JPH0360060A - 半導体装置のリード加工金型 - Google Patents
半導体装置のリード加工金型Info
- Publication number
- JPH0360060A JPH0360060A JP1196166A JP19616689A JPH0360060A JP H0360060 A JPH0360060 A JP H0360060A JP 1196166 A JP1196166 A JP 1196166A JP 19616689 A JP19616689 A JP 19616689A JP H0360060 A JPH0360060 A JP H0360060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- mold
- semiconductor device
- ceramic
- bending mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Wire Processing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置のリード加工金型、特にＪ型リ
ードを成形する半導体装置のリード加工金型の改良に関
するものである。
ードを成形する半導体装置のリード加工金型の改良に関
するものである。
第２図ａ ％ Ｃは従来の半導体装置がリード加工され
る状態を示す図である０図において、１は樹脂封止され
た半導体装置、２はこの半導体装置１の側面から導出さ
れて、表面部に半田めっきが施され、外部と電気的に接
続されるリードであり、４は超硬の材質よりなる超硬曲
げ金型、５はこの超硬曲げ金型４の向火側の上面側に形
成され、半導体装置１を内包させる支持凹部、６はこの
支持凹部５の哉面に設けられ、鏡面仕上が施されており
、リード２をＪ型に屈曲させるためのＪ型曲面、７は超
硬曲げ金型４の周辺部の受圧部である。８はリード２を
クランプするためのストリッパーで、その下面側内央部
に半導体装置１の上面側に対応する形状の凹部が形成さ
れており、その周辺部の超硬曲げ金型４の受圧部７に対
向した位置に押圧部９を有し、上下方向に動き得るよう
になされている９以上のような超硬曲げ金型４とストリ
ッパー８とから半導体装置１のリード２をＪ型に加工す
るリード加工金型（以下、金型と称す）が構成されてい
る。
る状態を示す図である０図において、１は樹脂封止され
た半導体装置、２はこの半導体装置１の側面から導出さ
れて、表面部に半田めっきが施され、外部と電気的に接
続されるリードであり、４は超硬の材質よりなる超硬曲
げ金型、５はこの超硬曲げ金型４の向火側の上面側に形
成され、半導体装置１を内包させる支持凹部、６はこの
支持凹部５の哉面に設けられ、鏡面仕上が施されており
、リード２をＪ型に屈曲させるためのＪ型曲面、７は超
硬曲げ金型４の周辺部の受圧部である。８はリード２を
クランプするためのストリッパーで、その下面側内央部
に半導体装置１の上面側に対応する形状の凹部が形成さ
れており、その周辺部の超硬曲げ金型４の受圧部７に対
向した位置に押圧部９を有し、上下方向に動き得るよう
になされている９以上のような超硬曲げ金型４とストリ
ッパー８とから半導体装置１のリード２をＪ型に加工す
るリード加工金型（以下、金型と称す）が構成されてい
る。
次に、成形工程について説明する。第２図ａに示すよう
に、あらかじめリード２が所定形状に成形されている半
導体装置１を、超硬曲げ金型４上にセットする。このと
き２半導体装置１が超硬曲げ金型４のほぼ中央部に位置
し、リード２がＪ型曲面６に対向するように位置決めさ
れる０次いで、ストリッパー８を下降させ、半導体装置
１の上面側がストリッパー８の凹部に当接された状態と
なし、さらに、ストリッパー８を下降させることにより
、第２図すに示すように、超硬曲げ金型４の受圧部７と
ストリッパー８の押圧部９とを当接した状態にする。こ
れにより、ストリッパー８の凹部の一部とＪ型曲面６と
でリード２がクランプされ、さらに押圧されることによ
って、リード２は超硬曲げ金型４の上で押し付けられ、
超硬曲げ金型４表面にこすられながら成形される。リー
ド成形後は、第２図Ｃに示すように、ストリッパー８が
上昇し、超硬曲げ金型４から離間される。この後、超硬
曲げ金型４からリード２の成形を完了した半導体装置１
を取り出すことによって成形工程が終了する。
に、あらかじめリード２が所定形状に成形されている半
導体装置１を、超硬曲げ金型４上にセットする。このと
き２半導体装置１が超硬曲げ金型４のほぼ中央部に位置
し、リード２がＪ型曲面６に対向するように位置決めさ
れる０次いで、ストリッパー８を下降させ、半導体装置
１の上面側がストリッパー８の凹部に当接された状態と
なし、さらに、ストリッパー８を下降させることにより
、第２図すに示すように、超硬曲げ金型４の受圧部７と
ストリッパー８の押圧部９とを当接した状態にする。こ
れにより、ストリッパー８の凹部の一部とＪ型曲面６と
でリード２がクランプされ、さらに押圧されることによ
って、リード２は超硬曲げ金型４の上で押し付けられ、
