JPH02125449A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02125449A JPH02125449A JP16593389A JP16593389A JPH02125449A JP H02125449 A JPH02125449 A JP H02125449A JP 16593389 A JP16593389 A JP 16593389A JP 16593389 A JP16593389 A JP 16593389A JP H02125449 A JPH02125449 A JP H02125449A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、多層配線を得るのに好適な半導体装置の製造
方法に関する。
方法に関する。
従来の技術
超ＬＳＩプロセスにおいて、ボロンリンけい酸ガラス（
以下、ＢＰＳＧ膜と略す）は、多層配線の層間絶縁膜に
利用されている。眉間絶縁膜として使われる場合、ＢＰ
ＳＧ膜は通常２つの高温プロセス工程（フローとりフロ
ー）を経て、下層配線の凹凸を平坦化したり、コンタク
ト孔をスロープ化する。
以下、ＢＰＳＧ膜と略す）は、多層配線の層間絶縁膜に
利用されている。眉間絶縁膜として使われる場合、ＢＰ
ＳＧ膜は通常２つの高温プロセス工程（フローとりフロ
ー）を経て、下層配線の凹凸を平坦化したり、コンタク
ト孔をスロープ化する。
ＢＰＳＧ膜のフローとりフローを採用した従来のＭＯＳ
型半導体装置の製造方法を第３図ａ−Ｃの工程図を参照
して説明する。この製造方法では、先ず、シリコン基板
１の一方の主面側に選択酸化（ＬＯＧＯＳ）膜２、ゲー
ト酸化１ｌＩ３、多結晶シリコンゲート層４、拡散層５
を形成し、さらに基板表面全域に窒化シリコン膜６を堆
積する。
型半導体装置の製造方法を第３図ａ−Ｃの工程図を参照
して説明する。この製造方法では、先ず、シリコン基板
１の一方の主面側に選択酸化（ＬＯＧＯＳ）膜２、ゲー
ト酸化１ｌＩ３、多結晶シリコンゲート層４、拡散層５
を形成し、さらに基板表面全域に窒化シリコン膜６を堆
積する。
次に、例えば、ボロン濃度３重量％、リン濃度４重量％
のＢＰＳＧ膜７を堆積し、表面を平坦にするため酸素ガ
ス中、９００℃で６０分間の熱処理（フロー処理）を施
す。引き続きＢＰＳＧ膜膜７膜量７シリコン膜６にコン
タクト孔８を開孔する［第３図ａ］。次に、窒素ガス中
で、９００℃の熱処理（リフロー処理）を３０分間にわ
たり施す。
のＢＰＳＧ膜７を堆積し、表面を平坦にするため酸素ガ
ス中、９００℃で６０分間の熱処理（フロー処理）を施
す。引き続きＢＰＳＧ膜膜７膜量７シリコン膜６にコン
タクト孔８を開孔する［第３図ａ］。次に、窒素ガス中
で、９００℃の熱処理（リフロー処理）を３０分間にわ
たり施す。
この熱処理により急峻であったコンタクト孔２８の段差
部の形状２８ａが丸みを帯びる［第３図ｂ］。
部の形状２８ａが丸みを帯びる［第３図ｂ］。
Ｒ１後に、上層配線としてアルミニウム配線３０を形成
することによりＭＯＳ型トランジスタが完成する［第３
図Ｃ］。
することによりＭＯＳ型トランジスタが完成する［第３
図Ｃ］。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、この場合はＢＰＳＧ膜２７膜間７した微
小なコンタクト孔２８がりフロー工程の熱処理の際にコ
ンタクト孔２８の側壁部でオーバーハングが生じる。こ
のオーバーハングによって、コンタクト孔内のアルミニ
ウム配線２０のステップカバレージが悪化し、アルミニ
ウム電極の断線やエレクトロマイグレーションなどにつ
ながる不都合が生じる。
小なコンタクト孔２８がりフロー工程の熱処理の際にコ
ンタクト孔２８の側壁部でオーバーハングが生じる。こ
のオーバーハングによって、コンタクト孔内のアルミニ
ウム配線２０のステップカバレージが悪化し、アルミニ
ウム電極の断線やエレクトロマイグレーションなどにつ
ながる不都合が生じる。
ＢＰＳＧ膜２７膜間７ン濃度やリン濃度を低くし、リフ
ローの程度を抑えることでコンタクト孔のオーバーハン
グを軽減できるが、この場合にはフロー工程においてＢ
