JPH02113253A - ポジ型レジスト - Google Patents
ポジ型レジストInfo
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- JPH02113253A JPH02113253A JP63266081A JP26608188A JPH02113253A JP H02113253 A JPH02113253 A JP H02113253A JP 63266081 A JP63266081 A JP 63266081A JP 26608188 A JP26608188 A JP 26608188A JP H02113253 A JPH02113253 A JP H02113253A
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- Japan
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- electron beam
- resist
- sensitivity
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の目的
「産業上の利用分野Ｊ
本発明はＬＳ Ｉ、超ＬＳＩなどの高密度集積回路の製
造に用いられるフォトマスクを製造する際に使用される
高感度で解像度の高いポジ型レジストに関するものであ
り、また、電子線直接描画による個別半導体等の製造や
軟Ｘ線描画による半導体の製造にも用いられるものでも
あって電子機器産業において広く利用されるものである
。
造に用いられるフォトマスクを製造する際に使用される
高感度で解像度の高いポジ型レジストに関するものであ
り、また、電子線直接描画による個別半導体等の製造や
軟Ｘ線描画による半導体の製造にも用いられるものでも
あって電子機器産業において広く利用されるものである
。
「従来の技術」
ＬＳＩ、超ＬＳＩの製造に用いられるフォトマスクは複
雑なパターンを要求される上に精度も高いものであるこ
とが必要である。そのため、フォトマスク製造のリソグ
ラフィー工程で用いられるものは主として解像度の高い
電子線レジストとなっている。電子線レジストには、電
子線照射部が分解して可溶化するポジ型と、電子線照射
部が架橋して不溶化するネガ型とがあるが、−ｉに、解
像度の点ではポジ型の方が優れており、ポジ型の電子線
レジストとしては、現在主としてポリブテンスルホンが
使用されている。ポリブテンスルホンの感度は１〜２μ
Ｃ／ｃ＋ａとされている。
雑なパターンを要求される上に精度も高いものであるこ
とが必要である。そのため、フォトマスク製造のリソグ
ラフィー工程で用いられるものは主として解像度の高い
電子線レジストとなっている。電子線レジストには、電
子線照射部が分解して可溶化するポジ型と、電子線照射
部が架橋して不溶化するネガ型とがあるが、−ｉに、解
像度の点ではポジ型の方が優れており、ポジ型の電子線
レジストとしては、現在主としてポリブテンスルホンが
使用されている。ポリブテンスルホンの感度は１〜２μ
Ｃ／ｃ＋ａとされている。
「発明が解決しようとする問題点」
しかし、目的とする半導体集積回路の高集積化にともな
いフォトマスクの微細化が進み既存の電子線レジストで
は感度、解像度、寸法安定性、密着性が不十分となりつ
つある。また、現在主として用いられているポリブテン
スルホンには現像液組成および温度による感度の変動や
、水分、湿度に対する不安定さといった問題点もある。
いフォトマスクの微細化が進み既存の電子線レジストで
は感度、解像度、寸法安定性、密着性が不十分となりつ
つある。また、現在主として用いられているポリブテン
スルホンには現像液組成および温度による感度の変動や
、水分、湿度に対する不安定さといった問題点もある。
そのため、ポリブテンスルホンに代わるポジ型電子線レ
ジストとして種々のレジストが提案されており、例えば
、ポリ（２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチ
ルメタクリレート） 、２，２．２−１−リクロロエチ
ルメタクリレートの共重合体、ポリ（２，２，２−）リ
フルオロエチルα−クロロアクリレート）などが挙げら
れている。しかし、これらハロゲン含有レジストは高感
度が得られるものの、密着性の問題やプロセス安定性の
問題がありほとんど実用化されていない。
ジストとして種々のレジストが提案されており、例えば
、ポリ（２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチ
