JPH04229404A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH04229404A JPH04229404A JP41475990A JP41475990A JPH04229404A JP H04229404 A JPH04229404 A JP H04229404A JP 41475990 A JP41475990 A JP 41475990A JP 41475990 A JP41475990 A JP 41475990A JP H04229404 A JPH04229404 A JP H04229404A
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＶＴＲ等に使用する磁気
ヘッドに関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ＶＴＲに使用する磁気ヘッドとし
て、例えばギャップ部にセンダスト等の強磁性金属膜を
スパッタリング形成したいわゆるＭＩＧ（メタル・イン
・ギャップ）型ヘッドがある。このようなＭＩＧ型ヘッ
ドにおいては、ヘッドギャップに対してセンダスト膜が
平行に配置された形状で、特にフェライトの上にそのま
ま成膜されると、疑似ギャップが形成されて、周波数特
性に大きなうねりを生じる。（図５） 【０００３】そこで、例えば実公平１−２７７３０５号
公報に記載されているように、フェライトとセンダスト
膜との間にＳｉＯ２ 等の非磁性酸化物を酸素拡散防止
膜として成膜したものがある。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにフェライトとセンダスト膜との間にＳｉＯ２ 等
を酸素拡散防止膜として成膜すると、フェライトとセン
ダストとの間の拡散は防げるが、センダスト層とＳｉＯ
２とで反応拡散を生じて疑似ギャップが形成され、周波
数特性のうねりを極めて小さくすることは不可能であっ
た。（図６） 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、フェライトコアと強磁性金属膜との間に、こ
の強磁性金属膜の金属元素中で最も酸素と結合しやすい
金属元素或いはこの金属元素以上に酸素と結合しやすい
金属元素の酸化物の膜を成膜した。 【０００６】 【作用】フェライトコアと強磁性金属膜との間に成膜す
る中間膜として、強磁性金属膜の金属元素中で最も酸素
と結合しやすい金属元素或いはこの金属元素以上に酸素
と結合しやすい金属元素の酸化物を用いて、この膜を例
えば数十オングストロームの厚さで形成したので、中間
膜とセンダストとの酸素拡散は起こらず、中間膜として
ＳｉＯ２ 等を用いる場合に比べて、疑似ギャップの形
成が抑制されて周波数特性のうねりを減少できる。 【０００７】 【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面を参照して
説明する。図１は本発明に係る磁気ヘッドの要部断面図
、図２は同磁気ヘッドの反応を説明する説明図、図３及
び図４は同磁気ヘッドの周波数特性のうねりの例を示す
線図である。 【０００８】磁気ヘッド１は、一対のコア半体２，２を
突き合せてガラス３，３で接合してギャップｇを形成し
てなる。コア半体２は、フェライトコア４の突き合せ面
側表面に中間膜５を成膜し、この中間膜５表面に強磁性
金属膜としてのセンダスト膜６を成膜してなる。 【０００９】中間膜５としては、センダスト膜６を構成
するＦｅ、Ａｌ、Ｓｉの中で最も酸素と結合しやすい金
属元素であるＡｌの酸化物Ａｌ２ Ｏ３ を用いて、数
十オングストロームの厚さで形成している。尚、強磁性
金属膜の金属元素の中で最も酸素と結合しやすい金属元
素としては、例えば酸化物の生成自由エネルギーが最も
大きいものを選択する。 【００１０】ところで、ＭＩＧ型磁気ヘッドの疑似ギャ
ップの発生は、主にギャップ形成時の熱処理時にフェラ
イトと強磁性金属膜中の最も酸素と結合しやすい元素Ｍ
が、 【００１１】Ｆｅ２ Ｏ３ ＋Ｍ→２Ｆｅ＋（ＭＯ３
）【００１２】なる反応を起こし、フェライトと強磁性
金属膜との界面にて、フェライト側にＦｅ が過剰の軟
磁気劣化層が、また強磁性金属膜側に（ＭＯ３ ）なる
非磁性層が形成され、これらが疑似ギャップとなる。 【００１３】ここで、フェライトと強磁性金属膜との間
に酸化物中間膜ＲＯ３ を形成しても、その酸化物の生
成自由エネルギがＲＯ３ ＜ＭＯ３ であれば、第２図
にも示すように、酸化物中間膜ＲＯ３ と強磁性金属膜
Ｍとの界面で、 【００１４】Ｍ＋ＲＯ３ →Ｒ＋ＭＯ３ 【００１５】
