JPH02167271A - ナフトキノン系誘導体及び該誘導体を使用した光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なナフトキノン系誘導体及び該誘導体を
使用する光学記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

半導体レーザーの発振波長の光エネルギーによシ物質状
態の変化を利用して記録を行なう光学記録媒体としては
、従来より種々の構成のものが知られている。

例えば、特開昭！；！；−９７０ＪＪ号公報には、ｇＪ
Ｊ’ｌダ号公報にはフェナレン系色素を、特開昭１ｇ−
２２１７７９３号公報にはナフトキノン系色素を記録層
に設けたものが開示されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来の光学記録媒体のうち、特開昭ＳＳ−？　７０
Ｊ、３号に開示されるフタロシアニン系色素を用いたも
のでは、フタロシアニン系色素は感度が低い、分解点が
高く蒸着しにくい等の問題点を有し、更に有機溶媒に対
する溶解性が著し゛く低く、塗布によるコーティングに
使用するととが難かしいという問題点も有している。

一方、特開昭ｓｇ−ざＪＪＱダ号、同ｓｇ−点を有して
いる。反射率が低いとレーザー光によシ記録された部分
と未記録部分との反射率に関係するコントラストが低く
なシ、記録された情報の再生が困難となる。また、一般
に有機系色素は保存安記性が劣るという問題点を有して
いる。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、蒸着が容易で、有機溶媒に対する溶解性が高
く、塗布によるコーティングも可能で、しかも、反射率
が高く、コントラストが良好で保存安定性に優れている
、新規なナフトキノン系誘導体及びそれを用いた光学記
録媒体を提供することを目的とするものであって、下記
（式中、Ｒ’、Ｒ”は水素原子、置換もしくは非置換の
アルキル基、置換もしくは非置換のシクロアルキル基、
置換もしくは非置換のアリール基又は置換もしくは非置
換のアルケニル基を示しＲ３は水素原子、ハロゲン原子
、アルキル基、アシルアミノ基又はアルコキシ基を示し
、Ｋは水素原子、ハロゲン原子を示し、ＸはＳまたはＳ
ｅを示し、ＹはＣＨまたはＮを示す。）で表わされるナ
フトキノン系誘導体、及び上記誘導体を含む記録層を設
けたことを特徴とする光学記録媒体、を要旨とするもの
である。

以下、本発明の詳細な説明する。

二）、本発明の一般式〔Ｉ〕で示されるナフトキノン索
′誘導体としては、好１しくは下記−数式〔■〕、Ｃｍ
）又は［ＩＶ］で示される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒ’、Ｒ２は水素原子、置換もしくは非置換の
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアリル
基を示し、Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、アシルアミノ基又はアルコキシ基を示す。） （式中、Ｒ’　、　Ｒ２は水素原子、置換もしくは非置
換もしくは非置換のアルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基又はアリル基を示し、Ｒｓは水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、アシルアミノ基又はアルコキシ基
を示す。） （式中、Ｒ１，Ｒ２は水素原子、置換もしぐは非置換の
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアリル
基を示し、Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、アシルアミノ基又はアルコキシ基を示す。） Ｒ１、Ｒ２で表わされるアルキル基としてはメチル基、
エチル基等の炭素数／−Ａのアルキル基が一ル基として
はフェニル基、ナフチル基が挙げられ、アルケニル基と
してはビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基
等の炭素数／〜６のアルケニル基が挙げられる。

Ｒ３で表わされるハロゲン原子としてはＣＩ、Ｆ、１、
Ｂｒ等が挙げられ、アルキル基としては炭素数／〜乙の
アルキル基が挙げられ、アジルア□ノ基としては、アシ
ル基がホルミル、アセチルプロピオニル、ブチリル等の
炭素数／−Ａのアシル基が挙げられ、アルコキシ基とし
ては炭素数／−４のアルコキシ基が挙げられる。

前記−数式（Ｉ）におけるＲ１　、Ｒ２で表わされる３
たとえばアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アル
コキシアルコキシアルコキシ基、アリルオキシ基、了り
−ル基、アリールオキシ基、シアノ基、アルコキシカル
ボニル基、ヒドロキシ基、テトラヒドロフリル基、ハロ
ゲン原子等があげられる。

シクロアルキル基、アリール基又はアルケニル基の置換
基もしくは置換原子としては、たとえばアルキル基、ア
ルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アルコキシアル
コキシアルコキン基、アリルオキシ基、アリール基、ア
リールオキシ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、
ヒドロキシ基、テトラヒドロフリル基、ハロゲン原子等
があげられる。

