JPS60208862A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60208862A JPS60208862A JP59065564A JP6556484A JPS60208862A JP S60208862 A JPS60208862 A JP S60208862A JP 59065564 A JP59065564 A JP 59065564A JP 6556484 A JP6556484 A JP 6556484A JP S60208862 A JPS60208862 A JP S60208862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- emitter
- hfe
- region
- collector current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、トランジスタの素子構造に関するものである
。
。
（発明の背景）
従来、トランジスタに於いては、直流電流増幅率（以下
ｈＦＥと略す）対コンフタ電流（以下工。
ｈＦＥと略す）対コンフタ電流（以下工。
と略す）％性は、主にベース厚、エミッタ面積及びエミ
ッタ周囲長の設計によって決定されていた。
ッタ周囲長の設計によって決定されていた。
しかるに所望のｈＦＥをＩ。特性を得るには、要求特性
毎にベース厚さ、エミッタ面積、及びエミッタ周囲長を
設計していた。このため、一旦不純物拡散の施されたト
ランジスタチップでｈＰＥ対Ｉ。
毎にベース厚さ、エミッタ面積、及びエミッタ周囲長を
設計していた。このため、一旦不純物拡散の施されたト
ランジスタチップでｈＰＥ対Ｉ。
特性を変えることはできなかった。
（発明の目的）
本発明の目的は特性の変更が容易な半導体装置を得るこ
とにある。
とにある。
（発明の栴成）
本発明の半導体装置によれば、複数のエミッタ領域と、
該エミッタ周辺で複数のコンタクト部を打つベース領域
を有するトランジスタで、選択的にベースコンタクト部
を外部引出しベース電極に接続するか又は選択的に個々
のエミッタ領域と外部引出しエミッタ電極と接続した半
導体装置を得る。
該エミッタ周辺で複数のコンタクト部を打つベース領域
を有するトランジスタで、選択的にベースコンタクト部
を外部引出しベース電極に接続するか又は選択的に個々
のエミッタ領域と外部引出しエミッタ電極と接続した半
導体装置を得る。
（発明の原理）
一般にｈＦＥ対ＩＣ％性は、あるコレクタ電流ｒｃ−ｐ
において、最大ｈＦＥを示し、この■。値に対し、小電
流、大電流側いずれにおいてもｈＦＥ値が低下する特性
をもつ。小ＩＣ側のｈＦＥ特性は、主にベース厚さとエ
ミッタ面積によって決定される。
において、最大ｈＦＥを示し、この■。値に対し、小電
流、大電流側いずれにおいてもｈＦＥ値が低下する特性
をもつ。小ＩＣ側のｈＦＥ特性は、主にベース厚さとエ
ミッタ面積によって決定される。
又、ベース電流■Ｂに占める無効電流成力の比率が増す
ため、コレクタ電流値が小となる程、ｈＦＥ値は小とな
る。一方大に側のｈＦＥ特性は、ベース厚とペース電流
が実効的に流れるエミッタ周凹長で決定される。ここで
、コレクタ電流のエミッタ周辺部への集中が進むためＩ
Ｃが犬となる程ｈＦＥは小となる。従って、一般的なト
さンジスタの設計では、ベース厚、エミッタ面積及びエ
ミッタ周囲長の設計を決定するとｈＦＥ対■。特性が決
定され、ｈＦＦ、対ｌｃ特性の形状を自由に変えること
は困難となる。
ため、コレクタ電流値が小となる程、ｈＦＥ値は小とな
る。一方大に側のｈＦＥ特性は、ベース厚とペース電流
が実効的に流れるエミッタ周凹長で決定される。ここで
、コレクタ電流のエミッタ周辺部への集中が進むためＩ
Ｃが犬となる程ｈＦＥは小となる。従って、一般的なト
さンジスタの設計では、ベース厚、エミッタ面積及びエ
ミッタ周囲長の設計を決定するとｈＦＥ対■。特性が決
定され、ｈＦＦ、対ｌｃ特性の形状を自由に変えること
は困難となる。
これに対し、エミッタ領域を複数に分割し、該エミッタ
領域周辺にベースコンタクト部を複数設けた構造のもと
で、ベースコンタクト個数金減らした場合、比較的小さ
い工。領域（Ｉｃ ＜＜ Ｉｃｐ ）では、全てのベー
