JPH0189965U - - Google Patents

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JPH0189965U
JPH0189965U JP18677687U JP18677687U JPH0189965U JP H0189965 U JPH0189965 U JP H0189965U JP 18677687 U JP18677687 U JP 18677687U JP 18677687 U JP18677687 U JP 18677687U JP H0189965 U JPH0189965 U JP H0189965U
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melt
substrate holder
substrate
epitaxial growth
shutter
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Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、この考案の一実施例を示す正面図で
あり、シヤツタの閉じた状態を示している。第２
図は、第１図に示す実施例の側面図である。第３
図は、第１図と同様この考案の一実施例を示す正
面図であり、シヤツタの開いた状態を示している
。 図において、１は基板ホルダ、２はシヤツタ、
３ａ，３ｂは溝、４は基板、５は凹部を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 基板をメルト中にデイツピングし液相エピ
    タキシヤル成長させるため基板を保持してメルト
    中のデイツピングされる基板ホルダであつて、 基板ホルダをメルト中にデイツピングした際自
    重によりも大きな浮力を受けるシヤツタを備え、 基板ホルダがメルト中にデイツピングされてい
    ない際には前記シヤツタにより前記基板面が遮蔽
    されており、基板ホルダがメルト中にデイツピン
    グされている際には前記シヤツタが前記浮力によ
    り上方に移動して開き、基板にメルトが接するよ
    うにされている、液相エピタキシヤル成長用基板
    ホルダ。 (2) 前記メルトがＨｇ―Ｃｄ―Ｔｅ系メルトで
    ある、実用新案登録請求の範囲第１項記載の液晶
    エピタキシヤル成長用基板ホルダ。 (3) 前記シヤツタがカーボンからなる、実用新
    案登録請求の範囲第２項記載の液相エピタキシヤ
    ル成長用基板ホルダ。 (4) 前記シヤツタが石英からなる、実用新案登
    録請求の範囲第２項記載の液相エピタキシヤル成
    長用基板ホルダ。
JP18677687U 1987-12-07 1987-12-07 Expired - Lifetime JPH0523585Y2 (ja)

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JP18677687U JPH0523585Y2 (ja) 1987-12-07 1987-12-07

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JPH0189965U true JPH0189965U (ja) 1989-06-13
JPH0523585Y2 JPH0523585Y2 (ja) 1993-06-16

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