JPH0152814B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0152814B2 JPH0152814B2 JP56045393A JP4539381A JPH0152814B2 JP H0152814 B2 JPH0152814 B2 JP H0152814B2 JP 56045393 A JP56045393 A JP 56045393A JP 4539381 A JP4539381 A JP 4539381A JP H0152814 B2 JPH0152814 B2 JP H0152814B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- polyethylene terephthalate
- cla
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
Landscapes
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高密度磁気記録用媒体に関するもので
ある。更に詳しくは、雑音レベルが少なく、かつ
データ読取りにおける信号対雑音比の良い、特に
高密度記録での再生時のノイズレベルの少ない、
薄膜磁気記録媒体に係るものである。
ある。更に詳しくは、雑音レベルが少なく、かつ
データ読取りにおける信号対雑音比の良い、特に
高密度記録での再生時のノイズレベルの少ない、
薄膜磁気記録媒体に係るものである。
現用の磁気記録における普通の記録媒体は、適
当な基材例えば厚さ数μｍ〜数10μｍの可撓性高
分子フイルム（ポリエステルフイルム等）の表面
上にγ−Fe2O3、Co−ドープ処理されたγ−
Fe2O3，CrO2又はFe等の強磁性粉末が有機結合
剤の中に分散したものを数μｍから約10μｍ程度
までの厚さとなるように塗布して磁気記録層を形
成せしめた積層体である。
当な基材例えば厚さ数μｍ〜数10μｍの可撓性高
分子フイルム（ポリエステルフイルム等）の表面
上にγ−Fe2O3、Co−ドープ処理されたγ−
Fe2O3，CrO2又はFe等の強磁性粉末が有機結合
剤の中に分散したものを数μｍから約10μｍ程度
までの厚さとなるように塗布して磁気記録層を形
成せしめた積層体である。
磁気記録技術に要求される改良として、所定面
積当りの記録密度を増加させることが要求されて
いる。デイスク、ドラムまたはテープの記録装置
に使用される磁気メモリー素子において、記録密
度の限界は、保磁界に対する減磁界の比率によつ
てきまる。また減磁界の強さは記録媒体層の飽和
磁化および厚さに関係している。そして、信号対
雑音比の許容水準達成のためには、充分な出力信
号を得ることのできる薄い記録媒体層を得ること
が必要である。記録媒体のＢ−Ｈカーブの飽和磁
束密度および角形比が高くなるにつれて達成が容
易となる。かかる意味において本発明の目的は、
高い保磁力を有し、角形比の良いヒステリシスル
ープをもち、かつ記録媒体層が薄く、しかも高い
残留磁気モーメントを有する磁気記録媒体を提供
しようとするもので、とりわけ雑音レベルが低
く、かつデータ読取時の信号対雑音比が良く、特
に高密度記録での再生時のノイズレベルの少ない
金属薄膜磁気記録媒体を提供しようとするもので
ある。
積当りの記録密度を増加させることが要求されて
いる。デイスク、ドラムまたはテープの記録装置
に使用される磁気メモリー素子において、記録密
度の限界は、保磁界に対する減磁界の比率によつ
てきまる。また減磁界の強さは記録媒体層の飽和
磁化および厚さに関係している。そして、信号対
雑音比の許容水準達成のためには、充分な出力信
号を得ることのできる薄い記録媒体層を得ること
が必要である。記録媒体のＢ−Ｈカーブの飽和磁
束密度および角形比が高くなるにつれて達成が容
易となる。かかる意味において本発明の目的は、
高い保磁力を有し、角形比の良いヒステリシスル
ープをもち、かつ記録媒体層が薄く、しかも高い
残留磁気モーメントを有する磁気記録媒体を提供
しようとするもので、とりわけ雑音レベルが低
く、かつデータ読取時の信号対雑音比が良く、特
に高密度記録での再生時のノイズレベルの少ない
金属薄膜磁気記録媒体を提供しようとするもので
ある。
近年高密度磁気記録用媒体として、バインダー
を用いず、磁気記録層として金属薄膜を真空蒸着
やスパツタリングの如き真空沈着法又はメツキ法
によつて非磁性支持体上に形成して、この強磁性
金属を薄膜磁気記録材としたものが提案されてい
る。例えばCoの蒸着テープ（特開昭54−147010
号公報）、Co−Cr合金からなる垂直磁化膜（特開
昭52−134706号公報）等が開示されている。この
ような蒸着、スパツタ又はイオンプレーテイング
等の薄膜形成手段によつて形成される金属薄膜
は、厚みが1.5μｍ以下で、磁性層の厚みが3μｍ以
上である従来の塗布型記録媒体と同等の性能が得
られる。ところで静的特性である保磁力Hc、ま
たはヒステリシスループの角形比ような磁気特性
は、用いられる非磁性支持体の表面状態にあまり
依存しないと考えられる。このような考えによつ
たものの例として米国特許3787327号明細書に開
示されたような真空蒸着によるCo−Crの多層構
造の例が挙げられる。しかしながら形成される金
属薄膜厚さが薄く、非磁性支持体の表面状態（表