なる反応を起こし、疑似ギャップ層が若干ではあるが拡
大される。 【００１６】ここで中間膜として、上記実施例のように
センダストを構成するＦｅ、Ａｌ、Ｓｉの中で最も酸素
と結合しやすい金属元素であるＡｌの酸化物Ａｌ２ Ｏ
３ その他ＳｉＯ２ 、ＴｉＯ２ をそれぞれ約５０オ
ングストロームの厚さで形成したものをヘッド化し、そ
の周波数特性のうねりを測定した結果を、表１に示す。 また、Ａｌ２ Ｏ３ を用いた場合の周波数特性のうね
りの例は、図３及び図４に示すようになる。 【００１７】 【表１】 【００１８】この表１から明らかなように、Ａｌ２ Ｏ
３ を用いた場合には、ＳｉＯ２ 、ＴｉＯ２ を用い
た場合よりも周波数特性のうねりが減少する。 【００１９】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ェライトコアと強磁性金属膜との間に成膜する中間膜と
して、強磁性金属膜の金属元素中で最も酸素と結合しや
すい金属元素或いはこの金属元素以上に酸素と結合しや
すい金属元素の酸化物を用いて、この膜を例えば数十オ
ングストロームの厚さで形成したので、中間膜としてＳ
ｉＯ２ 等を用いる場合に比べて、疑似ギャップの形成
が抑制されて周波数特性のうねりを減少できる。
ヘッドに関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ＶＴＲに使用する磁気ヘッドとし
て、例えばギャップ部にセンダスト等の強磁性金属膜を
スパッタリング形成したいわゆるＭＩＧ（メタル・イン
・ギャップ）型ヘッドがある。このようなＭＩＧ型ヘッ
ドにおいては、ヘッドギャップに対してセンダスト膜が
平行に配置された形状で、特にフェライトの上にそのま
ま成膜されると、疑似ギャップが形成されて、周波数特
性に大きなうねりを生じる。（図５） 【０００３】そこで、例えば実公平１−２７７３０５号
公報に記載されているように、フェライトとセンダスト
膜との間にＳｉＯ２ 等の非磁性酸化物を酸素拡散防止
膜として成膜したものがある。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにフェライトとセンダスト膜との間にＳｉＯ２ 等
を酸素拡散防止膜として成膜すると、フェライトとセン
ダストとの間の拡散は防げるが、センダスト層とＳｉＯ
２とで反応拡散を生じて疑似ギャップが形成され、周波
数特性のうねりを極めて小さくすることは不可能であっ
た。（図６） 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、フェライトコアと強磁性金属膜との間に、こ
の強磁性金属膜の金属元素中で最も酸素と結合しやすい
金属元素或いはこの金属元素以上に酸素と結合しやすい
金属元素の酸化物の膜を成膜した。 【０００６】 【作用】フェライトコアと強磁性金属膜との間に成膜す
る中間膜として、強磁性金属膜の金属元素中で最も酸素
と結合しやすい金属元素或いはこの金属元素以上に酸素
と結合しやすい金属元素の酸化物を用いて、この膜を例
えば数十オングストロームの厚さで形成したので、中間
膜とセンダストとの酸素拡散は起こらず、中間膜として
ＳｉＯ２ 等を用いる場合に比べて、疑似ギャップの形
成が抑制されて周波数特性のうねりを減少できる。 【０００７】 【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面を参照して
説明する。図１は本発明に係る磁気ヘッドの要部断面図
、図２は同磁気ヘッドの反応を説明する説明図、図３及
び図４は同磁気ヘッドの周波数特性のうねりの例を示す
線図である。 【０００８】磁気ヘッド１は、一対のコア半体２，２を
突き合せてガラス３，３で接合してギャップｇを形成し
てなる。コア半体２は、フェライトコア４の突き合せ面
側表面に中間膜５を成膜し、この中間膜５表面に強磁性
金属膜としてのセンダスト膜６を成膜してなる。 【０００９】中間膜５としては、センダスト膜６を構成
するＦｅ、Ａｌ、Ｓｉの中で最も酸素と結合しやすい金
属元素であるＡｌの酸化物Ａｌ２ Ｏ３ を用いて、数
十オングストロームの厚さで形成している。尚、強磁性
金属膜の金属元素の中で最も酸素と結合しやすい金属元
素としては、例えば酸化物の生成自由エネルギーが最も
大きいものを選択する。 【００１０】ところで、ＭＩＧ型磁気ヘッドの疑似ギャ
ップの発生は、主にギャップ形成時の熱処理時にフェラ
イトと強磁性金属膜中の最も酸素と結合しやすい元素Ｍ
が、 【００１１】Ｆｅ２ Ｏ３ ＋Ｍ→２Ｆｅ＋（ＭＯ３
）【００１２】なる反応を起こし、フェライトと強磁性
金属膜との界面にて、フェライト側にＦｅ が過剰の軟
