JPH0258060A - ポジ型レジスト - Google Patents
ポジ型レジストInfo
- Publication number
- JPH0258060A JPH0258060A JP20822088A JP20822088A JPH0258060A JP H0258060 A JPH0258060 A JP H0258060A JP 20822088 A JP20822088 A JP 20822088A JP 20822088 A JP20822088 A JP 20822088A JP H0258060 A JPH0258060 A JP H0258060A
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- JP
- Japan
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- resist
- formula
- copolymer
- cyanoacrylate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の目的
「産業上の利用分野」
本発明はＬＳＩ、超ＬＳＩなどの高密度集積回路の製造
に用いられるフォトマスクを製造する際に使用される裔
感度で解像度の高いポジ型レジストに関するものであり
、また、直接描画による個別半導体等の製造にも用いら
れるものでもあって電子機器産業において広く利用され
るものである。
に用いられるフォトマスクを製造する際に使用される裔
感度で解像度の高いポジ型レジストに関するものであり
、また、直接描画による個別半導体等の製造にも用いら
れるものでもあって電子機器産業において広く利用され
るものである。
「従来の技術」
ＬＳ Ｉ、超ＬＳＩの製造に用いられるフォトマスクは
複雑なパターンを要求される上に精度も高いものである
ことが必要である。そのため、フォトマスク製造のリソ
グラフィー工程で用いられるものは主として解像度の高
い電子線レジストとなっている。電子線レジストには、
電子線照射部が分解して可溶化するポジ型と、電子線照
射部が架橋して不溶化するネガ型とがあるが、−ａに、
解像度の点ではポジ型の方が優れており、ポジ型の電子
線レジストとしては、現在上としてポリブテンスルホン
が使用されている。ポリブテンスルホンの感度は１〜２
μＣ／ｃ＋ｆｌとされている。
複雑なパターンを要求される上に精度も高いものである
ことが必要である。そのため、フォトマスク製造のリソ
グラフィー工程で用いられるものは主として解像度の高
い電子線レジストとなっている。電子線レジストには、
電子線照射部が分解して可溶化するポジ型と、電子線照
射部が架橋して不溶化するネガ型とがあるが、−ａに、
解像度の点ではポジ型の方が優れており、ポジ型の電子
線レジストとしては、現在上としてポリブテンスルホン
が使用されている。ポリブテンスルホンの感度は１〜２
μＣ／ｃ＋ｆｌとされている。
「発明が解決しようとする問題点」
しかし、目的とする半導体集積回路の高集積化にともな
いフォトマスクの微細化が進み既存の電子線レジストで
は感度、解像度、寸法安定性、密着性が不十分となりつ
つある。また、現在上として用いられているポリブテン
スルホンには現像液組成および温度による感度の変動や
、水分、湿度に対する不安定さといった問題点もある。
いフォトマスクの微細化が進み既存の電子線レジストで
は感度、解像度、寸法安定性、密着性が不十分となりつ
つある。また、現在上として用いられているポリブテン
スルホンには現像液組成および温度による感度の変動や
、水分、湿度に対する不安定さといった問題点もある。
そのため、ポリブテンスルホンに代わるポジ型電子線レ
ジストとして種々のレジストが提案されており、例えば
、ポリ （２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブ
チルメタクリレ−） ） 、２，２．２−トリクロロエ
チルメタクリレートの共重合体、ポリ （２，２，２−
）リフルオロエチルα−クロロアクリレート）などが挙
げられている。しかし、これらハロゲン含有レジストは
高怒度が得られるものの、密着性の問題やプロセス安定
性の問題がありほとんど実用化されていない。
ジストとして種々のレジストが提案されており、例えば
