JPH02214170A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
- Publication number
- JPH02214170A JPH02214170A JP1034372A JP3437289A JPH02214170A JP H02214170 A JPH02214170 A JP H02214170A JP 1034372 A JP1034372 A JP 1034372A JP 3437289 A JP3437289 A JP 3437289A JP H02214170 A JPH02214170 A JP H02214170A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving element
- electrode
- groove
- semiconductor light
- Prior art date
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- Pending
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は金属−半導体一金！Ｉ４（以下ＭＳＭと呼ぶ
）受光素子の高感度化に関するものである。
）受光素子の高感度化に関するものである。
第５図は従来のＭＳＭ形半導体受光素子の構造を示す斜
視図である。半絶縁性ＧａＡａ基板（１０１）の王面上
蚤こ橋上にｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ領域（ｔ０２） ２よ
びｐ−ＧａＡａ領域（１０３）がイオン注入法あるいは
選択拡散法によって形成されている。それぞれの領域よ
にはｎ−電極（１０４）およびｐ−電極（１０５）が真
空蒸着法で形成される。ｐ−電極（１０５）に負、ｎ−
電極（１０４）ｌこ正の電圧を印加すると、ｐ−領域（
１０３）、ｎ−領域（１０２）Ｓよび半絶縁性ＧａＡｓ
基板（１０１）部分でＰＩＮ構造が形成され外部からの
入射光にたいし受光素子として働く。この受光素子は構
造が比較的単純で。
視図である。半絶縁性ＧａＡａ基板（１０１）の王面上
蚤こ橋上にｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ領域（ｔ０２） ２よ
びｐ−ＧａＡａ領域（１０３）がイオン注入法あるいは
選択拡散法によって形成されている。それぞれの領域よ
にはｎ−電極（１０４）およびｐ−電極（１０５）が真
空蒸着法で形成される。ｐ−電極（１０５）に負、ｎ−
電極（１０４）ｌこ正の電圧を印加すると、ｐ−領域（
１０３）、ｎ−領域（１０２）Ｓよび半絶縁性ＧａＡｓ
基板（１０１）部分でＰＩＮ構造が形成され外部からの
入射光にたいし受光素子として働く。この受光素子は構
造が比較的単純で。
半絶縁性基板（１）上に形成されているためｌｌｆ Ｋ
流か少ないなどの利点を有している。
流か少ないなどの利点を有している。
従来の半導体受光素子は以上のように構成されていたの
で、ｐ、ｎ−を極が基板主面上に形成され入射光に対し
て遮蔽物として作用するため、実効的な受光感度を大き
くすることが難しく、これを解決するため入射光に対し
透明になる電極も検討されているが、形成が難しく実用
的な解決方法には至っていない。
で、ｐ、ｎ−を極が基板主面上に形成され入射光に対し
て遮蔽物として作用するため、実効的な受光感度を大き
くすることが難しく、これを解決するため入射光に対し
透明になる電極も検討されているが、形成が難しく実用
的な解決方法には至っていない。
この発明は上記のような問題点を解決するため−こなさ
れたもので、受光感ａｔ高めたＭＳＭ形受光受光素子る
ことを目的とする。
れたもので、受光感ａｔ高めたＭＳＭ形受光受光素子る
ことを目的とする。
この発明に係るＭＳＭ形半導体受光素子はｔ極による遮
蔽効果を無視できる程度に小さくするために、基板に鷹
を設は魔（Ｉｎ壁に電極を形成したものである。
蔽効果を無視できる程度に小さくするために、基板に鷹
を設は魔（Ｉｎ壁に電極を形成したものである。
以下、この発明の一実施例を図番こついて説明する。第
１図はこの発明の一実施例を示す模式断面図で１図にお
いて、（ｔｏｌ）は半絶性ＧａＡｓ基板、 （１１１６
）は半絶縁性ＧａＡｓ基板（１０１）に形成された鷹、
（１０２）は鷹（１０６）の片方の側面に選択的に形成
されたｎ−ＧａＡｓ層、 （１０３）は溝の他の側面に
形成されたｐ−ＧａＡｓ１ｍ、（ｔｏ４）はｎ Ｇａ
Ａｓ層（１０２）上に形成されたｎ−ＩＥ極、（１０５
）はｐ−ＧａＡｓ層（１口３）上に形成されたｐ−電極
である。矢印（１０７）は入射光である。
１図はこの発明の一実施例を示す模式断面図で１図にお
いて、（ｔｏｌ）は半絶性ＧａＡｓ基板、 （１１１６
）は半絶縁性ＧａＡｓ基板（１０１）に形成された鷹、
（１０２）は鷹（１０６）の片方の側面に選択的に形成
されたｎ−ＧａＡｓ層、 （１０３）は溝の他の側面に
形成されたｐ−ＧａＡｓ１ｍ、（ｔｏ４）はｎ Ｇａ
Ａｓ層（１０２）上に形成されたｎ−ＩＥ極、（１０５
）はｐ−ＧａＡｓ層（１口３）上に形成されたｐ−電極
である。矢印（１０７）は入射光である。
この半導体受光素子は第２図Ｇこ示す製造工程断面図に
よって形成することができる。まず第２図（ａ） ｉこ
示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に通常の写真製版
法によって、ストライプ状のパターン（２０１）を形成
する。化学エツチングあるいはりアクティブイオンエツ
チング（ＲＩＩ）などのドライエツチング法によりｆｉ
（１０６）を形成する。ストライブの幅及び溝の幅は
数ばクロン程度にする。壇の深さも数ミクロンが適当で
あるが、この範囲に限定されるものではない。
よって形成することができる。まず第２図（ａ） ｉこ
示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に通常の写真製版
法によって、ストライプ状のパターン（２０１）を形成
する。化学エツチングあるいはりアクティブイオンエツ
チング（ＲＩＩ）などのドライエツチング法によりｆｉ
（１０６）を形成する。ストライブの幅及び溝の幅は
数ばクロン程度にする。壇の深さも数ミクロンが適当で
あるが、この範囲に限定されるものではない。
次に第２図（ｂ） （ｃ）に示すように、イオン（２１
）２）を庫壁の片１にのみ当たるように角変を持たせて
