JPH02263303A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はフェライトからなる磁気コアの磁気ギャップを
形成する衝き合わせ面にセンダスト薄膜を設けた磁気ヘ
ッドに関するものである。

本発明ではセンダスト薄膜の下地にＡＩｔＯ３ＭｇＯ，
ＣａＯの１種もしくは２種以上からなる層を形成する。

この技術は高保磁力の磁気記録媒体に対する記録・再生
に適したＭＩＧヘッドに利用される。

［従来の技術］ フェライト磁気コアの磁気ギャップを形成する衝き合わ
せ面に強磁性金属薄膜を設けた磁気ヘッドはＭＩＧ　（
メタル・イン・ギャップ）ヘッドと呼ばれ既に実用化さ
れている。

従来のＭＩＧヘッドの一例について、その磁気ギヤツブ
近傍の拡大図を第３図に示す、磁気ヘッドは、フェライ
トからなる２個の磁気コア１０．１２の磁気ギャップを
形成する衝き合わせ面の少なくとも一方にセンダスト薄
膜１４をスパッタリング法あるいは蒸着法等により形成
し、ギャップガラス１６により所定の磁気ギャップとな
るように組み合わせ、ボンディングガラス１８により結
合した構造である。ここで符号Ｓで示す面は磁気記録媒
体との摺動面である。

この例ではセンダスト薄膜１４は磁気コア１２側に形成
されているが、磁気コア１０側に形成してもよいし、磁
気コア１０．１２の両方に形成してもよい。

このようなＭｒＧヘッドは、磁気ギャップ部に磁束が集
中し、記録磁界が大きく且つ急峻となるため、高保磁力
の磁気記録媒体に対する記録・再生に適している。

［発明が解決しようとする課題］ 第３図に示すような従来のギャップ構造の磁気ヘッドで
は、第４図に示すような孤立再生波形が得られる。つま
り本来の信号（符号ａで示す）の他に、余分な信号（符
号すで示す）が発生する。

このような余分の信号が発生する理由は、従来の磁気ヘ
ッドの場合、フェライト磁気コアとセンダスト薄膜との
間で界面反応が起こるためである。つまりセンダスト中
のＡＩ（アルミニウム）やＳｔ（ケイ素）が界面側に移
動しフェライト中の酸素が界面側に移動して酸化反応に
よるかなり厚い磁気劣化層２０　（第３図参照）が形成
され、それが擬似ギャップになるためと考えられる。

フェライト上に単にセンダスト薄膜をスパッタリング法
あるいは蒸着法により形成する過程ではこのような磁気
劣化層の発生は殆ど見られない、しかし磁気ヘッドを構
成する場合、前述のように２個の磁気コア１０．１２を
ボンディングガラス１８により結合する工程が入る。ボ
ンディングガラスの作業温度は５００〜８００℃程度で
ある。このガラスボンディング作業によって、前記のよ
うなフェライトとセンダストの界面反応が発生して磁気
劣化層２０ができ、それが擬似ギャップとなり余分な信
号すの発生につながる。オージェ分析によるとその磁気
劣化層２０の厚さは約５００人程度になることが解明さ
れた。

ガラスボンディングの作業温度を下げ、且つ作業時間を
短くすることは界面反応の低減に有効であるが、磁気コ
ア同士の強固な結合を実現するためには自ずから限度が
ある。

このようなことから、従来の磁気ヘッドにおいて擬似ギ
ャップ信号の発生を防止することは困難であった。

本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点を解消し
、擬似ギャップ信号のない綺麗な孤立再生波形を得るこ
とができるＭＩＧ磁気ヘッドを提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記のような技術的課題を解決できる本発明は、フェラ
イトからなる磁気コアの磁気ギャップを形成する衝き合
わせ面に、まずＡｌｔｏｓＭｇＯ，ＣａＯの１種もしく
は２種以上からなる下地層を形成し、その上にセンダス
トａ膜を設けた磁気ヘッドである。実際には、下地層は
それら酸化物の１種のみで構成する方が製造容易で好ま
しい、２種以上であっても性能的には大差ない。

ｔ：こでＡＩｚ　Ｏｘ　、ＭｇＯ，ＣａＯの１種もしく
は２種以上からなる下地層は、その全膜厚を５０〜３０
０人程度とし、センダスト薄膜の膜厚は１〜４μｍ程度
とする。特に下地層を１００〜２００人程度、センダス
ト薄膜を３μｍ程度とするのが好ましい。

下地層の形成はスパッタリング法あるいは蒸着法等によ
って行う。

［作用］ フェライト磁気コアとセンダスト薄膜との間に予めＡ　
Ｉ！　Ｏｚ　、　Ｍ　ｇ　Ｏ，Ｃａ　Ｏの１種もしくは
２種以上からなる下地層を形成しておくと、ガラスボン
ディングによる熱処理工程で界面での反応を制御できる
。ＡＩ、Ｍｇ、ＣａはＳｉよりも酸化物の標準生成自由
エネルギーが大きく、Ｍｇ、ＣａはＡＩよりも酸化物の
標準生成自由エネルギーが大きい。っまり固相反応にお
いてＡＩ、Ｍｇ、　　ｃａはＳｔよりも酸化され易＜、
Ｍｇ、ＣａはＡｔよりも酸化され易い。そのためＡ１．
Ｍｇ、Ｃａの酸化物の膜はセンダスト側へ酸素を供給す
ることが少なくなり、センダスト薄膜中のＡＩやＳｉは
酸化されないがらである。またこの下地層によってフェ
ライト中の酸素がセンダス）Ｉ腹側へ移動するのを阻止
できる。これらによって磁気劣化層の形成が防止される
。

