JPH02134856A - 半導体装置のリード加工金型 - Google Patents
半導体装置のリード加工金型Info
- Publication number
- JPH02134856A JPH02134856A JP63289289A JP28928988A JPH02134856A JP H02134856 A JPH02134856 A JP H02134856A JP 63289289 A JP63289289 A JP 63289289A JP 28928988 A JP28928988 A JP 28928988A JP H02134856 A JPH02134856 A JP H02134856A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- leads
- lead
- semiconductor device
- die
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Bending Of Plates, Rods, And Pipes (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置のリード加工金型、特にＪ型リ
ードを成形する半導体装置のリード加工金型の改良に関
するものである。
ードを成形する半導体装置のリード加工金型の改良に関
するものである。
第２図は従来の半導体装置がリード加工される状態を示
す図である。図に８いて、（１）は樹脂封止された半導
体装置、（２）はこの半導体装置（１）の側面から導出
されて、表面部に半田めっきが施され、外部と電気的に
接続されるリード、（３）は超硬あるいはスチール等の
材質よりなる曲げ金型、（４）はこの曲は金型（３）の
向火側の上面側に形成され、半導体装置°（１）を内包
させる支持部、・（５）はこの支持部（４）表面に設け
られ、鏡面仕上が施されており、リード（２）をＪ型に
屈曲させるためのＪ型曲面、（６）は曲げ金型（３）の
周辺部に有する受圧部である。（７）はリード（２）を
クランプするためのストリッパーで、その下面側内央部
に半導体装置（１）の上面側に対応する形状の四部が形
成されておシ、その周辺部の曲げ金型（３）の受圧部（
６）に対向した位置に押圧部（８）を有し、上下方向に
動き得るようになされている。
す図である。図に８いて、（１）は樹脂封止された半導
体装置、（２）はこの半導体装置（１）の側面から導出
されて、表面部に半田めっきが施され、外部と電気的に
接続されるリード、（３）は超硬あるいはスチール等の
材質よりなる曲げ金型、（４）はこの曲は金型（３）の
向火側の上面側に形成され、半導体装置°（１）を内包
させる支持部、・（５）はこの支持部（４）表面に設け
られ、鏡面仕上が施されており、リード（２）をＪ型に
屈曲させるためのＪ型曲面、（６）は曲げ金型（３）の
周辺部に有する受圧部である。（７）はリード（２）を
クランプするためのストリッパーで、その下面側内央部
に半導体装置（１）の上面側に対応する形状の四部が形
成されておシ、その周辺部の曲げ金型（３）の受圧部（
６）に対向した位置に押圧部（８）を有し、上下方向に
動き得るようになされている。
曲げ金型（３）とストリッパー（７）とから、半導体装
置（１）のリード（２）をｙ５に加工するリード加工金
型（以下、金型と称す）が構成されている。
置（１）のリード（２）をｙ５に加工するリード加工金
型（以下、金型と称す）が構成されている。
次に、成形工程について説明する。第２図（、）に示す
ように、あらかじめ、リード（２）が所定形状に成形さ
れている半導体装置（１）を、曲は金型（３）上にセッ
トする。このとき、半導体装置（１）が曲げ金型（３）
のほぼ中央部に位置し、リード（２）がＪ型曲面（５）
に対向するように位置決めされる。次いで、ストリッパ
−（７）を下降させ、半導体装置（１）の上面側がスト
リンパ−（７）の四部に当接された状態となし、さらに
、ストリッパー（７）を下降させることにより、第２図
（ｂ）に示すように、曲げ金型（３）の受圧部（６）と
ストリッパー（７）の押圧部（８）とを当接した状態に
する。これによシ、ストリッパー（７）の凹部の一部と
Ｊ型曲面（５）とで、リード（２）がクランプされ、さ
らに押圧されることによって、リード（２）は曲げ金型
（３）の上で押し付けられ、曲げ金型（３）表面にこす
られながら成形される。リード成形後は、第２図（０）
に示すように、ストリッパー（７）が上昇し、曲げ金型
（３）から離間される。この後、曲げ金型（３）からリ
ード（２）の成形を完了した半導体装＠（１）を取シ出
