定した。基板４
０２は固定部材４０６内の加熱ヒーター４０７に
よつて±0.5℃の精度で加熱される。温度は熱電
対（アルメルークロメル）によつて基板裏面を直
接測定されるようになされた。次いで系内の全バ
ルブが閉じられていることを確認してからメイン
バルブ４２７を全開して室４０１内が排気され約
５×10-6torrの真空度にした。その後ヒーター４
０７の入力電圧を上昇させモリブデン基板温度を
検知しながら入力電圧を変化させ200℃の一定値
になるまで安定させた。 その後、補助バルブ４２７、次いで流出バルブ
４１８，４１９，４２０及び流入バルブ４１５，
４１６，４１７を全開し、フローメーター４２
４，４２５，４２６内も十分脱気真空状態にされ
た。補助バルブ４２７、バルブ４１８，４１９，
４２０，４２４，４２５，４２６を閉じた後、
SiF4ガス（純度99.999％）ボンベ４１０及びAr
ガスボンベ４０９のバルブ４１２のバルブ４１３
を開け、出口圧ゲージ４２２，４２１の圧を１
Kg／cm2に調整し、流入バルブ４１６，４１５を
徐々に開けてフローメーター４２５，４２４内に
各々SiF4ガス、Arガスを流入させた。引き続い
て、流出バルブ４１９，４１８を徐々に開け、次
いで補助バルブ４２７を徐々に開けた。この時
SiF4ガス流量とArガス流量比が１：20になるよ
うに流入バルブ４１６，４１５を調整した。次に
ピラニーゲージ４３０の読みを注視しながら補助
バルブ４２７の開口を調整し、室４０１内が１×
10-2torrになるまで補助バルブ４２７を開けた。
室４０１内圧が安定してからメインバルブ４２９
を徐々に閉じピラニーゲージ４３０の指示が
0.5torrになるまで開口を絞つた。 シヤツター４０８を開として、フローメーター
４２５，４２４が安定するのを確認してから、高
周波電源４３１をon状態にし、面積比が１：９
である多結晶高純度シリコンと高純度グラフアイ
トからなるターゲツト４０４，４０３および固定
部材４０６間に13.56MHz、100Wの交流電力が入
力された。この条件で安定した放電を続ける様に
マツチングを取りながら層を形成した。この様に
して２分間放電を続けて100Å厚のａ−Six
C1-x）：Ｆを形成した。その後高周波電源４３１
をoff状態にし、放電を一旦中止させた。ボンベ
のバルブ４１２，４１３を閉じメインバルブ４２
９を全開して室４０１内及びフローメーター４２
４，４２５内を10-5torrまで真空にした後、メイ
ンバルブ４２９補助バルブ４２７、流出バルブ４
１８，４１９、流入バルブ４１５，４１６を閉じ
た。SiF4ガスボンベ４１０をH2を10vol％含む
SiF4ガス（99.999％）に変えた。メインバルブ４
２９をあけ室４０１内を５×10-7torrまで真空に
した後、ボンベ４１０のバルブ４１３をあけ出口
圧ゲージ４２２の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バ
ルブ４１６を除々に開けてフローメーター４２５
内へSiF4ガスを流入させた。引続いて流出バルブ
４１９を除々に開けた。次にH2で500volppmに
希釈したB2H6ガスボンベ４１１のバルブ４１４
を開け、出口圧ゲージ４２３の圧１Kg／cm2に調整
し、流入バルブ４１７を徐々に開けてフローメー
ター４２６内へB2H6ガスを流入させた。引続い
て、流出バルブ４２０を徐々に開け、次いで補助
バルブ４２７を徐々に開けた。このときSiF4ガス
流量とB2H6ガス流量比が70：１になるように流
入バルブ４１６，４１７を調整した。次にピラニ
ーゲージ４３０の読みを注視しながら補助バルブ
４２７メインバルブ４２９の開口を調整して、ピ
ラニーゲージ４３０の指示が0.5torrになるまで
開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安定する
のを確認し、シヤツター４０８を閉とし続いて高
周波電源４３７のスイツチをON状態にして、電
極４０７，４０８間に13.56MHzの高周波電力を
投入し室４０１内にグロー放電を発生させ60Wの
入力電力とした。グロー放電を３時間持続させて
光導電層を形成した後、加熱ヒーター４０７を
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から流出バルブ４１９，４２０及び流入バルブ４
１５，４１６，４１７を閉じ、メインバルブ４２
９を全開にして、室４０１内を10-5torr以下にし
た後、メインバルブ４２９を閉じ室４０１内をリ
ークバルブ４２８によつて大気圧として基板を取
り出した。この場合、形成された層の全厚は約
9μであつた。こうして得られた像形成部材を、
帯電露光実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間
コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光像
は、タングステンランプ光源を用い0.8lux・sec
の光量を透過型のテストチヤートを通して照射さ
せた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5KVで0.2sec間のコロナ帯電を行い、直ち
に0.8lux・secの光量で画像露光を行い、その後
直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケード
し、次に転写紙上に転写定着したところ極めて鮮
明な画像が得られた。 この結果を先の結果から本実施例で得られた電
子写真感光体は帯電極性に対する依存性がなく両
極性像形成部材の特性を具備していることが判つ
た。 実施例 10 実施例９と同様な条件及び手順によつてモリブ
デン基板上に２分間の中間層の形成を行つた後、
高周波電源３４２をび加熱ヒータ４０７をoff状
態として流出バルブ４１８，４１９、流入バルブ
４１５，４１６を閉じ、基板温度が100℃になる
のを待つて補助バルブ４２７、メインバルブ４２
９を閉じた。引き続き、リークバルブ４２８を開
いて堆積室４０１内を大気圧にリークしてターゲ
ツト４０４，４０３から高純度グラフアイトから
なるターゲツト４０３をのぞき高純度シリコンタ
ーゲツト４０４だけにした。 その後リークバルブ４２８を閉じて堆積室４０
１内を５×10-7torr程度まで真空にし、次に補助
バルブ４２７、流出バルブ４１８，４１９を開き
フローメータ４２４，４２５内を十分に脱気した
後流出バルブ４１８，４１９と補助バルブ４２７
を閉じた。再び基板４０２を加熱ヒーター４０７
をon状態にして基板温度を200℃に保つた。そし
てSiF4ガス（純度99.999％）ボンベ４１０のバル
ブ４１３及びArガスボンベ４０９のバルブ４１
２を開け、出口圧ゲージ４２２，４２１の圧を１
Kg／cm2に調整し、流入バルブ４１６，４１５を
徐々に開けてフローメーター４２５，４２４内へ
各々SiF4ガス、Arガスを流入させた。引き続い
て、流出バルブ４１９，４１８を除々に開け、次
いで補助バルブ４２７を除々に開けた。この時
SiF4ガス流量とArガス流量比が１：20になるよ
うに流入バルブ４１６，４１５を調整した。次に
ピラニーゲージ４３０の読みを注視しながら補助
バルブ４２７の開口を調整し、室４０１内が１×
10-4torrになるまで補助バルブ４２７を開けた。
室４０１内圧が安定してからメインバルブ４２９
を除々に閉じピラニーゲージ４３０の指示が１×
10-2torrになるまで開口を絞つた。 シヤツター４０８を開として、フローメーター
４２５，４２４が安定するのを確認してから、高
周波電源４３１をon状態にし、多結晶高純度シ
リコンターゲツト４０４および固定部材４０６間
に13.56MHz、100Wの交流電力が入力された。こ
の条件で安定した放電を続ける様にマツチングを
取りながら層を形成した。この様にして３時間放
電を続けて光導電層を形成した後、加熱ヒーター
４０７をoff状態にし、高周波電源４３１もoff状
態とし、基板温度100℃になるのを待つてから流
出バルブ４１８，４１９及び流入バルブ４１５，
４１６，４１７を閉じ、メインバルブ４２９を全
開にして、室４０１内を10-5torr以下にした後、
メインバルブ４２９を閉じ室４０１内をリークバ
ルブ４２８によつて大気圧として基板を取り出し
た。この場合、形成された層の全厚は約9μであ
つた。こうして得られた像形成部材を、帯電露光
実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間コロナ帯
電を行ない、直ちに光像を照射した。光像はタン
グステンランプ光源を用い、0.8lux・secの光量
を透過型のテストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を部材表面にカスケードすること
によつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 11 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成、５時間の
光導電層の形成を行なつた後、下記の第４表に示
す様な種々の上部層を設けた。 その後、実施例１と同様にして、両極性に
関して帯電、露光及び転写を行なつた処、いずれ
も帯電極性に対する依存性がなく、極めて鮮明な
トナー画像が得られた。
第１図及び第２図は各々本発明の光導電部材の
好適な実施態様例の構成を説明する為の模式的構
成図、第３図、第４図は各々本発明の光導電部材
を製造する場合の装置の一例を示す模式的説明図
である。 １００，２００……光導電部材、１０１，２０
１……支持体、１０２，２０２……中間層、１０
