JPH02142155A - 半導体ウェハ移し替え装置 - Google Patents

半導体ウェハ移し替え装置

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JPH02142155A
JPH02142155A JP63295563A JP29556388A JPH02142155A JP H02142155 A JPH02142155 A JP H02142155A JP 63295563 A JP63295563 A JP 63295563A JP 29556388 A JP29556388 A JP 29556388A JP H02142155 A JPH02142155 A JP H02142155A
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liquid
wafer
boat
wafer transfer
jig
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Fumitake Mieno
三重野 文建
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (概 要) 半導体ウェハの製造プロセスにおける半導体ウェハ移し
替え装置に関し、 半導体ウェハの移し替え時における該ウェハとボート等
保持具との接触、 Ig擦によって生ずる塵埃に起因す
る半導体デバイスとしての特性劣化を防止することを目
的とし、 内側に半導体ウェハを立てた状態で挿入保持する溝が等
間隔平行に形成されたボート2個を、上記溝を合致させ
た状態で対□向させて構成する半導体ウェハ移し替え治
具を、液体中で該治具を−に下反転させる手段に連結し
て構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハの製造プロセスにおける半導体ウ
ェハ移し替え装置に係り、特に半導体ウェハの移し替え
時におけるウェハとボートやバスケット等保持具との接
触、摩擦によって生ずる塵埃に起因する半導体デバイス
としての特性劣化の防止を図った半導体ウェハ移し替え
装置に関する。
一般に半導体ウェハの製造プロセスでは多数回の洗浄や
被膜形成工程を必要としているが、工程にしたがってウ
ェハを移動させる場合にはボートやバスケット等の保持
具を替える必要がある。
この際の移し替え作業は通常雰囲気のよい環境中で行わ
れるが、該ウェハやウェハと直接接触するボートやバス
ケット等の保持具から発生する摩耗粉等の塵埃が問題と
なっている。
この場合の発塵は、ウェハと上記保持具が擦れ合い少な
くとも一方が損傷することに起因するが、ウェハおよび
保持具を洗浄水または各種薬液に浸漬するとこれらの塵
埃粒子がウェハ表面に付着するため爾後の諸工程で半導
体デバイスとしての欠陥を生じ特性をt員なうことにな
る。
特に最近の如くウェハの大口径化やパターンの微細化が
進展すると、塵埃粒子の発生が多くなると共にパターン
に及ぼす影響が大きくなることから、これら塵埃粒子の
発生およびウェハ表面への付着を極力抑制する必要があ
る。
〔従来の技術) 第4図は従来の半導体ウェハ移し替え治具の例を示す図
であり、(A)は治具の構成例をまた(B)は移し替え
動作を説明する図である。
第4図(Δ)で、1は例えば6J:径で厚さが0.5m
m程度の半導体ウェハ(以下ウェハとする)を示し、2
及び3はその内部に複数の上記ウェハ1を立てた状態で
所定間隔例えば数mm間隔で平行に整列保持するための
満28.及び3aが相互に対応して形成されている等し
い大きさのボートである。
このボート2及び3の該ウェハ1を位置決めするための
上記溝2aと3aは、その幅Wを処理工程中における該
ウェハ1の反りや曲がりにも対応できるように通常上記
ウェハ1の厚さの3〜4倍例えば1.5〜2.01とす
ると共に、該ウェハの外形に沿う0寸法を該ウェハの外
径より僅かに大きくしたU字型に形成している。
尚該ボート2及び3の両側面部と底部に設けている溝2
b、 3bは、上記溝2a、 3a部分でのみ該ボート
2または3の壁部分を貫通するような深さに形成してい
るものであり、純水や薬液等の液体を該移し変え治具4
の内部で循環させるためのものである。
ここで例えばボート2の谷溝2aにウェハ1を挿入し、
ボート3の溝3aが上記ボート2の谷溝2aと対応する
ようにボート3を対向させて装着し、半導体ウェハ移し
替え治具4を完成させている。
ウェハを移し替える際の動作を示す図(B)で、(イ)
は例えば洗浄、乾燥が終了し良好な雰囲気中にある複数
のウェハIがボート2の溝2aに挿入された状態にある
ことを示している。
ここで、該ウェハ1を次工程に進まぜるために他のボー
ト(図の場合にはボート3)に移し替えるが、この際該
半導体つェハ移し替え治具4をそのまま例えば図示矢印
R方向に図(ロ)のように上下反転させてウェハをボー
ト3の対応する溝3aに落とし込み、次工程例えば被膜
形成等の工程に移行さ・せでいる。
このウェハを移し替える際の該ウェハの移動は自重によ
って行われるため、ウェハとボートが衝突し合って微細
な塵埃が発生しウェハを汚染することになる。
特にこの傾向はウェハが大口径化するにつれて大きくな
