JPH02237169A - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH02237169A JPH02237169A JP1058329A JP5832989A JPH02237169A JP H02237169 A JPH02237169 A JP H02237169A JP 1058329 A JP1058329 A JP 1058329A JP 5832989 A JP5832989 A JP 5832989A JP H02237169 A JPH02237169 A JP H02237169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cds
- heat treatment
- thin film
- cdse
- activation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ装置や光ディスクなどのＯＡ機
器の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に間す
るものである。
器の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に間す
るものである。
従来の技術
近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器の画像人力部の
小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿幅と同一寸法
の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像読
取装置が広く使用されるようになフできた。
小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿幅と同一寸法
の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像読
取装置が広く使用されるようになフできた。
さて、ＣｄＳ，ＣｄＳｅあるいは固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳ
ｅを主体として成る光センサは光電流が大きいのが特長
で、このためこのセンサを用いた密着型ラインセンサで
は周辺回路の設計が容易である。
ｅを主体として成る光センサは光電流が大きいのが特長
で、このためこのセンサを用いた密着型ラインセンサで
は周辺回路の設計が容易である。
この光センサはガラスなどの絶紗性基板上にＣｄＳ，Ｃ
ｄＳｅあるいはＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成る半導
体薄膜を蒸着形成し、これを高温でＣｄＣＩ２の蒸気に
暴露、熱処理し光電的に活性化して後対向電極を設け、
さらに保護膜を形成する方法によって得られる． 発明が解決しようとする課題 この様に、センサの活性化熱処理をＣｄＣＩ２蒸気中で
行うため、実際には基板上に形成したＣｄＳ系薄膜をア
ルミナの半密閉容器の中で上向きにセットし、容器の底
部にｃｄＣｌ２の蒸発源であるＣｄＳ：ＣｄＣＩ２（約
５重量部）粉末を置いて加熱する方法を採っている。こ
の加熱もトンネル炉を容器がゆっくりと通過する方式な
ので完全に均一な加熱冷却が難しくなる。そのため、基
板中央部のセンサと周辺部のセンサで特性に違いが生じ
易いという欠点がある。
ｄＳｅあるいはＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成る半導
体薄膜を蒸着形成し、これを高温でＣｄＣＩ２の蒸気に
暴露、熱処理し光電的に活性化して後対向電極を設け、
さらに保護膜を形成する方法によって得られる． 発明が解決しようとする課題 この様に、センサの活性化熱処理をＣｄＣＩ２蒸気中で
行うため、実際には基板上に形成したＣｄＳ系薄膜をア
ルミナの半密閉容器の中で上向きにセットし、容器の底
部にｃｄＣｌ２の蒸発源であるＣｄＳ：ＣｄＣＩ２（約
５重量部）粉末を置いて加熱する方法を採っている。こ
の加熱もトンネル炉を容器がゆっくりと通過する方式な
ので完全に均一な加熱冷却が難しくなる。そのため、基
板中央部のセンサと周辺部のセンサで特性に違いが生じ
易いという欠点がある。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑み、複雑なる
活性化熱処理プロセスを簡単にして、特性の均一性、再
現性に優れた光センサの製造方法を提供することを目的
とする。
活性化熱処理プロセスを簡単にして、特性の均一性、再
現性に優れた光センサの製造方法を提供することを目的
とする。
課題を解決するための手段
本発明は、絶縁性基板上にＣｄＳ，ＣｄＳｅあるいは固
溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を形成し、前記
半導体薄膜なＣＬＪＣｌ２あるいはＡｇＣｌを溶かした
溶液に浸漬して後、３５０〜５５０℃で１５ｍｉｎ以上
活性化熱処理した後、対向電極を設け、さらに保護膜を
形成することを特徴とする光センサの製造方法である。
溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を形成し、前記
半導体薄膜なＣＬＪＣｌ２あるいはＡｇＣｌを溶かした
溶液に浸漬して後、３５０〜５５０℃で１５ｍｉｎ以上
活性化熱処理した後、対向電極を設け、さらに保護膜を
形成することを特徴とする光センサの製造方法である。
作用
本発明の方法によれば、ＣｄＳ系光導電型センサの光電
流値が大きいという特長を損なわずして、複雑なる活性
化熱処理プロセスを簡単にして、しかもその特性の均一
性に優れたものにすることができる， 実施例 以下に、本発明の実施例を説明する。
流値が大きいという特長を損なわずして、複雑なる活性
化熱処理プロセスを簡単にして、しかもその特性の均一
性に優れたものにすることができる， 実施例 以下に、本発明の実施例を説明する。
ガラスなどの絶縁性基板上にＣｄＳ，ＣｄＳｅあるいは
ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体とする半導体薄膜を真空蒸着法
