JPH02152109A - アルミナ基材上に形成したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体膜およびその形成方法 - Google Patents
アルミナ基材上に形成したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体膜およびその形成方法Info
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- JPH02152109A JPH02152109A JP63299763A JP29976388A JPH02152109A JP H02152109 A JPH02152109 A JP H02152109A JP 63299763 A JP63299763 A JP 63299763A JP 29976388 A JP29976388 A JP 29976388A JP H02152109 A JPH02152109 A JP H02152109A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、超伝導臨界温度が９０ａＫ付近のイットリウ
ム−バリウム−銅酸化物系超伝導体粉末（以下Ｙ−Ｂａ
−Ｃｕ−０系超伝導体と称す）によりなる超伝導体膜を
得る方法に関し、とくにアルミナ基材にＹ−Ｂａ−Ｃｕ
−０系超伝導体膜を形成する方法及びその製品に関する
。
ム−バリウム−銅酸化物系超伝導体粉末（以下Ｙ−Ｂａ
−Ｃｕ−０系超伝導体と称す）によりなる超伝導体膜を
得る方法に関し、とくにアルミナ基材にＹ−Ｂａ−Ｃｕ
−０系超伝導体膜を形成する方法及びその製品に関する
。
超伝導臨界温度が９０′Ｋを越すＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系
超伝導体をより経済的に量産できる方法を、出願人及び
その共同研究者らは、特願昭６３−１３０４８４号明細
書（１９８８年５月３０日出願）において提案している
。
超伝導体をより経済的に量産できる方法を、出願人及び
その共同研究者らは、特願昭６３−１３０４８４号明細
書（１９８８年５月３０日出願）において提案している
。
また、超伝導体は、臨界電流密度がバルク状の時の１０
’Ａ／ｃｒＭに比し、薄膜の場合テハ、１０６Ａ ／
ｃｉに達することから、出願人らも開発に力を注ぎ、そ
の成果として、１９８７年８月４日付米マテリアル・リ
サーチ・ソサエティー（ＭＲ３）の秋季ミーティングで
、市販の９６％アルミナを基板としてＹ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系超伝導体膜を形成する方法を報告した。
’Ａ／ｃｒＭに比し、薄膜の場合テハ、１０６Ａ ／
ｃｉに達することから、出願人らも開発に力を注ぎ、そ
の成果として、１９８７年８月４日付米マテリアル・リ
サーチ・ソサエティー（ＭＲ３）の秋季ミーティングで
、市販の９６％アルミナを基板としてＹ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系超伝導体膜を形成する方法を報告した。
上記報告で提案した方法では、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超
伝導体粉末を３＝２の重量比で有機粘結剤（たとえばエ
チルセルローズを酢酸ブチルカルピトールに溶解させて
なる粘結剤）と混合して均一ペースト状にしてから、こ
のペーストの網目スクリーン印刷法によるアルミナ基板
表面への印刷とその印刷されたアルミナ基板の自然乾燥
、加熱乾燥工程を繰り返して膜厚を増やし、所定の膜厚
に至って前記乾燥をしたのら、９００〜９５０°Ｃの温
度で焼結し、さらに酸素又は空気による酸化性雰囲気中
でアニール処理し、徐冷することにより、超伝導臨界温
度がほぼ９０χで安定なＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超伝導体
を得ている。
伝導体粉末を３＝２の重量比で有機粘結剤（たとえばエ
チルセルローズを酢酸ブチルカルピトールに溶解させて
なる粘結剤）と混合して均一ペースト状にしてから、こ
のペーストの網目スクリーン印刷法によるアルミナ基板
表面への印刷とその印刷されたアルミナ基板の自然乾燥
、加熱乾燥工程を繰り返して膜厚を増やし、所定の膜厚
に至って前記乾燥をしたのら、９００〜９５０°Ｃの温
度で焼結し、さらに酸素又は空気による酸化性雰囲気中
でアニール処理し、徐冷することにより、超伝導臨界温