すことによって成形工程が終了する。
ように、あらかじめ、リード（２）が所定形状に成形さ
れている半導体装置（１）を、曲は金型（３）上にセッ
トする。このとき、半導体装置（１）が曲げ金型（３）
のほぼ中央部に位置し、リード（２）がＪ型曲面（５）
に対向するように位置決めされる。次いで、ストリッパ
−（７）を下降させ、半導体装置（１）の上面側がスト
リンパ−（７）の四部に当接された状態となし、さらに
、ストリッパー（７）を下降させることにより、第２図
（ｂ）に示すように、曲げ金型（３）の受圧部（６）と
ストリッパー（７）の押圧部（８）とを当接した状態に
する。これによシ、ストリッパー（７）の凹部の一部と
Ｊ型曲面（５）とで、リード（２）がクランプされ、さ
らに押圧されることによって、リード（２）は曲げ金型
（３）の上で押し付けられ、曲げ金型（３）表面にこす
られながら成形される。リード成形後は、第２図（０）
に示すように、ストリッパー（７）が上昇し、曲げ金型
（３）から離間される。この後、曲げ金型（３）からリ
ード（２）の成形を完了した半導体装＠（１）を取シ出
すことによって成形工程が終了する。
従来の金型は、以上のように構成されてお）、Ｊ型リー
ドに成形の際、曲げ金型（３）が超硬あるいはスチール
等よりなっているため、そのＪｉＭ曲面（５）の表面と
リード（２）の表面との接触による大きな摩擦が生じる
。このため、リード（２）の表面を覆う半田めっきがは
がれて、Ｊ型曲面（５）の表面にリード（２）の表面を
覆う半田めっきが付着し、その付着物によって、リード
（２）の表面に傷がつけられたシ、リード（２）の変形
が生じたシする。このように、半導体装置（１）の信頼
性が損われてしまうという問題点があった。
ドに成形の際、曲げ金型（３）が超硬あるいはスチール
等よりなっているため、そのＪｉＭ曲面（５）の表面と
リード（２）の表面との接触による大きな摩擦が生じる
。このため、リード（２）の表面を覆う半田めっきがは
がれて、Ｊ型曲面（５）の表面にリード（２）の表面を
覆う半田めっきが付着し、その付着物によって、リード
（２）の表面に傷がつけられたシ、リード（２）の変形
が生じたシする。このように、半導体装置（１）の信頼
性が損われてしまうという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、リード成形の際に、金型表面へのリード表面
の半田めっきの付着が防止でき、リードが正常な状態に
成形できて、高信頼度の半導体装置となる金型を得るこ
とを目的とするＱ〔課題を解決するための手段〕 この発明における牛導体装置の金型は、外部にリードを
導出させた半導体装置を内在させ、上記リードをＪ型に
屈曲させるべき凹部が設けられておシ、その凹部の上記
リードが接触される部分に上記リードを保護すべき皮膜
を形成したものである０ 〔作用〕 この発明における皮膜は、耐磨耗性、非粘着性、滑り特
性が非常に優れていることによシ、金型表面とリード表
面の間のＩＩ擦が緩和され、金型表面へのリード表面を
覆う半田めっきの付着を防止する作用がある。
たもので、リード成形の際に、金型表面へのリード表面
の半田めっきの付着が防止でき、リードが正常な状態に
成形できて、高信頼度の半導体装置となる金型を得るこ
とを目的とするＱ〔課題を解決するための手段〕 この発明における牛導体装置の金型は、外部にリードを
導出させた半導体装置を内在させ、上記リードをＪ型に
屈曲させるべき凹部が設けられておシ、その凹部の上記
リードが接触される部分に上記リードを保護すべき皮膜
を形成したものである０ 〔作用〕 この発明における皮膜は、耐磨耗性、非粘着性、滑り特
性が非常に優れていることによシ、金型表面とリード表
面の間のＩＩ擦が緩和され、金型表面へのリード表面を
覆う半田めっきの付着を防止する作用がある。
以下、この発明の実施例を図に従って説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置がリード
加工される状態を示す図である。図において、第２図と
同一部分または相当部分には同一符号を付する。（９）
はコーティング皮膜である。第１図に示すものが、第２
図に示すものと異なる点は、曲げ金型（３）のＪ型曲面
（５）のリード（２）と接する面にコーティング皮膜が
形成されている点である０このコーティング皮膜（９）
は例えば、アモルファスクロムめっき法により形成され
る。このアモルファスクロムめっきは、クロムと３％前
後の炭素を含む合金皮膜であシ、この場合、コーティン
グ皮膜（９）の厚さは５μｍ程度である。
加工される状態を示す図である。図において、第２図と
同一部分または相当部分には同一符号を付する。（９）