などの方法によフて形成する。この薄膜をＣｕＣＩ２あ
るいはＡｇＣｌを溶かした溶液（水、アルコールなど）
に浸漬して後乾燥し、中性または少量の酸素を含む雰囲
気中３５０〜５５０℃にて１５ｍ団以上活性化熱処理を
施す。しかる後、ＮｉＣｒ／Ａｕの蒸着形成膜などで対
向電極を形成し、さらにシリコン樹脂やポリイミドなど
の保護膜を形成し光センサを完成する。
ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体とする半導体薄膜を真空蒸着法
などの方法によフて形成する。この薄膜をＣｕＣＩ２あ
るいはＡｇＣｌを溶かした溶液（水、アルコールなど）
に浸漬して後乾燥し、中性または少量の酸素を含む雰囲
気中３５０〜５５０℃にて１５ｍ団以上活性化熱処理を
施す。しかる後、ＮｉＣｒ／Ａｕの蒸着形成膜などで対
向電極を形成し、さらにシリコン樹脂やポリイミドなど
の保護膜を形成し光センサを完成する。
次ぎに更に、具体例を説明する。
ガラス基板（コーニング社，ａ ７ ０ ５ ９ ，２
３０Ｘ ２５Ｘ ｌ．２ｎｎａ３）上に厚さ４０００Ａ
のＣｄＳｏ．ｅＳｅａｊの蒸着膜を形成し、フォトエッ
チングにより主走査方向に島状（９０Ｘ３５０ｇｍ２）
に８ビット／ｍｍの割合で１７２８ビット配置する。こ
の島状のＣｄＳｅ．ｅＳｅｓ．４膜をＣＵＣＩ２（ある
いはＡｇＣ！）を水に１０−’〜ｌＯ−４モル／ｌの濃
度に溶かした溶液中に１ ｍｉｎ浸潰して後乾燥し、窒
素ガス中３５０〜５５０℃でｊｏｍｉｎ加熱処理して光
電的に活性化して光導電体膜にする。
３０Ｘ ２５Ｘ ｌ．２ｎｎａ３）上に厚さ４０００Ａ
のＣｄＳｏ．ｅＳｅａｊの蒸着膜を形成し、フォトエッ
チングにより主走査方向に島状（９０Ｘ３５０ｇｍ２）
に８ビット／ｍｍの割合で１７２８ビット配置する。こ
の島状のＣｄＳｅ．ｅＳｅｓ．４膜をＣＵＣＩ２（ある
いはＡｇＣ！）を水に１０−’〜ｌＯ−４モル／ｌの濃
度に溶かした溶液中に１ ｍｉｎ浸潰して後乾燥し、窒
素ガス中３５０〜５５０℃でｊｏｍｉｎ加熱処理して光
電的に活性化して光導電体膜にする。
付着添加するＣｕ（あるいはＡｇ）の分量は母体である
ＣｄＳｅ．ｅＳｅｓ．４膜に対して、０．００５〜０．
１モル％とするが、この分量が、ｏ．ｏｏｓモル％より
少ないと効果が小さく、０看モル％以上だと立上がり特
性が悪くなる。その後、その島状の膜の各々に対向電極
（ＮｉＣｒ／八〇蒸着膜）すなわち共通電極と個別電極
を形成する。対向電極のギャップは６０μｍである。そ
の後シリコン樹脂やポリイミドなどの保護膜を形成しラ
インセンサを完成する。これらラインセンサのうちポリ
イミド保護膜の場合の結果“（１ビットの特性）を第ｌ
表にまとめる。比較のため、ＣｄＳｅ．ｓＳｅｅ．ｎ：
Ｃｕ （ｏ．ｏｔモル％）蒸着膜を通常のＣ ｄＣ
１２蒸気中５５０℃でＩＨ活性化熱処理後電極形成した
センサについても調べてある。
ＣｄＳｅ．ｅＳｅｓ．４膜に対して、０．００５〜０．
１モル％とするが、この分量が、ｏ．ｏｏｓモル％より
少ないと効果が小さく、０看モル％以上だと立上がり特
性が悪くなる。その後、その島状の膜の各々に対向電極
（ＮｉＣｒ／八〇蒸着膜）すなわち共通電極と個別電極
を形成する。対向電極のギャップは６０μｍである。そ
の後シリコン樹脂やポリイミドなどの保護膜を形成しラ
インセンサを完成する。これらラインセンサのうちポリ
イミド保護膜の場合の結果“（１ビットの特性）を第ｌ
表にまとめる。比較のため、ＣｄＳｅ．ｓＳｅｅ．ｎ：
Ｃｕ （ｏ．ｏｔモル％）蒸着膜を通常のＣ ｄＣ
１２蒸気中５５０℃でＩＨ活性化熱処理後電極形成した
センサについても調べてある。
（以下余白）
表１
ＣｕＣｌ２の溶液濃度が１０−５モル／１の場合がほぼ
Ｃｕａ度が０．０１モル％に相当する。なお特性は印加
電圧ＤＣＩＯＶ、光照射は緑色ＬＥＤ光（５７０ｎｍ，
１００ ｌｕｘ）をＩ Ｈ ｚ （０．５ｓｅｃずつ
）で点滅して測定した。応答時間は光電流Ｊｐが、０か
ら飽和値の５０％に上がるまでの時間を立上がり時間τ
，、Ｊｐが飽和値からその５０％に下がるまでの時間を
立下がり時間τｄとした。
Ｃｕａ度が０．０１モル％に相当する。なお特性は印加
電圧ＤＣＩＯＶ、光照射は緑色ＬＥＤ光（５７０ｎｍ，
１００ ｌｕｘ）をＩ Ｈ ｚ （０．５ｓｅｃずつ
）で点滅して測定した。応答時間は光電流Ｊｐが、０か
ら飽和値の５０％に上がるまでの時間を立上がり時間τ
，、Ｊｐが飽和値からその５０％に下がるまでの時間を
立下がり時間τｄとした。
この様にＣｄＳｓ．ｅＳｅ［Ｉ４蒸着膜をＣｕＣ１２（
あるいはＡｇＣＩ）を溶かした溶液に浸漬後活性化熱処
理することにより従来のＣｄＳｏ．ｅＳｅ［Ｉ４： Ｃ
ｕ（あるいはＡｇ）蒸着膜をＣｄＣＩ２蒸気中で熱処理
したものと同等の特性が得られる。
あるいはＡｇＣＩ）を溶かした溶液に浸漬後活性化熱処
理することにより従来のＣｄＳｏ．ｅＳｅ［Ｉ４： Ｃ
ｕ（あるいはＡｇ）蒸着膜をＣｄＣＩ２蒸気中で熱処理
したものと同等の特性が得られる。
本実施例ではＣ ｄＳ ｓ．ｓ Ｓ ｅａ．４を例にと
ったが、ＣｄＳ，ＣｄＳｅや他の組成比の固溶体ＣｄＳ
−ＣｄＳｅでも同様の効果が得られる。また本発明のセ
ンサは従来のセンサに較べて均一性においても優れてい
る。すなわち、例えば従来のセンサ（第１表、一番下）
と本発明のセンサ（第１表、上から５番目）の特性を比
較した場合、その光電流Ｊｐは平均値が３６μ八と２
９ ｌＩＡであるが従来型センサてはそのバラツキが±
ｌＯ％以内であったが、本発明センサでは±５％以内で
あった。
ったが、ＣｄＳ，ＣｄＳｅや他の組成比の固溶体ＣｄＳ
−ＣｄＳｅでも同様の効果が得られる。また本発明のセ
ンサは従来のセンサに較べて均一性においても優れてい
る。すなわち、例えば従来のセンサ（第１表、一番下）
と本発明のセンサ（第１表、上から５番目）の特性を比
較した場合、その光電流Ｊｐは平均値が３６μ八と２
９ ｌＩＡであるが従来型センサてはそのバラツキが±
ｌＯ％以内であったが、本発明センサでは±５％以内で
あった。
発明の効果
本発明によれば、光電流値が大きいという特長を損なわ
ずして、そのバラツキを小さくし、かつ製造プロセスを
簡単にずろことが出来る。
ずして、そのバラツキを小さくし、かつ製造プロセスを
簡単にずろことが出来る。
Claims (1)