度がほぼ９０χで安定なＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超伝導体
を得ている。
上記網目スクリーン印刷法を提案した背景は、従来のこ
の種超伝導体膜の形成方法では、超伝導体膜をその表面
に形成するベースとなる基板としては、単結晶型のマグ
ネシャやチタン酸ストロンチウムなどに限られているが
、この種基材の価格は余りにも高過ぎるのに対し、アル
ミナは遥かに安価で９６％純度程度ならどこでも市販さ
れ、マイクロエレクトロニク・ハイブリッド回路技術に
、広く採用されていることにある。しかし、アルミナ基
材にも、なお、他の問題点がある。まず、Ｙ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０系超伝導体が高い超伝導臨界温度を示すには、そ
の組成がＹ＋ＢａｚＣ＋ｕ＋０７−ｓで、δ値が０．１
〜０．２程度でなければならないが、同温熱処理の際に
印刷された膜とアルミナ基板とがその接触面で反応を起
こし、前記Ｙ１ＢａｚＣｕＪｔ−ｓの組成からずれ、超
伝導特性が失われる。これの対策としては、バッファー
層として０．６ ： １．５ ： １の重量比のＹ２Ｏ
３とＢａＣ０，とＣｕＯとの混合物をエチレングリコー
ルでペースト状にして基板表面に塗り付けることを、イ
トーミネオらがＮｏ、３ 、 Ｖｏｌ、２７． Ｊ。
の種超伝導体膜の形成方法では、超伝導体膜をその表面
に形成するベースとなる基板としては、単結晶型のマグ
ネシャやチタン酸ストロンチウムなどに限られているが
、この種基材の価格は余りにも高過ぎるのに対し、アル
ミナは遥かに安価で９６％純度程度ならどこでも市販さ
れ、マイクロエレクトロニク・ハイブリッド回路技術に
、広く採用されていることにある。しかし、アルミナ基
材にも、なお、他の問題点がある。まず、Ｙ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０系超伝導体が高い超伝導臨界温度を示すには、そ
の組成がＹ＋ＢａｚＣ＋ｕ＋０７−ｓで、δ値が０．１
〜０．２程度でなければならないが、同温熱処理の際に
印刷された膜とアルミナ基板とがその接触面で反応を起
こし、前記Ｙ１ＢａｚＣｕＪｔ−ｓの組成からずれ、超
伝導特性が失われる。これの対策としては、バッファー
層として０．６ ： １．５ ： １の重量比のＹ２Ｏ
３とＢａＣ０，とＣｕＯとの混合物をエチレングリコー
ルでペースト状にして基板表面に塗り付けることを、イ
トーミネオらがＮｏ、３ 、 Ｖｏｌ、２７． Ｊ。
Ｊ、Ａ、Ｐ、 （１０８８年３月）に提案しているが、
これは、また、それだけ余分の工程が増えることを意味
する。また、形成された膜とアルミナ基板間の結合力が
きわめて弱く剥離しやすいことも、実用性における大き
な欠点となっている。
これは、また、それだけ余分の工程が増えることを意味
する。また、形成された膜とアルミナ基板間の結合力が
きわめて弱く剥離しやすいことも、実用性における大き
な欠点となっている。
他方、超伝導体膜の形成技術の面でも、従来は、超伝導
体粉末を、溶液にしてプラズマジェントの形で基板に吹
き付けるプラズマスプレー法や、ペースト状にしてナイ
フなどを用いて基板上に塗り付けるテープキャスティン
グ法があるが、前者は、プラズマ装置が極めて高価なう
えに、他の電子部品の組み付は作業にうまくマツチさせ
ることが難しく、後者は、手作業によるため、曲面の生
地や形の複雑さによっては、制限を受け、大量には作れ
ない問題もある。
体粉末を、溶液にしてプラズマジェントの形で基板に吹
き付けるプラズマスプレー法や、ペースト状にしてナイ
フなどを用いて基板上に塗り付けるテープキャスティン
グ法があるが、前者は、プラズマ装置が極めて高価なう
えに、他の電子部品の組み付は作業にうまくマツチさせ
ることが難しく、後者は、手作業によるため、曲面の生
地や形の複雑さによっては、制限を受け、大量には作れ
ない問題もある。
本発明は、上記にかんがみ、これらの問題点を解決し、
高価なプラズマスプレー装置を要せず、安価な市販アル
ミナ基板に直接、９０′に程度の超伝導臨界温度を示す
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超伝導体膜を形成する方法、及び
アルミナを基板とした、容易に剥離することなく、９０
′に程度の超伝導臨界温度を示すＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系
超伝導体膜を提供しようとするものである。
高価なプラズマスプレー装置を要せず、安価な市販アル
ミナ基板に直接、９０′に程度の超伝導臨界温度を示す
