JPH0210761A - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法Info
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- JPH0210761A JPH0210761A JP16202688A JP16202688A JPH0210761A JP H0210761 A JPH0210761 A JP H0210761A JP 16202688 A JP16202688 A JP 16202688A JP 16202688 A JP16202688 A JP 16202688A JP H0210761 A JPH0210761 A JP H0210761A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低クロム鉄合金を基材としたリードフレーム
及びその製造方法に関する。
及びその製造方法に関する。
従来、リードフレーム材としては、強度及び熱膨張特性
の面から、Ｆｅ−Ｎｉ４２等の合金が主として使用され
ていた。しかし、この合金は高価であるため、これに代
わる低廉で導電性、熱放散性。
の面から、Ｆｅ−Ｎｉ４２等の合金が主として使用され
ていた。しかし、この合金は高価であるため、これに代
わる低廉で導電性、熱放散性。
防錆性等に優れ、充分な強度をもつ材料が要望されてい
る。たとえば、特開昭５９−９１４９号公報では、この
要求に応えるものとして低クロム鉄合金が提案されてい
る。
る。たとえば、特開昭５９−９１４９号公報では、この
要求に応えるものとして低クロム鉄合金が提案されてい
る。
ところが、この低クロム鉄合金を使用してリードフレー
ムを製造する場合、クロムが酸化してフレーム材の表面
に不働態被膜が形、成される。そのため、インナーリー
ドの先端やパッドに対するメッキ層の密着性が劣化する
。この密着性不良は、半導体組立て工程における・グイ
ボンド、ワイヤボノド時の熱履歴によって、メッキ層に
剥離や膨れ（ブリスタ）等を発生させる原因となる。
ムを製造する場合、クロムが酸化してフレーム材の表面
に不働態被膜が形、成される。そのため、インナーリー
ドの先端やパッドに対するメッキ層の密着性が劣化する
。この密着性不良は、半導体組立て工程における・グイ
ボンド、ワイヤボノド時の熱履歴によって、メッキ層に
剥離や膨れ（ブリスタ）等を発生させる原因となる。
そこで、本発明は、特定された表面処理をフレーム材に
施すことにより、メッキ層の密着性を向上させ、優れた
品質の半導体装置を製造することを可能にしたリードフ
レームを提供することを目的とする。
施すことにより、メッキ層の密着性を向上させ、優れた
品質の半導体装置を製造することを可能にしたリードフ
レームを提供することを目的とする。
本発明のリードフレームは、その目的を達成するために
、低クロム鉄合金を基材としたリードフレーム材と、パ
ッド及びインナーリードの樹脂封止予定領域に施された
ニッケル下地層と、中間層としての銅メッキ層と、前記
インナーリードの先端又はパッド表面の少なくとも何れ
か一方に施された貴金属メッキ層とを備えていることを
特徴とする。
、低クロム鉄合金を基材としたリードフレーム材と、パ
ッド及びインナーリードの樹脂封止予定領域に施された
ニッケル下地層と、中間層としての銅メッキ層と、前記
インナーリードの先端又はパッド表面の少なくとも何れ
か一方に施された貴金属メッキ層とを備えていることを
特徴とする。
また、このリードフレームを製造する方法は、４〜８重
量％のクロムを含有する低クロム鉄合金を所定形状に成
形してリードフレーム材とする工程、該リードフレーム
材のインナーリード及びパッドの樹脂封止予定領域に下
地としてニッケルメッキを施す工程、次いで中間層とし
て銅メッキを施す工程、更にインナーリードの先端又は
パッド表面の少なくとも何れか一方の中間層の上に貴金
属メッキ層を形成する工程からなる。
量％のクロムを含有する低クロム鉄合金を所定形状に成
形してリードフレーム材とする工程、該リードフレーム
材のインナーリード及びパッドの樹脂封止予定領域に下
地としてニッケルメッキを施す工程、次いで中間層とし
て銅メッキを施す工程、更にインナーリードの先端又は
パッド表面の少なくとも何れか一方の中間層の上に貴金
属メッキ層を形成する工程からなる。
以下、本発明に従った表面処理を工程順に示した第１図
を参照しながら、本発明をその作用と共に具体的に説明
する。
を参照しながら、本発明をその作用と共に具体的に説明
する。
リードフレーム材としては、Ｃｒ５．５〜７．０％Ｃ≦
０．０４％、ＳｉＱ、１〜０．２％、 Ｍロ ０．２
〜０．３％５Ｐ≦０．０３％、Ｓ≦０．０２％、残部Ｆ
ｅ等の比較的低廉な低クロム鉄合金を使用する。このフ
レーム材を脱脂、水洗して、表面にある脂や汚れを除去
する。次いで、酸洗及び水洗によって表面の酸化膜を除
去する。このようにして活性化されたフレーム材に対し
て、ニッケルの下地メッキ層を形成した後、水洗し、中
間層としての銅メッキ層を施し、更に水洗し、貴金属メ
ッキ層を形成する。
０．０４％、ＳｉＱ、１〜０．２％、 Ｍロ ０．２
〜０．３％５Ｐ≦０．０３％、Ｓ≦０．０２％、残部Ｆ
ｅ等の比較的低廉な低クロム鉄合金を使用する。このフ
レーム材を脱脂、水洗して、表面にある脂や汚れを除去
する。次いで、酸洗及び水洗によって表面の酸化膜を除
去する。このようにして活性化されたフレーム材に対し
て、ニッケルの下地メッキ層を形成した後、水洗し、中
間層としての銅メッキ層を施し、更に水洗し、貴金属メ
ッキ層を形成する。
ここで、ニッケルメッキ層は、インナーリード及びパッ
ドの樹脂封止予定領域に形成する。たとえば、Ｎｉ Ｃ