- 絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅ或は固溶体ＣｄＳ−Ｃ
ｄＳｅで成る半導体薄膜を形成し、前記半導体薄膜をＣ
ｕＣｌ＿２あるいはＡｇＣｌを溶かした溶液に浸漬して
後、３５０〜５５０℃で１５ｍｉｎ以上活性化熱処理し
た後、対向電極を設け、さらに保護膜を形成することを
特徴とする光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058329A JPH07109901B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058329A JPH07109901B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 光センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237169A true JPH02237169A (ja) | 1990-09-19 |
| JPH07109901B2 JPH07109901B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=13081260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1058329A Expired - Lifetime JPH07109901B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109901B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57129827A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-12 | Canon Inc | Manufacture of photoconductive cadmium sulfide |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1058329A patent/JPH07109901B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57129827A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-12 | Canon Inc | Manufacture of photoconductive cadmium sulfide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109901B2 (ja) | 1995-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02237169A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP3019866B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH02237168A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH02270380A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH01220478A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP2538252B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP2658078B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP2658079B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP4038846B2 (ja) | 液晶表示装置用カラーフィルターの製造方法 | |
| JPH03200368A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS6047752B2 (ja) | 擦像管タ−ゲット | |
| JPH03255667A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH02237078A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH07109900B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP2823931B2 (ja) | 導電性透明フィルム及びその製造方法 | |
| JPH03200369A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH02238675A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH0198269A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH0430580A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| SU370278A1 (ru) | Способ получения фоточувствительпых слоев | |
| JPH02237079A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| SU567159A1 (ru) | Способ фотоочувствлени полупроводниковых пленок | |
| JPH01109775A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH029175A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH04164824A (ja) | 屈折率分布型レンズの製造方法 |