JPH0223530A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0223530A JPH0223530A JP63173318A JP17331888A JPH0223530A JP H0223530 A JPH0223530 A JP H0223530A JP 63173318 A JP63173318 A JP 63173318A JP 17331888 A JP17331888 A JP 17331888A JP H0223530 A JPH0223530 A JP H0223530A
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- JP
- Japan
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- magnetic recording
- vapor deposition
- electron beam
- polymer film
- recording layer
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録
媒体の製造方法に関する。
媒体の製造方法に関する。
従来の技術
従来、広く使用されている磁気記録媒体は磁性微粉末と
高分子結合剤とを主体とする磁性塗料を、高分子フィル
ム等の非磁性支持体上に塗布、乾燥して磁性層を形成し
た塗布型の磁気記録媒体である。これに比し、Ｃｏ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ等の強磁性金属を真空蒸着法、スパッタリング
等により、非磁性支持体上に、磁気記録層として形成す
る金属薄膜型の磁気記録媒体は、短波長出力が大きくで
きることから、今後の高密度磁気記録を担う媒体として
注目されている〔例えば、アイイーイーイー トランザ
クシッンズ オン マグネティクス （ＩＥＥＥＴＲＡ
ＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣ８）ＶＯ
Ｉ−ＭＡＧ−２１、ＪＥ３．Ｐ、Ｐ １２１７〜１２２
０ （１９８５） ）。
高分子結合剤とを主体とする磁性塗料を、高分子フィル
ム等の非磁性支持体上に塗布、乾燥して磁性層を形成し
た塗布型の磁気記録媒体である。これに比し、Ｃｏ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ等の強磁性金属を真空蒸着法、スパッタリング
等により、非磁性支持体上に、磁気記録層として形成す
る金属薄膜型の磁気記録媒体は、短波長出力が大きくで
きることから、今後の高密度磁気記録を担う媒体として
注目されている〔例えば、アイイーイーイー トランザ
クシッンズ オン マグネティクス （ＩＥＥＥＴＲＡ
ＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣ８）ＶＯ
Ｉ−ＭＡＧ−２１、ＪＥ３．Ｐ、Ｐ １２１７〜１２２
０ （１９８５） ）。
しかしながら、この種の金属薄膜型の磁気記録媒体にお
いては、ＣＯ単体、Ｃｏ−Ｎｉ等の合金を単に非磁性支
持体上に、真空蒸着しただけでは、十分な大きさの抗磁
力Ｈａを有する磁気記録層を得ることは困難である。こ
のような金属薄膜型磁気記録媒体で、大きなＨａを得る
ことの出来る方法として、斜め蒸着法が知られている〔
特公昭４１−１９３８９号公報〕。
いては、ＣＯ単体、Ｃｏ−Ｎｉ等の合金を単に非磁性支
持体上に、真空蒸着しただけでは、十分な大きさの抗磁
力Ｈａを有する磁気記録層を得ることは困難である。こ
のような金属薄膜型磁気記録媒体で、大きなＨａを得る
ことの出来る方法として、斜め蒸着法が知られている〔
特公昭４１−１９３８９号公報〕。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、斜め蒸着法では、蒸着効率が低いといっ
た問題の他に、異方性が非磁性基板の長手方向につくた
め、磁気ディスクとして用いた時、高密度記録特性を十
分発揮させることができないといった課題があり、改善
が望まれていた。