、ポリ （２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブ
チルメタクリレ−） ） 、２，２．２−トリクロロエ
チルメタクリレートの共重合体、ポリ （２，２，２−
）リフルオロエチルα−クロロアクリレート）などが挙
げられている。しかし、これらハロゲン含有レジストは
高怒度が得られるものの、密着性の問題やプロセス安定
性の問題がありほとんど実用化されていない。
本発明者等は、上記の問題点を解決したポジ型電子線レ
ジストを得るべく鋭意検討した。
ジストを得るべく鋭意検討した。
（ロ）発明の構成
「問題点を解決するための手段」
検討の結果、本発明者らは、上記の問題点のない、すな
わち感度、解像度及び特に寸法安定性に優れ、かつ密着
性にも優れたポジ型電子線レジストで軟Ｘ線等の電離放
射線に対しても感応性があるレジストを見出して本発明
を完成した。
わち感度、解像度及び特に寸法安定性に優れ、かつ密着
性にも優れたポジ型電子線レジストで軟Ｘ線等の電離放
射線に対しても感応性があるレジストを見出して本発明
を完成した。
すなわち、本発明はシクロヘキシル２−シアノアクリレ
ートと次の一般式： （但し、Ｘはハロゲン原子、Ｒは水素原子の一部又は全
部が弗素原子で置換されたアルキル基である。） で示されるアクリル酸エステルとの共重合体よりなるこ
とを特徴とするポジ型レジストに関するものである。
ートと次の一般式： （但し、Ｘはハロゲン原子、Ｒは水素原子の一部又は全
部が弗素原子で置換されたアルキル基である。） で示されるアクリル酸エステルとの共重合体よりなるこ
とを特徴とするポジ型レジストに関するものである。
本発明におけるポジ型レジストに含有される構成単量体
としての前記−綴代で示されるアクリル酸エステルとし
ては、アルキル基が炭素数２〜６のアルキル基でハロゲ
ン原子が塩素又は臭素原子のものが好ましく、具体的な
化合物としては、２゜２．２−１−リフルオロエチルα
−クロロアクリレート、Ｌ Ｌ、 １，３．３．３−ヘ
キサフルオロイソプロピルα−クロロアクリレート、２
，２，３．３．３−ペンタフルオロプロピルα−クロロ
アクリレート、２，２，３．３−テトラフルオロプロピ
ルα−クロロアクリレート、２，２゜３．３，４，４．
４−ヘプタフルオロブチルα−クロロアクリレート、３
，３，４，４，５．５．６，６．６−ノナフルオロヘキ
シルα−クロロアクリレート、２，２．２−１−リフル
オロエチルα−ブロモアクリレート、ＬＬ、１，３，３
．３へキサフルオロイソプロピルα−ブロモアクリレー
ト、２，２，３，３．３−ペンタフルオロプロピルα−
ブロモアクリレート、２，２，３．３−テトラフルオロ
プロピルα−ブロモアクリレート、２，２，３，３，４
，４．４−ヘプタフルオロブチルα−ブロモアクリレー
ト、３゜３．４，４，５，５，６，６．６−ノナフルオ
ロヘキシルα−ブロモアクリレート等を挙げることが出
来る。
としての前記−綴代で示されるアクリル酸エステルとし
ては、アルキル基が炭素数２〜６のアルキル基でハロゲ
ン原子が塩素又は臭素原子のものが好ましく、具体的な
化合物としては、２゜２．２−１−リフルオロエチルα
−クロロアクリレート、Ｌ Ｌ、 １，３．３．３−ヘ
キサフルオロイソプロピルα−クロロアクリレート、２
，２，３．３．３−ペンタフルオロプロピルα−クロロ
アクリレート、２，２，３．３−テトラフルオロプロピ
ルα−クロロアクリレート、２，２゜３．３，４，４．
４−ヘプタフルオロブチルα−クロロアクリレート、３
，３，４，４，５．５．６，６．６−ノナフルオロヘキ
シルα−クロロアクリレート、２，２．２−１−リフル
オロエチルα−ブロモアクリレート、ＬＬ、１，３，３
．３へキサフルオロイソプロピルα−ブロモアクリレー
ト、２，２，３，３．３−ペンタフルオロプロピルα−
ブロモアクリレート、２，２，３．３−テトラフルオロ
プロピルα−ブロモアクリレート、２，２，３，３，４
，４．４−ヘプタフルオロブチルα−ブロモアクリレー
ト、３゜３．４，４，５，５，６，６．６−ノナフルオ
ロヘキシルα−ブロモアクリレート等を挙げることが出
来る。
これらのアクリル酸エステルは、シクロヘキシル２−シ
アノアクリレートと共重合させる際に、一種類に限らず
二種類以上用いてもよいが、シクロヘキシル２−シアノ