ＰＳＧ膜２７膜間７に平坦化することができない。一方
、ＢＰＳＧｌｌＩ２７のオーバーハングを抑えるために
リフロー工程の熱処理温度を下げることや熱処理時間を
短（した場合、コンタクト孔２８の開口端縁２８ａにお
ける丸みやスロープができずアルミニウム配線のステッ
プカバレージが改善されないという問題が生じる。
ローの程度を抑えることでコンタクト孔のオーバーハン
グを軽減できるが、この場合にはフロー工程においてＢ
ＰＳＧ膜２７膜間７に平坦化することができない。一方
、ＢＰＳＧｌｌＩ２７のオーバーハングを抑えるために
リフロー工程の熱処理温度を下げることや熱処理時間を
短（した場合、コンタクト孔２８の開口端縁２８ａにお
ける丸みやスロープができずアルミニウム配線のステッ
プカバレージが改善されないという問題が生じる。
課題を解決するための手段
本発明の製造方法の特徴は開孔されたコンタクト孔に絶
縁膜を形成するか、または開孔時にコンタクト孔の底面
に絶縁膜を残して熱処理（リフロー）を施し、コンタク
ト孔にスロープを付与するところにある。
縁膜を形成するか、または開孔時にコンタクト孔の底面
に絶縁膜を残して熱処理（リフロー）を施し、コンタク
ト孔にスロープを付与するところにある。
作用
本発明の製造方法によれば、アスペクト比の高いコンタ
クト孔にも適当なスロープを形成することができる。
クト孔にも適当なスロープを形成することができる。
実施例
本発明にかかる半導体装置の製造方法の第１の実施例を
図面を参照して説明する。第１図ａ−ｅは、ＭＯＳ型集
積回路の製造工程図であり、簡明化のために１個のＭＯ
Ｓ型トランジスタ部を拡大して示した。
図面を参照して説明する。第１図ａ−ｅは、ＭＯＳ型集
積回路の製造工程図であり、簡明化のために１個のＭＯ
Ｓ型トランジスタ部を拡大して示した。
本発明の製造方法でも、先ず、シリコン基板１の一方の
主面側に選択酸化（ＬＯＧＯ８）膜２、ゲート酸化膜３
、多結晶シリコンゲート層４、拡散層５からなるＭＯＳ
型素子を形成した後基板表面全域に窒化シリコン膜６を
堆積する。次に、例えばボロン濃度３重量％、リン濃度
４重量％の第１ＢＰＳＧｌｌＩ７を堆積し、表面を平坦
化するためたとえば酸素ガス中で９００℃、６０分間の
熱処理（フロー処理）を施す。引き続き、レジストパタ
ーンをマスクとしてドライエツチング処理を施し、第１
のＢＰＳＧ膜７と窒化シリコン膜６にコンタクト孔８を
開孔する［第１図ａ］。
主面側に選択酸化（ＬＯＧＯ８）膜２、ゲート酸化膜３
、多結晶シリコンゲート層４、拡散層５からなるＭＯＳ
型素子を形成した後基板表面全域に窒化シリコン膜６を
堆積する。次に、例えばボロン濃度３重量％、リン濃度
４重量％の第１ＢＰＳＧｌｌＩ７を堆積し、表面を平坦
化するためたとえば酸素ガス中で９００℃、６０分間の
熱処理（フロー処理）を施す。引き続き、レジストパタ
ーンをマスクとしてドライエツチング処理を施し、第１
のＢＰＳＧ膜７と窒化シリコン膜６にコンタクト孔８を
開孔する［第１図ａ］。
次に、レジストパターンを除き、例えばボロン濃度４重
量％、リン濃度２重量％の第２のＢＰＳＧ膜９を１５０
ｎｍ堆積する［第１図ｂ１゜次にたとえば窒素ガス中で
９００℃３０分間の熱処理（リフロー処理）を施す。こ
の工程で第１．第２のＢＰＳＧ膜７．９が溶融してコン
タクト孔の側壁部８ａにスロープが形成される。第１図
Ｃはリフロー処理が施された後の形状を示す図である。
量％、リン濃度２重量％の第２のＢＰＳＧ膜９を１５０
ｎｍ堆積する［第１図ｂ１゜次にたとえば窒素ガス中で
９００℃３０分間の熱処理（リフロー処理）を施す。こ
の工程で第１．第２のＢＰＳＧ膜７．９が溶融してコン
タクト孔の側壁部８ａにスロープが形成される。第１図
Ｃはリフロー処理が施された後の形状を示す図である。
このリフロー処理でコンタクト孔にテーパ形状のスロー
プが形成されるのは、第２８ＰＳＧ膜９が第１ ＢＰＳ
Ｇ膜７のオーバーハングを埋めるためであると考えられ
る。従来のように第１ＢＰＳＧ膜７のみでは、コンタク
ト孔の底面と第１ＢＰＳＧ膜７とで界面張力が作用して
オーバーハングが生じる。第２８ＰＳＧ膜９には、この
界面張力を小さくする効果もある。