スコンタクトを接続した場合とｈＦＥ値は大差ないもの
の、大ＩＣの領域即ちＩＢが大きい箱間ではベース横力
同筒圧降下により、ベースコンタクトから離れたエミッ
タ（づ：周辺部のみ動作するか或いは、動作停止するか
してｈＦＥ値は低下する。従って、選択的にベースコン
タクトを外部ベース電極と接続す乞ことで最大）１ｐｇ
を与える電流値工。Ｐを制御することが出来る。
領域周辺にベースコンタクト部を複数設けた構造のもと
で、ベースコンタクト個数金減らした場合、比較的小さ
い工。領域（Ｉｃ ＜＜ Ｉｃｐ ）では、全てのベー
スコンタクトを接続した場合とｈＦＥ値は大差ないもの
の、大ＩＣの領域即ちＩＢが大きい箱間ではベース横力
同筒圧降下により、ベースコンタクトから離れたエミッ
タ（づ：周辺部のみ動作するか或いは、動作停止するか
してｈＦＥ値は低下する。従って、選択的にベースコン
タクトを外部ベース電極と接続す乞ことで最大）１ｐｇ
を与える電流値工。Ｐを制御することが出来る。
更番で、エミッタ領域と外部エミッタ電極との接続イ馬
数を変えれは各ＩＣ＠域でのｈＦＥｆ直と自由に制御す
ることが出来る。
数を変えれは各ＩＣ＠域でのｈＦＥｆ直と自由に制御す
ることが出来る。
つぎに、図面を参照しながら、本発明をより詳細に説明
する。
する。
（従来技術）
第１図は従来構造のトランジスタである。同図〔ａ〕に
コレクタ電極Ｃ，ベース電極Ｂ、エミッタ電極Ｅ、と断
面構造を示す。ここに１．３の層は同じ４電型（Ｎ又は
Ｐ型→であり、２の層は、これと異なる導ｉＩ型（Ｐ又
はＮ型）である。この構造のトランジスタのｈＦＥ対Ｉ
対峙Ｃ特性型例を同図（ｂ）に示す。同図（’ｂ）の最
大ｈＦＥを与えるコレクタ電流ＩＣＰより小さなコレク
タ電流領域では１．概ね同図（Ｃ）の様に、エミッタ全
領域にベース電流が流れ、エミッタ全領域にコレクタ電
流が流れる。−力ＩＣＰより大きなコレクタ 電流領域
では概ね同図（ｄ）の様にエミ、り領域の周辺部分にの
みベース電流が流れ込み、コレクタ電流もエミッタ領域
の周辺部分を流れる。この傾向はＩＣが大なる程顕著と
なる。従って、第１図（ａ）の構造のトランジスタでは
、ベース厚及びエミッタパターンの設計でｈＦＥ対Ｉ対
峙Ｃ特性ぼ決定される。
コレクタ電極Ｃ，ベース電極Ｂ、エミッタ電極Ｅ、と断
面構造を示す。ここに１．３の層は同じ４電型（Ｎ又は
Ｐ型→であり、２の層は、これと異なる導ｉＩ型（Ｐ又
はＮ型）である。この構造のトランジスタのｈＦＥ対Ｉ
対峙Ｃ特性型例を同図（ｂ）に示す。同図（’ｂ）の最
大ｈＦＥを与えるコレクタ電流ＩＣＰより小さなコレク
タ電流領域では１．概ね同図（Ｃ）の様に、エミッタ全
領域にベース電流が流れ、エミッタ全領域にコレクタ電
流が流れる。−力ＩＣＰより大きなコレクタ 電流領域
では概ね同図（ｄ）の様にエミ、り領域の周辺部分にの
みベース電流が流れ込み、コレクタ電流もエミッタ領域
の周辺部分を流れる。この傾向はＩＣが大なる程顕著と
なる。従って、第１図（ａ）の構造のトランジスタでは
、ベース厚及びエミッタパターンの設計でｈＦＥ対Ｉ対
峙Ｃ特性ぼ決定される。
（実施例）
これに対し、第２図は、本発明の一実施例を示したもの
で、一定のベース厚、エミッタパターンのもとでｈＦＥ
対Ｉ対峙Ｃ特性ベースコンタクト部及び各エミッタ領域
を外部引出し電極との接続で制御可能とすることができ
る。
で、一定のベース厚、エミッタパターンのもとでｈＦＥ
対Ｉ対峙Ｃ特性ベースコンタクト部及び各エミッタ領域
を外部引出し電極との接続で制御可能とすることができ
る。
８に２図（Ａ−ａ）は全てのベースコンタクトを外部Ｓ
引出し電極と接続した場合、第２図（Ｂ−ａ）は選択的
にベースコンタクトを外部引出し電極と接続した場合を
示す。手工。領域（Ｉｃ ＜ ＩＣ？ ）では、従来構
造のトランジスタと同様同図（Ａ−ｂ）＃（Ｂ−ｂ）に
示す如く、全エミッタが実効的に働く。
引出し電極と接続した場合、第２図（Ｂ−ａ）は選択的
にベースコンタクトを外部引出し電極と接続した場合を
示す。手工。領域（Ｉｃ ＜ ＩＣ？ ）では、従来構
造のトランジスタと同様同図（Ａ−ｂ）＃（Ｂ−ｂ）に
示す如く、全エミッタが実効的に働く。
これに対し、大ＩＣ領域（Ｉｃ＞Ｉｃｐ）では、 同図
（Ａ−ｃ）、（Ｂ−ｃ）に示す如く、ベース嘗流経路し