ルメタクリレート） 、２，２．２−１−リクロロエチ
ルメタクリレートの共重合体、ポリ（２，２，２−）リ
フルオロエチルα−クロロアクリレート）などが挙げら
れている。しかし、これらハロゲン含有レジストは高感
度が得られるものの、密着性の問題やプロセス安定性の
問題がありほとんど実用化されていない。
また、種々のアルキル２−シアノアクリレート重合体及
び共重合体も提案されており高感度のものが得られてい
るが、ガラス転移点が１００〜１５０°Ｃ程度、また重
量減少開始温度が１４０〜１８０°Ｃと耐熱性が低いた
め解像度やプロセス安定性の点で問題があり実用化され
ていない。
び共重合体も提案されており高感度のものが得られてい
るが、ガラス転移点が１００〜１５０°Ｃ程度、また重
量減少開始温度が１４０〜１８０°Ｃと耐熱性が低いた
め解像度やプロセス安定性の点で問題があり実用化され
ていない。
さらに、これらのポジ型電子線レジストを電子線による
直接描画や軟Ｘ線による描画に用いる試みがなされてい
るが耐ドライエツチング性や密着性等に問題がありほと
んど実用化されていない。
直接描画や軟Ｘ線による描画に用いる試みがなされてい
るが耐ドライエツチング性や密着性等に問題がありほと
んど実用化されていない。
本発明者等は、上記の問題点を解決したポジ型電子線レ
ジストを得るべく鋭意検討した。
ジストを得るべく鋭意検討した。
（ロ）発明の構成
ｒ問題点を解決するための手段」
本発明者らの検討の結果、上記の問題点のない、すなわ
ち感度、解像度、プロセス安定性及び密着性に優れ、か
つ耐ドライエツチング性にも優れたポジ型電子線レジス
トを見出して本発明を完成した。また、本発明のレジス
トは電子線のほか軟Ｘ線等の電離放射線に対しても感応
性がある。
ち感度、解像度、プロセス安定性及び密着性に優れ、か
つ耐ドライエツチング性にも優れたポジ型電子線レジス
トを見出して本発明を完成した。また、本発明のレジス
トは電子線のほか軟Ｘ線等の電離放射線に対しても感応
性がある。
すなわち、本発明は２−シアノアクリレートとビニリデ
ンシアニドを主成分とする共重合体よりなることを特徴
とするポジ型レジストに関するものである。
ンシアニドを主成分とする共重合体よりなることを特徴
とするポジ型レジストに関するものである。
本発明におけるポジ型レジストに含有される共重合体の
構成単量体としての２−シアノアクリレートとしては、
メチル２−シアノアクリレート、エチル２−シアノアク
リレート、プロピル２−シアノアクリレート、イソプロ
ピル２−シアノアクリレート、ブチル２−シアノアクリ
レート、イソブチル２−シアノアクリレート、５ｅｃ−
ブチル２−シアノアクリレート、 ｔｅｒｔ−ブチル２
−シアノアクリレート、ペンチル２−シアノアクリレー
ト、ヘキシル２−シアノアクリレート、シクロペンチル
２−シアノアクリレート、シクロヘキシル２〜シアノア
クリレート、シクロヘプチル２−シアノアクリレート、
２，２．２− トリフルオロエチル２−シアノアクリレ
ート、２−エトキシエチル２−シアノアクリレート等を
挙げることが出来る。
構成単量体としての２−シアノアクリレートとしては、
メチル２−シアノアクリレート、エチル２−シアノアク
リレート、プロピル２−シアノアクリレート、イソプロ
ピル２−シアノアクリレート、ブチル２−シアノアクリ
レート、イソブチル２−シアノアクリレート、５ｅｃ−
ブチル２−シアノアクリレート、 ｔｅｒｔ−ブチル２
−シアノアクリレート、ペンチル２−シアノアクリレー
ト、ヘキシル２−シアノアクリレート、シクロペンチル
２−シアノアクリレート、シクロヘキシル２〜シアノア
クリレート、シクロヘプチル２−シアノアクリレート、
２，２．２− トリフルオロエチル２−シアノアクリレ
ート、２−エトキシエチル２−シアノアクリレート等を
挙げることが出来る。
これらの２−シアノアクリレートのうち、本発明にとり
好ましいものはメチル２−シアノアクリレート、エチル
２−シアノアクリレート等のアルキル２シアノアクリレ
ート、シクロペンチル２−シアノアクリレート、シクロ
ヘキシル２−シアノアクリレート、シクロヘプチル２−
シアノアクリレート等のシクロアルキル２−シアノアク
リレートである。
好ましいものはメチル２−シアノアクリレート、エチル
２−シアノアクリレート等のアルキル２シアノアクリレ
ート、シクロペンチル２−シアノアクリレート、シクロ
ヘキシル２−シアノアクリレート、シクロヘプチル２−
シアノアクリレート等のシクロアルキル２−シアノアク
リレートである。
これらの２−シアノアクリレートは、ビニリデンシアニ
ドと共重合させる際に、一種類に限らず二種類以上用い