アクリレートと合わせた全単量体中の５ｗｔ％以上８０
ｗｔ％以下であることが好ましい。５ｉｙｔ％未満であ
ると感度、解像度が十分ではなく、８０ｗｔ％を超える
と寸法安定性、密着性が低下するおそれがある。
アノアクリレートと共重合させる際に、一種類に限らず
二種類以上用いてもよいが、シクロヘキシル２−シアノ
アクリレートと合わせた全単量体中の５ｗｔ％以上８０
ｗｔ％以下であることが好ましい。５ｉｙｔ％未満であ
ると感度、解像度が十分ではなく、８０ｗｔ％を超える
と寸法安定性、密着性が低下するおそれがある。
共重合体としてはその分子量が、重量平均分子量で１万
〜４００万ものが好ましく、より好ましくは５万〜２０
０万、特に好ましくは１０万〜１００万のものである。
〜４００万ものが好ましく、より好ましくは５万〜２０
０万、特に好ましくは１０万〜１００万のものである。
分子量があまり大きいと薄膜塗布する際に溶解性のよい
溶剤がなかったり、また溶液中でゲルを生成し均一な薄
膜を得ることができなくなったりする。また分子量があ
まり小さくても適当な厚さの均一な薄膜を得ることが難
しくなる。
溶剤がなかったり、また溶液中でゲルを生成し均一な薄
膜を得ることができなくなったりする。また分子量があ
まり小さくても適当な厚さの均一な薄膜を得ることが難
しくなる。
また、本発明の共重合体として、さらにシクロヘキシル
２−シアノアクリレートと共重合可能なモノマーを加え
て共重合させて得られる多元重合体とすることもでき、
それらのモノマーの例としては、メチル２−シアノアク
リレート、エチル２−シアノアクリレート、イソブチル
２−シアノアクリレート、２−エトキシエチル２−シア
ノアクリレートなどのシアノアクリレート類を挙げるこ
とができる。
２−シアノアクリレートと共重合可能なモノマーを加え
て共重合させて得られる多元重合体とすることもでき、
それらのモノマーの例としては、メチル２−シアノアク
リレート、エチル２−シアノアクリレート、イソブチル
２−シアノアクリレート、２−エトキシエチル２−シア
ノアクリレートなどのシアノアクリレート類を挙げるこ
とができる。
本発明で重合体をポジ型レジストとして用いる際に使用
される溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル
、酢酸イソブチル、メチルセロソルブアセテート、エチ
ルセロソルブアセテート、トルエン、キシレン、１．２
−ジクロロエタンなどが用いられる。
される溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル
、酢酸イソブチル、メチルセロソルブアセテート、エチ
ルセロソルブアセテート、トルエン、キシレン、１．２
−ジクロロエタンなどが用いられる。
使用する溶剤の種類と量は、−船釣に使用されるポジ型
レジストとしての粘度（約５０ｃｐｓ程度）になる様に
、使用する重合体の組成、重合度に応じて、定めればよ
い。
レジストとしての粘度（約５０ｃｐｓ程度）になる様に
、使用する重合体の組成、重合度に応じて、定めればよ
い。
こうして得られるポジ型レジスト液は、通常の回転塗布
機を用いてクロムマスクのようなマスク基板に薄膜塗布
することができる。レジスト液の薄膜塗布後適当な温度
でプリベークしたのち、所定のパターンに従って電子線
や軟Ｘ線等の電離放射線照射が行われる。本発明の重合
体は電離放射線照射により主鎖の分解を受は分子量が低
下するため、照射部と未照射部で溶解性の差が生じる。
機を用いてクロムマスクのようなマスク基板に薄膜塗布
することができる。レジスト液の薄膜塗布後適当な温度
でプリベークしたのち、所定のパターンに従って電子線
や軟Ｘ線等の電離放射線照射が行われる。本発明の重合
体は電離放射線照射により主鎖の分解を受は分子量が低
下するため、照射部と未照射部で溶解性の差が生じる。
従って、電離放射線を照射した基板を適当な現像液で処
理することによって、電離放射線照射部が選択的に溶解
除去され、上記パターンに応じた凹凸の画像が得られる
。
理することによって、電離放射線照射部が選択的に溶解
除去され、上記パターンに応じた凹凸の画像が得られる
。
この際使用される適当な現像液は、電離放射線照射部と
未照射部とを区別し照射部を選択的に溶解するものであ
ればなんでもよいが、一般には該重合体の良溶剤と貧溶