プが形成されるのは、第２８ＰＳＧ膜９が第１ ＢＰＳ
Ｇ膜７のオーバーハングを埋めるためであると考えられ
る。従来のように第１ＢＰＳＧ膜７のみでは、コンタク
ト孔の底面と第１ＢＰＳＧ膜７とで界面張力が作用して
オーバーハングが生じる。第２８ＰＳＧ膜９には、この
界面張力を小さくする効果もある。
次に、コンタクト孔８の底面にある第２８ＰＳＧ膜９を
ドライエツチング（ＣＨＦ３．０２ガス）で１分間はど
異方性エツチングして除去する［第１図０１゜ 次に、従来の方法と同様に周知の方法でアルミニウム配
線１０を形成する［第１図ｅ］。以上の工程を経て二層
配線をもつＭＯＳ型集積回路が形成される。
ドライエツチング（ＣＨＦ３．０２ガス）で１分間はど
異方性エツチングして除去する［第１図０１゜ 次に、従来の方法と同様に周知の方法でアルミニウム配
線１０を形成する［第１図ｅ］。以上の工程を経て二層
配線をもつＭＯＳ型集積回路が形成される。
本発明の製造方法で形成した半導体装置を従来の方法で
形成した半導体装置と比較すると、コンタクト孔の開口
寸法１．４Ｘ１．４μ−においてアルミニウム配線のス
テップカバレージが６％から３４％へと顕著に改善され
る。
形成した半導体装置と比較すると、コンタクト孔の開口
寸法１．４Ｘ１．４μ−においてアルミニウム配線のス
テップカバレージが６％から３４％へと顕著に改善され
る。
第２のＢＰＳＧ膜９のリン濃度を８％重量％以上に増加
させると次工程における熱処理（リフロー処理）でコン
タクト孔部の拡散層５に高濃度のリンが拡散される。
させると次工程における熱処理（リフロー処理）でコン
タクト孔部の拡散層５に高濃度のリンが拡散される。
同様に第２図に第２の実施例を説明するためのＭＯ３型
集積回路の製造工程図を示す。
集積回路の製造工程図を示す。
先ず、第２図ａに示すように、シリコン基板１１の一方
の主面側に選択酸化（ＬＯＧＯ８）膜１２、ゲート酸化
膜１３、多結晶シリコンゲート層１４、拡散層１５から
なるＭＯ３型素子を形成した後基板表面全域に窒化シリ
コン膜１６を堆積する。そして、この窒化シリコン膜１
６の上に、たとえばボロン濃度３重量％、リン濃度４重
量％のＢＰＳＧ膜１７を１μ°ｍ堆積し、表面を平坦化
するため、たとえば酸素ガス中で９００℃６０分間の熱
処理（フロー処理）を施す。そして、引き続き、レジス
トパターンをマスクとしてドライエツチング処理を施し
、多結晶シリコンゲート層１４上のＢＰＳＧ膜１７にコ
ンタクト孔１８を形成すると同時に窒化シリコン膜１６
にコンタクト孔１９を形成する。このとき、拡散層１５
上のコンタクト孔の底面にＢＰＳＧ膜１７膜上７窒化シ
リコン膜１６を残す状態でドライエツチング処理を終了
し、レジストパターンを除去する。
の主面側に選択酸化（ＬＯＧＯ８）膜１２、ゲート酸化
膜１３、多結晶シリコンゲート層１４、拡散層１５から
なるＭＯ３型素子を形成した後基板表面全域に窒化シリ
コン膜１６を堆積する。そして、この窒化シリコン膜１
６の上に、たとえばボロン濃度３重量％、リン濃度４重
量％のＢＰＳＧ膜１７を１μ°ｍ堆積し、表面を平坦化
するため、たとえば酸素ガス中で９００℃６０分間の熱
処理（フロー処理）を施す。そして、引き続き、レジス
トパターンをマスクとしてドライエツチング処理を施し
、多結晶シリコンゲート層１４上のＢＰＳＧ膜１７にコ
ンタクト孔１８を形成すると同時に窒化シリコン膜１６
にコンタクト孔１９を形成する。このとき、拡散層１５
上のコンタクト孔の底面にＢＰＳＧ膜１７膜上７窒化シ
リコン膜１６を残す状態でドライエツチング処理を終了
し、レジストパターンを除去する。
次に第２図すに示すように、窒素ガス中で９００℃３０
分間の熱処理（リフロー）を施す。この工程でＢＰＳＧ
膜１７膜上７してコンタクト孔１９の側壁部１９ａにス
ロープが形成される。この処理においてアスペクト比の
高いコンタクト孔１９に上下端部で丸みをもつテーパ状
のスロープが形成されるのは、従来において生じていた
コンタクト孔１９の下端部と窒化シリコン膜１６もしく
は拡散層１５との界面がなくなり、コンタクト孔１９の
下端部におけるＢＰＳＧ膜１７膜上７張力が小さくなっ