てもよいが、ビニリデンシアニドと合わせた共重合体の
構成全単量体中の３０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下である
ことが好ましい。２−シアノアクリレートの割合が３０
−ｔ％未満であると感度が十分でなく、９０−ｔ％を超
えると耐熱性が低下し、解像度、プロセス安定性が低下
する。
ドと共重合させる際に、一種類に限らず二種類以上用い
てもよいが、ビニリデンシアニドと合わせた共重合体の
構成全単量体中の３０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下である
ことが好ましい。２−シアノアクリレートの割合が３０
−ｔ％未満であると感度が十分でなく、９０−ｔ％を超
えると耐熱性が低下し、解像度、プロセス安定性が低下
する。
共重合体を得る方法としては、従来から知られているア
ニオン重合、ラジカル重合のいずれも採用できる。
ニオン重合、ラジカル重合のいずれも採用できる。
アニオン重合方法としては、アミン類、ホスフィン類、
スルフィド類等の塩基性化合物を触媒上して、アセトン
、テトラヒドロフラン、トルエン等の溶媒中で行う方法
が好ましい。また、ラジカル重合方法としては、アゾビ
スイソブチロニトリル等を触媒として４０〜７０゛Ｃに
て行う塊状重合又は溶液重合方法が好ましい。
スルフィド類等の塩基性化合物を触媒上して、アセトン
、テトラヒドロフラン、トルエン等の溶媒中で行う方法
が好ましい。また、ラジカル重合方法としては、アゾビ
スイソブチロニトリル等を触媒として４０〜７０゛Ｃに
て行う塊状重合又は溶液重合方法が好ましい。
本発明のポジ型レジストに含有される共重合体は、その
構成単量体が２−シアノアクリレートとビニリデンシア
ニドの２成分だけからなるものであっても、前記に記載
した本発明の効果を発揮することができるが、ポジ型レ
ジストに感度等の種々の特性を更に向上させるために、
２〜シアノアクリレートとビニリデンシアニド以外のこ
れらの単量体と共重合可能な単量体の１種または２種以
上を共重合させた多元共重合体であっても良い。
構成単量体が２−シアノアクリレートとビニリデンシア
ニドの２成分だけからなるものであっても、前記に記載
した本発明の効果を発揮することができるが、ポジ型レ
ジストに感度等の種々の特性を更に向上させるために、
２〜シアノアクリレートとビニリデンシアニド以外のこ
れらの単量体と共重合可能な単量体の１種または２種以
上を共重合させた多元共重合体であっても良い。
共重合可能な単量体の例としては、メチレンマロン酸エ
ステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル、メタク
リルアミド等を挙げることが出来る。
ステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル、メタク
リルアミド等を挙げることが出来る。
共重合体の分子量としては、ゲルパーミェーションクロ
マトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量
で１万〜４００万ものが好ましく、より好ましくは５万
〜２００万、特に好ましくは１０万〜１００万のもので
ある。分子量があまり大きいと薄膜塗布する際に溶解性
のよい溶剤がなかったり、また溶液中でゲルを生成する
ために濾過出来なかったり、均一な薄膜を得ることがで
きなくなったりする。また分子量があまり小さくても適
当な厚さの均一な薄膜を得ることが難しくなる。
マトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量
で１万〜４００万ものが好ましく、より好ましくは５万
〜２００万、特に好ましくは１０万〜１００万のもので
ある。分子量があまり大きいと薄膜塗布する際に溶解性
のよい溶剤がなかったり、また溶液中でゲルを生成する
ために濾過出来なかったり、均一な薄膜を得ることがで
きなくなったりする。また分子量があまり小さくても適
当な厚さの均一な薄膜を得ることが難しくなる。
本発明で共重合体をポジ型レジストとして用いる際に使
用される溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチ
ル、酢酸イソブチル、メチルセロソルブアセテート、エ
チルセロソルブアセテート、トルエン、キシレン、１．
２−ジクロロエタンなどが用いられる。
用される溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチ
ル、酢酸イソブチル、メチルセロソルブアセテート、エ
