JPH0189966U - - Google Patents

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JPH0189966U
JPH0189966U JP18677787U JP18677787U JPH0189966U JP H0189966 U JPH0189966 U JP H0189966U JP 18677787 U JP18677787 U JP 18677787U JP 18677787 U JP18677787 U JP 18677787U JP H0189966 U JPH0189966 U JP H0189966U
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JP
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substrate
melt
substrate holder
epitaxial growth
liquid phase
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JP18677787U
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  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、この考案の一実施例を示す斜視図で
あり、基板がメルトの液面に対し略垂直になつた
状態を示している。第２図は、この考案の一実施
例を示す斜視図であり、基板がメルトの液面に対
し略水平になつた状態を示している。 図において、１は基板、２は基板保持部、３は
支持部、３ａはストツパ、４は支持棒を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 基板をメルト中にデイツピングし液相エピ
    タキシヤル成長させるため前記基板を保持してメ
    ルト中にデイツピングされる基板ホルダであつて
    、 少なくとも一部の比重がメルトの比重よりも軽
    く、メルト中にデイツピングした際該少なくとも
    一部に浮力を受ける基板保持部と、 前記基板保持部がメルト中にデイツピングされ
    ていない際には前記基板保持部の自重により基板
    がメルトの液面に対して略垂直になり、前記基板
    保持部がメルト中にデイツピングされている際に
    は前記基板保持部が受ける前記浮力により基板が
    メルトの液面に対し略水平になるように、前記基
    板保持部を回動可能に支持する支持部とを備える
    、液相エピタキシヤル成長用基板ホルダ。 (2) 前記メルトがＨｇ―Ｃｄ―Ｔｅ系メルトで
    ある、実用新案登録請求の範囲第１項記載の液相
    エピタキシヤル成長用基板ホルダ。 (3) 前記基板保持部がカーボンからなる、実用
    新案登録請求の範囲第２項記載の液相エピタキシ
    ヤル成長用基板ホルダ。 (4) 前記基板保持部が石英からなる、実用新案
    登録請求の範囲第２項記載の液相エピタキシヤル
    成長用基板ホルダ。
JP18677787U 1987-12-07 1987-12-07 Pending JPH0189966U (ja)

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JP (1) JPH0189966U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11330509A (ja) * 1998-05-07 1999-11-30 Honda Motor Co Ltd Ｃｂｄ成膜装置
JP2006176369A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Kobe Steel Ltd 高圧液相エピタキシャル成長装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11330509A (ja) * 1998-05-07 1999-11-30 Honda Motor Co Ltd Ｃｂｄ成膜装置
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