JPH0152065B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0152065B2 JPH0152065B2 JP58118597A JP11859783A JPH0152065B2 JP H0152065 B2 JPH0152065 B2 JP H0152065B2 JP 58118597 A JP58118597 A JP 58118597A JP 11859783 A JP11859783 A JP 11859783A JP H0152065 B2 JPH0152065 B2 JP H0152065B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating liquid
- pressure
- supply pipe
- coating
- sealed container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガスの圧力を利用して、被処理体上に
塗布液を滴下供給する方法に関する。
塗布液を滴下供給する方法に関する。
一般にシリコンウエハー、ガラスなどの被処理
体表面に、ホトレジスト膜、不純物拡散剤膜、光
学用被膜或いは保護被膜を形成するには、塗布液
を入れた密閉容器内にチツ素ガスを導入して容器
内を高圧とし、この圧力で容器内の塗布液を供給
管を介して圧送し、被処理体上に滴下する方法が
採られている。
体表面に、ホトレジスト膜、不純物拡散剤膜、光
学用被膜或いは保護被膜を形成するには、塗布液
を入れた密閉容器内にチツ素ガスを導入して容器
内を高圧とし、この圧力で容器内の塗布液を供給
管を介して圧送し、被処理体上に滴下する方法が
採られている。
そして、上記塗布液がトルエン、キシレンなど
の比較的極性の弱い溶媒を用いて調製されている
場合には問題は生じないが、ポジ型ホトレジスト
系膜、不純物拡散剤膜、保護膜或いは光学用被膜
を形成する場合には、一般にアルコール系、ケト
ン系、ハロゲン化炭化水素系、エステル系、エー
テル系、含チツ素系、含イオン系或いは含リン系
などの極性の強い溶媒を用いており、この場合に
は以下の如き不具合がある。
の比較的極性の弱い溶媒を用いて調製されている
場合には問題は生じないが、ポジ型ホトレジスト
系膜、不純物拡散剤膜、保護膜或いは光学用被膜
を形成する場合には、一般にアルコール系、ケト
ン系、ハロゲン化炭化水素系、エステル系、エー
テル系、含チツ素系、含イオン系或いは含リン系
などの極性の強い溶媒を用いており、この場合に
は以下の如き不具合がある。
即ち、密閉容器内をチツ素ガスによつて高圧に
すると、一定温度で一定量の液体に溶解する気体
の質量はその気体の圧力に比例するというヘンリ
ーの法則から、高圧にすればそれだけ塗布液に溶
解するチツ素ガスの量が多くなり、特にチツ素ガ
スのオストワルド吸収係数（溶解度）は高く、そ
のため多量に溶解することとなる。そして、塗布
液は供給管を介して常圧状態で被処理体の表面に
滴下されるため、滴下時には塗布液中に過飽和の
状態で溶解していたチツ素ガスが微細な気泡とな
つて発生し、この気泡を有したまま塗布されるこ
とで、気泡が被膜中に固定される。
すると、一定温度で一定量の液体に溶解する気体
の質量はその気体の圧力に比例するというヘンリ
ーの法則から、高圧にすればそれだけ塗布液に溶
解するチツ素ガスの量が多くなり、特にチツ素ガ
スのオストワルド吸収係数（溶解度）は高く、そ
のため多量に溶解することとなる。そして、塗布
液は供給管を介して常圧状態で被処理体の表面に
滴下されるため、滴下時には塗布液中に過飽和の
状態で溶解していたチツ素ガスが微細な気泡とな
つて発生し、この気泡を有したまま塗布されるこ
とで、気泡が被膜中に固定される。
その結果、ピンホール或いは塗布ムラが生じ、
これが製品歩留りの低下につながつている。
これが製品歩留りの低下につながつている。
これを解決すべく、塗布液の供給管の途中にト
ラツプを設け、圧送途中にて気泡を除去すること
が考えられるが、装置自体複雑となり、しかも気
泡の除去を完全に行なえないという不利がある。
ラツプを設け、圧送途中にて気泡を除去すること
が考えられるが、装置自体複雑となり、しかも気
泡の除去を完全に行なえないという不利がある。
本発明は上述した問題に鑑みなしたものであ
り、その目的とする処は塗布装置に何ら特別な部
材等を付設することなく、塗布液中への溶存ガス
の量を可及的に少なくし、もつて塗布時に気泡の
発生を防止し、ピンホール或いは塗布ムラのない
製品が得られる塗布液の供給方法を提供するにあ
る。
り、その目的とする処は塗布装置に何ら特別な部
材等を付設することなく、塗布液中への溶存ガス
