JPH02194639A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
- Publication number
- JPH02194639A JPH02194639A JP1014922A JP1492289A JPH02194639A JP H02194639 A JPH02194639 A JP H02194639A JP 1014922 A JP1014922 A JP 1014922A JP 1492289 A JP1492289 A JP 1492289A JP H02194639 A JPH02194639 A JP H02194639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor element
- package
- semiconductor device
- tab
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表面実装型樹脂封止半導体装置に関する。
樹脂封止半導体装置として、ピン挿入型のＤＩＰ、ＺＩ
Ｐや表面実装型のＱＦＰ、ＳＯＰ、Ｓ。
Ｐや表面実装型のＱＦＰ、ＳＯＰ、Ｓ。
Ｊ等が一般的に用いられている。
最近、表面実装型の半導体装置が増加する傾向にある。
表面実装型の半導体装置では、樹脂パンケージ部全体が
２１０°Ｃ〜２６０°Ｃのはんだ温度にさらされるため
、特に吸湿したパッケージを用いた場合、内部水分が急
激に気化膨張し、パ・ノケージの裏側（リードフレーム
のタブ位置）にクラックが入ったり、リードフレームや
半導体素子と封止樹脂との間が剥離し、耐湿性が低下す
る問題などが発生し、大きな問題となっている。
２１０°Ｃ〜２６０°Ｃのはんだ温度にさらされるため
、特に吸湿したパッケージを用いた場合、内部水分が急
激に気化膨張し、パ・ノケージの裏側（リードフレーム
のタブ位置）にクラックが入ったり、リードフレームや
半導体素子と封止樹脂との間が剥離し、耐湿性が低下す
る問題などが発生し、大きな問題となっている。
この問題の原因は、リードフレームのタブ裏側の一部が
封止樹脂と剥離し、そこにたまった水が気化膨張するこ
とにあると考えられ、各種の対策がとられてきた。たと
えば、第３図に示したタブ裏側のデインプル加工を行う
方法があるが、クランク発生防止効果は不充分であった
。また、第２図に示したパッケージ裏側にリードフレー
ムのタブに達する貫通口を設ける方法がある。この場合
クラック発生は防ぐことができるが、高湿下で貫通口か
ら水分が侵入し易く耐湿性が低下する。
封止樹脂と剥離し、そこにたまった水が気化膨張するこ
とにあると考えられ、各種の対策がとられてきた。たと
えば、第３図に示したタブ裏側のデインプル加工を行う
方法があるが、クランク発生防止効果は不充分であった
。また、第２図に示したパッケージ裏側にリードフレー
ムのタブに達する貫通口を設ける方法がある。この場合
クラック発生は防ぐことができるが、高湿下で貫通口か
ら水分が侵入し易く耐湿性が低下する。
本発明は、吸湿した場合にも耐はんだ性に優れており、
耐湿性が低下することがない樹脂封止半導体装置を提供
するものである。
耐湿性が低下することがない樹脂封止半導体装置を提供
するものである。
本発明は、タブを有するリードフレームに半導体素子を
装着配線し樹脂封止したパッケージからなる半導体装置
において、上記リードフレームのタブの半導体素子装着
面の裏面から樹脂パッケージ外部に通じる貫通口を設け
、かつ、半導体素子表面がカップリング剤で処理されて
いることを特徴とする。
装着配線し樹脂封止したパッケージからなる半導体装置
において、上記リードフレームのタブの半導体素子装着
面の裏面から樹脂パッケージ外部に通じる貫通口を設け
、かつ、半導体素子表面がカップリング剤で処理されて
いることを特徴とする。
以下、本発明を第１図により説明する。
第１図に示したように、リードフレームのタブｌの半導
体素子装着面の裏面から、樹脂パッケージ外部に通じる
貫通口３を設けることにより、２１０°Ｃ〜２６０°Ｃ
のはんだ温度で気化膨張した水分を貫通口３を通して容
易に逃がすことができ、パッケージ裏面にクラックが発
生するのを防止する。樹脂パッケージはトランスファ成
形法等によりエポキシ樹脂等を用いて成形する。
体素子装着面の裏面から、樹脂パッケージ外部に通じる
貫通口３を設けることにより、２１０°Ｃ〜２６０°Ｃ
のはんだ温度で気化膨張した水分を貫通口３を通して容
易に逃がすことができ、パッケージ裏面にクラックが発
生するのを防止する。樹脂パッケージはトランスファ成
形法等によりエポキシ樹脂等を用いて成形する。
更に、貫通口３が設けられているため、プレ・ンシャー
クッカーテスト（以下ＰＣＴと略す。）のような加湿環
境下で水分がパッケージ内部に侵入し易いが、半導体素
子４表面が力・ツブリング剤で処理されていると、侵入
した水分が半導体素子４表面に水膜を形成することを防
ぎ、金属配線７とくにアルミ配線の水分による腐食によ
って生じる耐湿性の低下を防止できる。また、半導体素
子４表面に水膜が形成されないため、はんだ温度におけ
る水分の気化膨張によるパッケージ上面のクラック発生
も防止することができる。
クッカーテスト（以下ＰＣＴと略す。）のような加湿環
境下で水分がパッケージ内部に侵入し易いが、半導体素
子４表面が力・ツブリング剤で処理されていると、侵入
した水分が半導体素子４表面に水膜を形成することを防
ぎ、金属配線７とくにアルミ配線の水分による腐食によ
って生じる耐湿性の低下を防止できる。また、半導体素
子４表面に水膜が形成されないため、はんだ温度におけ
る水分の気化膨張によるパッケージ上面のクラック発生
も防止することができる。
ここで、貫通口３は形状は特に制約はないが、気化した
水分を逃がすことができるように０．２〜３ ｍｍφが
好ましい。また貫通口３を設ける位置はタブのほぼ中央
、個数は１〜２が好ましい。
水分を逃がすことができるように０．２〜３ ｍｍφが
