JPH02152241A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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JPH02152241A
JPH02152241A JP63306395A JP30639588A JPH02152241A JP H02152241 A JPH02152241 A JP H02152241A JP 63306395 A JP63306395 A JP 63306395A JP 30639588 A JP30639588 A JP 30639588A JP H02152241 A JPH02152241 A JP H02152241A
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JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
circuit device
electrode
collector
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP63306395A
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English (en)
Inventor
Hisashi Funakoshi
久士 船越
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路装置に関し、特にトランジスター素子
のコレクタ抵抗を低減することを目的としたものである
。
〔従来の技術〕
従来、この種の集積回路装置は、埋込拡散層上にエピタ
キシャル層を有し、埋込拡散層から電極をとり出す時は
、エピタキシャル層を介して、埋込拡散層と同じ導電型
の不純物を埋込拡散層まで拡散し、この拡散層からＡｕ
等の金属により電極をとり出す構造となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の集積回路装置は埋込拡散層とコレクタ電
極の間に拡散層を有するため、この拡散層の抵抗成分が
無視できないという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の集積回路装置は、埋込拡散層に直接Ａ１等金属
の電極が接続されたコレクタ電極を有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。集積回路装
置内のＮＰＮ）ランジスタに適用した例である。Ｐ型基
板１にｎ＋埋込層２を形成した後、エピタキシャル層３
を成長させる。ベース５を形成した後、コレクタ電極１
０となる部分をＳｆエツチングする。このエツチングは
ｎ＋埋込層２のところまで行なう。次に酸化等により絶
縁物７′を形成し、ｎ＋埋込層２と接する部分の絶縁物
を除去する。次にエミッタ６を形成する。この時同時に
コレクタコンタクト（ｎ”）４も形成される。その後、
蒸着等の方法によりコレクタ電極１１０′を形成し最後
にベース電極、エミッタ電、極、コレクタ電極ＩＩ　　
１０を形成する。第２図は本発明の他の実施例２の断面
図である。集積回路装置内の縦型ＰＮＰ　）ランジスタ
のコレクタ電極に適用した例である。構成については実
施例１のＮＰＮトランジスタと重複するため省略する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は直接ＡＡ等の金属により電
極を引き出す事によって、コレクタ電極■直下の抵抗を
大幅に低減できる効果がある。例えば、コレクタ引き出
し拡散層は通常１０Ω／口の層抵抗であり、コレクタ電
極■にＡ４を使った場合２０ｍΩ／口の層抵抗である。
このことから本発明の場合、コレクタ電極■直下の抵抗
は従来の１７５００に低減できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例１の断面図、第２図は本発明の
実施例２の断面図である。 １・・・・・・Ｐ型基板、２・・・・・・ｎ＋埋込層、
３・・・・・・エピタキシャル層、４・・・・・・コレ
クタコンタクト（口゛）、訃・・・・・ベース、６・・
・・・・エミッタ、７・・・・・・絶縁物、７′・・・
・・・絶縁物、８・・・・・・ベース電極、９・・・・
・・エミッタ電極、１ｏ・・・・・・コレクタ電極ｎ、
１０’　・・・・・・コレクタ電極■、１１・・・・・
・Ｐ＋埋込層、１２・・・・・・コレクタコンタクト（
Ｐ”）、１３・・・・・・エミッタ、１４・・・・・・
ベース、１５・・・・・・エミッタ’［１１６・・・・
・・ベース電極、１７・・・・・・コレクタ引き出し拡
散層、１８・・・・・・コレクタコンタクト拡散層。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体層内に埋込領域を有し、この埋込に達する溝を前
    記半導体層に有し、この溝を介して前記埋込領域に電極
    が形成されていることを特徴とする集積回路装置。
JP63306395A 1988-12-02 1988-12-02 集積回路装置 Pending JPH02152241A (ja)

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