チルセロソルブアセテート、トルエン、キシレン、１．
２−ジクロロエタンなどが用いられる。
使用する溶剤の種類と量は、−船釣に使用されるポジ型
レジストとしての粘度（約５０ｃｐｓ程度）になる様に
、使用する共重合体の組成、重合度に応じて、定めれば
よい。
レジストとしての粘度（約５０ｃｐｓ程度）になる様に
、使用する共重合体の組成、重合度に応じて、定めれば
よい。
こうして得られるポジ型レジスト液は、通常の回転塗布
機を用いてクロムマスクのようなマスク基板やシリコン
等のウェハに薄膜塗布することができる。レジスト液の
薄膜塗布後適当な温度でプリベークしたのち、所定のパ
ターンに従って電子線や軟Ｘ線等の電離放射線照射が行
われる０本発明の共重合体は電離放射線照射により主鎖
の分解を受は分子量が低下するため、照射部と未照射部
で溶解性の差が生じる。従って、電離放射線を照射した
基板を適当な現像液で処理することによって、電離放射
線照射部が選択的に溶解除去され、上記パターンに応じ
た凹凸の画像が得られる。
機を用いてクロムマスクのようなマスク基板やシリコン
等のウェハに薄膜塗布することができる。レジスト液の
薄膜塗布後適当な温度でプリベークしたのち、所定のパ
ターンに従って電子線や軟Ｘ線等の電離放射線照射が行
われる０本発明の共重合体は電離放射線照射により主鎖
の分解を受は分子量が低下するため、照射部と未照射部
で溶解性の差が生じる。従って、電離放射線を照射した
基板を適当な現像液で処理することによって、電離放射
線照射部が選択的に溶解除去され、上記パターンに応じ
た凹凸の画像が得られる。
この際使用される適当な現像液は、電離放射線照射部と
未照射部とを区別し照射部を選択的に溶解するものであ
ればなんでもよいが、−ｉには１亥共重合体の良溶剤と
貧溶剤との組合せの中から選ばれる。良溶剤、貧溶剤の
例を挙げれば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフ
ラン、酢酸エチル、酢酸イソブチル、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート、アセトニト
リル、ニトロメタン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｔ−ブチ
ロラクトン、トルエン、キシレン、１．２−ジクロロエ
タンなどが良溶剤であり、メタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、エチルセロソルブ、水、ヘキサ
ン、シクロヘキサンなどが貧溶剤である。
未照射部とを区別し照射部を選択的に溶解するものであ
ればなんでもよいが、−ｉには１亥共重合体の良溶剤と
貧溶剤との組合せの中から選ばれる。良溶剤、貧溶剤の
例を挙げれば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフ
ラン、酢酸エチル、酢酸イソブチル、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート、アセトニト
リル、ニトロメタン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｔ−ブチ
ロラクトン、トルエン、キシレン、１．２−ジクロロエ
タンなどが良溶剤であり、メタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、エチルセロソルブ、水、ヘキサ
ン、シクロヘキサンなどが貧溶剤である。
現像後すみやかにリンスを行い、続いてポストベークを
行うことにより電離放射線照射を行って上記のパターン
どおりの凹凸画像が完成される。
行うことにより電離放射線照射を行って上記のパターン
どおりの凹凸画像が完成される。
「作用」
本発明のポジ型レジストに用いられる共重合体の熱安定
性をＴＧ−ＤＳＣで評価したところ、ガラス転移点は１
５０〜２００°Ｃの範囲にあり、重量減少開始温度は１
８０〜２５０ ’Ｃの範囲にあった。
性をＴＧ−ＤＳＣで評価したところ、ガラス転移点は１
５０〜２００°Ｃの範囲にあり、重量減少開始温度は１
８０〜２５０ ’Ｃの範囲にあった。
また、クロムマスク上に形成した膜厚０．５μｍの本発
明レジスト膜に対して電子線照射を行い残膜感度曲線を
求めたところ、０．５〜２μＣ／ｃ−の感度が得られた
。また、１μｔａ、２μ糟、４μ潮のラインアンドスペ
ースのパターンでテストしたところ電子線照射部と未照
射部との境界は急峻でコントラストが良好であり、寸法
安定性のよいラインアンドスペースが得られた。又湿式