の量を可及的に少なくし、もつて塗布時に気泡の
発生を防止し、ピンホール或いは塗布ムラのない
製品が得られる塗布液の供給方法を提供するにあ
る。
斯る目的を達成すべく本発明は、密閉容器内に
極性の強い溶媒を用いた塗布液を入れ、この密閉
容器内に高圧ガス導入管を介して溶解度の小さい
ヘリウムガス又はネオンガスを供給し、このガス
圧によつて塗布液を供給管を介して圧送するよう
にしたことを要旨とする。
極性の強い溶媒を用いた塗布液を入れ、この密閉
容器内に高圧ガス導入管を介して溶解度の小さい
ヘリウムガス又はネオンガスを供給し、このガス
圧によつて塗布液を供給管を介して圧送するよう
にしたことを要旨とする。
以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説
明する。
明する。
図中１は密閉容器、２はスピンナーであり、密
閉容器１内には極性の強い溶媒により調整された
塗布液３が充填され、スピンナー２の有底筒状体
４には下方から回転軸５が挿通され、この回転軸
５の先端部にはスピンナーヘツド６を取付け、こ
のスピンナーヘツド６上にシリコンウエハーなど
の被処理体７が載置される。
閉容器１内には極性の強い溶媒により調整された
塗布液３が充填され、スピンナー２の有底筒状体
４には下方から回転軸５が挿通され、この回転軸
５の先端部にはスピンナーヘツド６を取付け、こ
のスピンナーヘツド６上にシリコンウエハーなど
の被処理体７が載置される。
一方、密閉容器１内には高圧ガス導入管８及び
塗布液の供給管９が挿通され、高圧ガス導入管８
の下端部は塗布液３の液面よりも上方に位置せし
められ、供給管９の下端部は液面よりも下方で密
閉容器１の底面近傍に位置せしめられている。ま
た供給管９の他端部には塗布液滴下用のノズル１
０が取付けられ、このノズル１０がスピンナーヘ
ツド６上方に臨んでいる。更に、供給管９の中間
部には高圧空気等によつて駆動する弁１１及び塗
布を停止した後に塗布液がボタ落ちするのを防止
するサツクバツク機構１２が設けられている。
塗布液の供給管９が挿通され、高圧ガス導入管８
の下端部は塗布液３の液面よりも上方に位置せし
められ、供給管９の下端部は液面よりも下方で密
閉容器１の底面近傍に位置せしめられている。ま
た供給管９の他端部には塗布液滴下用のノズル１
０が取付けられ、このノズル１０がスピンナーヘ
ツド６上方に臨んでいる。更に、供給管９の中間
部には高圧空気等によつて駆動する弁１１及び塗
布を停止した後に塗布液がボタ落ちするのを防止
するサツクバツク機構１２が設けられている。
以上において、密閉容器１内に塗布液３を充填
して静置することで脱泡し、これと同時にスピン
ナーヘツド６上に被処理体７を載置し真空吸着す
る。斯る状態から高圧ガス導入管８を介して密閉
容器１内にヘリウムガス又はネオンガスを導入
し、密閉容器１内を高圧にする。次いで、弁１１
を作動させて供給管９全体、つまり密閉容器１か
らノズル１０に至る供給管９内に塗布液３を充填
した後、一旦弁１１を閉じる。この後弁１１を開
き、ノズル１０から被処理体７表面に塗布液３を
滴下するとともに、スピンナー２の回転軸５を回
転せしめる。すると滴下された塗布液３は遠心力
によつて被処理体７表面に均一な厚さに塗布され
る。
して静置することで脱泡し、これと同時にスピン
ナーヘツド６上に被処理体７を載置し真空吸着す
る。斯る状態から高圧ガス導入管８を介して密閉
容器１内にヘリウムガス又はネオンガスを導入
し、密閉容器１内を高圧にする。次いで、弁１１
を作動させて供給管９全体、つまり密閉容器１か
らノズル１０に至る供給管９内に塗布液３を充填
した後、一旦弁１１を閉じる。この後弁１１を開
き、ノズル１０から被処理体７表面に塗布液３を
滴下するとともに、スピンナー２の回転軸５を回
転せしめる。すると滴下された塗布液３は遠心力
によつて被処理体７表面に均一な厚さに塗布され
る。
ここで、密閉容器１内に導入される加圧用ガス
は、溶解度の小さなヘリウムガス或はネオンガス
であるため、密閉容器１内の圧を高めても極めて
僅かしか塗布液３に溶解せず、したがつて滴下時
に常圧状態に戻されても塗布液３中の気泡の発生
を抑制でき、塗布液３は被処理体７表面に均一に
塗布される。
は、溶解度の小さなヘリウムガス或はネオンガス
であるため、密閉容器１内の圧を高めても極めて
僅かしか塗布液３に溶解せず、したがつて滴下時
に常圧状態に戻されても塗布液３中の気泡の発生
を抑制でき、塗布液３は被処理体７表面に均一に
塗布される。
以上に説明した如く本発明によれば、極性の強
い溶媒を用いて塗布液を調整し、この塗布液を加
圧することで圧送し、常圧下において被処理体表
面に滴下するようにしても、被処理体表面の塗布
液には気泡の発生はなく、したがつて後にピンホ