て、ＢＰＳＧ膜１７膜上７が適切に行われるためと考え
られる。このように、コンタクト孔１９のオーバーハン
グを防止することでコンタクト孔１９内の金属配線のカ
バレージを向上できる。また、多結晶シリコンゲート層
１４上のコンタクト孔１８は、若干のオーバーハングと
なるがアスペクト比が低いためコンタクト孔１８内の金
属配線のカバレージは満足できるものとなる。
分間の熱処理（リフロー）を施す。この工程でＢＰＳＧ
膜１７膜上７してコンタクト孔１９の側壁部１９ａにス
ロープが形成される。この処理においてアスペクト比の
高いコンタクト孔１９に上下端部で丸みをもつテーパ状
のスロープが形成されるのは、従来において生じていた
コンタクト孔１９の下端部と窒化シリコン膜１６もしく
は拡散層１５との界面がなくなり、コンタクト孔１９の
下端部におけるＢＰＳＧ膜１７膜上７張力が小さくなっ
て、ＢＰＳＧ膜１７膜上７が適切に行われるためと考え
られる。このように、コンタクト孔１９のオーバーハン
グを防止することでコンタクト孔１９内の金属配線のカ
バレージを向上できる。また、多結晶シリコンゲート層
１４上のコンタクト孔１８は、若干のオーバーハングと
なるがアスペクト比が低いためコンタクト孔１８内の金
属配線のカバレージは満足できるものとなる。
次に、第２図Ｃに示すように、アスペクト比の高いコン
タクト孔１９の底面にある膜厚２００ｎｍ程度のＢＰＳ
ＧＩｌ１１１７と窒化シリコン膜１６を基板表面全面に
わたるドライエツチングにて除去する。
タクト孔１９の底面にある膜厚２００ｎｍ程度のＢＰＳ
ＧＩｌ１１１７と窒化シリコン膜１６を基板表面全面に
わたるドライエツチングにて除去する。
次に、第１図ｄに示すように、従来の方法と同様に周知
の方法を用いてアルミニウム配線２０を形成する。以上
の工程を経て二層配線をもつＭＯＳ型集積回路が形成さ
れる。
の方法を用いてアルミニウム配線２０を形成する。以上
の工程を経て二層配線をもつＭＯＳ型集積回路が形成さ
れる。
なお、本第１．第２の実施例ではＢＰＳＧ膜１７膜上７
て説明したが、リンけい酸ガラス（ＰＳＧ）、硼けい酸
ガラス（ＢＳＧ）および砒けい酸ガラス（ＡＳＳＧ）が
用いられる半導体装置にこの方法を実施しても同じ効果
があることを確認した。
て説明したが、リンけい酸ガラス（ＰＳＧ）、硼けい酸
ガラス（ＢＳＧ）および砒けい酸ガラス（ＡＳＳＧ）が
用いられる半導体装置にこの方法を実施しても同じ効果
があることを確認した。
また、本実施例はＭＯＳ集積回路の製造を例示して説明
したが、本発明はガラスリフローが必要な半導体装置全
般に応用できるものである。
したが、本発明はガラスリフローが必要な半導体装置全
般に応用できるものである。
発明の詳細
な説明したように、本発明の製造方法によればコンタク
ト孔の適当な形状を得ることができるため、ＢＰＳＧ膜
等の絶縁膜上の金属配線の断線を防止することができ、
半導体装置の信頼性を大幅に向上させる効果がある。
ト孔の適当な形状を得ることができるため、ＢＰＳＧ膜
等の絶縁膜上の金属配線の断線を防止することができ、
半導体装置の信頼性を大幅に向上させる効果がある。
第１図ａ−ｅは本発明にかかる半導体装置の製造方法の
第１の実施例を示す工程断面図、第２図ａ−ｄは本発明
の第２９実施例を示す工程断面図、第３図ａ−Ｃは従来
例の工程断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・ＬＯＣＯ
５膜、３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・・・・・多
結晶シリコンゲート層、５・・・・・・拡散層、６・・
・・・・窒化シリコン膜、７・・・・・・第１ ＢＰＳ
Ｇ膜、８・・・・・・コンタクト孔、８ａ・・・・・・
Ｂ 、Ｐ Ｓ Ｇ腹側壁、９・・・・・・第２ＢＰＳＧ
膜、ｌＯ・・・・・・アルミニウム配線、１１・・・・
・・シリコン基板、１２・・・・・・ＬＯＣＯ８膜、１
３・・・・・・ゲート酸化膜、１４・・・・・・多結晶
シリコンゲート層、１５・・・・・・拡散層、１６・・
・・・・窒化シリコン膜、１７・・・・・・第１ＢＰＳ
Ｇ膜、１８．１９・・・・・・コンタクト孔、１９ａ・