はコーティング皮膜である。第１図に示すものが、第２
図に示すものと異なる点は、曲げ金型（３）のＪ型曲面
（５）のリード（２）と接する面にコーティング皮膜が
形成されている点である０このコーティング皮膜（９）
は例えば、アモルファスクロムめっき法により形成され
る。このアモルファスクロムめっきは、クロムと３％前
後の炭素を含む合金皮膜であシ、この場合、コーティン
グ皮膜（９）の厚さは５μｍ程度である。
次に、この成形工程について説明する。成形工程自体は
第２図に示すものと同じである０まず、図示省略しであ
るが、第２図（＆）に示すと同じように、開状態となっ
ている曲げ金型（３）、ストリッパー（７）間に牛導体
装置（１）が移送されてきて、位置決めされる。
第２図に示すものと同じである０まず、図示省略しであ
るが、第２図（＆）に示すと同じように、開状態となっ
ている曲げ金型（３）、ストリッパー（７）間に牛導体
装置（１）が移送されてきて、位置決めされる。
次いで、第１図に示すように、ス） ＩＪツバ−（７）
が下降して半導体装置（１）のリード（２）部をクラン
プし、曲げ金型（３）に当接される。
が下降して半導体装置（１）のリード（２）部をクラン
プし、曲げ金型（３）に当接される。
これによって、リード（２）が曲げ金型ｒ３） Ｋ押し
付けられて、その支持部（４）に形成されるＪ型曲面（
５）に沿ってリード（２）の中央部から先端部にわたり
所定曲率を有するＪ型に屈曲される０ ここで、Ｊ型曲面（５）に形成されるコーティング皮膜
（９）は、曲げ金型【３）の材質に対し、耐摩耗性、非
粘着性、滑シ特性が非財に優れたものである。
付けられて、その支持部（４）に形成されるＪ型曲面（
５）に沿ってリード（２）の中央部から先端部にわたり
所定曲率を有するＪ型に屈曲される０ ここで、Ｊ型曲面（５）に形成されるコーティング皮膜
（９）は、曲げ金型【３）の材質に対し、耐摩耗性、非
粘着性、滑シ特性が非財に優れたものである。
このため、リード（２）が曲げ金型（３）表面にこすら
れながら成形されても、リード（２）と曲げ金型（３）
表面の間の摩擦が極めて小さくなる。これにより、リー
ド（２）の表面を覆う半田めっきがはがれず、曲げ金型
（３）表面へのリード（２）の表面を覆う半田めっき付
着が防止できる。
れながら成形されても、リード（２）と曲げ金型（３）
表面の間の摩擦が極めて小さくなる。これにより、リー
ド（２）の表面を覆う半田めっきがはがれず、曲げ金型
（３）表面へのリード（２）の表面を覆う半田めっき付
着が防止できる。
さらに、図示省略しであるが、第２図（０）に示すと同
じように、ストリッパー（７）が上昇し、曲げ金型（３
）から離間される０この後、曲げ金型【３）からリード
（２）の成形を完了した半導体装置（１）を取り出すこ
とによって成形工程が終了する。
じように、ストリッパー（７）が上昇し、曲げ金型（３
）から離間される０この後、曲げ金型【３）からリード
（２）の成形を完了した半導体装置（１）を取り出すこ
とによって成形工程が終了する。
このように成形が行われるため、リード（２）が正常な
形状のものにできて、高信頼度の半導体装置（１）が得
られる。
形状のものにできて、高信頼度の半導体装置（１）が得
られる。
なお、上記一実施例の説明において、コーティング皮膜
（９）は、アモルファスクロムめっき法ニよシ形成され
る５μｍ程度の膜厚のものについて述べたが、これに限
定されるものではなく、他の皮膜、例えは、ニッケルー
リン皮膜に、７ツ素樹脂を複合させる方法によシ形成さ
れる１５μｍ程度の膜厚のもの、また、クロム等の硬質
電着皮膜の中にテア０ン宿脂を埋込み、その皮膜の一部
とする加工方法によシ形成される５０μｍ程度の膜厚の
もの、さらに、プラズマＯＶＤ 、スパッタリング等の
成膜法により形成される、アルミナ、炭化珪素、窒化珪
素等のセラミックの膜厚が５〜１０μｍ程度のものであ
っても良い。要は、皮膜の種類や膜厚等によらず、リー
ド（２）の表面を覆う半田めっきがはがれず、正常なリ
ード加工が行われるような特性の皮膜が形成されれば良
く、上記と同様の効果を奏するものである。
（９）は、アモルファスクロムめっき法ニよシ形成され
る５μｍ程度の膜厚のものについて述べたが、これに限
定されるものではなく、他の皮膜、例えは、ニッケルー
リン皮膜に、７ツ素樹脂を複合させる方法によシ形成さ
れる１５μｍ程度の膜厚のもの、また、クロム等の硬質
電着皮膜の中にテア０ン宿脂を埋込み、その皮膜の一部
とする加工方法によシ形成される５０μｍ程度の膜厚の
もの、さらに、プラズマＯＶＤ 、スパッタリング等の
成膜法により形成される、アルミナ、炭化珪素、窒化珪