剤との組合せの中から選ばれる。良溶剤、貧溶剤の例を
挙げれば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン
、酢酸エチル、酢酸イソブチル、メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、アセＩ・ニトリ
ル、ニトロメタン、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロ
ラクトン、トルエン、キシレン、１．２−ジクロロエタ
ンなどが良溶剤であり、メタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール、エチルセロソルブ、水、ヘキサン
、シクロヘキサンなどが貧溶剤である。
未照射部とを区別し照射部を選択的に溶解するものであ
ればなんでもよいが、一般には該重合体の良溶剤と貧溶
剤との組合せの中から選ばれる。良溶剤、貧溶剤の例を
挙げれば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン
、酢酸エチル、酢酸イソブチル、メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、アセＩ・ニトリ
ル、ニトロメタン、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロ
ラクトン、トルエン、キシレン、１．２−ジクロロエタ
ンなどが良溶剤であり、メタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール、エチルセロソルブ、水、ヘキサン
、シクロヘキサンなどが貧溶剤である。
現像後すみやかにリンスを行い、続いてポストヘークを
行うことにより電離放射線照射を行った上記のパターン
どおりの凹凸画像が完成される。
行うことにより電離放射線照射を行った上記のパターン
どおりの凹凸画像が完成される。
「作用」
膜厚０．５μｍの本発明レジスト膜に対して電子線照射
を行い残膜感度曲線を求めたところ、０．５〜２μＣ１
５］Ｉｌの感度が得られた。また、１μｍ、２μｍ、４
μｍのラインアンドスペースのパターンでテストしたと
ころ電子線照射部と未照射部との境界は急峻でコントラ
ストが良好であり、寸法安定性のよいラインアンドスペ
ースが得られた。又湿式エツチング時にもレジスト膜の
はがれがなく、密着性が良好であった。
を行い残膜感度曲線を求めたところ、０．５〜２μＣ１
５］Ｉｌの感度が得られた。また、１μｍ、２μｍ、４
μｍのラインアンドスペースのパターンでテストしたと
ころ電子線照射部と未照射部との境界は急峻でコントラ
ストが良好であり、寸法安定性のよいラインアンドスペ
ースが得られた。又湿式エツチング時にもレジスト膜の
はがれがなく、密着性が良好であった。
このような効果が如何なる理由により発現するかは定か
でないが、主として本発明の共重合体の一成分であるシ
クロヘキシル２−シアノアクリレートによる特異的な効
果であると考えられる。
でないが、主として本発明の共重合体の一成分であるシ
クロヘキシル２−シアノアクリレートによる特異的な効
果であると考えられる。
「実施例」
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこ
れに限定されるものではない。
れに限定されるものではない。
実施例１
１００ ｔｎｆｌガラス製重合管にシクロヘキシル２−
シアノアクリレート４０ｇ、２．２．２−トリフルオロ
エチルα−クロロアクリレート１０ｇ、アゾビスイソブ
チロニトリル５０ｍｇを入れ均一に溶解させた。
シアノアクリレート４０ｇ、２．２．２−トリフルオロ
エチルα−クロロアクリレート１０ｇ、アゾビスイソブ
チロニトリル５０ｍｇを入れ均一に溶解させた。
−７８°Ｃに冷却して５分間減圧脱気したのち、窒素置
換して溶封した。室温まで戻したのち、重合管を６０°
Ｃの恒温槽につけて１時間静置した。
換して溶封した。室温まで戻したのち、重合管を６０°
Ｃの恒温槽につけて１時間静置した。
重合物を酢酸２０ｇとアセトン４００ ｍｌの混合液に
溶解し１．この液を石油エーテル２０００ ｍｌに注ぎ
重合物を析出させた。石油エーテルでよくすすいだ後約
６０°Ｃで減圧乾燥した。重合体はアセトン／石油エー