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超伝導体膜を形成する方法、及び
アルミナを基板とした、容易に剥離することなく、９０
′に程度の超伝導臨界温度を示すＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系
超伝導体膜を提供しようとするものである。
上記目的を達成するために、本発明は．イットリウム−
バリウム−銅の酸化物系超伝導体と有機粘結剤を混合し
てペースト状にし、このペースト状混合物をスクリーン
印刷法でアルミナ基材上に印刷して乾燥させた後、高温
焼結処理、酸化雰囲気中での熱アニール処理及び徐冷を
へることにより、アルミナ基材上にイツトリウム−バリ
ウム銅の酸化物系超伝導体膜を形成する方法において、
前記ペースト状混合物をアルミナ基材に印刷して乾燥す
る工程を、前記膜の厚さが２０廁以上になるまで繰り返
すことを特徴とする。
バリウム−銅の酸化物系超伝導体と有機粘結剤を混合し
てペースト状にし、このペースト状混合物をスクリーン
印刷法でアルミナ基材上に印刷して乾燥させた後、高温
焼結処理、酸化雰囲気中での熱アニール処理及び徐冷を
へることにより、アルミナ基材上にイツトリウム−バリ
ウム銅の酸化物系超伝導体膜を形成する方法において、
前記ペースト状混合物をアルミナ基材に印刷して乾燥す
る工程を、前記膜の厚さが２０廁以上になるまで繰り返
すことを特徴とする。
本発明が採った上記手段の特徴によれば、従来知られて
いたアルミナ相とＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系相間において、
約１６〜２０卿の厚さ範囲で相互拡散現象が起き、超伝
導特性がない遷移相からなる所謂緩衝層が生成し、形成
した膜の厚さが２０μｍ以上の部分では超伝導体組成を
維持し、アルミナとの間で相互拡散を行なわず、９０′
に程度の超伝導臨界温度が保たれる。
いたアルミナ相とＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系相間において、
約１６〜２０卿の厚さ範囲で相互拡散現象が起き、超伝
導特性がない遷移相からなる所謂緩衝層が生成し、形成
した膜の厚さが２０μｍ以上の部分では超伝導体組成を
維持し、アルミナとの間で相互拡散を行なわず、９０′
に程度の超伝導臨界温度が保たれる。
以下、本発明の詳細な説明する。
試料作成：
酸化イツトリウムと、炭酸バリウムと、酸化銅を、それ
ぞれ互いにモル比がｌ：２：３となるように秤量して混
合し、無水アルコールを入れて均一なペースト状になる
ように撹拌し、振動ミルにより微粉ミリングをした後ろ
過し、このろ過動を乾燥後９００℃温度で約１５時間加
熱し、炉冷させ、前記ミリングと加熱炉冷を、混合物が
全くＹ、Ｂａ２Ｃｕ、０．−δ相になるまで多数回繰り
返した。
ぞれ互いにモル比がｌ：２：３となるように秤量して混
合し、無水アルコールを入れて均一なペースト状になる
ように撹拌し、振動ミルにより微粉ミリングをした後ろ
過し、このろ過動を乾燥後９００℃温度で約１５時間加
熱し、炉冷させ、前記ミリングと加熱炉冷を、混合物が
全くＹ、Ｂａ２Ｃｕ、０．−δ相になるまで多数回繰り
返した。
次いで、酢酸プチルカルビトルにエチルセルローズを約
１０−１％溶かしてなる有機粘結剤により、前記Ｙ＋Ｂ
ａｚＣＵ：＋０ｔ−５混合粉末へ、重量比にしてその約
３に対し２の割合を注入混合し、ロールミルにかけて均
一なペースト状になるようにミリングする。
１０−１％溶かしてなる有機粘結剤により、前記Ｙ＋Ｂ
ａｚＣＵ：＋０ｔ−５混合粉末へ、重量比にしてその約
３に対し２の割合を注入混合し、ロールミルにかけて均
一なペースト状になるようにミリングする。
なお、この際、上記ペースト状混合物とアルミナ基材と
の接着力増強用として、酸化銀を少量添加した。
の接着力増強用として、酸化銀を少量添加した。
上記ペースト状混合物を、通常は板状に形成された市販
の９６％アルミナ基板に、普通、約２００メンシユのス
テンレススクリーンを用いて、スクリーン印刷法で膜状
に印刷し、膜表面が均一平坦になるよう暫く室温大気中
に静置した後、１００°Ｃ温度で乾燥、この印刷、静置
及び乾燥の手順を、基板表面に形成される膜が所定厚さ
となるまで繰り返し行なった。
の９６％アルミナ基板に、普通、約２００メンシユのス
テンレススクリーンを用いて、スクリーン印刷法で膜状
に印刷し、膜表面が均一平坦になるよう暫く室温大気中
に静置した後、１００°Ｃ温度で乾燥、この印刷、静置
及び乾燥の手順を、基板表面に形成される膜が所定厚さ
となるまで繰り返し行なった。
ここで、上記アルミナ基板は、メタノール中で１０分間