３，２０３……光導電層、１０４，２０４……自
由表面、２０５……上部層。
好適な実施態様例の構成を説明する為の模式的構
成図、第３図、第４図は各々本発明の光導電部材
を製造する場合の装置の一例を示す模式的説明図
である。 １００，２００……光導電部材、１０１，２０
１……支持体、１０２，２０２……中間層、１０
３，２０３……光導電層、１０４，２０４……自
由表面、２０５……上部層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体と、シリコン原子を母体とし、ハロゲ
ン原子を含むアモルフアス材料で構成されている
光導電層と、これ等の間に設けられ、前記支持体
側から前記光導電層中へのキヤリアの流入を阻止
し且つ電磁波照射によつて前記光導電層中に生じ
前記支持体側に向つて移動するキヤリアの前記光
導電層側から前記支持体側への通過を許す機能を
有する中間層とを備えた光導電部材に於いて、前
記中間層は、（SixC1-x）yX1-y又は（SixC1-x）y（Ｈ
＋Ｘ）1-y（但し、0.1≦ｘ≦0.35、0.80≦ｙ≦0.99、
Ｘはハロゲン原子を表す）で示されるアモルフア
ス材料で構成され、30〜1000Åの層厚を有する事
を特徴とする光導電部材。 ２ 前記光導電層の上部表面に、シリコン原子を
母体とし、水素原子及びハロゲン原子の少なくと
もいずれか一方と、炭素原子、窒素原子及び酸素
原子の中の少なくとも１つとを含むアモルフアス
材料で構成された上部層を有する特許請求の範囲
第１項の光導電部材。 ３ 前記光導電層の上部表面に、無機絶縁材料又
は有機絶縁材料から成る上部層を有する特許請求
の範囲第１項の光導電部材。 ４ 前記光導電層の上部表面に、電荷像形成面と
なる自由表面を有し、0.5〜70μの層厚を有する表
面被覆層が設けてある特許請求の範囲第１項の光
導電部材。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55133211A JPS5756848A (en) | 1980-09-24 | 1980-09-24 | Photoconductive member |
| US06/299,576 US4394425A (en) | 1980-09-12 | 1981-09-04 | Photoconductive member with α-Si(C) barrier layer |
| CA000385692A CA1181630A (en) | 1980-09-12 | 1981-09-11 | Photoconductive member including non-photoconductive layer containing amorphous silicon matrix containing carbon |
| DE19813136141 DE3136141A1 (de) | 1980-09-12 | 1981-09-11 | Photoleitfaehiges element |
| GB8127479A GB2086133B (en) | 1980-09-12 | 1981-09-11 | Photoconductive member |
| FR8117327A FR2490359B1 (fr) | 1980-09-12 | 1981-09-14 | Element photoconducteur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55133211A JPS5756848A (en) | 1980-09-24 | 1980-09-24 | Photoconductive member |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5756848A JPS5756848A (en) | 1982-04-05 |
| JPS6335980B2 true JPS6335980B2 (ja) | 1988-07-18 |
Family
ID=15099320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55133211A Granted JPS5756848A (en) | 1980-09-12 | 1980-09-24 | Photoconductive member |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5756848A (ja) |
-
1980
- 1980-09-24 JP JP55133211A patent/JPS5756848A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5756848A (en) | 1982-04-05 |