JPH056731B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH056731B2 JPH056731B2 JP57167809A JP16780982A JPH056731B2 JP H056731 B2 JPH056731 B2 JP H056731B2 JP 57167809 A JP57167809 A JP 57167809A JP 16780982 A JP16780982 A JP 16780982A JP H056731 B2 JPH056731 B2 JP H056731B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- cobalt
- layer
- plating layer
- nickel alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記憶装置に用いられる磁気デイス
ク等の磁気記憶体にかかる。
ク等の磁気記憶体にかかる。
現在主に用いられている長手記録方式において
は、最近高密度記憶媒体として、記憶媒体がめつ
き法又はスパツタ法により製作された連続磁性薄
膜型のめつき磁気デイスク、フエライトスパツタ
磁気デイスクが用いられ始めた。これらの連続磁
性薄膜を記憶媒体とする磁気デイスクを用いた高
性能磁気デイスク装置が1981年に開発され、線密
度14000BPI、トラツク密度1100TPIの高記録密
度が達成されている。
は、最近高密度記憶媒体として、記憶媒体がめつ
き法又はスパツタ法により製作された連続磁性薄
膜型のめつき磁気デイスク、フエライトスパツタ
磁気デイスクが用いられ始めた。これらの連続磁
性薄膜を記憶媒体とする磁気デイスクを用いた高
性能磁気デイスク装置が1981年に開発され、線密
度14000BPI、トラツク密度1100TPIの高記録密
度が達成されている。
今後、更に高密度化が進む状況にあり、線密度
及びトラツク密度の向上の為の研究開発が活発に
行なわれている。
及びトラツク密度の向上の為の研究開発が活発に
行なわれている。
トラツク密度に関しては、従来からサーボデイ
スクを用いたサーボ面サーボ方式が採用されてい
るが、この方式ではサーボデイスクとデータデイ
スク間の物理的距離及び構造等に基因する温度差
による熱膨張の違いが生じてトラツク密度の増大
の大きな障害になつている。この欠点を除去する
方法として、二層の記憶媒体を有する磁気デイス
クを用いることが報告されている。即ち主に、使
用されているγ−Fe2O3塗布型デイスクにおい
て、下層媒体層にサーボ情報を記録し、上層媒体
層にデータ情報を記録することにより、温度差に
よるトラツク位置ずれを避ける方法である。しか
しながらγ−Fe2O3塗布型デイスクにおいては、
媒体層を薄くすることが困難な為に記録密度を大
巾に増加することは難しく高密度時の媒体Ｓ／Ｎ
が小さいという欠点を有している。
スクを用いたサーボ面サーボ方式が採用されてい
るが、この方式ではサーボデイスクとデータデイ
スク間の物理的距離及び構造等に基因する温度差
による熱膨張の違いが生じてトラツク密度の増大
の大きな障害になつている。この欠点を除去する
方法として、二層の記憶媒体を有する磁気デイス
クを用いることが報告されている。即ち主に、使
用されているγ−Fe2O3塗布型デイスクにおい
て、下層媒体層にサーボ情報を記録し、上層媒体
層にデータ情報を記録することにより、温度差に
よるトラツク位置ずれを避ける方法である。しか
しながらγ−Fe2O3塗布型デイスクにおいては、
媒体層を薄くすることが困難な為に記録密度を大
巾に増加することは難しく高密度時の媒体Ｓ／Ｎ
が小さいという欠点を有している。
一方垂直記録においては、現在コバルト・クロ
ムスパツタ媒体を中心にして研究開発が行なわれ
ているが、リジツドデイスクにおいては線密度が
D50で70000FRPI、（Flux Reversal Per Inch）
の可能性があることが報告されており、又フロツ
ピデイスクではD50で80000FRPI程度の線密度の
可能性があることが報告されている。しかしなが
らこれらの報告で示されたトラツク密度は非常に
小さく、長手記録の現状のトラツク密度
（1100TPI）より大幅に小さい。
ムスパツタ媒体を中心にして研究開発が行なわれ
ているが、リジツドデイスクにおいては線密度が
D50で70000FRPI、（Flux Reversal Per Inch）
の可能性があることが報告されており、又フロツ
ピデイスクではD50で80000FRPI程度の線密度の
可能性があることが報告されている。しかしなが
らこれらの報告で示されたトラツク密度は非常に
小さく、長手記録の現状のトラツク密度
（1100TPI）より大幅に小さい。
本発明の目的は高線密度及び高トラツク密度が
可能でかつ高密度時の媒体Ｓ／Ｎが良好な、デー
タ面サーボ方式を実現させるために、下層のサー
ボ情報媒体にめつき法による長手記録用磁性薄膜
媒体を有し、上層のデータ情報媒体にコバルト・
クロムスパツタ法による垂直記録用磁性媒体を有
する磁気２重層垂直磁気記憶体を提供することに
ある。
可能でかつ高密度時の媒体Ｓ／Ｎが良好な、デー
タ面サーボ方式を実現させるために、下層のサー
ボ情報媒体にめつき法による長手記録用磁性薄膜