好ましい。また貫通口３を設ける位置はタブのほぼ中央
、個数は１〜２が好ましい。
また、カップリング剤としては、シラン力・ツブリング
剤、チタネートカップリング剤、アルミキレート類を用
いることが可能で、中でも、γ−クリシトキシプロビル
トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シランのようなシランカップリング剤が好適である。カ
ップリング剤は０、１〜２重量％程度のイソプロピルア
ルコール、メタノール等の溶液とすることが望ましい。
剤、チタネートカップリング剤、アルミキレート類を用
いることが可能で、中でも、γ−クリシトキシプロビル
トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シランのようなシランカップリング剤が好適である。カ
ップリング剤は０、１〜２重量％程度のイソプロピルア
ルコール、メタノール等の溶液とすることが望ましい。
また、カップリング剤による処理はカップリング剤溶液
を半導体素子表面に塗布しただけでも良いが、塗布後１
００°Ｃ〜２００℃の温度で０．５時間〜３時間熱処理
することが効果的である。カップリング剤の塗布は半導
体素子表面全体に行うことが好ましいが、第１図に示し
たようにタブｌに装着した後、露出している封止樹脂に
接する部分にのみ行ってもよい。
を半導体素子表面に塗布しただけでも良いが、塗布後１
００°Ｃ〜２００℃の温度で０．５時間〜３時間熱処理
することが効果的である。カップリング剤の塗布は半導
体素子表面全体に行うことが好ましいが、第１図に示し
たようにタブｌに装着した後、露出している封止樹脂に
接する部分にのみ行ってもよい。
以下、実施例を第１図により説明する。
第１図に示したように、テスト用半導体素子４をリード
フレームのタブ１に装着し、テスト用半導体素子４の露
出している封止樹脂に接する部分に、Ｔ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランの０．５％イソプロピルア
ルコール溶液で塗布し、さらに１５０°Ｃで２時間加熱
処理して半導体素子４表面に処理層５を設けた。次に、
タブ１の半導体素子装着面の裏面中央部からパッケージ
外部に通じる直径１ａ＋ｍφの貫通口を有するＳＯＪパ
ッケージをトランスファ成形法により成形した。封止樹
脂には、ＣＥＬ−Ｆ−７５７（日立化成工業株式会社製
、エポキシ封止材）を用い、常法に従い１８０°Ｃで９
０秒成形を行い、さらに１８０°Ｃで４時間の後硬化を
行った。
フレームのタブ１に装着し、テスト用半導体素子４の露
出している封止樹脂に接する部分に、Ｔ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランの０．５％イソプロピルア
ルコール溶液で塗布し、さらに１５０°Ｃで２時間加熱
処理して半導体素子４表面に処理層５を設けた。次に、
タブ１の半導体素子装着面の裏面中央部からパッケージ
外部に通じる直径１ａ＋ｍφの貫通口を有するＳＯＪパ
ッケージをトランスファ成形法により成形した。封止樹
脂には、ＣＥＬ−Ｆ−７５７（日立化成工業株式会社製
、エポキシ封止材）を用い、常法に従い１８０°Ｃで９
０秒成形を行い、さらに１８０°Ｃで４時間の後硬化を
行った。
実施例２
カップリング剤にγ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ンを用いる以外は、実施例１と同様の方法でＳＯＪパッ
ケージを作製した。
ンを用いる以外は、実施例１と同様の方法でＳＯＪパッ
ケージを作製した。
実施例１
実施例３
貫通口の大きさが２ｍｍφである以外は、実施例１と同
様の方法でＳＯＪパッケージを作製した。
様の方法でＳＯＪパッケージを作製した。
比較例工
表面を処理していない半導体素子を用いる以外は、実施
例１と同様の方法で第２図に示したｓ。
例１と同様の方法で第２図に示したｓ。
Ｊパッケージを作製した。
比較例２
表面を処理していない半導体素子を用い、貫通口のない
ＳＯＪパッケージを作製した。
ＳＯＪパッケージを作製した。
評価結果を表１に示す。
表１に示したように比較例１は、タブの半導体素子装着
面の裏面から樹脂パッケージ外部に通じる貫通口を設け
ることで、パッケージ裏面のクラックは発生しなかった
が、はんだ処理後の耐湿性は劣った。これに対し、本発
明の樹脂封止半導体装置は、貫通口を設けると同時に半
導体素子表面が処理されているため、クランク発生も断
線不良発生も共にほとんど起きなかった。
面の裏面から樹脂パッケージ外部に通じる貫通口を設け
ることで、パッケージ裏面のクラックは発生しなかった
が、はんだ処理後の耐湿性は劣った。これに対し、本発
明の樹脂封止半導体装置は、貫通口を設けると同時に半
導体素子表面が処理されているため、クランク発生も断
線不良発生も共にほとんど起きなかった。
（以下余白）
耐はんだテストは、パッケージを８５°ｃ／８５％Ｒ）
（Ｍの条件で１６８時間吸湿させ、２１５℃のヘーパリ
フローを９０秒かけた後、パンケージ裏面のクランク発
生数よりクラック不良を評価した。さらに、１２０°Ｃ
（７）ＰＣＴ処理を５００時間行い、断線不良発生数よ
り耐湿性不良を評価した。
（Ｍの条件で１６８時間吸湿させ、２１５℃のヘーパリ
フローを９０秒かけた後、パンケージ裏面のクランク発
生数よりクラック不良を評価した。さらに、１２０°Ｃ
（７）ＰＣＴ処理を５００時間行い、断線不良発生数よ
り耐湿性不良を評価した。
本発明の樹脂封止半導体装置は、リードフレームのタブ
の半導体素子装着面の裏面からパッケージ外部に通じる
貫通口を設け、かつ、半導体素子表面がカップリング剤
で処理されていることから、吸湿した場合にも、耐はん
だ性、耐湿性ともに優れたものである。
の半導体素子装着面の裏面からパッケージ外部に通じる
貫通口を設け、かつ、半導体素子表面がカップリング剤
で処理されていることから、吸湿した場合にも、耐はん
だ性、耐湿性ともに優れたものである。