面凹凸）がそのまま磁性膜の凹凸として発現し、
それが雑音の原因となることが欠点とされてい
た。
を用いず、磁気記録層として金属薄膜を真空蒸着
やスパツタリングの如き真空沈着法又はメツキ法
によつて非磁性支持体上に形成して、この強磁性
金属を薄膜磁気記録材としたものが提案されてい
る。例えばCoの蒸着テープ（特開昭54−147010
号公報）、Co−Cr合金からなる垂直磁化膜（特開
昭52−134706号公報）等が開示されている。この
ような蒸着、スパツタ又はイオンプレーテイング
等の薄膜形成手段によつて形成される金属薄膜
は、厚みが1.5μｍ以下で、磁性層の厚みが3μｍ以
上である従来の塗布型記録媒体と同等の性能が得
られる。ところで静的特性である保磁力Hc、ま
たはヒステリシスループの角形比ような磁気特性
は、用いられる非磁性支持体の表面状態にあまり
依存しないと考えられる。このような考えによつ
たものの例として米国特許3787327号明細書に開
示されたような真空蒸着によるCo−Crの多層構
造の例が挙げられる。しかしながら形成される金
属薄膜厚さが薄く、非磁性支持体の表面状態（表
面凹凸）がそのまま磁性膜の凹凸として発現し、
それが雑音の原因となることが欠点とされてい
た。
雑音の観点からは、非磁性支持体の表面状態が
出来るだけ平滑であることが好ましい。一方フイ
ルム巻取、巻出しといつたハンドリングの観点か
ら、フイルム表面が平滑であると、フイルム−フ
イルム相互の滑り性が悪くブロツキング現象が発
生し、製品にはなり得ず、ベースフイルム表面が
粗であることが要求される。
出来るだけ平滑であることが好ましい。一方フイ
ルム巻取、巻出しといつたハンドリングの観点か
ら、フイルム表面が平滑であると、フイルム−フ
イルム相互の滑り性が悪くブロツキング現象が発
生し、製品にはなり得ず、ベースフイルム表面が
粗であることが要求される。
電磁変換特性という観点からは非磁性支持体の
表面が平滑であることが要求され、ハンドリング
性、走行性の観点からは粗であることが要求され
る。これら両者の二律相反する性質を同時に満足
する非磁性支持体からなる磁気記録媒体について
鋭意検討した結果本発明に到達したものである。
表面が平滑であることが要求され、ハンドリング
性、走行性の観点からは粗であることが要求され
る。これら両者の二律相反する性質を同時に満足
する非磁性支持体からなる磁気記録媒体について
鋭意検討した結果本発明に到達したものである。
すなわち本発明は、配向ポリエチレンテレフタ
レートフイルムであつて、当該フイルムの表面粗
さ〔CLA（単位・μｍ）〕及び突起物の突起高さ
〔ｈ（単位・μｍ）〕の個数〔単位：個／mm2〕が以
下の式 CLA＜0.005 −(1) 0.27＜ｈ ≦0.54…0.2個／mm2以下 −(2) で示される範囲に有り、当該フイルムの他の片面
には水または溶剤系に滑剤を分散せしめた溶液を
塗布して易滑性塗膜を設けてなる表裏異面フイル
ムであつて、該塗膜の設けていない表面に強磁性
体金属を真空沈着又はメツキしてなる、非磁性配
向ポリエチレンテレフタレートフイルム支持体上
に磁気薄膜を担持した、磁気記録媒体である。
レートフイルムであつて、当該フイルムの表面粗
さ〔CLA（単位・μｍ）〕及び突起物の突起高さ
〔ｈ（単位・μｍ）〕の個数〔単位：個／mm2〕が以
下の式 CLA＜0.005 −(1) 0.27＜ｈ ≦0.54…0.2個／mm2以下 −(2) で示される範囲に有り、当該フイルムの他の片面
には水または溶剤系に滑剤を分散せしめた溶液を
塗布して易滑性塗膜を設けてなる表裏異面フイル
ムであつて、該塗膜の設けていない表面に強磁性
体金属を真空沈着又はメツキしてなる、非磁性配
向ポリエチレンテレフタレートフイルム支持体上
に磁気薄膜を担持した、磁気記録媒体である。
本発明にいうポリエチレンテレフタレートはポ
リエチレンテレフタレートホモポリマーのみなら
ず、繰り返し単位の数の85％以上がエチレンテレ
フタレート単位よりなり、残りが他の酸またはグ
リコール成分であるような共重合ポリエチレンテ
レフタレートを含む。
リエチレンテレフタレートホモポリマーのみなら
ず、繰り返し単位の数の85％以上がエチレンテレ
フタレート単位よりなり、残りが他の酸またはグ
リコール成分であるような共重合ポリエチレンテ
レフタレートを含む。
磁性薄膜形成の手段は従来公知のすべての方法
が用いられるが、殊に真空蒸着法、イオンプレー
テイング法、スパツタ法、無電解メツキ法が好ま
しく使用できる。
が用いられるが、殊に真空蒸着法、イオンプレー
テイング法、スパツタ法、無電解メツキ法が好ま
しく使用できる。
真空蒸着法の場合には、10-4〜10-6Torrの真
空下でタングステンボートやアルミナハース中の
蒸着金属を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加
熱等により蒸発させ、上記支持体上に沈着せしめ
る。蒸着金属としてはFe、Ni、Co及びそれらの
合金が通常用いられる。また、本発明には、O2
雰囲気中でFeを蒸着させ酸化鉄薄膜を得る反応
蒸着法も適用できる。イオンプレーテイング法で
は、10-4〜10-3Torrの不活性ガスを主成分とす
る雰囲気中でDCグロー放電、RFグロー放電を起
し、該放電中で金属を蒸発さす。不活性ガスとし
ては通常Arが用いられる。スパツタ法では10-3