前記−数式（Ｉ）で示されるナフトキノン系色有し、し
かも分子吸収係数が１０’〜１０５Ｃ！ｎ″″１である
。

次に、このような本発明の新規ナフトキノン系化合物を
用いた、本発明の光学記録媒体について説明する。

本発明の光学記録媒体は、基本的には基板と記録層とか
ら構成されるものであるが、更に必要に応じて基板上に
下引き層を、あるいは、記録層上に保護層を設けること
ができる。

本発明で用いる基板は、使用するレーザー光に対して透
明又は不透明のいずれでも良い。基板材料の材質として
は、ガラス、プラスチック、紙、板状又は箔状の金属等
の、−数的な記録材料の支持体が挙げられるが、これら
のうち、プラスチックが種々の点から好適である。プラ
スチックとしては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、
酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、
ポリエチレン樹脂、ポリプロビレ／樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げ
られる。

本発明の光学記録媒体における記録層として前記−数式
ＣＩ）の化合物を使用する際、膜厚は１００に＝！ｒＡ
ｍ、好ましくば１０００″Ａ〜３μｍとするのが好適で
ある。

成膜法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドク
ターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法など
一般に行なわれている薄膜形成法を採用することができ
る。

成膜に際しては、必要に応じてバインダーを使用するこ
ともできる。バインダーとしてはＰＶＡＶＰＶＰ、ニト
ロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール
、ポリカーボネートなど既知のものが用いられ、これら
のバインダー樹脂に対する前記ア般式〔■〕の化合物の
量は重量比で０．０／以上であることが望ましい。

筐た、記録媒体の安定性や耐光性向上のために一重項酸
素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（例えば
、アセチルアセトナートキレート、ビスフエニルジチオ
ール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−
ジケトン等）を含有させても良い。筐た、本発明におい
て使用される前記一般式〔Ｉ〕で示される色素は単独で
用いてもよいし、置換基の異なる２種小上を混合して使
用してもよい。更に、必要に応じて他の色素を併用する
こともできる。他の色素としては、別の種類の同系統の
化合物でも良いし、トリアリールメタン系色素、アゾ染
料、シアニン系色素、スクワリリウム系色素など他系統
の色素でも良い・ ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法
、特に、スピナー法等の塗布方法によシ記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、ブロモホルム、ジブロモエ
タン、テトラクロロエタン、エチルセロソルブ、キシレ
ン、クロロベンゼン、シクロヘキサノン等の沸点／２０
〜／ｒＯ℃のものが好適に使用される。

なお、スピナー法による成膜の場合、回転数ばｓｏｏ〜
！ｒ　０００　ｒｐｍが好ましく、スピンコードの後、
場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処
理を行なっても良い。

本発明の光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けても
良いし、片面だけに設けても良い。

］上記の様にして得られた記録媒体への記録は、′４常
、基体の両面又は片面に設けた記録層に、ｌμ爪程度に
集束したレーザー光、好１しくは、半導体レーザー０光
をあてる事によシ行なう。

レーザー光の照射された部分には、レーザーエネルギー
の吸収による、分解、蒸発、溶融等の記録層の熱的変形
が起こる。

記録された情報の再生は、レーザー光によシ、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事によう行なう。

本発明の光学記録媒体への記録又は再生に使用されるレ
ーザー光は軽量性、取扱いの容易さ、コンパクト性など
の点から半導体レーザーが好適である。

〔実施例〕

以下、実施例を挙げて本発明をよシ具体的に説明するが
、本発明はその要旨を越えない限す以下の実施例に限定
されるものではない。

実施例／ 合　　成 下記構造式 で表わされる化合物、２．７２９及びコーアミノベンゼ
ンチオール／、２　ｊ　ｔ　ｆエタノール１００ａｔと
ｌｙ％Ｈｃｌ水溶液ａｏｍｌの混合溶媒の中で７２時間
室臨で攪拌しながら反応させた。