超音波洗浄した後、乾燥をへたものであった。
超音波洗浄した後、乾燥をへたものであった。
また、この実験に使われたスクリーンプリント装置は、
イギリスのＤＥに１２０２自動スクリーンプリンターで
あった。
イギリスのＤＥに１２０２自動スクリーンプリンターで
あった。
上記により得たＹ、Ｂａ２Ｃｕ、０．−δ膜が形成され
たアルミナ基板は、次いで、９００〜９５０°Ｃ温度の
大気中で約１時間加熱した後、炉内を酸素または他のガ
スにより酸化性雰囲気にして徐々に温度を室温まで下げ
、もしくは、−旦中途で８００〜４００°Ｃ温度範囲内
に約２０時間アニールした。
たアルミナ基板は、次いで、９００〜９５０°Ｃ温度の
大気中で約１時間加熱した後、炉内を酸素または他のガ
スにより酸化性雰囲気にして徐々に温度を室温まで下げ
、もしくは、−旦中途で８００〜４００°Ｃ温度範囲内
に約２０時間アニールした。
上記酸化性雰囲気においてアニール処理することによっ
て、また、アニール温度は上記範囲内で高温なほど（す
なわち、好ましくは７００〜８００°Ｃ範囲）より安定
して９０″に付近の超伝導臨界温度が得易いことは、す
でに知られている。
て、また、アニール温度は上記範囲内で高温なほど（す
なわち、好ましくは７００〜８００°Ｃ範囲）より安定
して９０″に付近の超伝導臨界温度が得易いことは、す
でに知られている。
上記手順により作成した各異なる厚さの試料について、
次のいくつかのテストをした。
次のいくつかのテストをした。
（１）アルファ・ステップ厚さ計により膜厚さを測定し
、かつ走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によりマイクロ組織
観察をすると共に、厚さ方向についてエネルギー分散Ｘ
線解析（ＥＤＸＡ）を行なった。
、かつ走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によりマイクロ組織
観察をすると共に、厚さ方向についてエネルギー分散Ｘ
線解析（ＥＤＸＡ）を行なった。
（２）Ｘ線回折測定（ＸＲＤＡ）を行ない、膜を形成す
る物質の結晶構造を確認した。
る物質の結晶構造を確認した。
（３）四探針法により各温度の抵抗を測定し、Ｔｏｎ＊
ａｔ＋Ｔｚ。、。を求めた。
ａｔ＋Ｔｚ。、。を求めた。
ただし、
Ｔ Ｏｎ Ｉ Ｑ ｔ：単位’Ｋ（以下も同じ）、抵抗
減少開始温度。
減少開始温度。
Ｔ ｚｅｒｏ ： はぼ抵抗が０になった温度。
以下本実験において得られた各データを表〜ｌに示す。
表−１において、例１のグループの試料１．２゜３は、
アニール条件の相違の影響を示し、高温な程高いＴ ｚ
＊ ｒ。が得られている。例２のグループの試料４，
５．６は、いずれもＴ ｏ ｒｉ ｓ ｅ ｔがほぼ９
０〜９５′Ｋにあり、膜厚はさほど超伝導臨界温度に影
響しないかにええるが、薄めの試料６は、著しくＴ２゜
、。が低く、界面近くで膜の組成が、超伝導特性を示す
Ｙ：Ｂａ：Ｃｕのモル比１：２：３：（７−δ）からず
れているためと解される。例３のグループの試料７〜１
０は、膜厚の範囲を大幅に変化させ、アニール温度を９
２５°Ｃとした場合の結果を示し、膜厚が１６μｍの試
料７は、超伝導性でな（半伝導性を示し、解析の結果が
アルミナ基板と膜の成分間に反応が起き、超伝導Ｙ、Ｂ
ａ、Ｃｕ、Ｏ，−δ相をなす組成がＩＱなわれたことを
示し、試料８゜９は試料５，６よりＴ。ｎ５ｅＬが９０
〜９３６に範囲に丁がり、試料ＩＯのＴ ｚ ｅ ｒ
ｏは８５℃と例１，２のグループに比して落ちたことは
、高いアニール温度による基板との間の拡散に影響され
たものと思われる。続く例４のグループの試料１１〜１
３は、焼結温度を９５０°Ｃとした他は、例３グループ
と同じ処理条件であり、結果としては、Ｔ ｚ ｔｔ
ｒ ｏが高くなり、試料１２ 、１３は液体窒素温度７
７°により高温となっている。
アニール条件の相違の影響を示し、高温な程高いＴ ｚ
＊ ｒ。が得られている。例２のグループの試料４，
５．６は、いずれもＴ ｏ ｒｉ ｓ ｅ ｔがほぼ９
０〜９５′Ｋにあり、膜厚はさほど超伝導臨界温度に影
響しないかにええるが、薄めの試料６は、著しくＴ２゜
、。が低く、界面近くで膜の組成が、超伝導特性を示す
Ｙ：Ｂａ：Ｃｕのモル比１：２：３：（７−δ）からず
れているためと解される。例３のグループの試料７〜１
０は、膜厚の範囲を大幅に変化させ、アニール温度を９
２５°Ｃとした場合の結果を示し、膜厚が１６μｍの試
料７は、超伝導性でな（半伝導性を示し、解析の結果が
アルミナ基板と膜の成分間に反応が起き、超伝導Ｙ、Ｂ
ａ、Ｃｕ、Ｏ，−δ相をなす組成がＩＱなわれたことを
示し、試料８゜９は試料５，６よりＴ。ｎ５ｅＬが９０