〜10-1TorrのArを主成分とする雰囲気中でグロ
ー放電を起し、生じたArイオンでターゲツト表
面の原子をたたき出す。グロー放電を起す方法と
して直流２極、３極スパツタ法及び高周波スパツ
タ法がある。又、マグネトロン放電を利用したマ
グネトロンスパツタ法もある。無電解メツキ法で
はCo−Ｐ、Co−Ni−Ｐメツキ膜がある。
空下でタングステンボートやアルミナハース中の
蒸着金属を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加
熱等により蒸発させ、上記支持体上に沈着せしめ
る。蒸着金属としてはFe、Ni、Co及びそれらの
合金が通常用いられる。また、本発明には、O2
雰囲気中でFeを蒸着させ酸化鉄薄膜を得る反応
蒸着法も適用できる。イオンプレーテイング法で
は、10-4〜10-3Torrの不活性ガスを主成分とす
る雰囲気中でDCグロー放電、RFグロー放電を起
し、該放電中で金属を蒸発さす。不活性ガスとし
ては通常Arが用いられる。スパツタ法では10-3
〜10-1TorrのArを主成分とする雰囲気中でグロ
ー放電を起し、生じたArイオンでターゲツト表
面の原子をたたき出す。グロー放電を起す方法と
して直流２極、３極スパツタ法及び高周波スパツ
タ法がある。又、マグネトロン放電を利用したマ
グネトロンスパツタ法もある。無電解メツキ法で
はCo−Ｐ、Co−Ni−Ｐメツキ膜がある。
本発明による磁気薄膜の厚さは高密度磁気記録
媒体として充分な信号出力を提供するものでなけ
ればならない。従つて磁気薄膜の厚さは薄膜形成
法、用途によつて異なるが、一般に0.02〜1.5μｍ
（200〜15000Å）の間にあることが好ましい。
媒体として充分な信号出力を提供するものでなけ
ればならない。従つて磁気薄膜の厚さは薄膜形成
法、用途によつて異なるが、一般に0.02〜1.5μｍ
（200〜15000Å）の間にあることが好ましい。
オーデイオ、ビデオ、コンピユーター等の長手
記録用磁気薄膜の形成法としては、蒸着（熱蒸
着、電子ビーム蒸着等）、スパツタリング（２極
直流スパツタリンング、高周波スパツタリング
等）等の方法が挙げられる。蒸着の場合磁化容易
軸をテープ水平方向に発現するようCo等の強磁
性体金属を非磁性配向ポリエチレンテレフタレー
ト支持体に対し連続的に斜方蒸着を行い、繰り返
し積層することで、結晶磁気異方性、形状異方性
をテープ水平方向に発現させるものである。従つ
てトータルとしての金属薄膜厚さは、0.02〜0.5μ
ｍ（200〜5000Å）程度であることが良い。また、
上述の如きオーデイオ、ビデオ、コンピユーター
等の長手記録用の他に、高密度デジタル記録が可
能な方法としてPCM、フレキシブルデイスク用
に、磁化容易軸を非磁性配向ポリエチレンテレフ
タレート支持体の垂直方向に発現するよう、例え
ばCoにCrを適当量混入（10〜20％）して、発生
する減磁界を抑えて垂直方向に磁化容易軸を発現
させ、基盤面に対し垂直方向に記録を行う垂直磁
気記録法も適用できる。
記録用磁気薄膜の形成法としては、蒸着（熱蒸
着、電子ビーム蒸着等）、スパツタリング（２極
直流スパツタリンング、高周波スパツタリング
等）等の方法が挙げられる。蒸着の場合磁化容易
軸をテープ水平方向に発現するようCo等の強磁
性体金属を非磁性配向ポリエチレンテレフタレー
ト支持体に対し連続的に斜方蒸着を行い、繰り返
し積層することで、結晶磁気異方性、形状異方性
をテープ水平方向に発現させるものである。従つ
てトータルとしての金属薄膜厚さは、0.02〜0.5μ
ｍ（200〜5000Å）程度であることが良い。また、
上述の如きオーデイオ、ビデオ、コンピユーター
等の長手記録用の他に、高密度デジタル記録が可
能な方法としてPCM、フレキシブルデイスク用
に、磁化容易軸を非磁性配向ポリエチレンテレフ
タレート支持体の垂直方向に発現するよう、例え
ばCoにCrを適当量混入（10〜20％）して、発生
する減磁界を抑えて垂直方向に磁化容易軸を発現
させ、基盤面に対し垂直方向に記録を行う垂直磁
気記録法も適用できる。
通常スパツタ法で0.2〜1.5μ厚みのCo〜Cr合金
が用いられる。この時非磁性配向ポリエチレンテ
レフタレート支持体と、垂直方向に磁化容易軸を
有する磁気記録層の間にパーアロイ（Fe−Ni）、
スーパーアロイ等の高透磁率材料からなる磁束集
束体薄膜を配することができる。磁束集束体とし
ての高透磁率材料はスパツタリングによつて形成
され、膜厚は0.1〜1μｍ（1000〜10000Å）の低保
磁力（500e以下薄膜層である。このときの磁気記
録層のCo−Cr膜厚は、0.2〜1.5μｍ（2000〜15000
Å）程度に形成するとよい。
が用いられる。この時非磁性配向ポリエチレンテ
レフタレート支持体と、垂直方向に磁化容易軸を
有する磁気記録層の間にパーアロイ（Fe−Ni）、
スーパーアロイ等の高透磁率材料からなる磁束集
束体薄膜を配することができる。磁束集束体とし
ての高透磁率材料はスパツタリングによつて形成
され、膜厚は0.1〜1μｍ（1000〜10000Å）の低保
磁力（500e以下薄膜層である。このときの磁気記
録層のCo−Cr膜厚は、0.2〜1.5μｍ（2000〜15000
Å）程度に形成するとよい。
このように蒸着、スパツター等の手段で形成さ
れる金属薄膜厚さは最大1.5μｍと薄く、非磁性配
向ポリエチレンテレフタレート支持体の表面状態
