JPH0216007B2 - - Google Patents
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- JPH0216007B2 JPH0216007B2 JP58171193A JP17119383A JPH0216007B2 JP H0216007 B2 JPH0216007 B2 JP H0216007B2 JP 58171193 A JP58171193 A JP 58171193A JP 17119383 A JP17119383 A JP 17119383A JP H0216007 B2 JPH0216007 B2 JP H0216007B2
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- Japan
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- solution
- heat
- silicon
- compound
- resin
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/106—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体集積回路に用いる耐熱性樹脂膜
の形成方法に関し、特に約500℃程度の比較的高
温に耐える高耐熱性の樹脂膜の形成方法に関する
ものである。
の形成方法に関し、特に約500℃程度の比較的高
温に耐える高耐熱性の樹脂膜の形成方法に関する
ものである。
（従来の技術）
従来かかる高耐熱性樹脂膜としてはポリイミド
樹脂、耐熱性ホトレジスト、ラダーシリコン、あ
るいは有機シリコン材料等が用いられエレクトロ
ンデバイスへの応用技術の開発が非常にめざまし
い。
樹脂、耐熱性ホトレジスト、ラダーシリコン、あ
るいは有機シリコン材料等が用いられエレクトロ
ンデバイスへの応用技術の開発が非常にめざまし
い。
例えば、LSIの高集積化を実現するための多層
配線技術として、樹脂絶縁多層配線技術が開発さ
れ、それらの絶縁材料としては高純度ポリイミド
系樹脂が一般に使用されている。
配線技術として、樹脂絶縁多層配線技術が開発さ
れ、それらの絶縁材料としては高純度ポリイミド
系樹脂が一般に使用されている。
そしてかかるポリイミド系樹脂の他に、前記耐
熱性ホトレジストや、ラダーシリコンあるいは有
機シリコン材料が同様にLSIの高集積化を目的と
して応用検討が進められて居り、そして特に前記
ポリイミド樹脂と有機シリコン材料に関する開発
研究の進展が目ざましい。
熱性ホトレジストや、ラダーシリコンあるいは有
機シリコン材料が同様にLSIの高集積化を目的と
して応用検討が進められて居り、そして特に前記
ポリイミド樹脂と有機シリコン材料に関する開発
研究の進展が目ざましい。
一般的にポリイミド樹脂及び有機シリコン材料
を使用した場合について簡単に説明する。ポリイ
ミド樹脂を用いた膜形成にはポリイミド前駆体で
あるポリアミツク酸溶液をシリコン基板上にスピ
ナー等により塗布する。ここではポリアミツク酸
の構造は次式で示される。
を使用した場合について簡単に説明する。ポリイ
ミド樹脂を用いた膜形成にはポリイミド前駆体で
あるポリアミツク酸溶液をシリコン基板上にスピ
ナー等により塗布する。ここではポリアミツク酸
の構造は次式で示される。
その後、200℃程度の温度で加熱処理すると溶
剤が蒸発し、該ポリアミツク酸が脱水閉環して次
式のポリイミドとなる。
剤が蒸発し、該ポリアミツク酸が脱水閉環して次
式のポリイミドとなる。
このようにして得られるポリイミド樹脂膜は、
空気中（酸素雰囲気中）で熱処理すると、約420
℃〜470℃の温度下で徐々に膜重量の減少が認め
られ膜厚が薄くなる（例えば特公昭51−44871等
参照）。
空気中（酸素雰囲気中）で熱処理すると、約420
℃〜470℃の温度下で徐々に膜重量の減少が認め
られ膜厚が薄くなる（例えば特公昭51−44871等
参照）。
次に有機シリコン化合物はシリカフイルムとし
て広く知られており、例えば酢酸硅素をエチルア
ルコールに溶解したものを主成分とする（有機シ
リコン材料の組成については例えば特公昭52−