た問題の他に、異方性が非磁性基板の長手方向につくた
め、磁気ディスクとして用いた時、高密度記録特性を十
分発揮させることができないといった課題があり、改善
が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、等方的で
優れたＣ／Ｈの磁気記録層を高速で得ることの出来る磁
気記録媒体の製造方法を提供するものである。
優れたＣ／Ｈの磁気記録層を高速で得ることの出来る磁
気記録媒体の製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、高分子フィノ１／ム上に斜め入射でクラス
ターイオンビーム蒸着を行った後、垂直に近い成分で電
子ビーム蒸着して磁気記録層を形成するようにしたもの
である。
製造方法は、高分子フィノ１／ム上に斜め入射でクラス
ターイオンビーム蒸着を行った後、垂直に近い成分で電
子ビーム蒸着して磁気記録層を形成するようにしたもの
である。
作 用
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により
、高分子フィルム上に均一な核形成が行われ荷電粒子に
よる不均一性から生じる雑音も少なく、なおかつ上記核
形成による保磁力増大効果が垂直に近い成分の電子ビー
ム蒸着時にも維持され、等方的でありながら雑音の少な
い媒体を製造できることになる。
、高分子フィルム上に均一な核形成が行われ荷電粒子に
よる不均一性から生じる雑音も少なく、なおかつ上記核
形成による保磁力増大効果が垂直に近い成分の電子ビー
ム蒸着時にも維持され、等方的でありながら雑音の少な
い媒体を製造できることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。第１図は本発明の製造方法により製造する磁気記
録媒体の拡大断面図である。第１１図で、１はポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ホリ
フェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン
、ポリアミド。
する。第１図は本発明の製造方法により製造する磁気記
録媒体の拡大断面図である。第１１図で、１はポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ホリ
フェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン
、ポリアミド。
ポリイミド等の高分子フィルムで必要に応じて水溶性高
分子のミミズ状下塗り層や、無機微粒子や樹脂粒子を配
した微粒子塗布層を配したものでもよい。２はクラスタ
ーイオンビーム蒸着層で３は垂直に近い成分で電子ビー
ム蒸着した磁気記録層である。２はＴｉ、Ｃｒ、Ｇｏ、
ＳＬ等の非磁性層か、３と同じＣｏ−Ｎｉ 、Ｃｏ−Ｔ
ｉ 、Ｃｏ−Ｇｏ 、Ｃｏ−８ｉ 、Ｃｏ −Ｃｒ
。
分子のミミズ状下塗り層や、無機微粒子や樹脂粒子を配
した微粒子塗布層を配したものでもよい。２はクラスタ
ーイオンビーム蒸着層で３は垂直に近い成分で電子ビー
ム蒸着した磁気記録層である。２はＴｉ、Ｃｒ、Ｇｏ、
ＳＬ等の非磁性層か、３と同じＣｏ−Ｎｉ 、Ｃｏ−Ｔ
ｉ 、Ｃｏ−Ｇｏ 、Ｃｏ−８ｉ 、Ｃｏ −Ｃｒ
。
Ｇｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０等の強磁性金属薄膜のいずれ
かで、クラスターイオンビーム蒸着で入射角はＣ／Ｎよ
り６ｏ度以上、好ましくはＳＯ度以上の斜め蒸着を行い
、等方性を得るためには、強磁性金属薄膜の時は、３の
膜厚の尾〜％が好ましい。４は保護層でＳｉｏ２膜、カ
ーボン膜、パーフルオロポリエーテル、脂肪酸等を適宜
組み合わせればよい。尚本発明は磁気ディスクが望まし
いが、磁気テープに用いてもよいのは勿論である。
かで、クラスターイオンビーム蒸着で入射角はＣ／Ｎよ
り６ｏ度以上、好ましくはＳＯ度以上の斜め蒸着を行い
、等方性を得るためには、強磁性金属薄膜の時は、３の
膜厚の尾〜％が好ましい。４は保護層でＳｉｏ２膜、カ
ーボン膜、パーフルオロポリエーテル、脂肪酸等を適宜
組み合わせればよい。尚本発明は磁気ディスクが望まし