磁気劣化層が、また強磁性金属膜側に（ＭＯ３ ）なる
非磁性層が形成され、これらが疑似ギャップとなる。 【００１３】ここで、フェライトと強磁性金属膜との間
に酸化物中間膜ＲＯ３ を形成しても、その酸化物の生
成自由エネルギがＲＯ３ ＜ＭＯ３ であれば、第２図
にも示すように、酸化物中間膜ＲＯ３ と強磁性金属膜
Ｍとの界面で、 【００１４】Ｍ＋ＲＯ３ →Ｒ＋ＭＯ３ 【００１５】
なる反応を起こし、疑似ギャップ層が若干ではあるが拡
大される。 【００１６】ここで中間膜として、上記実施例のように
センダストを構成するＦｅ、Ａｌ、Ｓｉの中で最も酸素
と結合しやすい金属元素であるＡｌの酸化物Ａｌ２ Ｏ
３ その他ＳｉＯ２ 、ＴｉＯ２ をそれぞれ約５０オ
ングストロームの厚さで形成したものをヘッド化し、そ
の周波数特性のうねりを測定した結果を、表１に示す。 また、Ａｌ２ Ｏ３ を用いた場合の周波数特性のうね
りの例は、図３及び図４に示すようになる。 【００１７】 【表１】 【００１８】この表１から明らかなように、Ａｌ２ Ｏ
３ を用いた場合には、ＳｉＯ２ 、ＴｉＯ２ を用い
た場合よりも周波数特性のうねりが減少する。 【００１９】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ェライトコアと強磁性金属膜との間に成膜する中間膜と
して、強磁性金属膜の金属元素中で最も酸素と結合しや
すい金属元素或いはこの金属元素以上に酸素と結合しや
すい金属元素の酸化物を用いて、この膜を例えば数十オ
ングストロームの厚さで形成したので、中間膜としてＳ
ｉＯ２ 等を用いる場合に比べて、疑似ギャップの形成
が抑制されて周波数特性のうねりを減少できる。
【図１】本発明に係る磁気ヘッドの要部断面図
【図２】
同磁気ヘッドの反応を説明する説明図
同磁気ヘッドの反応を説明する説明図
【図３】同磁気ヘ
ッドの周波数特性のうねりの例を示す線図
ッドの周波数特性のうねりの例を示す線図
【図４】同磁気ヘッドの周波数特性のうねりの例を示す
線図
線図
【図５】従来の磁気ヘッドの周波数特性のうねりの例を
示す線図
示す線図
【図６】従来の磁気ヘッドの周波数特性のうねりの例を
示す線図
示す線図
１…磁気ヘッド、２…コア半体、３…ガラス、４…フェ
ライト、５…中間膜、６…強磁性金属膜（センダスト膜
）、ｇ…ギャップ。
ライト、５…中間膜、６…強磁性金属膜（センダスト膜
）、ｇ…ギャップ。
Claims (1)
- 【請求項１】 フェライトコアのギャップ近傍に強磁
性金属膜を形成した磁気ヘッドにおいて、前記フェライ
トコアと強磁性金属膜との間に、この強磁性金属膜を構
成する金属元素中で最も酸素と結合しやすい金属元素の
酸化物膜或いはこの金属元素以上に酸素と結合しやすい
金属元素の酸化物膜を成膜したことを特徴とする磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41475990A JPH04229404A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41475990A JPH04229404A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04229404A true JPH04229404A (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=18523205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41475990A Pending JPH04229404A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04229404A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263303A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気ヘッド |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP41475990A patent/JPH04229404A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263303A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気ヘッド |
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