20825，52−16488号公報等参照）。
て広く知られており、例えば酢酸硅素をエチルア
ルコールに溶解したものを主成分とする（有機シ
リコン材料の組成については例えば特公昭52−
20825，52−16488号公報等参照）。
有機シリコン材料の場合は、上述の酢酸硅素溶
液を同様にスピン塗布法によりシリコン基板上に
塗布し、空気中（酸素雰囲気中）で400℃程度に
加熱することにより、SiO2膜に転ずる。得られ
たSiO2膜は例えば1000℃程度の熱処理にも耐え、
弗酸によるエツチング加工も可能であることから
不純物拡散のマスクとしても使用でき、その性質
は通常のSiO2膜と変らない。
液を同様にスピン塗布法によりシリコン基板上に
塗布し、空気中（酸素雰囲気中）で400℃程度に
加熱することにより、SiO2膜に転ずる。得られ
たSiO2膜は例えば1000℃程度の熱処理にも耐え、
弗酸によるエツチング加工も可能であることから
不純物拡散のマスクとしても使用でき、その性質
は通常のSiO2膜と変らない。
（発明が解決しようとする課題）
しかし上述のポリイミド樹脂は、450℃程度の
熱処理で重量減少が生じ上述の多層配線工程に必
要とされる熱処理温度500℃以上ではその耐熱性
が十分とは言え難い。
熱処理で重量減少が生じ上述の多層配線工程に必
要とされる熱処理温度500℃以上ではその耐熱性
が十分とは言え難い。
一方有機シリコン樹脂は耐熱性が極めて高く、
例えば1000℃程度の熱処理にも十分耐える特性を
有するが、比較的厚い膜厚、具体的には１〜2μ
ｍ厚の膜を形成することが著しく困難である。
例えば1000℃程度の熱処理にも十分耐える特性を
有するが、比較的厚い膜厚、具体的には１〜2μ
ｍ厚の膜を形成することが著しく困難である。
一般に有機シリコン樹脂は熱処理により収縮し
てクラツクが生じ易く概ね1000Å程度迄は十分に
実用に耐えるが上述のLSIに必要な膜厚１〜2μｍ
では該クラツクにより殆んど実用に供しえない。
てクラツクが生じ易く概ね1000Å程度迄は十分に
実用に耐えるが上述のLSIに必要な膜厚１〜2μｍ
では該クラツクにより殆んど実用に供しえない。
即ち、十分な膜厚の点ではポリイミド樹脂が望
ましく、耐熱性については有機シリコン材料の使
用が望ましいと云うことになる。
ましく、耐熱性については有機シリコン材料の使
用が望ましいと云うことになる。
そして更にかかる樹脂膜に関しては以上の物理
的特性以外に他の電気的特性も重要である。例え
ばポリイミド樹脂は、樹脂中の可動イオンの移動
が他のPSG膜と比較して大きいと考えられてい
る。
的特性以外に他の電気的特性も重要である。例え
ばポリイミド樹脂は、樹脂中の可動イオンの移動
が他のPSG膜と比較して大きいと考えられてい
る。
上記PSG膜は、SiO2中に燐を含有させたもの
でこの燐元素の存在によりNaやCl等の可動イオ
ンの移動が阻止されることは広く知られている。
でこの燐元素の存在によりNaやCl等の可動イオ
ンの移動が阻止されることは広く知られている。
かかる回動イオンの樹脂膜中での移動が該樹脂
膜の電気特性を低下させる原因となりその改善が
強く望まれている。
膜の電気特性を低下させる原因となりその改善が
強く望まれている。
（課題を解決するための手段）
ここに本発明者等は、かかる問題に鑑み、耐熱
性にすぐれしかも十分な膜厚の樹脂膜を得べく、
更に該樹脂膜のパシベーシヨン効果すなわち微小
洩れ電流の少い優れた特性を有する樹脂膜の形成
に関し検討を重ねこの発明を完成したのである。
性にすぐれしかも十分な膜厚の樹脂膜を得べく、
更に該樹脂膜のパシベーシヨン効果すなわち微小
洩れ電流の少い優れた特性を有する樹脂膜の形成
に関し検討を重ねこの発明を完成したのである。
即ち本発明は、ポリイミド樹脂前駆体溶液と、
一般式（RCOO）oSi（OH）4-o（式中Ｒは一価の炭
化水素基、ｎは０〜４の整数である）で表わされ
るシリコン化合物溶液に燐化合物を溶解した溶液
との混合液をシリコン基板上に塗布し、加熱処理
することを特徴とする耐熱樹脂膜の形成方法であ
る。
一般式（RCOO）oSi（OH）4-o（式中Ｒは一価の炭
化水素基、ｎは０〜４の整数である）で表わされ
るシリコン化合物溶液に燐化合物を溶解した溶液