媒体を有し、上層のデータ情報媒体にコバルト・
クロムスパツタ法による垂直記録用磁性媒体を有
する磁気２重層垂直磁気記憶体を提供することに
ある。
本発明の下層のサーボ情報媒体に長手記録用磁
性薄膜媒体を用いた理由は、仮に下層に垂直、媒
体を用いた場合には低周波数の記録密度におい
て、正弦波に近いサーボ信号が得られず、多くの
高調波成分を含んでしまい、サーボ信号とデータ
信号を分離することが出来なくなるためである。
性薄膜媒体を用いた理由は、仮に下層に垂直、媒
体を用いた場合には低周波数の記録密度におい
て、正弦波に近いサーボ信号が得られず、多くの
高調波成分を含んでしまい、サーボ信号とデータ
信号を分離することが出来なくなるためである。
本発明による磁気記録体は、非磁性基体と該非
磁性基体を被覆するコバルト合金磁性めつき層
と、このコバルト合金磁性めつき層を被覆する非
磁性合金めつき層と、この非磁性合金めつき層を
被覆するコバルト・クロム層と、このコバルト・
クロム層上に保護膜を被覆してなる多層構造を有
しており、コバルト合金磁性めつき層は長手記録
用記憶媒体であり、コバルト・クロム層は垂直記
録用記憶媒体である。本磁気記憶体において、サ
ーボ用磁性媒体となる下層コバルト合金磁性めつ
き層は水平記録でサーボ情報が記録され、データ
用磁性媒体となる、上層のコバルト・クロム層は
垂直記録でデータ情報が記録される。コバルト・
クロム層は、耐食性を有するために、保護膜層を
薄膜化出来るので、スペーシングを小さく出来、
垂直磁気記録媒体として高線密度を達成出来、下
層のサーボ磁性媒体によりデータ面サーボが可能
なために、高トラツク密度が可能となる。
磁性基体を被覆するコバルト合金磁性めつき層
と、このコバルト合金磁性めつき層を被覆する非
磁性合金めつき層と、この非磁性合金めつき層を
被覆するコバルト・クロム層と、このコバルト・
クロム層上に保護膜を被覆してなる多層構造を有
しており、コバルト合金磁性めつき層は長手記録
用記憶媒体であり、コバルト・クロム層は垂直記
録用記憶媒体である。本磁気記憶体において、サ
ーボ用磁性媒体となる下層コバルト合金磁性めつ
き層は水平記録でサーボ情報が記録され、データ
用磁性媒体となる、上層のコバルト・クロム層は
垂直記録でデータ情報が記録される。コバルト・
クロム層は、耐食性を有するために、保護膜層を
薄膜化出来るので、スペーシングを小さく出来、
垂直磁気記録媒体として高線密度を達成出来、下
層のサーボ磁性媒体によりデータ面サーボが可能
なために、高トラツク密度が可能となる。
以下本発明による磁気記憶体の特徴を実施例に
より説明する。
より説明する。
実施例 １
本発明の一実施例を第１図に示す。
第１図において、アルミニウム素板にメツキさ
れ、研摩された非磁性ニツケル合金の非磁性基板
１の上に膜厚0.1μmのコバルト・ニツケル合金磁
性めつき層２を被覆し、このコバルト・ニツケル
合金磁性めつき層２の上に膜厚0.1μmの非磁性ニ
ツケル合金めつき層３を被覆し、この非磁性ニツ
ケル合金めつき層３の上にスパツター法により膜
厚0.5μmのコバルト・クロム垂直磁性、媒体層４
を被覆し、このコバルト・クロム垂直磁性媒体層
４上に膜厚0.02μmの保護膜層５を形成する。こ
のようにして得られる磁気２重層垂直磁気記憶体
をギヤツプ長の大きいサーボ記録用ヘツドにより
スペーシングの小さい条件でサーボ情報を下層磁
性層２と上層磁性層４に記録し、その後ギヤツプ
長の小さいデータ記録再生用ヘツドによりスペー
シングの大きい条件で、上層磁性層２に記録され
たサーボ情報だけを消去する。その結果、下層磁
性層２に記録されたサーボ情報のみが残り、その
サーボ情報をギヤツプ長の小さいデータヘツドで
再生し、サーボ信号として使用する。この様に磁
気記憶体の上層及び下層磁性層の保磁力、スペー
シング、磁性膜厚、ヘツドギヤツプ長等を適当に
選択することにより、かなりの自由度をもつて設
計が可能である。
れ、研摩された非磁性ニツケル合金の非磁性基板
１の上に膜厚0.1μmのコバルト・ニツケル合金磁
性めつき層２を被覆し、このコバルト・ニツケル
合金磁性めつき層２の上に膜厚0.1μmの非磁性ニ
ツケル合金めつき層３を被覆し、この非磁性ニツ
ケル合金めつき層３の上にスパツター法により膜
厚0.5μmのコバルト・クロム垂直磁性、媒体層４
を被覆し、このコバルト・クロム垂直磁性媒体層
４上に膜厚0.02μmの保護膜層５を形成する。こ
のようにして得られる磁気２重層垂直磁気記憶体
をギヤツプ長の大きいサーボ記録用ヘツドにより
スペーシングの小さい条件でサーボ情報を下層磁
性層２と上層磁性層４に記録し、その後ギヤツプ
長の小さいデータ記録再生用ヘツドによりスペー
シングの大きい条件で、上層磁性層２に記録され
たサーボ情報だけを消去する。その結果、下層磁
性層２に記録されたサーボ情報のみが残り、その
サーボ情報をギヤツプ長の小さいデータヘツドで
再生し、サーボ信号として使用する。この様に磁
気記憶体の上層及び下層磁性層の保磁力、スペー
シング、磁性膜厚、ヘツドギヤツプ長等を適当に
選択することにより、かなりの自由度をもつて設
計が可能である。
上層のコバルト・クロム垂直磁性媒体層４はギ
ヤツプ長の小さいデータヘツドにより高線密度
（70000FRPI）の達成を可能にし、下層のコバル
ト・ニツケル合金磁性めつき層２は高トラツク密
度（1500〜3000TPI）の達成を可能にすることが
