JPH02146848U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02146848U JPH02146848U JP5435789U JP5435789U JPH02146848U JP H02146848 U JPH02146848 U JP H02146848U JP 5435789 U JP5435789 U JP 5435789U JP 5435789 U JP5435789 U JP 5435789U JP H02146848 U JPH02146848 U JP H02146848U
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- JP
- Japan
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- memory transistors
- memory
- read
- those
- transistors
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
第１図は一実施例における１ビツト当たりのメ
モリセルを示す平面図、第２図はそのメモリセル
を用いたメモリ装置を示す回路図、第３図は他の
実施例における２ビツト分のメモリセルを表わす
平面図、第４図は従来のメモリ装置を示す回路図
、第５図は従来の２ビツト分のメモリセルを表わ
す平面図である。 １１，１１′，１１Ａ，１１Ａ′，１１Ｂ，１
１Ｂ′，２１ａ，２１ｂ……ワードライン、１５
，１５ａ〜１５ｄ……ビツトライン、１２，１２
′，２２ａ，２２ｂ…ソース領域、１３，２３ａ
，２３ｂ……ドレイン領域。
モリセルを示す平面図、第２図はそのメモリセル
を用いたメモリ装置を示す回路図、第３図は他の
実施例における２ビツト分のメモリセルを表わす
平面図、第４図は従来のメモリ装置を示す回路図
、第５図は従来の２ビツト分のメモリセルを表わ
す平面図である。 １１，１１′，１１Ａ，１１Ａ′，１１Ｂ，１
１Ｂ′，２１ａ，２１ｂ……ワードライン、１５
，１５ａ〜１５ｄ……ビツトライン、１２，１２
′，２２ａ，２２ｂ…ソース領域、１３，２３ａ
，２３ｂ……ドレイン領域。
Claims (1)
- ワードラインとビツトラインが互いに交差する
方向に形成され、ワードラインとビツトラインの
選択によりメモリセルを読み出す半導体メモリ装
置において、隣接する２個のメモリトランジスタ
を単位としてそれらの２個のメモリトランジスタ
には同一データが書き込まれており、かつ、それ
らの２個のメモリトランジスタが同時に選択され
て読み出される半導体メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5435789U JPH02146848U (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5435789U JPH02146848U (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02146848U true JPH02146848U (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=31576351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5435789U Pending JPH02146848U (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02146848U (ja) |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP5435789U patent/JPH02146848U/ja active Pending
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