がそのまま磁性膜の凹凸として発現し、雑音の原
因となる。雑音の観点から非磁性配向ポリエチレ
ンテレフタレート支持体の表面が平滑であること
が好ましく、当該配向ポリエチレンテレフタレー
ト支持体の平均的表面粗さCLA（単位・μｍ）が
0.005μｍ以下で同時に突起物の突起高さ〔ｈ（単
位・μｍ）〕0.27＜ｈ≦0.54の個数が0.2個／mm2以
下あれば金属薄膜磁気記録媒体とした時の雑音が
飛躍的に減少し、ノイズレベルは格段に優れる。
平均的表面粗さCLAは好ましくは0.004μｍ以下で
あることがよく、突起物の突起高さ0.27＜ｈ≦
0.54の個数は、実質的に０個／mm2であることが良
い。CLAの下限は特に限定されないが通常0.003μ
程度である。
れる金属薄膜厚さは最大1.5μｍと薄く、非磁性配
向ポリエチレンテレフタレート支持体の表面状態
がそのまま磁性膜の凹凸として発現し、雑音の原
因となる。雑音の観点から非磁性配向ポリエチレ
ンテレフタレート支持体の表面が平滑であること
が好ましく、当該配向ポリエチレンテレフタレー
ト支持体の平均的表面粗さCLA（単位・μｍ）が
0.005μｍ以下で同時に突起物の突起高さ〔ｈ（単
位・μｍ）〕0.27＜ｈ≦0.54の個数が0.2個／mm2以
下あれば金属薄膜磁気記録媒体とした時の雑音が
飛躍的に減少し、ノイズレベルは格段に優れる。
平均的表面粗さCLAは好ましくは0.004μｍ以下で
あることがよく、突起物の突起高さ0.27＜ｈ≦
0.54の個数は、実質的に０個／mm2であることが良
い。CLAの下限は特に限定されないが通常0.003μ
程度である。
かかるフイルム表面特性を付与するためには、
例えばフイルム原料に用いる高分子中に不活性無
機化合物を添加したり、不溶性触媒残渣を生成せ
しめたり、機械的、化学的な粗面化処理を施す等
の方法があるが、最も好ましくは、光学的にフラ
ツトな表面を形成するポリエチレンテレフタレー
ト単独が良い。
例えばフイルム原料に用いる高分子中に不活性無
機化合物を添加したり、不溶性触媒残渣を生成せ
しめたり、機械的、化学的な粗面化処理を施す等
の方法があるが、最も好ましくは、光学的にフラ
ツトな表面を形成するポリエチレンテレフタレー
ト単独が良い。
不活性無機化合物とは、熱可塑性樹脂に対し不
溶性であり、かつ反応しない物質が含まれる。配
合される物質として、例えばMgO、ZnO、
MgCo3、CaCO3、CaSO4、BaSO4、Al2O3、
SiO2、TiO2、例えば代表例としてシリカ、カオ
リン、陶土、珪藻土、炭酸カルシウム、アルミノ
珪酸塩およびその水和物、テレフタール酸カルシ
ウム、その他カーボンブラツク、燐酸カルシウム
等が挙げられる。
溶性であり、かつ反応しない物質が含まれる。配
合される物質として、例えばMgO、ZnO、
MgCo3、CaCO3、CaSO4、BaSO4、Al2O3、
SiO2、TiO2、例えば代表例としてシリカ、カオ
リン、陶土、珪藻土、炭酸カルシウム、アルミノ
珪酸塩およびその水和物、テレフタール酸カルシ
ウム、その他カーボンブラツク、燐酸カルシウム
等が挙げられる。
所望とする表面特性は、添加する不活性化合物
の粒度、添加量、製膜条件を適宜組合せることで
得ることができる。粒度は、添加剤の粉砕および
混合操作を含むこの分野に精通した人々により行
うことのできる種々の方法で得ることができる。
例えば炭酸カルシウムの場合は、エチレングリコ
ールのスラリーとして、分級装置（例えば巴工業
社製Ｐ−660スーパーデカンター）等を用いて分
級すると得られる。テレフタール酸カルシウムの
場合は、せん断、圧縮、衝撃等の荷重を加えるこ
とにより適当な大きさの塊状粒子を得、分級する
ことによつて得られる。燐酸カルシウムの場合
は、市販の燐酸塩の分散液を調製し、サンド・ミ
ル中で分散燐酸塩を粉砕する。分散液は粉砕操作
を一回、又はそれ以上の回数反復してスラリー中
の添加剤の粒度を所望の粒度まで下げることによ
り得ることができる。
の粒度、添加量、製膜条件を適宜組合せることで
得ることができる。粒度は、添加剤の粉砕および
混合操作を含むこの分野に精通した人々により行
うことのできる種々の方法で得ることができる。
例えば炭酸カルシウムの場合は、エチレングリコ
ールのスラリーとして、分級装置（例えば巴工業
社製Ｐ−660スーパーデカンター）等を用いて分
級すると得られる。テレフタール酸カルシウムの
場合は、せん断、圧縮、衝撃等の荷重を加えるこ
とにより適当な大きさの塊状粒子を得、分級する
ことによつて得られる。燐酸カルシウムの場合
は、市販の燐酸塩の分散液を調製し、サンド・ミ
ル中で分散燐酸塩を粉砕する。分散液は粉砕操作
を一回、又はそれ以上の回数反復してスラリー中
の添加剤の粒度を所望の粒度まで下げることによ
り得ることができる。
不活性無機化合物の添加量は、粒径分布に依存
し、一義的に決められないが、通常0.01〜1wt％
が良い。
し、一義的に決められないが、通常0.01〜1wt％
が良い。
不活性無機化合物の粒径分布の好ましい範囲
は、粒径〔ｄ（単位・μｍ）〕比率が以下の式 ｄ＞0.5…… 0％ 1.5≧ｄ＞0.5…… 0〜 5％ 0.5≧ｄ＞0.2……20〜50％ 0.2≧ｄ……45〜80％ で示される範囲にあることが好ましい。
は、粒径〔ｄ（単位・μｍ）〕比率が以下の式 ｄ＞0.5…… 0％ 1.5≧ｄ＞0.5…… 0〜 5％ 0.5≧ｄ＞0.2……20〜50％ 0.2≧ｄ……45〜80％ で示される範囲にあることが好ましい。