ｉｏ％Ｎ　ａ　ＯＨ水溶液で中和し、下記構造式＠で表
わされるナンドキノン系誘導体を得た。

シリカゲルカラム（ベンゼン：酢酸エチル＝ダニｌ）で
３回精製し、精製品を得た。

水晶のりｂロホルム溶液中のλｍａｘｌｔｉ第１図に示
すように７Ａコｎｍであった。

分子吸光係数（ε）：　２．Ｊ　Ｘ　１０’クロロホル
ム溶液中のλｍａｘ　：　　りｂ　２　ｎｍマススペク
トル　：　、？　？　？　（Ｍ＋）成膜法 上記のようにして得られたナフトキノン系色素／？をテ
トラクロロエタンｊ０９に溶解し、０．２２μのフィル
ターで濾過して溶液とした。この溶液Ｊｍｌを、深さ７
００　Ａ　、巾０．７μの紫外線硬化樹脂による溝（グ
ループ）つきのメチルメタクリレート樹脂基板（／　、
２０朋〆）上に滴下し、スピナー法によｐｓｏ。

ｒｐｍの回転数で塗布し、４０℃で１０分間乾燥した。

同一条件でガラス板に塗布し、タリステップにより塗布
膜厚を測定したところ、７００矢であった。第２図に示
すように塗布膜の最大吸収波長は７９０　ｎｍでラシ、
反射率は２９％（ｇ３０ｎｍ）で、スペクトルの形状は
巾広であった。

光記録法 この塗布膜に、中心波長７９０　ｎｍの半導体レーザー
光をビーム径１μｍで照射した所、巾約１μｍ、ピット
長約λμ扉の輪郭の極めて明瞭なピットが形成された。

動特性評価でＣ／Ｎ比は！ｒ２ｄＢ　（ｇｍＷ）で高く
、保存安定性（６０℃、ｔｒｏ％ＲＨ）も良好であった
。

実施例コ 実施例１において、前記構造式■で表わされる化合物の
代わシに、下記第１表に示す化合物を使用したこと以外
は同様にして、成膜を行なったところ、第１表に示す最
大吸収波長をもつ薄膜基板が得られた。

このようにして得られた薄膜に、光源として半導体レー
ザーを用いて書き込みを行なったところ、均一かつ明瞭
な形状のピットが得られ、そのＣ／Ｎ比も良好であう、
保存安定性も良好であった。

実施例Ｊ 下記構造式のす７トキノン系色素ｆ２×１０””Ｔｏｒ
ｒの真空下で、約ｇ　ｏ　−／　ｊ　Ｏ℃に加熱し、板
厚／コ關のメタアクリル樹脂（以下、ＰＭＭＡと記す）
基板上に真空蒸着した。蒸着膜厚は水晶振動式膜厚計に
よる真空蒸着膜厚測定の結果、１ｇ００Ａであった。分
光光度計による最大吸収波長は７９０　ｎｍであシ、ス
ペクトルの形状は、巾広かった。

ナフトキノン系色素： また、この記録媒体は、室内光中、温度９０℃、湿度デ
０多の条件下で良好な保存安定性を示した。

実施例ダ 実施例Ｊにおいて用いたナフトキノン系色素の代わシに
下記第１表に示した化合物を使用して基板に蒸着したと
ころ、下記第２表に示す最大吸収波長をもつ薄膜基板を
得た。このようにして得られた薄膜に光源として半導体
レーザーを用いて書き込みを行なったところ均一かつ明
瞭な形状のビットが得られた。Ｃ／Ｎ比も良好であシ、
保存安定性も良好であった。

このようにして得られた薄膜に、光源として半導体レー
ザーを用いビーム径１μｍ　波長７ざＯｎｍで書き込み
を行なったところ、均一かつ明瞭な形状のビット（孔）
が得られた。キャリヤーレベル／ノイズレベル（Ｃ／Ｎ
）比も高く良好であった。

実施例Ｓ 合　　成 下記構造式 ％式％：） で精製単離し、下記構造式で表わされるナフトキノン系
誘導体を得た。（収率グ９係）（ｉｓｏ）Ｈ７ＱＮＨ０ で表わされる化合物グｌ■（Ｏ，／５ｍｍ０１）と下記
構造式 ＳＯｏり即（０，２ｒ　ｍｍｏｌ　）を脱気したＮ、Ｎ
−ジメチルホルムア□ド、７　ｍｌに溶解し、アルゴン
雰囲気下、常温で６〜７２時間攪拌した。

反応終了後、ｉｏｏｍｔの水に反応溶液をそそぎ、析出
物をｅ過、採取した。

次に、このものをエタノールｂｏｍｌと６Ｎ塩酸の混合
溶媒に溶かし、６〜１２時間攪拌した。酢酸ナトリウム
水溶液で中和ののち、クロロホルムで抽出し、減圧下溶
媒を溶去、反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フＣ３８７（ｉｓｏ） 本化合物の融点は／６３〜／　Ａ　Ｑ　’（：、であり
、λｍａｘ　（ＣＨＣｌ、　）　７　！；　２　ｎｍで
εは／、乙×７０４であった。