素等のセラミックの膜厚が５〜１０μｍ程度のものであ
っても良い。要は、皮膜の種類や膜厚等によらず、リー
ド（２）の表面を覆う半田めっきがはがれず、正常なリ
ード加工が行われるような特性の皮膜が形成されれば良
く、上記と同様の効果を奏するものである。
以上のように、この発明によれば、リードを保護すべき
皮膜を、リードをＪ型に屈曲させるべき凹部のリードが
接触される部分に形成したので、リードが正常な状態に
成形できて、高信頼度の半導体装置が得られる効果があ
る。
皮膜を、リードをＪ型に屈曲させるべき凹部のリードが
接触される部分に形成したので、リードが正常な状態に
成形できて、高信頼度の半導体装置が得られる効果があ
る。
第１図は、この発明の一実施例によるリード加工金型を
用いて半導体装置のリードが加工される状態を示す図、
第２図（＆）〜（０）は従来のリード加工金型を用いて
半導体装置のリードが加工される状態を示す図である。 図において、（１）は半導体装置、（２）はリード、Ｃ
３）は曲げ金型、（５）はＪ型面面、（７）はストリッ
パー（９）はコーティング皮膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
用いて半導体装置のリードが加工される状態を示す図、
第２図（＆）〜（０）は従来のリード加工金型を用いて
半導体装置のリードが加工される状態を示す図である。 図において、（１）は半導体装置、（２）はリード、Ｃ
３）は曲げ金型、（５）はＪ型面面、（７）はストリッ
パー（９）はコーティング皮膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 外部にリードを導出させた半導体装置を内在させ、上記
リードをＪ型に屈曲させるべき凹部が設けられており、
その凹部の上記リードが接触される部分に、上記リード
を保護すべき皮膜が形成されている半導体装置のリード
加工金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289289A JPH02134856A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体装置のリード加工金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289289A JPH02134856A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体装置のリード加工金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02134856A true JPH02134856A (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=17741251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63289289A Pending JPH02134856A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体装置のリード加工金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02134856A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780931A (en) * | 1995-06-09 | 1998-07-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface mounting semiconductor device and semiconductor mounting component |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP63289289A patent/JPH02134856A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780931A (en) * | 1995-06-09 | 1998-07-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface mounting semiconductor device and semiconductor mounting component |
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