不溶性触媒残渣は、例えばポリエステルにおい
てエステル交換触媒と安定剤との適当量の組合せ
によつて不溶性触媒残渣を形成し、ポリエステル
フイルム表面に凹凸を形成し、表面特性を制御す
るものである。
てエステル交換触媒と安定剤との適当量の組合せ
によつて不溶性触媒残渣を形成し、ポリエステル
フイルム表面に凹凸を形成し、表面特性を制御す
るものである。
最も好ましくは、光学的にフラツトな表面を形
成するポリエチレンテレフタレート樹脂を得るこ
とがよく、例えば、 テレフタール酸を主成分とする二官能性カルボ
ン酸の低級アルキルエステルとエチレングリコー
ルを主成分とするグリコール類とを、Mn、Zn、
Ca、Mgの中から選ばれた１種又は２種以上の金
属の化合物、及び下記のグリコール溶液〔Ａ〕 〔Ａ〕：トリ低級アルキルホスフエートをエチレ
ングリコール中で、加熱処理した溶液で
あつて、且つ該溶液を苛性カリで滴定し
た際に該溶液のPHが9.5に達するまでに
要する苛性カリの量が下記式〔〕を満
足する燐化合物のグリコール溶液 0.53≦〔Ｐ〕／〔KOH〕≦0.71 …〔〕 （式中〔Ｐ〕は滴定に供したグリコー
ル溶液中の燐の量（モル）であり、
〔KOH〕は滴定に要した苛性カリの量
（モル）である。） を用いてエステル交換反応せしめ次いで得られた
エステル交換反応生成物を重縮合反応させて得ら
れる。この時安定剤調製時の反応温度が130〜180
℃の範囲でないと生成された配向ポリエチレンテ
レフタレートフイルム中に触媒残渣起因の突起物
が多数存在する傾向がある。このようにして得ら
れたポリエチレンテレフタレート樹脂を単独で用
いるか、又は粒径分布がコントロールされた不活
性無機化合物を前述のポリエチレンテレフタレー
ト樹脂に適当量混入して、樹脂温度260〜320℃、
押出機内滞留時間２〜20分間で溶融押出された固
有粘度〔η〕が0.35〜1.0の未延伸フイルムを、
ポリエチレンテレフタレートの二次転移点（Tg
とあらわす）以上（Tg＋70℃）以下の温度で縦
あるいは横方向に2.5〜5.0倍の延伸倍率で延伸
し、次いで前記延伸方向と直角方向に（前記延伸
方向が縦方向であるならば横方向に）Tg〜（Tg
＋70℃）で2.5〜5.0倍の延伸倍率で延伸する（延
伸はこのような逐次二軸延伸であつてもよく同時
二軸延伸であつても良く、その製造法は特に限定
されない）。場合によつてはさらに縦あるいは横
方向に延伸し、トータルとしての延伸倍率が2.5
〜6.0倍程度になるよう延伸してもよい。
成するポリエチレンテレフタレート樹脂を得るこ
とがよく、例えば、 テレフタール酸を主成分とする二官能性カルボ
ン酸の低級アルキルエステルとエチレングリコー
ルを主成分とするグリコール類とを、Mn、Zn、
Ca、Mgの中から選ばれた１種又は２種以上の金
属の化合物、及び下記のグリコール溶液〔Ａ〕 〔Ａ〕：トリ低級アルキルホスフエートをエチレ
ングリコール中で、加熱処理した溶液で
あつて、且つ該溶液を苛性カリで滴定し
た際に該溶液のPHが9.5に達するまでに
要する苛性カリの量が下記式〔〕を満
足する燐化合物のグリコール溶液 0.53≦〔Ｐ〕／〔KOH〕≦0.71 …〔〕 （式中〔Ｐ〕は滴定に供したグリコー
ル溶液中の燐の量（モル）であり、
〔KOH〕は滴定に要した苛性カリの量
（モル）である。） を用いてエステル交換反応せしめ次いで得られた
エステル交換反応生成物を重縮合反応させて得ら
れる。この時安定剤調製時の反応温度が130〜180
℃の範囲でないと生成された配向ポリエチレンテ
レフタレートフイルム中に触媒残渣起因の突起物
が多数存在する傾向がある。このようにして得ら
れたポリエチレンテレフタレート樹脂を単独で用
いるか、又は粒径分布がコントロールされた不活
性無機化合物を前述のポリエチレンテレフタレー
ト樹脂に適当量混入して、樹脂温度260〜320℃、
押出機内滞留時間２〜20分間で溶融押出された固
有粘度〔η〕が0.35〜1.0の未延伸フイルムを、
ポリエチレンテレフタレートの二次転移点（Tg
とあらわす）以上（Tg＋70℃）以下の温度で縦
あるいは横方向に2.5〜5.0倍の延伸倍率で延伸
し、次いで前記延伸方向と直角方向に（前記延伸
方向が縦方向であるならば横方向に）Tg〜（Tg
＋70℃）で2.5〜5.0倍の延伸倍率で延伸する（延
伸はこのような逐次二軸延伸であつてもよく同時
二軸延伸であつても良く、その製造法は特に限定
されない）。場合によつてはさらに縦あるいは横
方向に延伸し、トータルとしての延伸倍率が2.5
〜6.0倍程度になるよう延伸してもよい。
このようにして得られた二軸配向ポリエチレン
テレフタレートフイルムは（Tg＋70℃）〜融点
以下の温度で１〜100秒間熱固定するのが通例で
ある。
テレフタレートフイルムは（Tg＋70℃）〜融点
以下の温度で１〜100秒間熱固定するのが通例で
ある。
当該配向ポリエチレンテレフタレート支持体の
平均的表面粗さCLA（単位・μｍ）が0.005μｍ以
下であり、同時に突起高さ〔ｈ（単位・μｍ）〕
0.27＜ｈ≦0.54の個数が全く０個／mm2と存在させ
ないスラリー調製法は、不活性物質の種類によつ
ては、工業的には有利に行い難い場合もあるの
で、突起高さ0.27＜ｈ≦0.54の小個数の存在は実
用上排除しなくともよい。