実施例６ 実施例Ｓと同様に合成したところ、第３表に示すλ１ｎ
ａＸ　％　　ε、融点をもつナフトキノン誘導体が得ら
れた。

実施例り 合　　成 実施例／にｋいてコーアミノベンゼンチオール／、２Ｊ
？の代シに、下記構造式 で表わされる化合物／、ｊ’ｊ−５’を用いたｕ外は実
施例／と同様に行ない、下記構造式で表わされるナフト
キノン系誘導体を得た。

本化合物の融点は／’Ｉｇ〜ｉｓｏ℃であり、λｍａ　
ｘ　（Ｃｌ−ｌＣｌ！　）は第３図に示すように７７３
ｎｒｎでｔ＝２．／Ｘ１０’であった。

成膜法 前記合成例で得たナフトキノン系誘導体を実施列ｌに記
載の方法に従ってメチノ（・メタクリレート樹脂基板上
にスピナー法による塗布を行なった。

塗布膜の最大吸収波長は７　ｇ　？　ｎｍでアう、スペ
クトルの形状は巾広かった。

光記録法 上記の塗布膜に、中心波長７　ｇ　Ｏｎｍの半導体レー
ザー光で照射したところ、輪郭の明瞭なビットを形成し
た。

この塗布膜の保存安定性（ｂｏ℃、ｇｏ％ＲＨ）は比較
的良好であった〇 実施例ざ 実施例りに釦いて用いた化合物の代わシに第９表に示し
た化合物を使用して塗布したところ、第９表に示す最大
吸収波長をもつ薄膜基板を得た。このようにして得られ
た薄膜に光源として半導体レーザーを用いて書き込みを
行なったところ、均一かつ明瞭な形状のビットが得られ
た。

Ｃ／　Ｎ比も良好であう、保存安定性も良好であった０ 〔発明の効果〕 地上詳述した通シ、本発明のナフトキノン系誘導体は、
蒸着が容易で、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布に
よるコーティングも可能でしかも、反射率が高ぐ、コン
トラストが良好で保存安定性に優れている。

従って、このような誘導体を含む記録層を設けた本発明
の光学記録媒体は、容易かつ効率的に製造することがで
き、その記録、再生等の緒特性にも優れしかも安定性が
高いため、工業的に極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例／で得られた化合物のクロロホルム溶液
中での吸収スペクトル図である。 図中、縦軸は吸光度、横軸は波長（ｎｍ）を表わすＯ 第２図は実施例／で得られた塗布膜の吸収及び反射スペ
クトル図である。 図中、実線は吸収スペクトル、破線は反射スペクトルを
表わす。 左側の縦軸は吸光度を表わし、右側は反射率（り）を表
わす。横軸は波長（ｎｒｎ）を表わす。 第３図は実施例７で得られた化合物のクロロホルム溶液
中でのスペクトル図である。 図中、縦軸は吸光度、横軸は波長（ｎｍ、ｌ’を表わす
。 出　願　人　　三菱化成工業株式会社 代　理　人　　長谷用　　　− （ほか７名） 第 図 皮表（／７，７７） 昂 壇 一所　　　１ ２人　Ｔ（ （ｎｒｎ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・〔
   I 〕 （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２は水素原子、置換もしくは非置
   換のアルキル基、置換もしくは非置換のシクロアルキル
   基、置換もしくは非置換のアリール基又は置換もしくは
   非置換のアルケニル基を示し、Ｒ＾３は水素原子、ハロ
   ゲン原子、アルキル基、アシルアミノ基又はアルコキシ
   基を示し、Ｒ＾４は水素原子、ハロゲン原子を示し、Ｘ
   はＳまたはＳｅを示し、ＹはＣＨまたはＮを示す。）で
   表わされるナフトキノン系誘導体。
2. （２）基板上に担持された色素を含有する記録層に該色
   素に熱的変化を与える集束レーザー光を照射して、前記
   記録層に部分的な変化を生ぜしめて記録を行ない、次い
   で該変化部分の選択によって再生を行なう記録媒体にお
   いて、該色素として、前記一般式〔 I 〕で表わされる
   ナフトキノン系誘導体を使用したことを特徴とする光学
   記録媒体。