〜９３６に範囲に丁がり、試料ＩＯのＴ ｚ ｅ ｒ
ｏは８５℃と例１，２のグループに比して落ちたことは
、高いアニール温度による基板との間の拡散に影響され
たものと思われる。続く例４のグループの試料１１〜１
３は、焼結温度を９５０°Ｃとした他は、例３グループ
と同じ処理条件であり、結果としては、Ｔ ｚ ｔｔ
ｒ ｏが高くなり、試料１２ 、１３は液体窒素温度７
７°により高温となっている。
例１〜４の各グループの組織解析については、Ｘ線回折
によると、試料４〜６における膜のＹ１Ｂａ２Ｃｕ３０
ｔ−δ相が、成る程度分解または非超伝導相への転換に
よる劣化が見られ、試ネミ１７では、主なる超伝導相の
結晶面（０１３） ／ （１１０）の強度比６０／１０
０が１００／６０に逆転し、非超伝導相Ｙ２ＢａＣｕＯ
５が形成され、結晶構造が斜方晶から正方晶へ転換した
ことを示し、試料８．９ではこのような相の転換が起き
ていず、膜厚及びアニール温度を増加した試料１３では
、Ｙ１ＢａｔＣ＋ｇ０７．ｙ相の斜方晶のみしか現われ
ず、膜と基板との界面に直交してなされたＹ、Ｂａ、Ｃ
ｕ及びＡ１についてのＥＤＸ八によれば、超伝導体−半
導体転移が界面側膜の約２０μｍ厚さ範囲にわたって起
きていることを示している。
によると、試料４〜６における膜のＹ１Ｂａ２Ｃｕ３０
ｔ−δ相が、成る程度分解または非超伝導相への転換に
よる劣化が見られ、試ネミ１７では、主なる超伝導相の
結晶面（０１３） ／ （１１０）の強度比６０／１０
０が１００／６０に逆転し、非超伝導相Ｙ２ＢａＣｕＯ
５が形成され、結晶構造が斜方晶から正方晶へ転換した
ことを示し、試料８．９ではこのような相の転換が起き
ていず、膜厚及びアニール温度を増加した試料１３では
、Ｙ１ＢａｔＣ＋ｇ０７．ｙ相の斜方晶のみしか現われ
ず、膜と基板との界面に直交してなされたＹ、Ｂａ、Ｃ
ｕ及びＡ１についてのＥＤＸ八によれば、超伝導体−半
導体転移が界面側膜の約２０μｍ厚さ範囲にわたって起
きていることを示している。
表−１
〔発明の効果〕
上記から明らかなように、本発明はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系超伝導体混合物を、有機粘結剤と混ぜ合わせてペース
ト状にし、スクリーン印刷法により直接アルミナ基材に
プリントすることによって、前記混合物の膜をアルミナ
基材の表面に形成した後、乾燥、焼結及びアニール処理
を施すだけで、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超伝導体膜をアル
ミナ基材に形成することができ、プラズマスプレー法な
どのようにプラズマスプレー装置を必要としない。
系超伝導体混合物を、有機粘結剤と混ぜ合わせてペース
ト状にし、スクリーン印刷法により直接アルミナ基材に
プリントすることによって、前記混合物の膜をアルミナ
基材の表面に形成した後、乾燥、焼結及びアニール処理
を施すだけで、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超伝導体膜をアル
ミナ基材に形成することができ、プラズマスプレー法な
どのようにプラズマスプレー装置を必要としない。
また、直接アルミナ基材面に、２０ＩＭ以上のＩ７さに
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超伝導体の膜を形成することによ
り、２０μｌｎ以内の厚さの相互拡散層を形成させ、こ
れによりその表面のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超伝導体層を
保護し、別途保護層の形成工程を要しない。
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超伝導体の膜を形成することによ
り、２０μｌｎ以内の厚さの相互拡散層を形成させ、こ
れによりその表面のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超伝導体層を
保護し、別途保護層の形成工程を要しない。
以下余白
Claims (2)
- １．イットリウム−バリウム−銅の酸化物系超伝導体の
ペーストをアルミナ基材上に成膜し、乾燥後、焼結、酸
化雰囲気下での熱アニール及び徐冷をへて、アルミナ基
材上にイットリウム−バリウム−銅の酸化物系超伝導体
膜を形成する方法において、前記ペーストをアルミナ基
材上に成膜して乾燥する工程を、該膜の厚さが２０μｍ
以上になるまで繰り返すことを特徴とするアルミナを基
材とするＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体膜形成方法。 - ２．アルミナ基材上に２０μｍ以上の厚さのイットリウ
ム−バリウム−銅系の酸化物膜が形成され、該膜の少な
くとも表面層が超伝導体層であることを特徴とするアル
ミナを基材とするＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63299763A JPH02152109A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | アルミナ基材上に形成したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体膜およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63299763A JPH02152109A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | アルミナ基材上に形成したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体膜およびその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02152109A true JPH02152109A (ja) | 1990-06-12 |
Family
ID=17876676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63299763A Pending JPH02152109A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | アルミナ基材上に形成したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体膜およびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02152109A (ja) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300591A (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-07 | Nippon Cement Co Ltd | 回路基板の作製方法 |
| JPS6465003A (en) * | 1987-01-30 | 1989-03-10 | Agency Ind Science Techn | Superconductive material and production thereof |
| JPH01215711A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 超電導厚膜の形成方法 |
| JPH01234305A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-19 | I M C:Kk | 超伝導性材料及びその製造法 |
| JPH01246136A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Fujitsu Ltd | 超伝導セラミックスペースト |
| JPH01272011A (ja) * | 1987-08-21 | 1989-10-31 | Ube Ind Ltd | 超電導材料 |
| JPH0230603A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-02-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 酸化物超伝導体厚膜用塗料 |
| JPH0248457A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 酸化物超電導体性厚膜用塗料 |
| JPH0288410A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-03-28 | Xerox Corp | 銅酸化物超伝導体を製造する方法 |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP63299763A patent/JPH02152109A/ja active Pending
Patent Citations (9)
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