平均的表面粗さCLA（単位・μｍ）が0.005μｍ以
下であり、同時に突起高さ〔ｈ（単位・μｍ）〕
0.27＜ｈ≦0.54の個数が全く０個／mm2と存在させ
ないスラリー調製法は、不活性物質の種類によつ
ては、工業的には有利に行い難い場合もあるの
で、突起高さ0.27＜ｈ≦0.54の小個数の存在は実
用上排除しなくともよい。
かくして得られた配向ポリエチレンテレフタレ
ートフイルムは、フイルム−フイルム相互の滑り
性が悪く、ブロツキング現象が発生し、製品には
なり得ず、滑り性を付与する必要がある。滑り性
を付与するには、水又は溶剤に滑剤を分散せしめ
た溶液を塗布して行なわれる。溶液を塗布して、
滑り性を付与する方法は、従来公知のすべての方
法が用いられる。例えば（滑剤＋高分子系バイン
ダー十界面活性剤）の水系或いは溶剤系溶液をフ
イルム製膜時に塗布する等の方法が用いられる。
ートフイルムは、フイルム−フイルム相互の滑り
性が悪く、ブロツキング現象が発生し、製品には
なり得ず、滑り性を付与する必要がある。滑り性
を付与するには、水又は溶剤に滑剤を分散せしめ
た溶液を塗布して行なわれる。溶液を塗布して、
滑り性を付与する方法は、従来公知のすべての方
法が用いられる。例えば（滑剤＋高分子系バイン
ダー十界面活性剤）の水系或いは溶剤系溶液をフ
イルム製膜時に塗布する等の方法が用いられる。
滑剤としてソルビタン等の有機滑剤、テフロ
ン、ポリエチレン等の有機高分子滑剤：アルミ
ナ、カオリン、シリカ、硫化モリブデン等の無機
滑剤が挙げられる。
ン、ポリエチレン等の有機高分子滑剤：アルミ
ナ、カオリン、シリカ、硫化モリブデン等の無機
滑剤が挙げられる。
高分子系バインダーとして共重合ポリエチレン
テレフタレート、ポリウレタン、ナイロン、メラ
ミン等が挙げられる。
テレフタレート、ポリウレタン、ナイロン、メラ
ミン等が挙げられる。
（滑剤＋高分子系バインダー十界面活性剤）を
水又は溶剤に分散した溶液をフイルム製膜時或い
はフイルム製膜後塗布、乾操して滑り性を付与す
ることができる。この時勿論紫外線吸収剤、帯電
防止剤等を添加することは差しつかえない。
水又は溶剤に分散した溶液をフイルム製膜時或い
はフイルム製膜後塗布、乾操して滑り性を付与す
ることができる。この時勿論紫外線吸収剤、帯電
防止剤等を添加することは差しつかえない。
以下に、不活性無機化合物の粒径構成比、その
測定法及びフイルム表面物性の測定法を示す。
測定法及びフイルム表面物性の測定法を示す。
１ 不活性物質の粒径構成比
島津遠心沈降式粒度分布測定装置CP−50を用
いてストークス（Stokes）の式 Ｔ＝18ηh／Ｇ（ρp−ρp）×d2 但し、式中Ｔ：沈降時間（sec） η：媒質の粘度（g/cm・sec＝
poise） ｈ：沈降距離（cm） Ｇ：重力の加速度（980cm/sec2） ρp：不活性物質の密度（g/cm2） ρp：媒質の密度（g/cm2） ｄ：不活性物質の粒径（直径・cm） を用いて夫々の粒径に相当する沈降時間を算出
し、夫々の粒径の範囲に相当する沈降時間範囲を
求め、その沈降時間範囲内での不活性物質の重量
を求めて全不活性物質重量に対する割合を％で表
わし構成比とする。
いてストークス（Stokes）の式 Ｔ＝18ηh／Ｇ（ρp−ρp）×d2 但し、式中Ｔ：沈降時間（sec） η：媒質の粘度（g/cm・sec＝
poise） ｈ：沈降距離（cm） Ｇ：重力の加速度（980cm/sec2） ρp：不活性物質の密度（g/cm2） ρp：媒質の密度（g/cm2） ｄ：不活性物質の粒径（直径・cm） を用いて夫々の粒径に相当する沈降時間を算出
し、夫々の粒径の範囲に相当する沈降時間範囲を
求め、その沈降時間範囲内での不活性物質の重量
を求めて全不活性物質重量に対する割合を％で表
わし構成比とする。
２ CLA〔センター・ライン・アベレツジ
（Center Line Average・中心線平均粗さ）〕
JIS Ｂ 0601に準じ、東京精密社(株)製の触針式
表面粗さ計（SURFCOM 3B）を使用して、
針の半径2μｍ、荷重0.07ｇの条件下にチヤート
をかかせ、フイルム表面粗さ曲線からその中心
線の方向に測定長さＬの部分を抜き取り、この
抜き取り部分の中心線をＸ軸、縦倍率の方向を
Ｙ軸として、粗さ曲線をＹ＝ｆ（ｘ）で表わし
た時、次の式で与えられた値をμｍ単位で表わ
す。
（Center Line Average・中心線平均粗さ）〕
JIS Ｂ 0601に準じ、東京精密社(株)製の触針式
表面粗さ計（SURFCOM 3B）を使用して、
針の半径2μｍ、荷重0.07ｇの条件下にチヤート
をかかせ、フイルム表面粗さ曲線からその中心
線の方向に測定長さＬの部分を抜き取り、この
抜き取り部分の中心線をＸ軸、縦倍率の方向を
Ｙ軸として、粗さ曲線をＹ＝ｆ（ｘ）で表わし
た時、次の式で与えられた値をμｍ単位で表わ
す。
RCLA＝１／Ｌ∫L O｜ｆ（ｘ）｜dx
この測定は基準長を0.25mmとして８個測定
し、値の大きい方から３個除いた５個の平均値
で表わす。
し、値の大きい方から３個除いた５個の平均値
で表わす。
３ 表面突起数
表面を観察せんとするフイルム表面に400〜500
Å乃至それ以下の厚みにアルミニウムを均一に真
空蒸着し、反対の非蒸着面（フイルム面）にコロ
ジオン貼付けし、乾燥して後、可視単色光多重干
渉反射式顕微鏡（例えば、Carl Zeiss JENA社