ｉ’２００〜３００ ｇ ／ ｊ！、 ＨＣｊ！ １０
０〜１５０ｃｃ／ｌのメッキ液を使用し、電流密度４０
〜９０アンペア／ｄｍ’ で２〜７秒間メッキする。こ
れにより、膜厚０４〜１．０ｍｍのメッキ層が形成され
る。
ドの樹脂封止予定領域に形成する。たとえば、Ｎｉ Ｃ
ｉ’２００〜３００ ｇ ／ ｊ！、 ＨＣｊ！ １０
０〜１５０ｃｃ／ｌのメッキ液を使用し、電流密度４０
〜９０アンペア／ｄｍ’ で２〜７秒間メッキする。こ
れにより、膜厚０４〜１．０ｍｍのメッキ層が形成され
る。
ニッケル、メッキ層が下地として形成されているために
、その上に形成される銅メッキ層の密着性が向上し、半
導体装置製造工程中の熱履歴によってもメッキ面の剥離
や膨れが防止される。また、ニッケルメッキ層は、樹脂
封止領域外のアウターリード部に形成されていない。し
たがって、半導体装置製造工程中の熱履歴によってニッ
ケルメッキ層が酸化されることがなく、ハンダ濡れ性等
の劣化がない。
、その上に形成される銅メッキ層の密着性が向上し、半
導体装置製造工程中の熱履歴によってもメッキ面の剥離
や膨れが防止される。また、ニッケルメッキ層は、樹脂
封止領域外のアウターリード部に形成されていない。し
たがって、半導体装置製造工程中の熱履歴によってニッ
ケルメッキ層が酸化されることがなく、ハンダ濡れ性等
の劣化がない。
また、中間層としての銅メッキ層は、ニッケルメッキ層
に対する銀、金等の貴金属メッキ層の密着性を向上する
ために設けられる。この銅メッキ層は、ニッケルメッキ
層の全面を覆うように、或いはインナーリードの先端及
びパッドの銀又は金メッキ領域と同一寸法で形成しても
良い。
に対する銀、金等の貴金属メッキ層の密着性を向上する
ために設けられる。この銅メッキ層は、ニッケルメッキ
層の全面を覆うように、或いはインナーリードの先端及
びパッドの銀又は金メッキ領域と同一寸法で形成しても
良い。
Ｃｒ ７重量％を含有する低クロム鉄合金を、第２図
に示すように、パッドｌ、インナーリード２及びアウタ
ーリード３をもつ形状に成形した。そして、このパッド
１及びインナーリード２の表面に、次の条件で下地とし
てのニッケルメッキ層を形成した。なお、このニッケル
メッキ層は、第３図の断面図で示すように樹脂封止領域
にあるパッド１及びインナーリード２の表面に設けられ
た。
に示すように、パッドｌ、インナーリード２及びアウタ
ーリード３をもつ形状に成形した。そして、このパッド
１及びインナーリード２の表面に、次の条件で下地とし
てのニッケルメッキ層を形成した。なお、このニッケル
メッキ層は、第３図の断面図で示すように樹脂封止領域
にあるパッド１及びインナーリード２の表面に設けられ
た。
メッキ浴組成 Ｎ ｉ Ｃ１２・６Ｈ２０２００〜３０
０ｇ／１ ＨＣｊ！１００〜１５０ ｃｃ ／ １〃 温度 室
温（２０℃） 電流密度 ４０〜９０ Ａ ／ ｄ ｍ”メッキ時間
２〜７秒 そして、このニッケルメッキ層の上に、膜厚０．２μｍ
の銅メッキ層４を次の条件下で形成した。
０ｇ／１ ＨＣｊ！１００〜１５０ ｃｃ ／ １〃 温度 室
温（２０℃） 電流密度 ４０〜９０ Ａ ／ ｄ ｍ”メッキ時間
２〜７秒 そして、このニッケルメッキ層の上に、膜厚０．２μｍ
の銅メッキ層４を次の条件下で形成した。
メッキ浴組成 ＣｕＣＮ ６０〜８０ｇ／ＩＫＣＮ
１０〜３０ｇ／ｆ 〃 温度 ６０℃ 電流密度 ４〜６Ａ／ｄｍ２ メッキ時間 ６〜１０秒 更に、銅メッキ層４の上に銀メッキ層を形成して、グイ
ボンディングしたところ、メッキ層の間に何らの剥離、
膨れは認められなかった。また、ハンダに対する濡れ性
も充分であり、電気抵抗の低い接続部が得られた。
１０〜３０ｇ／ｆ 〃 温度 ６０℃ 電流密度 ４〜６Ａ／ｄｍ２ メッキ時間 ６〜１０秒 更に、銅メッキ層４の上に銀メッキ層を形成して、グイ
ボンディングしたところ、メッキ層の間に何らの剥離、
膨れは認められなかった。また、ハンダに対する濡れ性
も充分であり、電気抵抗の低い接続部が得られた。
これに対して、ニッケルメッキを省略し、その他は同じ
条件下でメッキすることにより得られたリードフレーム
を使用してグイボンディングしたところ、１０回に６回
の割合でメッキ層に剥離又は膨れが検出された。また、
ニッケルメッキを施したが、銅メッキを省略したものに
あっては、ハンダの濡れ性が悪く、接続不良となる割合
が増加した。
条件下でメッキすることにより得られたリードフレーム
を使用してグイボンディングしたところ、１０回に６回
の割合でメッキ層に剥離又は膨れが検出された。また、
ニッケルメッキを施したが、銅メッキを省略したものに
あっては、ハンダの濡れ性が悪く、接続不良となる割合
が増加した。
以上に説明したように、本発明においては、低クロム鉄
合金に対してニッケルメッキ、銅メッキを施し、その上
に形成された貴金属メッキ層にグイボンディング、ワイ
ヤボンディング等を行っている。このため、酸化被膜等
に起因したメッキ層の密着性低下が見られず、良好な電
気的特性をもってボンディングが行われる。このように
して、本発明によるとき、優れた品質をもつ半導体装置
が低廉な低クロム鉄合金を使用して製造される。
合金に対してニッケルメッキ、銅メッキを施し、その上
に形成された貴金属メッキ層にグイボンディング、ワイ
ヤボンディング等を行っている。このため、酸化被膜等
に起因したメッキ層の密着性低下が見られず、良好な電
気的特性をもってボンディングが行われる。このように
して、本発明によるとき、優れた品質をもつ半導体装置
が低廉な低クロム鉄合金を使用して製造される。
第１図は本発明に従った表面処理を工程順に示した図で
あり、第２図及び第３図は本発明の詳細な説明するため
の図である。
あり、第２図及び第３図は本発明の詳細な説明するため