るため、深刻な問題となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の構成になる半導体ウェハ移し替え治具は、ウェハ
の移し替え時に発生ずる塵埃が洗浄や被膜形成等の工程
でウェハの表面に多く付着するため、洗浄や被膜形成等
が均一にできずひいてはデバイスとしての特性低下によ
る不良が増大すると云う問題があった。
〔課題を解決するための手段〕
上記問題点は、内側に半導体ウェハを立てた状態で挿入
保持する溝が等間隔平行に形成されたポート2個を、上
記溝を合致させた状態で対向させて構成する半導体ウェ
ハ移し替え治具が、液体中で該治具を上下反転させる手
段に連結されてなる半導体ウェハ移し替え装置によって
解決される。
〔作 用] ウェハの移し替え作業を液体中で行うと、該液体による
浮力によってウェハはゆっくりと下降すると共にウェハ
とボートの各接触部分に介在する液体がダンパとなるた
め、相互の衝突によって発塵することがない。
本発明では、半導体ウェハ移し替え治具にウェハ処理液
体中で上下反転できる手段を付加することによってウェ
ハの移し替えを液体中で行うようにしている。
従って、ウェハの移し替え時の発塵がなくなりデバイス
としての特性低下による不良発生を防止することができ
る。
(実施例] 第1図は本発明になる半導体ウェハ移し替え装置を説明
する図であり、(八)はウェハを移し替える前を、また
(B)は該ウェハを移し替えた後の状態をそれぞれ示し
た図である。
また第2図はウェハの移し替え治具を説明する図であり
(八)は主要部構成例を(B)は機能を説明する図であ
る。また第3図はウェハの移し替え工程の一例を説明す
る図である。
第1図は第4図における半導体ウェハ移し替え治具を処
理容器に装着して側面から見た状態を示したものである
図(^)で、4はウェハ1がホード2に保持されている
第4図におけるウェハ移し替え治具を示し、該治具4は
純水や薬液等の液体10が満たされた処理容器11の隔
壁を貫通して例えばバンキング12aを介して密閉を保
つように回転自在に装着された回転軸12と一体化した
台板13の上に固定されている。なお該回転軸I2の他
端は、処理容器11の外部にある図示されない回転機構
部に連結されている。
また14は該処理容器11の排液ボートである。
ここで、該液体10で」二記ウェハ1を洗浄あるいは皮
膜形成等の処理を行った後上記排液ボート14から矢印
の如く排出し、更に上部から例えば洗浄水10′を該ウ
ェハ移し替え治具4が充分に浸されるまで注入する。
そこでそのままの状態で図示されない回転機構部を作動
して回転軸12を180度回転させて上下反転させ、下
側に来るボート3にウェハlを落下させて図(B)の状
態とする。
更に該液体10’を排液ボート14から除去した後皮膜
形成液あるいは洗浄液等を注入して所要の処理工程を継
続して実施するようにしている。
かかる構成になる半導体ウェハ移し替え装置では、落下
するウェハlには液体10’による浮力が働くため該液
体10゛の流動抵抗とあいまって落下速度が遅くなり、
更にボート3に到達した時点でも該ボート3との接触点
の間に液体10°が介在するため、衝突による発塵を起
こすことがない。
第2図のウェハ移し替え治具22の構成例を示す(A)
で、Iは第4図で示した半導体ウェハ(以下ウェハとす
る)を示し、2も第4図で説明した溝2a、2bを備え
たボート2と同等のものである。
また20は第4図におけるボート3と外形が等しくその
内部にはボート3に設けた溝3aと同様の1.′420
aが1また底部(図面では上面)にボート3の溝3bと
等しい溝20bが形成されている。
更に該ボート20の両サイド側面に設けた上記ウェハl
の存在領域をカバーするに足る長さの窓20Cにはその
外部から、断面が“く”の字状に曲げられた形状記憶樹
脂板よりなる矩形状のストッパ21がその曲がり方向が
内側になるように装着されており、上記ウェハ1が該ボ
ート20の溝20a部分に装着された状態で該ストッパ
21の先端21aがウェハ1の外周部2箇所で接触して
該ウェハ1を該ボート20の所定位置に保持するように
構成している。
一方つエバを洗浄したりまた被膜形成する場合には、通
常洗浄液あるいは処理薬液を例えば90゛C程度の所定
温度まで加熱して行うことが多い。
そこでこのストツパ21は、常温では図示の如く断面が
“く”の字状に曲げられた形状を呈しているが、所定温
度例えば約90°C程度になると予め記憶された形状例
えばほぼ平板状に戻るように形状が記憶されたものを使
用している。
ここで前記ボート2と上記ストッパ21を備えたボート
20の谷溝2a、20aを対応させながら対向させて一
体化し、ウェハ移し替え治具22を構成している。
図(B)の■はかかる構成になるウェハ移し替え治具2
2のボート20に複数のウェハ1が保持されたまま、処
理容器23内に位置している状態を示しているが、この
状態ではウェハlは上記ストッパ21に保持されている
ため落下することがない。
ここで該処理容器23内に例えば純水や処理薬液等の液
体24を注入し該液体を約90°C程度に加熱すると、
上記ストッパ21が予め記憶した平板形状になるため図
示矢印の方向に変形して先端21aが開く。その結果ウ
ェハ1が溝20aに沿って落下し■に示す状態となる。
この際のウェハ1には、液体24による浮力が働くため
液体の流動抵抗とあいまって落下速度が遅くなり、更に