・・・・・ＢＰＳＧ膜側壁、２０・・・・・・アルミニ
ウム配線。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか１名／ −−−
シリコン基板 ２−・・ｔＯｔＯ５＊ ３−・ゲート酸化縁 ４・−手繕晶シリコンブート漕 ５・−＄数層 ６・−窒化シソコン獲 ７・・−＊１のＢＰＳ（ｒ項 ８°“フンタクト孔 ９°−＠ ２ Ｆ３ｒＳｅ ｆｆ臭 １０・−・アルミニエフム四己優艮、 Ｕ−−シリコン基本次、 １２・−ｔｏｔｏｓ ａｌＩ １３・−ゲート験化喚 １４− 少ｔｌｊＮ品シリコンゲート層１５−瓢敢層 １６− 菫化シリコン頃５ １７−ＢＰＳ（ｒ項 ｆδ°“フンタクト為
第１の実施例を示す工程断面図、第２図ａ−ｄは本発明
の第２９実施例を示す工程断面図、第３図ａ−Ｃは従来
例の工程断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・ＬＯＣＯ
５膜、３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・・・・・多
結晶シリコンゲート層、５・・・・・・拡散層、６・・
・・・・窒化シリコン膜、７・・・・・・第１ ＢＰＳ
Ｇ膜、８・・・・・・コンタクト孔、８ａ・・・・・・
Ｂ 、Ｐ Ｓ Ｇ腹側壁、９・・・・・・第２ＢＰＳＧ
膜、ｌＯ・・・・・・アルミニウム配線、１１・・・・
・・シリコン基板、１２・・・・・・ＬＯＣＯ８膜、１
３・・・・・・ゲート酸化膜、１４・・・・・・多結晶
シリコンゲート層、１５・・・・・・拡散層、１６・・
・・・・窒化シリコン膜、１７・・・・・・第１ＢＰＳ
Ｇ膜、１８．１９・・・・・・コンタクト孔、１９ａ・
・・・・・ＢＰＳＧ膜側壁、２０・・・・・・アルミニ
ウム配線。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか１名／ −−−
シリコン基板 ２−・・ｔＯｔＯ５＊ ３−・ゲート酸化縁 ４・−手繕晶シリコンブート漕 ５・−＄数層 ６・−窒化シソコン獲 ７・・−＊１のＢＰＳ（ｒ項 ８°“フンタクト孔 ９°−＠ ２ Ｆ３ｒＳｅ ｆｆ臭 １０・−・アルミニエフム四己優艮、 Ｕ−−シリコン基本次、 １２・−ｔｏｔｏｓ ａｌＩ １３・−ゲート験化喚 １４− 少ｔｌｊＮ品シリコンゲート層１５−瓢敢層 １６− 菫化シリコン頃５ １７−ＢＰＳ（ｒ項 ｆδ°“フンタクト為
Claims (7)
- （１）半導体素子が作り込まれた半導体基板上に第１の
絶縁膜を形成する工程、前記第１の絶縁膜に第１の熱処
理を施して前記第１の絶縁膜の表面を平坦化する工程、
前記第１の絶縁膜上に所定のレジストパターンを形成す
る工程、前記レジストパターンをマスクにして前記第１
の絶縁膜にコンタクト孔を開孔する工程、前記レジスト
パターンを除去する工程、前記全工程を経た前記半導体
基板上にその表面形状にそった第２の絶縁膜を形成する
工程、第２の熱処理によって前記コンタクト孔の開口部
周縁および側壁部にスロープを形成する工程、前記コン
タクト孔の底部にある前記第２の絶縁膜を除去する工程
、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）第１、第２の絶縁膜として、ボロンリンけい酸ガ
ラス（ＢＰＳＧ）、リンけい酸ガラス（ＰＳＧ）、硼け
い酸ガラス（ＢＳＧ）、砒けい酸ガラス（ＡＳＳＧ）の
いずれかを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置の製造方法。 - （３）第１、第２の絶縁膜として、ボロンリンけい酸ガ
ラス（ＢＰＳＧ）を用い、前記第２の絶縁膜のリン濃度
を８重量％未満としたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置の製造方法。 - （４）半導体素子が作り込まれた半導体基板上に絶縁膜
を形成する工程、前記絶縁膜に第１の熱処理を施して前
記絶縁膜の表面を平坦化する工程、前記絶縁膜上に所定
のレジストパターンを形成する工程、前記レジストパタ
ーンをマスクにして底面に前記絶縁膜を一部だけ残した