ールや塗布ムラなどの不利が生じることがない。
したがつて製品の歩留りを大巾に向上でき、更に
以上を特別な装置例えばトラツプ等を設けること
なく達成できる等多くの効果を発揮する。
い溶媒を用いて塗布液を調整し、この塗布液を加
圧することで圧送し、常圧下において被処理体表
面に滴下するようにしても、被処理体表面の塗布
液には気泡の発生はなく、したがつて後にピンホ
ールや塗布ムラなどの不利が生じることがない。
したがつて製品の歩留りを大巾に向上でき、更に
以上を特別な装置例えばトラツプ等を設けること
なく達成できる等多くの効果を発揮する。
図面は本発明方法を実施するための塗布装置の
概略側面図である。 尚、図面中１は密閉容器、２はスピンナー、３
は塗布液、７は被処理体、８は高圧ガス導入管、
９は塗布液の供給管、１０はノズルである。
概略側面図である。 尚、図面中１は密閉容器、２はスピンナー、３
は塗布液、７は被処理体、８は高圧ガス導入管、
９は塗布液の供給管、１０はノズルである。
Claims (1)
- １ 極性の強い溶媒を用いた塗布液を密閉容器内
に充填するとともに、該密閉容器内に高圧ガス導
入管及び塗布液供給管を臨ませ、該高圧ガス導入
管の下端部を塗布液の液面よりも上方に、該塗布
液供給管の下端部を塗布液の液面よりも下方に位
置せしめ、次いで高圧ガス導入管を介して密閉容
器内にヘリウムガス又はネオンガスを導入して密
閉容器内を高圧とし、密閉容器内の圧により塗布
液を供給管を介して被処理体表面に滴下するよう
にしたことを特徴とする塗布液の供給方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118597A JPS6012175A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 塗布液の供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118597A JPS6012175A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 塗布液の供給方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6012175A JPS6012175A (ja) | 1985-01-22 |
| JPH0152065B2 true JPH0152065B2 (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14740511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118597A Granted JPS6012175A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 塗布液の供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012175A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0727150U (ja) * | 1993-10-07 | 1995-05-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | シリカ系被膜形成用塗布液吐出装置 |
| KR100807667B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2008-03-03 | 주식회사 포스코 | 절연코팅용액 공급장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4958775A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-06-07 | ||
| JPS55108741A (en) * | 1979-02-15 | 1980-08-21 | Pioneer Electronic Corp | Resist coating device |
| JPS56106451U (ja) * | 1980-01-16 | 1981-08-19 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58118597A patent/JPS6012175A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6012175A (ja) | 1985-01-22 |
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