いては、コレクタ電流経路に差が出る。この様子をｈＦ
Ｅ対Ｉｃ％性で見ると、同図（Ａ）、（Ｂ）夫々の場合
につき、同図（Ｃ）の（２）、０に示す通り最大ｈＦＥ
を与えるコレクタ電流値が異ってくる。
（Ａ−ｃ）、（Ｂ−ｃ）に示す如く、ベース嘗流経路し
いては、コレクタ電流経路に差が出る。この様子をｈＦ
Ｅ対Ｉｃ％性で見ると、同図（Ａ）、（Ｂ）夫々の場合
につき、同図（Ｃ）の（２）、０に示す通り最大ｈＦＥ
を与えるコレクタ電流値が異ってくる。
このように、ベースフンタクトを外部引出し、ベース′
＆極とを選択的に接続することで、ｈＦｉｔ対Ｉ、特性
（最大ｈＦＥを与えるＩＣ値）をコントロール可能なト
ランジスタを得ることが出来る。
＆極とを選択的に接続することで、ｈＦｉｔ対Ｉ、特性
（最大ｈＦＥを与えるＩＣ値）をコントロール可能なト
ランジスタを得ることが出来る。
第り図は従来構造のトランジスタを示したもので、同図
（樽は栴造断面図、同図中）＃′１ｈＦＩ対ＩＣ特性全
ＩＣ特性ラフ、同図（ｃ）はコレクタ亀流小の時のベー
ス、コレクタ電流経路を示す図、同図（山はコレクタ電
流大の時のベース・コレクタ電流経路を示す図である。 第２図は本発明の実施例によるトランジスタを示したも
ので、同図（Ａ−ａ）および同図（Ｂ−ａ〕は各実施例
の断面図、同図（Ａ−ｂ）および同図〔Ｂ−ｂ〕はコレ
クタ電流小の時のベースコレクタ電流経路を示す図、同
図（Ａ−ｃ）および同図（Ｂ−ｃ）はコレクタ電流大の
時のベース・コレクタ電流経路を示す図、同図（Ｃ）は
ｈＦＥ対Ｉ対峙Ｃ特性すグラフである。 １・・・・・・コレクタ領域、２・・・・・・ベース領
域、３・・・エミッタ領域 （ｔｔ） （ｂ） ＣＣ ＜ｃ） （ｄ） 筋 ／ 図
（樽は栴造断面図、同図中）＃′１ｈＦＩ対ＩＣ特性全
ＩＣ特性ラフ、同図（ｃ）はコレクタ亀流小の時のベー
ス、コレクタ電流経路を示す図、同図（山はコレクタ電
流大の時のベース・コレクタ電流経路を示す図である。 第２図は本発明の実施例によるトランジスタを示したも
ので、同図（Ａ−ａ）および同図（Ｂ−ａ〕は各実施例
の断面図、同図（Ａ−ｂ）および同図〔Ｂ−ｂ〕はコレ
クタ電流小の時のベースコレクタ電流経路を示す図、同
図（Ａ−ｃ）および同図（Ｂ−ｃ）はコレクタ電流大の
時のベース・コレクタ電流経路を示す図、同図（Ｃ）は
ｈＦＥ対Ｉ対峙Ｃ特性すグラフである。 １・・・・・・コレクタ領域、２・・・・・・ベース領
域、３・・・エミッタ領域 （ｔｔ） （ｂ） ＣＣ ＜ｃ） （ｄ） 筋 ／ 図
Claims (1)
- １つのチップ上に、複数のエミッタ領域と該エミッタ周
辺で複数のベースコンタクト部をもつベース領域と、外
部引出しベース１極と、外部引出しエミッタ嘗、極とを
有し、前記複数のベースコンタクト部のうち任意の数を
前記外部引出しベース電極に接続し、前記複数のエミッ
タ領域の任意の数を前記外部引出しエミッタ電極に接続
したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065564A JPS60208862A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065564A JPS60208862A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208862A true JPS60208862A (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=13290631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59065564A Pending JPS60208862A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208862A (ja) |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59065564A patent/JPS60208862A/ja active Pending
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