との混合液をシリコン基板上に塗布し、加熱処理
することを特徴とする耐熱樹脂膜の形成方法であ
る。
本発明においては、ポリイミド前駆体溶液と燐
を含有させた上述のシリコン溶液とを混合しシリ
コン基板上に塗布し加熱することにより、塗膜中
にSi−Ｏ−Si成分とポリイミド成分の両成分を含
有した樹脂膜が形成されることになり上記耐熱性
を著しく向上させかつ高い耐クラツク性が得られ
る。
を含有させた上述のシリコン溶液とを混合しシリ
コン基板上に塗布し加熱することにより、塗膜中
にSi−Ｏ−Si成分とポリイミド成分の両成分を含
有した樹脂膜が形成されることになり上記耐熱性
を著しく向上させかつ高い耐クラツク性が得られ
る。
そして通常かかる絶縁膜には電気絶縁特性、具
体的には微小洩れ電流の大きさが問題となるが、
本発明は上記したシリコン化合物中に予め燐元素
を含有させ同様に成膜することにより燐含有のシ
リコン−ポリイミド膜を形成することができ、該
燐は可動イオンを固定する作用があり上述の洩れ
電流を著しく低くするものである。
体的には微小洩れ電流の大きさが問題となるが、
本発明は上記したシリコン化合物中に予め燐元素
を含有させ同様に成膜することにより燐含有のシ
リコン−ポリイミド膜を形成することができ、該
燐は可動イオンを固定する作用があり上述の洩れ
電流を著しく低くするものである。
この発明において、一般的に高分子量の線状ポ
リイミドは殆んどのジカルボン酸無水物及び第１
級ジアミンとから合成されたものが用いられる。
リイミドは殆んどのジカルボン酸無水物及び第１
級ジアミンとから合成されたものが用いられる。
これらジアミンとしては、ｍ−フエニレンジア
ミン、ｐ−フエニレンジアミン、２，２−ビス
（４−アミノフエニル）プロパン、４，4′−メチ
レンジアニリン、ベンジジン、４，4′−ジアミノ
ジフエニルスルフイド、４，4′−ジアミノジフエ
ニルスルホン、４，4′−ジアミノジフエニルエー
テル、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレン
ジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレ
ンジアミン、デカメチレンジアミン、３−メチル
ヘプタメチレンジアミン、４，４−ジメチルヘプ
タメチレンジアミンなどがあり、又ジカルボン酸
無水物としては、ビロメリツト酸無水物、２，
３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸無水
物、３，3′，４，4′−ジフエニルテトラカルボン
酸無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカ
ルボン酸無水物、２，２，３，３−ジフエニルテ
トラカルボン酸無水物、チオフエン−２，３，
４，５−テトラカルボン酸無水物、２，２−ビス
（３，４−ビスカルボキシフエニル）プロパン無
水物、３，４−ジカルボキシフエニルスルホン無
水物、ペリレン−３，４，９，10−テトラカルボ
ン酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフエニ
ル）エーテル無水物、エチレンテトラカルボン酸
無水物、３，3′，４，4′−ベンゾフエノンテトラ
カルボン酸無水物などがある。
ミン、ｐ−フエニレンジアミン、２，２−ビス
（４−アミノフエニル）プロパン、４，4′−メチ
レンジアニリン、ベンジジン、４，4′−ジアミノ
ジフエニルスルフイド、４，4′−ジアミノジフエ
ニルスルホン、４，4′−ジアミノジフエニルエー
テル、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレン
ジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレ
ンジアミン、デカメチレンジアミン、３−メチル
ヘプタメチレンジアミン、４，４−ジメチルヘプ
タメチレンジアミンなどがあり、又ジカルボン酸
無水物としては、ビロメリツト酸無水物、２，
３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸無水
物、３，3′，４，4′−ジフエニルテトラカルボン