打ち込み、片方は例えばＳｔイオンによるｎ−形（１０
２）、他方をＺｎによるｐ−形（１０３）にする。イオ
ンの活性化を行うため番こ注入後８（）０℃程度で３０
分アニールを施こす。その後第２図（ｄ）のように、い
わゆる斜め蒸着法によりｐ、およびｎ領域上に電極（ｒ
＋）４ ）。
）２）を庫壁の片１にのみ当たるように角変を持たせて
打ち込み、片方は例えばＳｔイオンによるｎ−形（１０
２）、他方をＺｎによるｐ−形（１０３）にする。イオ
ンの活性化を行うため番こ注入後８（）０℃程度で３０
分アニールを施こす。その後第２図（ｄ）のように、い
わゆる斜め蒸着法によりｐ、およびｎ領域上に電極（ｒ
＋）４ ）。
（１０５）を形成する。電極材料はｐ−を極としてＡｕ
Ｚｎ、ｎ−電極としてＡｕＧｅが適当である。
Ｚｎ、ｎ−電極としてＡｕＧｅが適当である。
上記実施例ではイオン打ち込みをしてｐ −ｎ−領域を
形成した場合を示しているが、第３図の様にイオン注入
によらず２Ｍ１＠壁に形成したｐ−ｎ−１１！極からの
拡散を利用してｐ−拡散領域（釦３）２よびｎ−拡散領
域（４０４）を形成しても良い。
形成した場合を示しているが、第３図の様にイオン注入
によらず２Ｍ１＠壁に形成したｐ−ｎ−１１！極からの
拡散を利用してｐ−拡散領域（釦３）２よびｎ−拡散領
域（４０４）を形成しても良い。
また第４図の様に金属材料をＷＳｉのように、ショツト
キー性電極としてもＭＳＭ形半導体受光素子として働く
事は論をまたない。
キー性電極としてもＭＳＭ形半導体受光素子として働く
事は論をまたない。
以上の実施例ではＧａＡｓ系材料を例１こあげたか、Ｉ
ｎＰ、 ＩｈＧａＡｓなど他の半導体材料に適用できる
ことは明らかである。
ｎＰ、 ＩｈＧａＡｓなど他の半導体材料に適用できる
ことは明らかである。
この様な構成の半導体受光素子に電圧を印加すると従来
例と同様に電極間でＰＩＮ構造（シミツトキー形では金
属−工層−金属構造）となり、入射光にたいして高い感
度を持つようになる。
例と同様に電極間でＰＩＮ構造（シミツトキー形では金
属−工層−金属構造）となり、入射光にたいして高い感
度を持つようになる。
以上のよう番ここの発明嘉こよれば、電極が入射光にた
いして遮蔽物とならないため実効的な受光感度を向上す
ることができ、従来の構造でｉＥ＆３μｍ。
いして遮蔽物とならないため実効的な受光感度を向上す
ることができ、従来の構造でｉＥ＆３μｍ。
ｔＷ間隔３μｍのものであれば約半分の入射光が電極で
遮蔽されていたが、この発明では遮蔽効果は殆ど無視で
きるようになり感度は約２倍に改善される。
遮蔽されていたが、この発明では遮蔽効果は殆ど無視で
きるようになり感度は約２倍に改善される。
第１図はこの発明ω一実施例の半導体受光素子を示す模
式断面図、第２図ｆａ）〜（ｄ）は第１図の半導体受光
素子の製造工程を示す断面図、第３図、第４図はこの発
明の他の実施例を示す断面図、第５図は従来の半導体受
光素子を示す斜視図である。 図に２いて、（１０１）は半絶縁性ＧａＡｓ基板、（１
ｏ２）はｎ −ＧａＡｓ層、 （１０３）はｐ−ＧａＡ
ｓ層、（１０４）はｎ−１１ｔ極、（１０５）はｐ−電
極、（１０６）は麿、（１０７）は入射光を示す。 なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
式断面図、第２図ｆａ）〜（ｄ）は第１図の半導体受光
素子の製造工程を示す断面図、第３図、第４図はこの発
明の他の実施例を示す断面図、第５図は従来の半導体受
光素子を示す斜視図である。 図に２いて、（１０１）は半絶縁性ＧａＡｓ基板、（１
ｏ２）はｎ −ＧａＡｓ層、 （１０３）はｐ−ＧａＡ
ｓ層、（１０４）はｎ−１１ｔ極、（１０５）はｐ−電
極、（１０６）は麿、（１０７）は入射光を示す。 なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半絶縁性基板上に形成された溝の両側面に電極を形成し
た事を特徴とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034372A JPH02214170A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034372A JPH02214170A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02214170A true JPH02214170A (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=12412341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1034372A Pending JPH02214170A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02214170A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007105593A1 (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Nec Corporation | フォトダイオード、およびその製造方法、ならびに光通信デバイスおよび光インタコネクションモジュール |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1034372A patent/JPH02214170A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007105593A1 (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Nec Corporation | フォトダイオード、およびその製造方法、ならびに光通信デバイスおよび光インタコネクションモジュール |
| US7800193B2 (en) | 2006-03-13 | 2010-09-21 | Nec Corporation | Photodiode, method for manufacturing such photodiode, optical communication device and optical interconnection module |
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