テル系で再析出することにより精製し、再び約６０ ’
Ｃで減圧乾燥した。収率は９５％、液体クロマトグラフ
ィーによる重量平均分子量は４０万であった。又、ＮＭ
Ｒにより共重合比を求めたところ、仕込比とほぼ同等で
あった。
溶解し１．この液を石油エーテル２０００ ｍｌに注ぎ
重合物を析出させた。石油エーテルでよくすすいだ後約
６０°Ｃで減圧乾燥した。重合体はアセトン／石油エー
テル系で再析出することにより精製し、再び約６０ ’
Ｃで減圧乾燥した。収率は９５％、液体クロマトグラフ
ィーによる重量平均分子量は４０万であった。又、ＮＭ
Ｒにより共重合比を求めたところ、仕込比とほぼ同等で
あった。
この重合体４０ｇをメチルセロソルブアセテート４６０
ｇに溶解し、０．２μｍのテフロンメンブランフィルタ
−で加圧ろ過してレジスト液とした。
ｇに溶解し、０．２μｍのテフロンメンブランフィルタ
−で加圧ろ過してレジスト液とした。
この液をクロムマスクに１１００Ｏｒｐで回転塗布した
後、１３０°Ｃで１５分間プリベークすることにより、
０．５μｍの均一な薄膜が得られた。
後、１３０°Ｃで１５分間プリベークすることにより、
０．５μｍの均一な薄膜が得られた。
次に、この薄膜に加速電圧２０ｋＶの電子線を照射し、
メチルイソブチルケトン−イソプロパノール系の現像液
を用いて残膜感度曲線を求めた。２０°Ｃにて容量比３
／１の液に３分間浸漬した後、イソプロパツールで１５
秒間リンスを行い、１４０°Ｃで１０分間ボストベーク
を行う条件によって、残膜感度０．８μＣ／Ｃｍｌおよ
びγ値２．５が得られた。
メチルイソブチルケトン−イソプロパノール系の現像液
を用いて残膜感度曲線を求めた。２０°Ｃにて容量比３
／１の液に３分間浸漬した後、イソプロパツールで１５
秒間リンスを行い、１４０°Ｃで１０分間ボストベーク
を行う条件によって、残膜感度０．８μＣ／Ｃｍｌおよ
びγ値２．５が得られた。
また、同じように作成した薄膜に、１μｍ、２μｍ、４
μｍのラインアンドスペースのパターンで２μＣ／ｃｎ
ｌの電子線を照射した。メチルエチルケトン−イソプロ
パノール（容量比３／１）に３分間浸漬して現像し、同
様にリンス、ポストベークするごとにより寸法のパター
ン依存性のないきれいな凹凸画像が得られた。
μｍのラインアンドスペースのパターンで２μＣ／ｃｎ
ｌの電子線を照射した。メチルエチルケトン−イソプロ
パノール（容量比３／１）に３分間浸漬して現像し、同
様にリンス、ポストベークするごとにより寸法のパター
ン依存性のないきれいな凹凸画像が得られた。
さらに、硝酸第２セリウムアンモンと過塩素酸の水溶液
で湿式エツチングを行ったところ、レジストの密着性は
良好でサイドエッチはなく、電子線照射した設計寸法ど
おりのクロムマスクパターンが得られた。
で湿式エツチングを行ったところ、レジストの密着性は
良好でサイドエッチはなく、電子線照射した設計寸法ど
おりのクロムマスクパターンが得られた。
実施例２
実施例１において、２，２．２− トリフルオロエチル
α−クロロアクリレート１０ｇの代わりに２．２．２ト
リフルオロエチルα−ブロモアクリレート２０ｇを混合
して用いて、同様に重合を行った。収率は９２％、重量
平均分子量は２５万であった。また、ＮＭＲより共重合
比を求めたところ実施例１と同様に仕込比とほぼ同等で
あった。
α−クロロアクリレート１０ｇの代わりに２．２．２ト
リフルオロエチルα−ブロモアクリレート２０ｇを混合
して用いて、同様に重合を行った。収率は９２％、重量
平均分子量は２５万であった。また、ＮＭＲより共重合
比を求めたところ実施例１と同様に仕込比とほぼ同等で
あった。
この重合体５０ｇをメチルセロソルブアセテート３５０
ｇに溶解し、０．２μｍのテフロンメンブランフィルタ
−で加圧ろ過してレジスト液とした。
ｇに溶解し、０．２μｍのテフロンメンブランフィルタ
−で加圧ろ過してレジスト液とした。
この液をクロムマスクに１１００Ｏｒｐで回転塗布した
後、１３０°Ｃで１５分間プリベークすることにより０
．５μｍの均一な薄膜が得られた。
後、１３０°Ｃで１５分間プリベークすることにより０
．５μｍの均一な薄膜が得られた。
実施例１と同様に残膜感度曲線を求めたところ、メチル
イソブチルケトン−イソプロパノール（容量比２／１）
に３分間浸漬した後、イソプロパツールで１５秒間リン