超硬曲げ金型４表面にこすられながら成形される。リー
ド成形後は、第２図Ｃに示すように、ストリッパー８が
上昇し、超硬曲げ金型４から離間される。この後、超硬
曲げ金型４からリード２の成形を完了した半導体装置１
を取り出すことによって成形工程が終了する。
従来の金型は以上のように構成されており、Ｊ型リード
に成形の際、超硬曲げ金型４が超硬よりなっているため
、そのＪ型曲面６の表面とリード２の表面との接触によ
る大きな摩擦が生じる。このため、リード２の表面を覆
う半田めっきが剥がれて、Ｊ型開面５の表面にリード２
の表面を覆う半田めっきが付着し、その付着物によって
、リード２の表面に傷が付けられたり、リード２の変形
が生じたりし、半導体装置１の信頼性が損なわれてしま
うという問題点があった。
に成形の際、超硬曲げ金型４が超硬よりなっているため
、そのＪ型曲面６の表面とリード２の表面との接触によ
る大きな摩擦が生じる。このため、リード２の表面を覆
う半田めっきが剥がれて、Ｊ型開面５の表面にリード２
の表面を覆う半田めっきが付着し、その付着物によって
、リード２の表面に傷が付けられたり、リード２の変形
が生じたりし、半導体装置１の信頼性が損なわれてしま
うという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、リード成形の際に、金型表面へのリード表面
の半田めっきの付着が防止でき、リードが正常な状態に
成形できる金型を得ることを目的とする。
たもので、リード成形の際に、金型表面へのリード表面
の半田めっきの付着が防止でき、リードが正常な状態に
成形できる金型を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置の金型は、外部にリードを導
出させた半導体装置を内在させ、上記リードをＪ型に屈
曲させるべき凹部が設けられている金型において、上記
金型をセラミック材料で形成したものである。
出させた半導体装置を内在させ、上記リードをＪ型に屈
曲させるべき凹部が設けられている金型において、上記
金型をセラミック材料で形成したものである。
この発明におけるセラミック材料は、表面潤滑性、非粘
着性が非常に優れていることにより、金型表面とリード
表面の間の摩擦が緩和され、金型表面へのリード表面を
覆う半田めっきの付着を防止する作用がある。
着性が非常に優れていることにより、金型表面とリード
表面の間の摩擦が緩和され、金型表面へのリード表面を
覆う半田めっきの付着を防止する作用がある。
以下この発明の一実施例を第１図について説明する。第
１図は半導体装置がリード加工される状態を示す図（第
２図すに対応する図）であり、図において、第２図と同
一部分または相当部分には同一符号を付する。３はセラ
ミック曲げ金型であり、第２図に示すものと異なる点は
、セラミック曲げ金型３がセラミック材料で形成されて
いる点である。
１図は半導体装置がリード加工される状態を示す図（第
２図すに対応する図）であり、図において、第２図と同
一部分または相当部分には同一符号を付する。３はセラ
ミック曲げ金型であり、第２図に示すものと異なる点は
、セラミック曲げ金型３がセラミック材料で形成されて
いる点である。
次に、この成形工程について説明する。成形工程自体は
第２図に示すものと同じである。まず、図示省略しであ
るが、第２図ａに示すと同じように開状態となっている
セラミック曲げ金型３．ストリッパー８の間に半導体装
置１が移送されてきて、位置決めされる。
第２図に示すものと同じである。まず、図示省略しであ
るが、第２図ａに示すと同じように開状態となっている
セラミック曲げ金型３．ストリッパー８の間に半導体装
置１が移送されてきて、位置決めされる。
次いで、第１図に示すように、ストリッパー８が下降し
て半導体装置１のリード２部をクランプし、セラミック
曲げ金型３に当接される。これによって、リード２がセ
ラミック曲げ金型３に押し付けられて、その支持部５に
形成されているＪ型曲面６に沿ってリード２の中央部か
ら先端部にわたり、所定曲率を有するＪ型に屈曲される
。
て半導体装置１のリード２部をクランプし、セラミック
曲げ金型３に当接される。これによって、リード２がセ
ラミック曲げ金型３に押し付けられて、その支持部５に
形成されているＪ型曲面６に沿ってリード２の中央部か
ら先端部にわたり、所定曲率を有するＪ型に屈曲される
。
ここで、セラミック曲げ金型３は、超硬曲げ金型４に対
し、表面潤滑性、非粘着性が非常に優れたものであるた
め、リード２がセラミック曲げ金型３表面にこすられな
がら成形されても、リード２とセラミック曲げ金型３表
面の間の摩擦が極めて小さくなる。これにより、リード
２の表面を覆う半田めっきが剥がれず、セラミック曲げ
金型３表面へのリード２の表面を覆う半田めっきの付着
が防止できる。
し、表面潤滑性、非粘着性が非常に優れたものであるた
め、リード２がセラミック曲げ金型３表面にこすられな
がら成形されても、リード２とセラミック曲げ金型３表
面の間の摩擦が極めて小さくなる。これにより、リード
２の表面を覆う半田めっきが剥がれず、セラミック曲げ