酸無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカ
ルボン酸無水物、２，２，３，３−ジフエニルテ
トラカルボン酸無水物、チオフエン−２，３，
４，５−テトラカルボン酸無水物、２，２−ビス
（３，４−ビスカルボキシフエニル）プロパン無
水物、３，４−ジカルボキシフエニルスルホン無
水物、ペリレン−３，４，９，10−テトラカルボ
ン酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフエニ
ル）エーテル無水物、エチレンテトラカルボン酸
無水物、３，3′，４，4′−ベンゾフエノンテトラ
カルボン酸無水物などがある。
そしてポリアミツク酸は溶媒中でこれら２種成
分を反応させて得られ、かかる溶媒としては両成
分間の反応を起させるには充分な活性を示し、ポ
リマー及び反応試薬に強く会合し、しかも生成ポ
リアミツク酸の溶液を保持するものであることが
必要であり、具体的にはＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
テトラメチル尿素、Ｎ−メチルカプロラクタム、
ピリジン、芳香族ハイドロカーボン等が有りこれ
らは単独又は混合して用いられる。
分を反応させて得られ、かかる溶媒としては両成
分間の反応を起させるには充分な活性を示し、ポ
リマー及び反応試薬に強く会合し、しかも生成ポ
リアミツク酸の溶液を保持するものであることが
必要であり、具体的にはＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
テトラメチル尿素、Ｎ−メチルカプロラクタム、
ピリジン、芳香族ハイドロカーボン等が有りこれ
らは単独又は混合して用いられる。
そして本発明においてはシリコン化合物とは、
次式、 〔（RCOO）oSi（OH）4-o〕 （式中Ｒは１価の炭化水素基、ｎは０を含む１
〜４の整数） で表わされる硅素化合物及び添加剤（ガラス質形
成剤、有機バインダー等）をアルコール主成分、
エステル、ケトン等の有機溶剤に溶解したもので
あり、上記硅素化合物が20重量％以下のものであ
る。
次式、 〔（RCOO）oSi（OH）4-o〕 （式中Ｒは１価の炭化水素基、ｎは０を含む１
〜４の整数） で表わされる硅素化合物及び添加剤（ガラス質形
成剤、有機バインダー等）をアルコール主成分、
エステル、ケトン等の有機溶剤に溶解したもので
あり、上記硅素化合物が20重量％以下のものであ
る。
かかる硅素化合物に燐を含有させるには、上記
硅素化合物〔（RCOO）oSi（OH）4-o〕と燐化合物 を有機溶剤に溶解したものを予め準備し上述のポ
リイミド前駆体溶液と混合することにより行われ
る。
硅素化合物〔（RCOO）oSi（OH）4-o〕と燐化合物 を有機溶剤に溶解したものを予め準備し上述のポ
リイミド前駆体溶液と混合することにより行われ
る。
燐の含有量は上述の硅素化合物に対して１％〜
25％までの範囲が適当である。
25％までの範囲が適当である。
次に本発明において、シリコン基板上に塗布し
た上述塗布膜の加熱は80〜500℃の範囲にて行う
のが適当である。
た上述塗布膜の加熱は80〜500℃の範囲にて行う
のが適当である。
（実施例）
以下本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
実施例 １
ポリイミド前駆体として、ジアミノカルボンア
ミドと酸二無水物をＮ−メチル−２ピロリドン溶
液に溶解した反応体（樹脂濃度分14.2％）の溶液
22c.c.と、上述の如くして燐を含有させたシリコン
化合物溶液（例えば酢酸硅素、SiO2濃度分３％、
燐合有量１ｇ／シリコン溶液100c.c.中）10c.c.とを
準備しこれらを混合した。得られた混合物をスピ
ナーによりシリコン基板上にスピン塗布した後該
シリコン基板を100℃で１時間加熱した。その結
果１〜2μｍの膜厚を有し、燐を含有したSi−Ｏ−
Si構造及びポリイミド構造を有する樹脂被膜がシ
リコン基板上に形成されていた。この被膜の耐熱
特性を調べたところ第１図の如く耐熱特性TGA，
DTAにより測定された実線で示した特性曲線１，
２が得られた。尚ここでTGA特性とは500℃