いが、磁気テープに用いてもよいのは勿論である。
第２図は本発明を実施するのに用いた蒸着装置の要部断
面図である。第２図で６は高分子フィルムで、ｅは円筒
キャンで、絶縁し電位を付与できるよう構成する。７は
巻出し軸、８は巻取り軸で円筒キャンは矢印Ａの方向に
口伝する。９はクラスター蒸発源容器、１０は蒸着材料
Ａ１１１は誘導加熱コイル、１２は高周波コイル、１３
は絶縁導入端子、１４は高周波電源、１６は蒸気流Ａ１
１６は防着板Ａで、１７は防着板Ｂ１１８は電子ビーム
蒸発源容器、１９は蒸着材料Ｂ、２０は電子ビーム発生
器、２１は電子ビーム、２２は蒸気流Ｂで、２３は真空
容器、２４は真空排気系である。
面図である。第２図で６は高分子フィルムで、ｅは円筒
キャンで、絶縁し電位を付与できるよう構成する。７は
巻出し軸、８は巻取り軸で円筒キャンは矢印Ａの方向に
口伝する。９はクラスター蒸発源容器、１０は蒸着材料
Ａ１１１は誘導加熱コイル、１２は高周波コイル、１３
は絶縁導入端子、１４は高周波電源、１６は蒸気流Ａ１
１６は防着板Ａで、１７は防着板Ｂ１１８は電子ビーム
蒸発源容器、１９は蒸着材料Ｂ、２０は電子ビーム発生
器、２１は電子ビーム、２２は蒸気流Ｂで、２３は真空
容器、２４は真空排気系である。
第２図で電子ビーム蒸発源容器を直径５Ｑｃ＋ａの円筒
キャンの真下４ｏｃｌＩＩ−に置いて、クラスター蒸発
源容器を、電子ビーム蒸発源より高分子フィルムの入っ
てくる側へ、水平に２２ｃ＆、垂直に１８１移動した位
置に配した。キャンは一２００Ｖとした。この条件で以
下に具体的な例について比較例との対比で説明する。
キャンの真下４ｏｃｌＩＩ−に置いて、クラスター蒸発
源容器を、電子ビーム蒸発源より高分子フィルムの入っ
てくる側へ、水平に２２ｃ＆、垂直に１８１移動した位
置に配した。キャンは一２００Ｖとした。この条件で以
下に具体的な例について比較例との対比で説明する。
厚み４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１００人のＣｒ２ｏ３ 微粒子を１０ケ／隼２配
Ｉ〜、その上にＣｒ を３００人最小入射角６４度でク
ラスターイオンビーム蒸着した。イオン化は１３．５６
Ｍ、ｅｏｏｗＯ高周波パワーで行った。その後、１．４
Ｘ１０−５Ｔｏｒｒの散゛素分圧下でＣｏ−Ｎ１（Ｃｏ
：８０ｗｔチ）を１０００人電子ビーム蒸着した。
に直径１００人のＣｒ２ｏ３ 微粒子を１０ケ／隼２配
Ｉ〜、その上にＣｒ を３００人最小入射角６４度でク
ラスターイオンビーム蒸着した。イオン化は１３．５６
Ｍ、ｅｏｏｗＯ高周波パワーで行った。その後、１．４
Ｘ１０−５Ｔｏｒｒの散゛素分圧下でＣｏ−Ｎ１（Ｃｏ
：８０ｗｔチ）を１０００人電子ビーム蒸着した。
入射角は１３度以内とした。更にモンテフルオス社製の
”フオンブリンＺ−２６″を６０人塗布し、３．６ イ
ンチの磁気ディスクＡに加工した。
”フオンブリンＺ−２６″を６０人塗布し、３．６ イ
ンチの磁気ディスクＡに加工した。
次はフイ／ｌ／ム上にＣｏ−Ｃｒ （、Ｃｏ ：８０ｗ
ｔ ％ ）を１２０人最小入射角６７度でクラスター
イオンビーム蒸着した（高周波パワーは１３．５６ｈｔ
ｍ、 ５５０Ｗとした）。
ｔ ％ ）を１２０人最小入射角６７度でクラスター
イオンビーム蒸着した（高周波パワーは１３．５６ｈｔ
ｍ、 ５５０Ｗとした）。
引き続きＣｏ−Ｃｒ （Ｃｏ ： ８０ｗ ｔ％）を電
子ビーム蒸着（入射角１８度以内）し、Ｃｏ−Ｃｒ膜厚
をトータルで１０００人とした。この上に同じ潤滑剤を
６０人配し、磁気ディスクＢとした。
子ビーム蒸着（入射角１８度以内）し、Ｃｏ−Ｃｒ膜厚
をトータルで１０００人とした。この上に同じ潤滑剤を
６０人配し、磁気ディスクＢとした。
比較例Ａとして、高周波スパッタリング法でＣｒ、Ｃｏ
−Ｎ１（Ｃｏ：８０ｗｔ％）を３００人〜１６００人積
層した以外は磁気テ゛イスクＡと同様のものを準備した
。比較例Ｂとして高周波スパッタリング法で、Ｃｏ−Ｃ
ｒ （Ｃｏ ：８０ｗｔ％）垂直磁化膜を２０００人配
した以外は磁気ディスクＢど同様のものを準備した。
−Ｎ１（Ｃｏ：８０ｗｔ％）を３００人〜１６００人積
層した以外は磁気テ゛イスクＡと同様のものを準備した