第１図は、本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
。第２図は従来の半導体装置の断面図。 第３図は従来のリードフレームの平面図。 タブ 貫通口 処理層 金属配線 符号の説明 ２ リードピン ４ 半導体素子 ６ 封止樹脂
。第２図は従来の半導体装置の断面図。 第３図は従来のリードフレームの平面図。 タブ 貫通口 処理層 金属配線 符号の説明 ２ リードピン ４ 半導体素子 ６ 封止樹脂
Claims (1)
- １、タブを有するリードフレームに半導体素子を装着配
線し樹脂封止したパッケージからなる半導体装置におい
て、上記リードフレームのタブの半導体素子装着面の裏
面から樹脂パッケージ外部に通じる貫通口を設け、かつ
、半導体素子表面がカップリング剤で処理されているこ
とを特徴とする樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014922A JPH02194639A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014922A JPH02194639A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194639A true JPH02194639A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11874452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1014922A Pending JPH02194639A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194639A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065737A (ja) * | 1992-04-22 | 1994-01-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| KR19980030032A (ko) * | 1996-10-29 | 1998-07-25 | 황인길 | 반도체 패키지 |
| JP2013026234A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-01-24 JP JP1014922A patent/JPH02194639A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065737A (ja) * | 1992-04-22 | 1994-01-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| KR19980030032A (ko) * | 1996-10-29 | 1998-07-25 | 황인길 | 반도체 패키지 |
| JP2013026234A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08167678A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000040775A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR950024315A (ko) | 반도체용 리드 프레임 및 그 제조방법 | |
| JPH0529529A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH09172103A (ja) | 半導体装置及びその半導体装置を実装したガラスエポキシ基板の製造方法 | |
| JP3918303B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2505921B2 (ja) | 半導体装置及びそれ用はんだ合金 | |
| JPH0317238B2 (ja) | ||
| JP2892055B2 (ja) | 樹脂封止型半導体素子 | |
| JPH0727639Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05326815A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP2001102739A (ja) | チップ部品の実装方法 | |
| JP2571795Y2 (ja) | 樹脂封止形電子部品 | |
| JPH0230830Y2 (ja) | ||
| JPH0458539A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS62196857A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05102346A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPS6112050A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2555519Y2 (ja) | 表面実装樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0828563B2 (ja) | プリント基板実装方法 | |
| JP3182595B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JPS6235655A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6011652Y2 (ja) | 樹脂モ−ルド型の半導体装置 | |
| JPS62299039A (ja) | 半導体装置の面実装方法 | |
| JPH02117162A (ja) | 半導体装置 |