（air中）での樹脂の重さを時間に対して計測した
ものである。
ミドと酸二無水物をＮ−メチル−２ピロリドン溶
液に溶解した反応体（樹脂濃度分14.2％）の溶液
22c.c.と、上述の如くして燐を含有させたシリコン
化合物溶液（例えば酢酸硅素、SiO2濃度分３％、
燐合有量１ｇ／シリコン溶液100c.c.中）10c.c.とを
準備しこれらを混合した。得られた混合物をスピ
ナーによりシリコン基板上にスピン塗布した後該
シリコン基板を100℃で１時間加熱した。その結
果１〜2μｍの膜厚を有し、燐を含有したSi−Ｏ−
Si構造及びポリイミド構造を有する樹脂被膜がシ
リコン基板上に形成されていた。この被膜の耐熱
特性を調べたところ第１図の如く耐熱特性TGA，
DTAにより測定された実線で示した特性曲線１，
２が得られた。尚ここでTGA特性とは500℃
（air中）での樹脂の重さを時間に対して計測した
ものである。
同様に前記ポリイミド樹脂単体（以後PIと略
記する）の耐熱特性は同曲線３，４で示される。
両者を比較すると先ず特性曲線１と３において本
発明の減量率は上記PI３よりも長時間側にシフ
トしていることが明らかに認められる。
記する）の耐熱特性は同曲線３，４で示される。
両者を比較すると先ず特性曲線１と３において本
発明の減量率は上記PI３よりも長時間側にシフ
トしていることが明らかに認められる。
次にDTA特性は樹脂の温度に対する吸熱反応
あるいは発熱反応を示すものであるが、同様に特
性曲線２と４とを比較すると本発明の樹脂の特性
はPIよりも長時間側にシフトしていることが判
り、即ち発熱反応が樹脂の分解反応を示しており
発熱点が長時間側にシフトすると云うことはその
分温度に対する耐性が大きいことを示す。
あるいは発熱反応を示すものであるが、同様に特
性曲線２と４とを比較すると本発明の樹脂の特性
はPIよりも長時間側にシフトしていることが判
り、即ち発熱反応が樹脂の分解反応を示しており
発熱点が長時間側にシフトすると云うことはその
分温度に対する耐性が大きいことを示す。
次に図２に本発明樹脂膜とPI樹脂膜との微小
洩れ電流の比較結果を示す。本発明樹脂膜の特性
値は曲線１，PI樹脂は曲線２にて示される。PI
樹脂は電圧の増加につれて洩れ電流が急激に増加
するのに対し本発明樹脂膜はそれがほとんど認め
られないことが判明した。
洩れ電流の比較結果を示す。本発明樹脂膜の特性
値は曲線１，PI樹脂は曲線２にて示される。PI
樹脂は電圧の増加につれて洩れ電流が急激に増加
するのに対し本発明樹脂膜はそれがほとんど認め
られないことが判明した。
実施例 ２
ポリイミド前駆体溶液22c.c.とシリコン化合物溶
液22c.c.（燐含有量１ｇ／100c.c.シリコン中）とを
混合したものを用いた外は上記実施例１と同様に
行ない上述の耐熱性及び洩れ電流を調べたが実施
例１と同等あるいはそれ以上の値を示した。
液22c.c.（燐含有量１ｇ／100c.c.シリコン中）とを
混合したものを用いた外は上記実施例１と同様に
行ない上述の耐熱性及び洩れ電流を調べたが実施
例１と同等あるいはそれ以上の値を示した。
実施例 ３
シリコン化合物溶液中に燐を0.1ｇ〜５ｇの範
囲に添加する外は実施例１と同様に行つたところ
やはり上記実施例１と同等あるいはそれ以上の特
性を示す膜を形成することができた。
囲に添加する外は実施例１と同様に行つたところ
やはり上記実施例１と同等あるいはそれ以上の特
性を示す膜を形成することができた。
実施例１における酢酸硅素の代りに水酸化硅素
を用いた外は実施例１と全く同様に行つたところ
上記各例と同等あるいはそれ以上の特性を有する
膜が得られることが確認された。
を用いた外は実施例１と全く同様に行つたところ
上記各例と同等あるいはそれ以上の特性を有する
膜が得られることが確認された。
（発明の効果）
本発明は以上説明した如くポリイミド樹脂及び
燐含有のシリコン化合物による混合溶液を用いて
シリコン基板上に優れた耐熱性、耐被覆性及び耐
電気絶縁特性を有する膜を形成し得るので特に超
高集積回路の各種絶縁膜及びパシベーシヨン膜の
形成に利用して優れた効果を発揮し、工業的利用
価値は極めて高い。
燐含有のシリコン化合物による混合溶液を用いて
シリコン基板上に優れた耐熱性、耐被覆性及び耐