。比較例Ｂとして高周波スパッタリング法で、Ｃｏ−Ｃ
ｒ （Ｃｏ ：８０ｗｔ％）垂直磁化膜を２０００人配
した以外は磁気ディスクＢど同様のものを準備した。
夫々の磁気ディスクをギャップ長０．２６μｍトラック
幅１０μｍのリングヘッドで０．３３μｍのビット長の
信号を記録し再生比較した。比較例ＢのＣ／ＮをｏｄＢ
とした時、比・咬例Ａば−０，７ｄＢ、実施例Ａは＋
ｓ、５ｄＢＳ実施例Ｂは＋３．、ｏｄＢと良好であった
。
幅１０μｍのリングヘッドで０．３３μｍのビット長の
信号を記録し再生比較した。比較例ＢのＣ／ＮをｏｄＢ
とした時、比・咬例Ａば−０，７ｄＢ、実施例Ａは＋
ｓ、５ｄＢＳ実施例Ｂは＋３．、ｏｄＢと良好であった
。
実施例Ａ、Ｂは１周に渡って出力は±ｏ、１ｄＢ以内と
均一で、比較例Ｂと同等で比較例Ａ７ふ３ｄＢ より
良好で、より等方性に優れていることがわかる。
均一で、比較例Ｂと同等で比較例Ａ７ふ３ｄＢ より
良好で、より等方性に優れていることがわかる。
尚、実施例Ｂの条件で全Ｃｏ−０ｒに占めるクラ、７−
ターイオンビーム蒸着層が％以上になると、モジ↓レー
ジランが１ｄＢを越え、九以下になると、保磁力の低下
が目立ち、高密度記録性能が低下することをＣｏ−Ｃｘ
の全厚６００人から２６００人で確認した。
ターイオンビーム蒸着層が％以上になると、モジ↓レー
ジランが１ｄＢを越え、九以下になると、保磁力の低下
が目立ち、高密度記録性能が低下することをＣｏ−Ｃｘ
の全厚６００人から２６００人で確認した。
尚スパッタリング法に対比して製膜速度は２６〜８０倍
の範囲で同様の結果になることを実施確認した。
の範囲で同様の結果になることを実施確認した。
発明の効果
以上のように本発明によれば、等方的で優れたＣ／Ｎの
磁気記録媒体を高速で得られるといったすぐれた効果が
ある。
磁気記録媒体を高速で得られるといったすぐれた効果が
ある。
第１図は本発明により製造される磁気記録媒体の拡大断
面図、第２図は本発明を実施するのに用いた蒸着装置の
要部断面図である。 １．６・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・ク
ラスターイオンビーム蒸着層、３・・・・・・強磁性金
属薄膜、９・・・・・・クラスター蒸発源容器、１８・
・・・・・電子ビーム蒸発源容器。
面図、第２図は本発明を実施するのに用いた蒸着装置の
要部断面図である。 １．６・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・ク
ラスターイオンビーム蒸着層、３・・・・・・強磁性金
属薄膜、９・・・・・・クラスター蒸発源容器、１８・
・・・・・電子ビーム蒸発源容器。
Claims (1)
- 高分子フィルム上に、斜め入射でクラスターイオンビー
ム蒸着を行った後、垂直に近い成分で電子ビーム蒸着し
て磁気記録層を形成することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63173318A JPH0223530A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63173318A JPH0223530A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0223530A true JPH0223530A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15958213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63173318A Pending JPH0223530A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0223530A (ja) |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63173318A patent/JPH0223530A/ja active Pending
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