金型３表面へのリード２の表面を覆う半田めっきの付着
が防止できる。
さらに図示省略しであるが、第２図Ｃに示すと同じよう
に、ストリッパー８が上昇し、セラミック曲げ金型３か
ら離間される。この後、セラミック曲げ金型３からリー
ド２の成形を完了した半導体装置１を取り出すことによ
って成形工程が終了する。
に、ストリッパー８が上昇し、セラミック曲げ金型３か
ら離間される。この後、セラミック曲げ金型３からリー
ド２の成形を完了した半導体装置１を取り出すことによ
って成形工程が終了する。
このように成形が行われるため、リード２が正常な形状
のものにできて、高信頼度の半導体装置１が得られる。
のものにできて、高信頼度の半導体装置１が得られる。
以上のようにこの発明によれば、金型をセラミック材料
で形成したので、リードが正常な状態に成形できて、高
信頼度の半導体装置が得られる効果がある。
で形成したので、リードが正常な状態に成形できて、高
信頼度の半導体装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるリード加工金型を用
いて半導体装置のリードが加工される状態を示す図、第
２図ａ ’％ Ｃは従来のリード加工金型を用いて半導
体装置のリードが加工される状態を示す図である。 図中、１は半導体装置、２はリード、３はセラミック曲
げ金型、６はＪ型曲面、８はストリッパーである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
いて半導体装置のリードが加工される状態を示す図、第
２図ａ ’％ Ｃは従来のリード加工金型を用いて半導
体装置のリードが加工される状態を示す図である。 図中、１は半導体装置、２はリード、３はセラミック曲
げ金型、６はＪ型曲面、８はストリッパーである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 外部にリードを導出させた半導体装置を内在させ、上記
リードをＪ型に屈曲させるべき凹部が設けられているリ
ード加工金型において、上記リード加工金型をセラミッ
ク材料で構成したことを特徴とする半導体装置のリード
加工金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1196166A JPH0360060A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置のリード加工金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1196166A JPH0360060A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置のリード加工金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360060A true JPH0360060A (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16353307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1196166A Pending JPH0360060A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置のリード加工金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0360060A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9021866B2 (en) | 2011-10-11 | 2015-05-05 | Gl Sciences Incorporated | Gas leak detector |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62171148A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | チツプキヤリア型ｉｃの製造方法 |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP1196166A patent/JPH0360060A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62171148A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | チツプキヤリア型ｉｃの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9021866B2 (en) | 2011-10-11 | 2015-05-05 | Gl Sciences Incorporated | Gas leak detector |
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