ボート2に到達した時点でも該ボート2との接触点の間
に液体24が介在するため、衝突による発塵を起こすこ
とがない。
ウェハの移し替え工程の一例を説明する第3図は、第1
図で説明した処理容器内の合板上に第2図で説明した半
導体ウェハ移し替え治具を装着固定した場合を示したも
ので、図では第2図における治具22のボート20が第
1図の台板13に装着固定された状態を示している。
なお第3図では理解し易くするため、例えば(イ)は洗
浄工程を、また(二)はウェハ移動工程を表わし、 (
ロ)3(ハ)をそれぞれ途中の段階としている。
(イ)で処理容器1)内の台板13上に設置固定してい
る半導体ウェハ移し替え治具22のボート20には複数
のウェハlが保持されており、該処理容器lI内には該
ウェハlを洗浄するための純水10が約90°Cの温度
を保って満たされている。
この場合、ボート20のストッパ21の先端21aは第
2図で説明した如く開いた状態にある。
洗浄が終了して純水10が図示されてい排液ボートから
除去されると、ストッパ21の温度が低下して常温に戻
るため先端21aが閉じて図(ロ)に示す如くウェハ1
を保持する状態になる。
そこで第1図で説明した如(該半導体ウェハ移し替え治
具22を180度反転させてボート20とボート2を上
下方向で逆転させて図(ハ)の状態とするが、この時点
ではウェハ1はストッパ21で保持されているため落下
することがない。
ついで例えば純水等の液体lO°を注入し約90°Cに
加熱すると再度ストッパ21の先端21aが徐々に開い
てウェハ1を落下させるが、この際のウェハ1の落下速
度は前述の如く極めて遅い。
従って衝突による発塵を起こすことなくウェハ1をボー
ト20からボート2に移し替えることができる。
ここで該液体10“を排液ボートから除去した後、次工
程の処理薬液等を該処理容器11に注入して次工程に進
むようにしている。
(発明の効果] 上述の如く本発明により、処理工程中でも塵埃を発生さ
せることなくウェハを他のボートに移し替えることがで
きる半導体ウェハ移し替え装置を提供することができる
なお本発明の説明に当たっては、半導体ウェハ移し替え
治具の片側ボートにのみストッパを装4した場合につい
て行っているが、該ストッパを両側のボートに装着する
と更に効率のよい移し替え作業を実施することができる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明になる半導体ウェハ移し替え装置を示す
図、 第2図はウェハの移し替え治具を説明する図、第3図は
ウェハの移し替え工程の一例を説明する図、 第4図は従来の半導体ウェハの移し替え治具の例を示す
図、 である。図において、 lは半導体ウェハ、  2,3.20はボート、2a、
 2b;20a、 20bは溝、 20cは窓、4はウ
ェハ移し替え治具、 IQ、10. ’ 、24は液体、 11.23は処理容器、 12は回転軸、      12aはバッキング、13
は合板、       14は排液ポート、21はスト
ッパ、     21aは先端、22は半導体ウェハ移
し替え治具、 をそれぞれ表わしている。 ぐ15 木タト巳、月c二1ろよニυ竪1′才〈・シエI\要づ
〉し1号、乏−寿5置乏占え鯛才ろ因 (イ) (ロ) (ハ) (ニ) ウェハめ均C替久二姪の一例召説明する圓1 3  で (B’) (イ) 4口) 夜呆ごヒ導15hニハ妨し賃て治翼1つ今ミ示すコ8 
 斗  つ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の半導体ウェハを立てた状態で挿入保持する
    溝が内側に等間隔平行に形成されたボート2個を、上記
    溝を合致させた状態で対向させて構成する半導体ウェハ
    移し替え治具が、 液体中で該治具を上下反転させる手段に連結されてなる
    ことを特徴とした半導体ウェハ移し替え装置。
  2. (2)前記半導体ウェハ移し替え治具が、前記2個のボ
    ートの内少なくとも片側のボートの対向する両側面のウ
    ェハ存在領域の所定位置に、保持されたウェハを温度変
    化によって該ボートから着脱可能とする形状記憶材料よ
    りなるストッパを設けてなることを特徴とした請求項1
    記載の半導体ウェハ移し替え装置。
JP63295563A 1988-11-22 1988-11-22 半導体ウェハ移し替え装置 Expired - Lifetime JP2625992B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04354350A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハ移替装置及び方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57141331A (en) * 1981-02-24 1982-09-01 Nec Home Electronics Ltd Thin plate piece conveying method
JPS605131U (ja) * 1983-06-23 1985-01-14 日本電気株式会社 半導体ウエハ用キヤリヤ

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