電気絶縁特性を有する膜を形成し得るので特に超
高集積回路の各種絶縁膜及びパシベーシヨン膜の
形成に利用して優れた効果を発揮し、工業的利用
価値は極めて高い。
第１図は本発明耐熱樹脂膜の耐熱特性図、第２
図は同電気特性図である。
図は同電気特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ポリイミド樹脂前駆体溶液と、一般式
（RCOO）oSi（OH）4-o（式中Ｒは一価の炭化水素
基、ｎは０〜４の整数である）で表わされるシリ
コン化合物溶液に燐化合物を溶解した溶液とを混
合して混合溶液を得る工程と、 この混合溶液をシリコン基板上に塗布する工程
と、 上記シリコン基板を加熱処理する工程とを有す
る耐熱樹脂膜の形成方法。 ２ 前記ポリイミド樹脂前駆体溶液が、ジアミノ
カルボンアミドと酸二無水物とをＮ−メチル−２
ピロリドン溶液に溶解した樹脂濃度14.2％の溶液
である特許請求の範囲第１項記載の耐熱樹脂膜の
形成方法。 ３ 前記加熱が100℃で１時間の加熱であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の耐熱樹
脂膜の形成方法。 ４ 前記燐化合物が【式】（式中Ｒは炭 化水素基）で表わされる化合物である特許請求の
範囲第１項記載の耐熱樹脂膜の形成方法。 ５ 前記シリコン化合物と燐化合物との溶液が有
機溶媒を用いた溶液である特許請求の範囲第１項
記載の耐熱樹脂膜の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58171193A JPS6064441A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 耐熱樹脂膜の形成方法 |
| US06/581,365 US4528216A (en) | 1983-02-24 | 1984-02-17 | Process for forming heat-resistant resin films of polyimide and organosilicic reactants |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58171193A JPS6064441A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 耐熱樹脂膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6064441A JPS6064441A (ja) | 1985-04-13 |
| JPH0216007B2 true JPH0216007B2 (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=15918730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58171193A Granted JPS6064441A (ja) | 1983-02-24 | 1983-09-19 | 耐熱樹脂膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6064441A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53140973A (en) * | 1977-05-13 | 1978-12-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Forming method of semiconductor insulation film |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP58171193A patent/JPS6064441A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6064441A (ja) | 1985-04-13 |
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