状態のコンタクト孔を形成する工程、前記レジストパタ
ーンを除去する工程、第２の熱処理によって前記コンタ
クト孔の開口部周縁および側壁部にスロープを形成する
工程、前記コンタクト孔の底部にある前記絶縁膜を除去
する工程、を有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - （５）絶縁膜として、ボロンリンけい酸ガラス（ＢＰＳ
Ｇ）、リンけい酸ガラス（ＰＳＧ）、硼けい酸ガラス（
ＢＳＧ）、砒けい酸ガラス（ＡＳＳＧ）のいずれかを用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の半導
体装置の製造方法。 - （６）半導体基板上に、多結晶シリコンゲート層とその
両側の前記半導体基板表面に形成した拡散層とからなる
ＭＯＳ型半導体素子を形成する工程、前記半導体基板上
に絶縁膜を形成する工程、前記絶縁膜に第１の熱処理を
施して前記絶縁膜の表面を平坦化する工程、前記絶縁膜
上に所定のレジストパターンを形成する工程、前記レジ
ストパターンをマスクにして、前記多結晶シリコンゲー
ト層上の前記絶縁膜に前記多結晶シリコンゲート層にま
で至る第１のコンタクト孔を開孔するとともに、前記拡
散層上の前記絶縁膜に底面に前記絶縁膜を一部だけ残し
た状態の第２のコンタクト孔を開孔する工程、前記レジ
ストパターンを除去する工程、第２の熱処理によって前
記第１、第２のコンタクト孔の開口部周縁および側壁部
にスロープを形成する工程、前記第２のコンタクト孔の
底面に残っている前記絶縁膜を除去する工程、を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （７）絶縁膜として、ボロンリンけい酸ガラス（ＢＰＳ
Ｇ）、リンけい酸ガラス（ＰＳＧ）、硼けい酸ガラス（
ＢＳＧ）、砒けい酸ガラス（ＡＳＳＧ）のいずれかを用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の半導
体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-161751 | 1988-06-29 | ||
| JP16175188 | 1988-06-29 | ||
| JP63-175975 | 1988-07-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125449A true JPH02125449A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=15741196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16593389A Pending JPH02125449A (ja) | 1988-06-29 | 1989-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125449A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH04174518A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Nec Corp | 半導体装置におけるコンタクト・ホールの形成方法 |
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| US5486267A (en) * | 1994-02-28 | 1996-01-23 | International Business Machines Corporation | Method for applying photoresist |
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- 1989-06-28 JP JP16593389A patent/JPH02125449A/ja active Pending
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