JPH02134852A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Publication number
JPH02134852A
JPH02134852A JP63289427A JP28942788A JPH02134852A JP H02134852 A JPH02134852 A JP H02134852A JP 63289427 A JP63289427 A JP 63289427A JP 28942788 A JP28942788 A JP 28942788A JP H02134852 A JPH02134852 A JP H02134852A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor chip
lead frame
sealed
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP63289427A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Morishige
森重　季夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH02134852A publication Critical patent/JPH02134852A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の樹脂封止型半導体装置について図面を用いて説明
する。
第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の第１の例の断面
図である。
半導体チップ１の電極６は金属薄膜リード７によってリ
ードフレームのリード２と接続された後、樹脂５で封止
され、フレームから切離される。
第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の第２の例の断面
図である。
半導体チップ１はアイランド３に固着され、金属細線４
によってリード２と接続され、樹脂５によって封止され
た後、フレームから切離される。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、第１の例の場
合、第２図の金属薄膜リード２によってリードフレーム
のリード２と半導体チップ１の電極６をつなぐためには
、リード２と電極６の接合点の位置によって金属薄膜リ
ード７のパターンを半導体チップの種類の数だけ用意し
なければならないという欠点を有する。
また、第２の例の場合、半導体チップ１に固着されてい
るアイランド３はアイランド保持部（図示せず）を通じ
て封止樹脂外部にあるフレームとつながっており、この
経路によって半導体装置内部に不純物が侵入し、半導体
チップ１を不良とならしめるという欠点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、半導体チップの電極がリードフレームのリー
ドと金属線によって接続され樹脂で封止された後前記リ
ードフレームのフレームが切離されて成る樹脂封止型半
導体装置において、前記リードフレームにアイランド部
がなく前記半導体チップの表面と裏面が前記樹脂に接触
していることを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ’線断面図である。
半導体チップ１はリードフレームのリード２と金属線４
によって電気的に接続され、半導体チップ１、リード２
の一部、金属線３は樹脂５によって封止される。これよ
り半導体チップ１の表面と裏面は樹脂５と接触している
構造を有する。この半導体装置は、アイランドを使用し
ない。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、従来の樹脂封止型半導
体装置の半導体チップ裏面の固着部であるリードフレー
ムのアイランドをなくし、半導体チップの表面と裏面と
を同一の樹脂で覆うようにしたので装置外部からの不純
物がアイランドを通して侵入することを完全になくし、
しかも半導体チップのリードフレームのリードとを金属
線でつなぐことにしたので半導体チップの電極の位置及
びリードフレームの内部リードの位置が各品種毎に変化
しても容易につなぎ変えられるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ’線断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装
置の第１の例の断面図、第３図は従来の樹脂封止型半導
体装置の第２の例の断面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・リード、３・・・アイ
ランド、４・・・金属線、５・・樹脂、６・・・電極、
７・・・金属薄膜リード。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップの電極がリードフレームのリードと金属線
    によって接続され樹脂で封止された後前記リードフレー
    ムのフレームが切離されて成る樹脂封止型半導体装置に
    おいて、前記リードフレームにアイランド部がなく前記
    半導体チップの表面と裏面が前記樹脂に接触しているこ
    とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP63289427A 1988-11-15 1988-11-15 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH02134852A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5289033A (en) * 1990-04-25 1994-02-22 Sony Corporation Packaging of semiconductor chips with resin

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58180033A (ja) * 1982-04-16 1983-10-21 Hitachi Ltd 半導体装置

Patent Citations (1)

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Cited By (1)

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