スを行い、１４０ ’Ｃで１０分間ボストベークを行う
条件によって、残膜感度１゜０μＣ／ｃｆおよびγ値２
゜７が得られた。
イソブチルケトン−イソプロパノール（容量比２／１）
に３分間浸漬した後、イソプロパツールで１５秒間リン
スを行い、１４０ ’Ｃで１０分間ボストベークを行う
条件によって、残膜感度１゜０μＣ／ｃｆおよびγ値２
゜７が得られた。
また、２μＣ／ｃｉの電子線照射後、同様に現像、リン
スおよびポストベークを行うことによりパターン依存性
のないきれいな凹凸画像が得られた。
スおよびポストベークを行うことによりパターン依存性
のないきれいな凹凸画像が得られた。
さらに、湿式エツチングにおいても密着性が良好であっ
た。
た。
（ハ）発明の効果
本発明によれば、高感度、高解像度で寸法安定性に価れ
、かつ密着性にも優れたポジ型レジストが得られ、精度
のよいフォトマスクを安定して製造することができる。
、かつ密着性にも優れたポジ型レジストが得られ、精度
のよいフォトマスクを安定して製造することができる。
従って、本発明がＬＳＩ、超ＬＳＩの高集積化に果たす
役割は絶大である。
役割は絶大である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シクロヘキシル２−シアノアクリレートと次の一般
式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｘはハロゲン原子、Ｒは水素原子の一部又は全
部が弗素原子で置換されたアルキル基である。） で示されるアクリル酸エステルとの共重合体よりなるこ
とを特徴とするポジ型レジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20822088A JPH0258060A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | ポジ型レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20822088A JPH0258060A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | ポジ型レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258060A true JPH0258060A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16552662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20822088A Pending JPH0258060A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | ポジ型レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258060A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05249684A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト組成物 |
| WO2002021213A3 (en) * | 2000-11-22 | 2002-06-06 | Shipley Co Llc | Novel polymers and photoresist compositions for short wavelength imaging |
| US7132214B2 (en) | 2000-09-08 | 2006-11-07 | Shipley Company, L.L.C. | Polymers and photoresist compositions for short wavelength imaging |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1988
- 1988-08-24 JP JP20822088A patent/JPH0258060A/ja active Pending
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