の図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、低クロム鉄合金を基材としたリードフレーム材と、
パッド及びインナーリードの樹脂封止予定領域に施され
たニッケル下地層と、中間層としての銅メッキ層と、前
記インナーリードの先端又はパッド表面の少なくとも何
れか一方に施された貴金属メッキ層とを備えていること
を特徴とするリードフレーム。 ２、クロムを４〜８重量％含有する低クロム鉄合金を所
定形状に成形してリードフレーム材とし、該リードフレ
ーム材のインナーリード及びパッドの樹脂封止予定領域
に下地としてニッケルメッキを施し、次いで中間層とし
て銅メッキを施し、更にインナーリードの先端又はパッ
ド表面の少なくとも何れか一方の中間層の上に貴金属メ
ッキ層を形成することを特徴とするリードフレームの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16202688A JPH0210761A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | リードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16202688A JPH0210761A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210761A true JPH0210761A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15746662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16202688A Pending JPH0210761A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210761A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04184969A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置リードフレーム材料及びその製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175852A (ja) * | 1983-03-28 | 1983-10-15 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS595653A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-12 | Nippon Steel Corp | 含クロム鋼基材リ−ドフレ−ム |
| JPS599149A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-18 | Daido Steel Co Ltd | リ−ドフレ−ム材料 |
| JPS59219945A (ja) * | 1983-05-28 | 1984-12-11 | Masami Kobayashi | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム |
| JPS62287657A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS6355968A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Mitsui Haitetsuku:Kk | リ−ドフレ−ム |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP16202688A patent/JPH0210761A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS595653A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-12 | Nippon Steel Corp | 含クロム鋼基材リ−ドフレ−ム |
| JPS599149A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-18 | Daido Steel Co Ltd | リ−ドフレ−ム材料 |
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| JPS59219945A (ja) * | 1983-05-28 | 1984-12-11 | Masami Kobayashi | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム |
| JPS62287657A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS6355968A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Mitsui Haitetsuku:Kk | リ−ドフレ−ム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04184969A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置リードフレーム材料及びその製造方法 |
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