エツチング時にもレジスト膜のはがれがなく、密着性が
良好であった。
明レジスト膜に対して電子線照射を行い残膜感度曲線を
求めたところ、０．５〜２μＣ／ｃ−の感度が得られた
。また、１μｔａ、２μ糟、４μ潮のラインアンドスペ
ースのパターンでテストしたところ電子線照射部と未照
射部との境界は急峻でコントラストが良好であり、寸法
安定性のよいラインアンドスペースが得られた。又湿式
エツチング時にもレジスト膜のはがれがなく、密着性が
良好であった。
さらに、シリコンウェハ上に形成した膜厚０．５μＩの
本発明レジスト膜に電子線を用いて０６５μｌのライン
パターンを描画し、ＣＦ、１０□プラズマエツチングを
試みたところ、パターンの乱れはなかった。
本発明レジスト膜に電子線を用いて０６５μｌのライン
パターンを描画し、ＣＦ、１０□プラズマエツチングを
試みたところ、パターンの乱れはなかった。
「実施例」
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこ
れに限定されるものではない。
れに限定されるものではない。
実施例１
０レジスト液の製造例
撹拌棒、温度計、乾燥管をつけた三ロフラスコにアセト
ン４００ｄとエチル２−シアノアクリレート３０ｇ、ビ
ニリデンシアニド２０ｇを入れ攪拌しながら一７８℃に
冷却した。この液に、Ｎ、 Ｎ−ジメチル−Ｐ−）ルイ
ジン０．１ｇをアセトン４０／ｄに溶解し一７８℃に冷
却した液をすばやく添加した。３時間攪拌したのち、ｐ
−トルエンスルホン酸０．２ｇを加え溶解させてから室
温に戻した。この液を石油エーテル２０００−に注ぎ重
合物を析出させた０石油エーテルでよ（すすいだ後約６
０°Ｃで減圧乾燥した０重合体はアセトン／石油エーテ
ル系で再析出することにより精製し、再び約６０°Ｃで
減圧乾燥した。収率は９０％、ゲルパーミェーションク
ロマトグラフィーによる重量平均分子量は４８万であっ
た。又、ＴＧ−ＤＳＣを測定したところ、ガラス転移点
は１５６°Ｃ１重量減少開始温度は２１０°Ｃであった
。さらに、ＮＭＲにより共重合比を求めたところ、仕込
比とほぼ同等であった。
ン４００ｄとエチル２−シアノアクリレート３０ｇ、ビ
ニリデンシアニド２０ｇを入れ攪拌しながら一７８℃に
冷却した。この液に、Ｎ、 Ｎ−ジメチル−Ｐ−）ルイ
ジン０．１ｇをアセトン４０／ｄに溶解し一７８℃に冷
却した液をすばやく添加した。３時間攪拌したのち、ｐ
−トルエンスルホン酸０．２ｇを加え溶解させてから室
温に戻した。この液を石油エーテル２０００−に注ぎ重
合物を析出させた０石油エーテルでよ（すすいだ後約６
０°Ｃで減圧乾燥した０重合体はアセトン／石油エーテ
ル系で再析出することにより精製し、再び約６０°Ｃで
減圧乾燥した。収率は９０％、ゲルパーミェーションク
ロマトグラフィーによる重量平均分子量は４８万であっ
た。又、ＴＧ−ＤＳＣを測定したところ、ガラス転移点
は１５６°Ｃ１重量減少開始温度は２１０°Ｃであった
。さらに、ＮＭＲにより共重合比を求めたところ、仕込
比とほぼ同等であった。
この重合体４０ｇをメチルセロソルブアセテ−ｔ−７６
０ｇに溶解し、０．２μｍのテフロンメンブランフィル
タ−で加圧ろ過して本発明のレジスト液とした。
０ｇに溶解し、０．２μｍのテフロンメンブランフィル
タ−で加圧ろ過して本発明のレジスト液とした。
Ｏレジスト液の性能評価
上記液をクロムマスクにｌ０００ｒｐａ＋で回転塗布し
た後、１６０ ’Ｃで１５分間プリベークすることによ
り、０．５μｍの均一な薄膜が得られた。
た後、１６０ ’Ｃで１５分間プリベークすることによ
り、０．５μｍの均一な薄膜が得られた。
次に、この薄膜に加速電圧２０ｋＶの電子線を照射し、
メチルイソブチルケトン−イソプロパノール系の現像液
を用いて残膜感度曲線を求めた。２０°Ｃにて容量比２
／１のメチルイソブチルケトン−イソプロパノール液に
３分間浸漬した後、イソプロパツールで１５秒間リンス
を行い、１４０ ”Ｃで１０分間ポストベークを行う条
件によって、残膜感度１．０μＣＩｃｄおよびγ値３．
５が得られた。また、同じように作成した薄膜に、１μ
ｍ、２μｍ、４μ麟のラインアンドスペースのパターン
で２μＣ／ｃ４の電子線を照射した。メチルエチルケト
ンイソプロパノール（容量比２／１）に３分間浸漬して
現像し、同様にリンス、ポストベークすることにより寸
法のパターン依存性のないきれいな凹凸画像が得られた
。
メチルイソブチルケトン−イソプロパノール系の現像液
を用いて残膜感度曲線を求めた。２０°Ｃにて容量比２
／１のメチルイソブチルケトン−イソプロパノール液に
３分間浸漬した後、イソプロパツールで１５秒間リンス
を行い、１４０ ”Ｃで１０分間ポストベークを行う条