ところで上記のような酸化物の下地層は非磁性材料であ
るから擬似ギャップ信号が生じることが考えられるが、
膜厚を３００Å以下にしておけば擬似ギャップ信号は充
分小さい、特に１００〜２００人程度にしておくと擬似
ギャップ信号は殆ど認められなくなる。

［実施例］ 第１図は本発明に係る磁気ヘッドのギヤツブ部構成の一
実施例を示す詳細図である。

この磁気ヘッドも、基本的には従来技術と同様、フェラ
イトからなる磁気コア１０．１２の磁気ギャップを形成
する衝き合わせ面にセンダスト薄１１！Ｊ１４を設けた
構成である。磁気コア１０とセンダスト薄膜１４とのギ
ャップ部分にはギャップガラス１６が位置し、ボンディ
ングガラス１８により結合される。

さて本発明が従来技術と顕著に相違する点は、フェライ
ト磁気コア１２とセンダスト薄膜１４との間にＡｌ１　
Ｏｘ　、ＭｇＯ，ＣａＯの１種もしくは２種以上からな
る下地１１１２２を形成した点である。Ａ　Ｉｔ　Ｏｓ
　、ＭｇＯ，Ｃａ　Ｏの１種のみで構成するのが実用的
であるが、それらの２種以上の組み合わせでもよい。

下地層２２はフェライト磁気コア１２の上に５０〜３０
０人程度の厚さで、例えばスパッタリング法により形成
する。そして、その上にセンダスト薄膜１４を１〜４μ
ｍ程度の厚さとなるように、同じくスパッタリング法に
より形成する。勿論、スパッタリング法に代えて蒸着法
を用いてもよい、特に好ましい膜厚は下地層が約１００
人、センダスト薄膜が約３μｍである。

従来技術のようにフェライト上に直接センダスト薄膜を
形成した場合、その後のガラスボンディング処理におい
て加熱されるため、センダスト中のＡＩＪｐＳｉがフェ
ライト中の酸素を取り込み５００人程度の磁気劣化層を
生成する。

しかし本発明のようにフェライト磁気コアとセンダスト
薄膜との間にＡＩ、Ｍｇ、Ｃａの酸化物からなる下地層
２２を形成しておくとセンダストの酸化防止機能が生じ
る。これはＡｔＭｇ、Ｃａは酸化物の標準生成自由エネ
ルギーが大きく、それらの酸化物の膜はセンダスト薄膜
へ酸素を供給することが少なくなるからである。またこ
の下地層によってフェライト中の酸素がセンダスト薄膜
側へ移動するのを防ぐ、従ってセンダスト薄膜でのＡＩ
やＳｉの酸化反応が抑制され磁気劣化層はほとんど生じ
ない。

前述のようにＡ１．○ｓ、Ｍｇｏ、ｃａｏの１種もしく
は２種以上からなる下地層２２の膜厚は全部で５０〜３
００人程度がよい。下地層が薄過ぎるとフェライト中の
酸素がセンダスト薄膜側へ移動するのを防ぐバリアーと
しての機能が不足するし、逆に厚くなり過ぎるとそれら
の材料は非磁性材であるから擬似ギャップとなり余分な
信号が発生するからである。実際に磁気ヘッドを製造す
る場合には１００人程度が最も好ましい。

この実施例に示す磁気ヘッドにより得られる孤立再生波
形を第２図に示す。従来技術で生じていた余分な信号（
第４図の符号すで示す信号）は本発明の磁気ヘッドでは
ほとんど生じないことが判る。

以上、本発明の好ましい一実施例について詳述したが、
本発明はこのような構成のみに限定されるものではない
。センダスト薄膜を磁気コア１０側に形成する場合には
、その間に下地層を形成する。勿論、磁気コアｌｏ側及
び磁気コア１２側の両方に下地層及びセンダスト薄膜を
形成してもよい。

［発明の効果］ 本発明は上記のように、フェライト磁気コアとセンダス
ト薄膜の間にＡ　１ｔＯ，、ＭｇＯ。

ＣａＯの１種もしくは２種以上からなる下地層を形成し
た磁気ヘッドであるがら、この下地層で界面反応を制御
できる。つまりＡＩ、Ｍｇ。

Ｃａは酸化物の標準生成自由エネルギーが大きいためガ
ラスボンディング工程において加熱されても下地層から
センダスト薄膜へは酸素は供給されず、センダスト薄膜
中のＡＩやＳｉは酸化されない、従って厚い磁気劣化層
は形成されず、擬似ギャップによる余分の信号の発生を
低減できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る磁気ヘッドの一実施例のギヤツブ
部分の拡大図、第２図はその磁気ヘッドにより得られる
孤立再生波形図、第３図は従来技術におけるギャップ部
分の一例を示す拡大図、第４図は従来技術により得られ
る孤立再生波形図である。 １０．１２・・・磁気コア、１４・・・センダスト薄膜
、１６・・・ギャップガラス、１８・・・ポンディング
ガラス、２０・・・磁気劣化層、２２・・・Ａ１よ０１
Ｍｇ０．ＣａＱの１種もしくは２種以上からなる下地層
。 特許出願人　　富士電気化学株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、フェライトからなる磁気コアの磁気ギャップを形成
   する衝き合わせ面にセンダスト薄膜を設けた磁気ヘッド
   において、フェライト磁気コアとセンダスト薄膜との間
   に、Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＭｇＯ、ＣａＯの１種もしくは２
   種以上からなる下地層を形成したことを特徴とする磁気
   ヘッド。 ２、下地層が５０〜３００Åの膜厚をもつ請求項１記載
   の磁気ヘッド。