出来る。
ヤツプ長の小さいデータヘツドにより高線密度
（70000FRPI）の達成を可能にし、下層のコバル
ト・ニツケル合金磁性めつき層２は高トラツク密
度（1500〜3000TPI）の達成を可能にすることが
出来る。
実施例 ２
第２図は実施例１と同様な２重層磁性膜の構成
であるが、基体が異なる。
であるが、基体が異なる。
即ち、フレキシブルデイスクに適用した場合
で、ポリイミド膜６にパラジウム薄膜７をスパツ
タ法で付与し、そのパラジウム薄膜上に非磁性ニ
ツケル合金８をメツキし、これらを非磁性基体と
して、その上に実施例１と同様な磁気２重層を構
成する。この様にして作製したフレキシブルデイ
スクは線密度80000FRPI（D50）の高密度記録を
可能し、下層コバルト合金メツキ膜のサーボ情報
により高トラツク密度化が可能となる。
で、ポリイミド膜６にパラジウム薄膜７をスパツ
タ法で付与し、そのパラジウム薄膜上に非磁性ニ
ツケル合金８をメツキし、これらを非磁性基体と
して、その上に実施例１と同様な磁気２重層を構
成する。この様にして作製したフレキシブルデイ
スクは線密度80000FRPI（D50）の高密度記録を
可能し、下層コバルト合金メツキ膜のサーボ情報
により高トラツク密度化が可能となる。
第１図は実施例１で用いた磁気２重層垂直磁気
記憶体の断面図である。第１図において、 １……非磁性基板、２……コバルト・ニツケル
合金磁性めつき層、３……非磁性ニツケル合金め
つき層、４……コバルト・クロム垂直磁性媒体
層、５……保護膜層、 第２図は実施例２で用いた磁気２重層垂直磁気
記憶体の断面図である。第２図において、 ６……ポリイミド膜、７……パラジウム膜、８
……非磁性ニツケル合金めつき層。
記憶体の断面図である。第１図において、 １……非磁性基板、２……コバルト・ニツケル
合金磁性めつき層、３……非磁性ニツケル合金め
つき層、４……コバルト・クロム垂直磁性媒体
層、５……保護膜層、 第２図は実施例２で用いた磁気２重層垂直磁気
記憶体の断面図である。第２図において、 ６……ポリイミド膜、７……パラジウム膜、８
……非磁性ニツケル合金めつき層。
Claims (1)
- １ 非磁性基板と、この非磁性基板を被覆するコ
バルト・ニツケル合金磁性めつき層と、このコバ
ルト・ニツケル合金磁性めつき層を被覆する非磁
性ニツケル合金めつき層と、この非磁性ニツケル
合金めつき層を被覆するコバルト・クロム垂直磁
性膜層と、このコバルト・クロム垂直磁性膜層を
被覆する保護膜層とからなり、前記コバルト・ニ
ツケル合金磁性めつき層は、長手記録用記憶媒体
であり、前記コバルト・クロム垂直磁性膜層は垂
直記憶用記憶媒体であることを特徴とする磁気２
重層垂直磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167809A JPS5956217A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁気２重層垂直磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167809A JPS5956217A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁気２重層垂直磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956217A JPS5956217A (ja) | 1984-03-31 |
| JPH056731B2 true JPH056731B2 (ja) | 1993-01-27 |
Family
ID=15856500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167809A Granted JPS5956217A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁気２重層垂直磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956217A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5771518A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-04 | Dainippon Printing Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5774827A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-11 | Dainippon Printing Co Ltd | Magnetic recording body |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57167809A patent/JPS5956217A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5956217A (ja) | 1984-03-31 |
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