製）を用い100倍で任意の100ヵ所以上を撮り、各
写真中の突起物の突起高さに対応する突起数を求
め１mm2当りに換算する。この時写真１枚の視野は
0.155mm2である。
Å乃至それ以下の厚みにアルミニウムを均一に真
空蒸着し、反対の非蒸着面（フイルム面）にコロ
ジオン貼付けし、乾燥して後、可視単色光多重干
渉反射式顕微鏡（例えば、Carl Zeiss JENA社
製）を用い100倍で任意の100ヵ所以上を撮り、各
写真中の突起物の突起高さに対応する突起数を求
め１mm2当りに換算する。この時写真１枚の視野は
0.155mm2である。
以下に実施例で説明するが、如何なる理由でも
これらの方法に限定されるものではない。
これらの方法に限定されるものではない。
実施例１〜４；比較例１〜３
実施例１〜４はジメチルテレフタレート100部
及びエチレングリコール70部に触媒として酢酸亜
鉛0.023部（0.020モル％対ジメチルテレフタレー
ト）を加え、150〜240℃で４時間メタノールを留
去しつつエステル交換反応を行つた。
及びエチレングリコール70部に触媒として酢酸亜
鉛0.023部（0.020モル％対ジメチルテレフタレー
ト）を加え、150〜240℃で４時間メタノールを留
去しつつエステル交換反応を行つた。
次いで表−１に示す方法で調製した安定剤（燐
化合物のグリコール溶液）を一旦常温まで冷却後
トリメチルホスフエート換算で0.014部添加した
後、重縮合触媒として0.04部の三酸化アンチモン
を添加し、さらに表−１に記載した粒径および構
成比を有する所定の不活性物質を所定量（表−１
参照、但し実施例１〜３は添加剤なし）添加し
て、１mmHg以下の高真空で４時間重縮合反応を
行ない、表１に示す〔η〕＝0.65（ｏ−クロロフエ
ノール溶媒、25℃測定）のポリエチレンテレフタ
レートを得た。
化合物のグリコール溶液）を一旦常温まで冷却後
トリメチルホスフエート換算で0.014部添加した
後、重縮合触媒として0.04部の三酸化アンチモン
を添加し、さらに表−１に記載した粒径および構
成比を有する所定の不活性物質を所定量（表−１
参照、但し実施例１〜３は添加剤なし）添加し
て、１mmHg以下の高真空で４時間重縮合反応を
行ない、表１に示す〔η〕＝0.65（ｏ−クロロフエ
ノール溶媒、25℃測定）のポリエチレンテレフタ
レートを得た。
比較例１〜３は、ジメチルテレフタレートに対
し、触媒として酢酸亜鉛40ミリモル％、三酸化ア
ンチモン20ミリモル％、亜リン酸40ミリモル％を
加えてエステル交換反応させ、次いで表１に記載
した粒径および構成比を有する所定の不活性物質
を所定量（表１参照、但し比較例１は添加剤な
し）添加して重縮合反応させ、〔η〕0.65のポリ
エチレンテレフタレートを得た。
し、触媒として酢酸亜鉛40ミリモル％、三酸化ア
ンチモン20ミリモル％、亜リン酸40ミリモル％を
加えてエステル交換反応させ、次いで表１に記載
した粒径および構成比を有する所定の不活性物質
を所定量（表１参照、但し比較例１は添加剤な
し）添加して重縮合反応させ、〔η〕0.65のポリ
エチレンテレフタレートを得た。
実施例１〜４、比較例１〜３で得たポリエチレ
ンテレフタレートを160℃で乾燥し、290℃で溶融
押出し、40℃に保持したキヤステイングドラム上
に急冷固化せしめて、厚さ130μｍの未延伸フイ
ルムを得た。
ンテレフタレートを160℃で乾燥し、290℃で溶融
押出し、40℃に保持したキヤステイングドラム上
に急冷固化せしめて、厚さ130μｍの未延伸フイ
ルムを得た。
該未延伸フイルムを縦延伸温度90℃、縦延伸倍
率3.5倍、横延伸温度129℃、横延伸倍率3.8倍で
逐次二軸延伸し、以下の組成の塗液 塗液の組成：ポリシロキサン 45重量％ アミノシラン 40 〃 MoS2 ５ 〃 界面活性剤 10 〃 からなる組成物の１％水溶液。
率3.5倍、横延伸温度129℃、横延伸倍率3.8倍で
逐次二軸延伸し、以下の組成の塗液 塗液の組成：ポリシロキサン 45重量％ アミノシラン 40 〃 MoS2 ５ 〃 界面活性剤 10 〃 からなる組成物の１％水溶液。
を塗布して後、205℃で10秒間熱固定して、厚さ
10μのフイルムを得た。
10μのフイルムを得た。
かくして得られたフイルムの滑り性は良好でブ
ロツキングも発生せず良好に巻き取れた。
ロツキングも発生せず良好に巻き取れた。
このようにして得られたフイルムの塗液未塗布
面上に○
面上に○
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 配向ポリエチレンテレフタレートフイルムの
一つの表面の表面粗さ〔CLA（単位・μｍ）〕及
び突起物の突起高さ〔ｈ（単位・μｍ）〕の個数
〔単位：個／mm2〕が以下の式 CLA＜0.005 −(1) 0.27＜ｈ ≦0.54…0.2個／mm2以下 −(2) で示される範囲に有り、該フイルムの他の表面に
滑剤を分散せしめた塗膜が形成されてなる表裏異
面フイルムであつて、塗膜の設けられていないフ
イルム表面に強磁性体金属を真空沈着又はメツキ
してなる、非磁性配向ポリエチレンテレフタレー
トフイルム支持体上に磁気薄膜を担持した、磁気
記録媒体。 ２ 当該フイルム表面粗さCLA及び、突起物の
突起高さｈの個数が以下の式 CLA≦0.004 0.27＜ｈ ≦0.54…０個／mm2 で示される範囲にある特許請求の範囲第１項に記