件によって、残膜感度１．０μＣＩｃｄおよびγ値３．
５が得られた。また、同じように作成した薄膜に、１μ
ｍ、２μｍ、４μ麟のラインアンドスペースのパターン
で２μＣ／ｃ４の電子線を照射した。メチルエチルケト
ンイソプロパノール（容量比２／１）に３分間浸漬して
現像し、同様にリンス、ポストベークすることにより寸
法のパターン依存性のないきれいな凹凸画像が得られた
。
さらに、硝酸第２セリウムアンモンと過塩素酸の水溶液
で湿式エツチングを行ったところ、レジストの密着性は
良好でサイドエッチはなく、電子線照射した設計寸法ど
おりのクロムマスクパターンが得られた。
で湿式エツチングを行ったところ、レジストの密着性は
良好でサイドエッチはなく、電子線照射した設計寸法ど
おりのクロムマスクパターンが得られた。
実施例２
０レジスト液の製造例
実施例１において、エチル２−シアノアクリレート３０
ｇの代わりにシクロヘキシル２−シアノアクリレート３
０ｇを混合して用いて、同様に重合を行った。収率は９
２％、重量平均分子量は４５万であった。又、ＴＯ−Ｄ
ＳＣを測定したところ、ガラス転移点は１７０℃、重量
減少開始温度は２３０°Ｃであった。さらに、ＮＭＲよ
り共重合比を求めたところ実施例１と同様に仕込比とほ
ぼ同等であった。
ｇの代わりにシクロヘキシル２−シアノアクリレート３
０ｇを混合して用いて、同様に重合を行った。収率は９
２％、重量平均分子量は４５万であった。又、ＴＯ−Ｄ
ＳＣを測定したところ、ガラス転移点は１７０℃、重量
減少開始温度は２３０°Ｃであった。さらに、ＮＭＲよ
り共重合比を求めたところ実施例１と同様に仕込比とほ
ぼ同等であった。
このｔａ体４２ｇをメチルセロソルブアセテート６５８
ｇに溶解し、０．２μｍのテフロンメンブランフィルタ
−で加圧ろ過してレジスト液とした。
ｇに溶解し、０．２μｍのテフロンメンブランフィルタ
−で加圧ろ過してレジスト液とした。
○レジスト液の性能評価
上記液をクロム、マスクに１１００Ｏｒｐで回転塗布し
た後、１３０°Ｃで１５分間プリベークすることにより
０．５μｍの均一な薄膜が得られた。
た後、１３０°Ｃで１５分間プリベークすることにより
０．５μｍの均一な薄膜が得られた。
実施例１と同様に残膜感度曲線を求めたところ、メチル
イソブチルケトン−イソプロパノール（容量比２／１）
に５分間浸漬した後、イソプロパツールで１５秒間リン
スを行い、１４０°Ｃで１０分間ポストベークを行う条
件によって、残膜感度０゜８μＣ／ｃ＋ｊおよびγ値３
．２が得られた。
イソブチルケトン−イソプロパノール（容量比２／１）
に５分間浸漬した後、イソプロパツールで１５秒間リン
スを行い、１４０°Ｃで１０分間ポストベークを行う条
件によって、残膜感度０゜８μＣ／ｃ＋ｊおよびγ値３
．２が得られた。
また、１．６μＣ／ｃＩｉｌの電子線照射後、同様に現
像、リンスおよびポストベークを行うことによりパター
ン依存性のないきれいな凹凸画像が得られた。
像、リンスおよびポストベークを行うことによりパター
ン依存性のないきれいな凹凸画像が得られた。
さらに、湿式エツチングにおいても密着性が良好であっ
た。
た。
さらに、上記レジスト液をシリコンウェハに回転塗布し
、１．６μＣ／ｃ−の電子線照射により同様にして０．
５μ−のラインパターンを描画した。
、１．６μＣ／ｃ−の電子線照射により同様にして０．
５μ−のラインパターンを描画した。
ＣＦ ４／ Ｏｚプラズマエラ、チングを行ったところ
、パターンの乱れはなかった。
、パターンの乱れはなかった。
（ハ）発明の効果
本発明によれば、高感度、高解像度で寸法安定性に優れ
、かつ密着性にも優れたポジ型レジストが得られ、精度
のよいフォトマスクを安定して製造することができる。
、かつ密着性にも優れたポジ型レジストが得られ、精度
のよいフォトマスクを安定して製造することができる。
また、耐熱性が良く耐ドライエツチング性にも優れるた
め電子線直接描画や軟Ｘ線描画による半導体の製造も可
能である。従って、本発明がＬＳＩ、超ＬＳＩの高集積
化に果たす役割は絶大である。
め電子線直接描画や軟Ｘ線描画による半導体の製造も可
能である。従って、本発明がＬＳＩ、超ＬＳＩの高集積
化に果たす役割は絶大である。
Claims (1)
- １、２−シアノアクリレートとビニリデンシアニドを主
成分とする共重合体よりなることを特徴とするポジ型レ
ジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266081A JPH02113253A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | ポジ型レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266081A JPH02113253A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | ポジ型レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02113253A true JPH02113253A (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=17426079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63266081A Pending JPH02113253A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | ポジ型レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02113253A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05249684A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト組成物 |
| JPH05289339A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5654434A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-14 | Kohjin Co Ltd | Radiation and far ultraviolet ray sensitive positive type resist method |
| JPS62247356A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-10-28 | ロクタイト．（アイルランド）．リミテツド | アニオン性重合可能モノマ−の蒸着フオトレジストの製造方法およびその製品 |
| JPS63277218A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-11-15 | Toppan Printing Co Ltd | 単分散重合体の製造方法 |
| JPH01154146A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Toppan Printing Co Ltd | 高感度感応性放射線レジスト |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP63266081A patent/JPH02113253A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5654434A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-14 | Kohjin Co Ltd | Radiation and far ultraviolet ray sensitive positive type resist method |
| JPS62247356A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-10-28 | ロクタイト．（アイルランド）．リミテツド | アニオン性重合可能モノマ−の蒸着フオトレジストの製造方法およびその製品 |
| JPS63277218A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-11-15 | Toppan Printing Co Ltd | 単分散重合体の製造方法 |
| JPH01154146A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Toppan Printing Co Ltd | 高感度感応性放射線レジスト |
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| JPH05289339A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
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