JPH01151259A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01151259A JPH01151259A JP62310060A JP31006087A JPH01151259A JP H01151259 A JPH01151259 A JP H01151259A JP 62310060 A JP62310060 A JP 62310060A JP 31006087 A JP31006087 A JP 31006087A JP H01151259 A JPH01151259 A JP H01151259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- element fixing
- electrode lead
- thin
- semiconductor element
- fixing part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は特に樹脂封止型半導体装置を薄型化するだめに
、半導体素子固着部の構造に改良を加えた半導体装置に
関する。
、半導体素子固着部の構造に改良を加えた半導体装置に
関する。
低コスト民生機器用として大量使用されている樹脂封止
型半導体装置は、近年高密度化のために小型化、薄型化
が強く要求されている。
型半導体装置は、近年高密度化のために小型化、薄型化
が強く要求されている。
第3図、第4図は、リードフレームを用いて組立てた従
来の樹脂封止型半導体装置の透視して示した断面図およ
び平面図である。半導体素子1は半導体素子固着部2に
接合材により固着されている。半導体素子の電極は半導
体素子固着部2と一体に形成された電極リード3と金線
等により電気的に接続され、該電極リード3は樹脂パッ
ケージ4より外部へ導出されている。
来の樹脂封止型半導体装置の透視して示した断面図およ
び平面図である。半導体素子1は半導体素子固着部2に
接合材により固着されている。半導体素子の電極は半導
体素子固着部2と一体に形成された電極リード3と金線
等により電気的に接続され、該電極リード3は樹脂パッ
ケージ4より外部へ導出されている。
上記半導体装置を薄型化する場合、−船釣には樹脂パッ
ケージ上部厚t2.下部厚t3 e半導体素子固着部を
それぞれ薄くする手段が取られる。
ケージ上部厚t2.下部厚t3 e半導体素子固着部を
それぞれ薄くする手段が取られる。
上記の手段だけでは薄型化が不十分な場合にはさらに半
導体素子固着部厚t、を薄くすることが必要となる。
導体素子固着部厚t、を薄くすることが必要となる。
しかるに、前記半導体素子固着部厚t4を薄くすること
は半導体素子固着部2と一体に形成されている電極リー
ド3を簿くすることになり、電極リードの強度が低下し
リードが変形し易くなるため、製品歩留シの低下又は品
質の低下を招く等の問題があった。
は半導体素子固着部2と一体に形成されている電極リー
ド3を簿くすることになり、電極リードの強度が低下し
リードが変形し易くなるため、製品歩留シの低下又は品
質の低下を招く等の問題があった。
本発明は、上記のような問題点を解消することを目的と
したものである。
したものである。
本発明の半導体装置は、半導体素子固着部が電極リード
の板厚より薄く形成されている。又前記半導体素子固着
部の素子固着面が凹状に電極リードの板厚より薄く形成
されている。
の板厚より薄く形成されている。又前記半導体素子固着
部の素子固着面が凹状に電極リードの板厚より薄く形成
されている。
以下詳細な説明を実施例に基づき行う。
第1図に本発明に係る一実施例を示す。
この実施例においては、半導体素子固着部2の素子固着
面全体をエツチングにより薄くしたものである0例えば
電極リードの板厚が0.15mmで、半導体素子固着部
の厚さをα07菌まで薄くした場合には、その差のα0
8m5+薄く、かつ樹脂パッケージより4より外部へ導
出されている電極リードの強度低下をきたすことのない
半導体装置を提供することが可能である。
面全体をエツチングにより薄くしたものである0例えば
電極リードの板厚が0.15mmで、半導体素子固着部
の厚さをα07菌まで薄くした場合には、その差のα0
8m5+薄く、かつ樹脂パッケージより4より外部へ導
出されている電極リードの強度低下をきたすことのない
半導体装置を提供することが可能である。
第2図は本発明の他の一実施例を示す。
この実施例においては、半導体素子固着部2の素子固着
面外周部に環状の土手5を残し中央部のみをエツチング
により薄くしたものである。該土手を設けたことKより
該半導体素子固着部2の断面2次モーメントを大きくす
ることができるため、中央部の厚さを前記実施例よりも
薄くすることが可能である。例えば電極リードの板厚が
[L15態で半導体素子固着部2の中央部の厚さを(1
05閣まで薄くした場合には、その差α1+mg薄い半
導体装置を提供することが可能である。なお、前記環状
の土手を相対する2方向のみの土手とすることも効果的
である。
面外周部に環状の土手5を残し中央部のみをエツチング
により薄くしたものである。該土手を設けたことKより
該半導体素子固着部2の断面2次モーメントを大きくす
ることができるため、中央部の厚さを前記実施例よりも
薄くすることが可能である。例えば電極リードの板厚が
[L15態で半導体素子固着部2の中央部の厚さを(1
05閣まで薄くした場合には、その差α1+mg薄い半
導体装置を提供することが可能である。なお、前記環状
の土手を相対する2方向のみの土手とすることも効果的
である。
以上の如く、本発明によれば電極リードの強度を低下さ
せることがなく、従って高い歩留りで高品質の薄型化さ
れた半導体装置を提供することが可能である。
せることがなく、従って高い歩留りで高品質の薄型化さ
れた半導体装置を提供することが可能である。
第1図は本発明による一実施例で、半導体装置の断面図
、第2図は本発明による他の一実施例で半導体装置の断
面図、第3図、第4図は、リードフレームを用いて組立
てた従来の半導体装置の透視して示した平面図および断
面図である。 1・・・・・・・・・半導体素子 2・・・・・・・・・半導体素子固着部3・・・・・・
・・・電極リード 4・・・・・・・・・樹脂パッケージ 5・・・・・・・・・環状の土手 第1図 第2図 第3図 笑4じ
、第2図は本発明による他の一実施例で半導体装置の断
面図、第3図、第4図は、リードフレームを用いて組立
てた従来の半導体装置の透視して示した平面図および断
面図である。 1・・・・・・・・・半導体素子 2・・・・・・・・・半導体素子固着部3・・・・・・
・・・電極リード 4・・・・・・・・・樹脂パッケージ 5・・・・・・・・・環状の土手 第1図 第2図 第3図 笑4じ
Claims (2)
- (1)半導体素子固着部と該素子固着部をリードフレー
ム枠に支持する支持リードと半導体素子の電極に接続さ
れた複数の電極リードとを有する半導体装置において、
該素子固着部が前記電極リードの板厚より薄く形成され
ていることを特徴とする半導体装置。 - (2)素子固着部において、素子固着面が凹状に電極リ
ードの板厚より薄く形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62310060A JPH01151259A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62310060A JPH01151259A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01151259A true JPH01151259A (ja) | 1989-06-14 |
Family
ID=18000683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62310060A Pending JPH01151259A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01151259A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184911A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Nippon Inter Electronics Corp | 樹脂封止型電子部品 |
| JP2002198482A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2002353403A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-12-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 超薄型半導体パッケージ及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP62310060A patent/JPH01151259A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184911A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Nippon Inter Electronics Corp | 樹脂封止型電子部品 |
| JP2002198482A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2002353403A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-12-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 超薄型半導体パッケージ及びその製造方法 |
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