載の磁気記録媒体。 ３ 当該磁気薄膜の薄膜厚みが1.5μｍ以下である
特許請求の範囲第１又は２項に記載の磁気記録媒
体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56045393A JPS57162123A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Magnetic recording medium |
| EP82102671A EP0061769B1 (en) | 1981-03-30 | 1982-03-30 | Magnetic recording medium |
| DE8282102671T DE3275959D1 (en) | 1981-03-30 | 1982-03-30 | Magnetic recording medium |
| US06/570,435 US4505966A (en) | 1981-03-30 | 1984-01-16 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56045393A JPS57162123A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57162123A JPS57162123A (en) | 1982-10-05 |
| JPH0152814B2 true JPH0152814B2 (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=12718014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56045393A Granted JPS57162123A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57162123A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969419A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-19 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | フエリエライト型ゼオライトの製造方法 |
| JPS6232048A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-12 | 帝人株式会社 | 金属薄膜磁気テープ用ポリエステルフィルム |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5240848B2 (ja) * | 1972-11-20 | 1977-10-14 | ||
| JPS585452B2 (ja) * | 1975-08-28 | 1983-01-31 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPS5939308B2 (ja) * | 1976-01-07 | 1984-09-21 | 東レ株式会社 | 表面の改質されたポリエステルフイルム |
| JPS5341355A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-14 | Toray Ind Inc | Biaxilialy streched polyester film |
| JPS5946256B2 (ja) * | 1976-10-27 | 1984-11-12 | 帝人株式会社 | ポリエステルの製造法 |
| JPS5938898B2 (ja) * | 1977-04-15 | 1984-09-19 | 東レ株式会社 | 表面の改質されたポリエステルフイルム |
| JPS5415979A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-06 | Teijin Ltd | Polyester film |
| JPS5417981A (en) * | 1977-07-11 | 1979-02-09 | Teijin Ltd | Oriented polyester film for photosensive recorder |
| JPS5435267A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Juicer |
| JPS6035267B2 (ja) * | 1978-01-09 | 1985-08-13 | 東レ株式会社 | 表面の改質されたポリエステルフイルム |
| JPS54123923A (en) * | 1978-03-17 | 1979-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
-
1981
- 1981-03-30 JP JP56045393A patent/JPS57162123A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57162123A (en) | 1982-10-05 |
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